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型号：FOD817D3SD 编号：C365734

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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￥1.6057
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￥1.2796
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￥0.9655
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型号：MOCD213R2M 编号：C258244

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD213M 器件包含两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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￥3.37
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型号：FODM453R2V 编号：C411199

封装：SOIC-5

品牌：onsemi(安森美)

FODM452 和 FODM453 光耦合器包括一个与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。该器件采用紧凑的 5 引脚微型扁平封装，可实现最佳安装密度。FODM453 具有高 CMR 等级，可实现优化的共模瞬变抗扰性。

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￥5.48
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￥3.95
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￥2.77
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￥2.61

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型号：HCPL2631 编号：C16384

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137、HCPL2601、HCPL2611单通道和HCPL2630、HCPL2631双通道光耦合器由一个850 nm AlGaAS LED组成，光耦合到一个具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门。该输出具有集电极开路特性，因此允许线或输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证。

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￥9.33
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￥9.14

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型号：4N35M 编号：C4069

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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型号：MOC217R2M 编号：C184037

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

这些器件由光耦合到单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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￥2.2518 ￥2.78
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￥1.7679 ￥2.49
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￥1.2566 ￥2.06

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型号：MOCD217M 编号：C258262

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD217M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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￥3.95
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型号：MOC3043SR2M 编号：C41809

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥4.04
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￥2.93
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￥2.23

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型号：MOC3163M 编号：C463825

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥4.22
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￥2.19

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型号：MOCD207M 编号：C68894

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD207M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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￥4.37
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￥2.52

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型号：6N136M 编号：C9067

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。通过降低输入晶体管的基极-集电极电容，单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极，有助于改善抗噪能力，内部噪声屏蔽提供一流的共模抑制性能，高达50,000V/us。

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￥4.78
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￥3.83
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￥3.25
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型号：6N139SDM 编号：C42186

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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￥7.73
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￥6.24
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￥5.5
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￥3.96
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￥3.73

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型号：FODM1007R2 编号：C891165

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM100x 系列单沟道直流感应输入光耦合器采用拉伸体 SOP 4 引脚封装，其中包含一个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管，它与一个光电晶体管进行光耦合。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 5,000 VACRMS。

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￥1.3818 ￥2.82
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￥0.9828 ￥2.52
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型号：4N25M 编号：C5241

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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￥2.3922
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￥1.8157
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￥1.1077

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型号：HMHA281R2 编号：C184143

封装：SOP-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

HMHA281 和 HMHA2801 系列器件采用紧凑型 4 引脚微型扁平封装，其中包含一个砷化镓红外发光二极管，以驱动硅光电晶体管。引线间距为 1.27 mm。

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￥2.51
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￥1.91
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￥1.19
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型号：FODM121CR2 编号：C903698

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动光电晶体管。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于交流运行。

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￥2.83
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￥2.21
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￥1.94
100+
￥1.61
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￥1.46
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￥1.37

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型号：FODM2705R2 编号：C115403

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 由一个驱动光电晶体管的砷化镓红外发光二极管组成，采用 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于交流运行。

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￥2.89
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￥1.98
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￥1.64
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￥1.48
1000+
￥1.39

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型号：MOCD211R2M 编号：C463826

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD211M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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1+
￥4.2
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￥3.44
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￥3.06
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￥2.69
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￥2.36
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￥2.24

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型号：MOC3061SR2M 编号：C41647

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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1+
￥4.42
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￥2.7
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￥2.11

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型号：6N135M 编号：C194136

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/?s 的卓越共模抑制。

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1+
￥5
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￥4
50+
￥3.5
100+
￥3.01
500+
￥2.71
1000+
￥2.56

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型号：FOD2712AR2 编号：C903690

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A光隔离放大器包括流行的AZ431L精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。参考电压容差为1%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2712A时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用紧凑型8引脚小型封装。

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￥5.9
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￥5.34
30+
￥5.03
100+
￥4.68
500+
￥4.28
1000+
￥4.21

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型号：MOC3073SM 编号：C899853

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3071M、MOC3072M 和 MOC3073M 由与非零交叉硅双向交流开关（三端双向可控硅元件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。这些器件将低电压逻辑与 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。这些器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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1+
￥7.7
10+
￥6.3
50+
￥5.54
100+
￥4.67
500+
￥4.29
1000+
￥4.11

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型号：FOD4208SDV 编号：C899306

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216和FOD4218器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合任意相位三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4216和FOD4218采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

数据手册

1+
￥24.33
10+
￥20.84
30+
￥18.77
100+
￥16.68
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￥15.71

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型号：FOD814ASD 编号：C258231

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814包含两个反向并联的砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动4引脚双列直插封装中的硅光电晶体管输出。 FOD817 系列包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动 4 引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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5+
￥2.117
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￥1.6835
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￥1.4978
1000+
￥1.266
2000+
￥1.1628
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￥1.1008

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型号：TIL117M 编号：C13705

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC8100、TIL111 和 TIL117 光耦合器在 6 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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1+
￥2.35
10+
￥1.85
50+
￥1.54
100+
￥1.27
500+
￥1.15
1000+
￥1.08

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型号：TIL113M 编号：C29407

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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1+
￥2.72
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￥2.11
50+
￥1.85
100+
￥1.52
500+
￥1.38
1000+
￥1.29

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型号：MOC3022M 编号：C8917

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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1+
￥3.09
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￥2.41
50+
￥2.06
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￥1.7
500+
￥1.54
1000+
￥1.44

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型号：FODM2705 编号：C87419

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 由一个驱动光电晶体管的砷化镓红外发光二极管组成，采用 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于交流运行。

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1+
￥3.14
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￥2.47
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￥2.19
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￥1.83
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￥1.67
1000+
￥1.57

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型号：FOD073LR2 编号：C903689

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD073L光耦合器包含与与高增益分离式达灵顿光电检测器光耦合的AlGaAs LED。此器件指定在3.3V电压的条件下运行。分离式达灵顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管分开，相对于传统的达灵顿光电晶体管光耦合器，可降低输出饱和电压，提高运行速度。集成的发射极-基极电阻提供一流的耐温稳定性。0.5mA的极低输入电流和2000%的高电流传送率相结合，使此器件特别适用于与MOS、CMOS、LSTTL和EIA RS232C的输入接口，同时确保与LVCMOS的输出兼容以及满足高扇出LVTTL要求。内部噪声屏蔽可提供10 kV/us的出色共模抑制性能。

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1+
￥7.51
10+
￥6.2
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￥5.49
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￥4.68
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￥4.32
1000+
￥4.16

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型号：HCPL2630M 编号：C899519

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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1+
￥10.33
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￥8.57
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￥7.03
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￥5.93
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￥5.45
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