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封装：SOP-8-2.54mm

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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型号：FOD3182SD 编号：C479708

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：FOD3180 编号：C899257

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：HCPL2630M 编号：C899519

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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型号：FOD8333R2 编号：C898492

封装：SO-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8333 是一款先进的 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光电耦合器，可驱动高达 1,200 V 和 150 A 的中型功率 IGBT。适用于电机控制变频器应用和高性能电力系统中 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 FOD8333 为您提供必要的保护功能，避免发生故障，从而确保 IGBT 不会由于热逃逸而损坏。

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型号：FOD817C300W 编号：C900911

封装：PDIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：CNY174M 编号：C899082

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

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型号：FOD817C3SD 编号：C241831

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：FOD817BSD 编号：C139543

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：FODM1008R2 编号：C891167

封装：LSOP-4-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FODM100x 系列，单通道，直流感应输入，光耦合器包括一个砷化镓红外线放射晶体管，与光耦合至一个光电晶体管，采用 SOP 4 引脚的延展体封装。输入输出隔离电压 VISO 额定值为 5,000 VACRMS。

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型号：HMHA281R2 编号：C184143

封装：SOP-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

HMHA281 和 HMHA2801 系列器件采用紧凑型 4 引脚微型扁平封装，其中包含一个砷化镓红外发光二极管，以驱动硅光电晶体管。引线间距为 1.27 mm。

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型号：MOC8050M 编号：C97210

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。

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型号：H11L1SR2VM 编号：C274632

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：FOD3150 编号：C899246

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。

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型号：HCPL2531SDM 编号：C899499

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：HCPL2531M 编号：C899497

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：MID400M 编号：C5207629

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

是一种光隔离交流线路到逻辑接口设备，采用8引脚塑料双列直插式封装。交流线路电压由两个与外部电阻串联的背对背砷化镓发光二极管监测。高增益检测电路感应发光二极管电流，并将输出门驱动到逻辑低电平状态。专为用作交流线路监测器而设计，推荐用于任何需要出色的光隔离、固态可靠性、TTL兼容性、小尺寸、低功耗和低频操作的交直流控制应用。

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￥12.21 ￥20.35
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型号：FOD8012AR2 编号：C903694

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD8012A 是一款半工、双向、高速逻辑门极光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专利共面封装技术 Optoplanar, 和优化的集成电路设计，可实现最低 20 kV/μs 的共模干扰抑制 (CMR) 等级。此高速逻辑门极光耦合器与布置为双向配置的 2 个光耦合沟道进行高度集成，采用紧凑的 8 引脚小型封装。每个光耦合器沟道都包含一个高速 AlGaAs LED，由与 CMOS 检测集成电路耦合的 CMOS 缓冲集成电路驱动。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（60ns 传播延迟、15ns 脉冲宽度失真）。

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型号：MCT2ESM 编号：C899737

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MCT2XXX 系列光绝缘体包括一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双线内封装。

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￥1.3034 ￥3.43
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￥0.4572 ￥2.54

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型号：FOD817A300W 编号：C900910

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：MOC217M 编号：C457696

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

这些器件由光耦合到单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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￥1.655 ￥3.31
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型号：FODM2701 编号：C891194

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个驱动光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个反相并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于 AC 运行。

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￥2.0244
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￥1.5974
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型号：MOC3023SR2VM 编号：C899793

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V

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￥2.77
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￥1.74
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型号：FODM217AR2 编号：C891180

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM217 系列单通道、DC 检测输入、光耦合器（包含一个砷化镓 (GaAs) 红外线发光二极管，与一个光电晶体管进行光耦合），采用紧凑型、半间距、4 针封装输入-输出隔离电压、VISO、额定电压为 3750 VACRMS。

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￥3.07
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型号：HMHA2801 编号：C232857

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

HMHA281 和 HMHA2801 系列器件在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。引线间距为 1.27 mm。

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型号：CNY17F2M 编号：C258249

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

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型号：HMHAA280R2 编号：C258258

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：onsemi(安森美)

HMHAA280 包括两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管，用于驱动一个硅光电晶体管，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 1.27mm。

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￥3.07
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￥2.7
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型号：MOC3052SR2VM 编号：C899825

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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￥2.73
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型号：MOC3063SM 编号：C899841

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥3.25
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型号：HCPL0600 编号：C891326

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）。此类器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成，而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由 CMOS 工艺上的双极晶体管组成，用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制。

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