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首页 > 热门关键词 > on光耦
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DC输入 隔离电压(rms):3750V
型号：FODM124R2 编号：C232855
封装：SOP-4-2.54mm
品牌：onsemi(安森美)
FODM121、FODM124 和 FODM2701 系列包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动紧凑型 4 引脚微型扁平封装中的光电晶体管。 引脚节距是 2.54 mm。FODM2705 系列包含两个反向并联的砷化镓红外线发光二极管，用于交流运行。
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    ￥2.2973

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    ￥1.0483
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    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：4N35SR2M 编号：C115039
    封装：SOP-6-2.54mm
    品牌：onsemi(安森美)
    该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。
    数据手册

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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：MOC3063SR2M 编号：C13411
    封装：SOP-6-2.54mm
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册

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      ￥5.09

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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD817BSD 编号：C139543
    封装：SMD-4P
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。
    数据手册

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      ￥0.9311
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    4引脚全节距迷你扁平封装光电晶体管光耦合器
    型号：FODM121AR2V 编号：C479711
    封装：SMD-4P
    品牌：onsemi(安森美)
    FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动光电晶体管。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于交流运行。
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    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：CNY173SR2M 编号：C258247
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。
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      ￥2.98

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      ￥2.32

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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：MOC3043M 编号：C80489
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。
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      ￥3.46

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      ￥1.78

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      ￥1.68
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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：MOC3062M 编号：C8919
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。
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      ￥3.8

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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：HCPL0600R2 编号：C500389
    封装：SO-8
    品牌：onsemi(安森美)
    HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）。此类器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成，而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由 CMOS 工艺上的双极晶体管组成，用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制。
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      ￥5.69

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    DC输入 2通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：HCPL2631M 编号：C899527
    封装：DIP-8
    品牌：onsemi(安森美)
    6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。
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      ￥9.69

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    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：FODM217DR2 编号：C891191
    封装：SOP-4-1.27mm
    品牌：onsemi(安森美)
    FODM217 系列单通道、DC 检测输入、光耦合器（包含一个砷化镓 (GaAs) 红外线发光二极管，与一个光电晶体管进行光耦合），采用紧凑型、半间距、4 针封装 输入-输出隔离电压、VISO、额定电压为 3750 VACRMS。
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    • 1+

      ￥2.53

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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：MOC3052M 编号：C8965
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.01

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      ￥4.15

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      ￥2.61
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD817DSD 编号：C241832
    封装：SMD-4P
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.7263

    • 50+

      ￥1.3704

    • 150+

      ￥1.2179

    • 1000+

      ￥0.891

    • 2000+

      ￥0.8063

    • 5000+

      ￥0.7555
  • 有货
    • 立即购买
    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：FODM121CR2V 编号：C903699
    封装：SMD-4P
    品牌：onsemi(安森美)
    FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动光电晶体管。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于交流运行。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.47

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      ￥1.92

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      ￥1.17
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):4170V
    型号：H11L1SM 编号：C899473
    封装：SOP-6-2.54mm
    品牌：onsemi(安森美)
    H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.78

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      ￥3.86

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    • 1000+

      ￥2.37
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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：MOC3061SM 编号：C899831
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.62

    • 10+

      ￥4.74

    • 50+

      ￥3.24

    • 100+

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      ￥2.54

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      ￥2.4
  • 有货
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD8480R2 编号：C899356
    封装：SOP-6-6.8mm
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD8480 和 FOD8482 是低功率光耦合器，支持智能功率模块 (IPM) 的隔离接口，从控制器向 IPM 传输数字控制信号，无需导通接地回路或危险电压。FOD848x 系列采用拉伸体、6 引脚小型塑料封装，包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管和一个集成式高增益集成高增益光电探测器。检测器具有带磁滞的检测器阈值。磁滞提供了差分模式噪声抗干扰性，消除了输出信号颤振的可能性。它的非反相输出设计作为图腾柱，不需要任何上拉电阻。FOD8482 有一个低阈值输入电流 IFLH，最大为 3.0 mA。对于 FOD848x 全系列，在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 4.5 V 至 30 V 的 VDD 范围内可保证其电气和开关特性。低 IF 和宽 VDD 范围，可与 TTL、LSTTL 和 CMOS 逻辑电平兼容，与其他高速光耦合器相比，功耗更低。
    数据手册

    • 1+

      ￥8.33

    • 10+

      ￥6.96

    • 30+

      ￥6.21

    • 100+

      ￥4.75

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    • 1000+

      ￥4.2
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD817ASD 编号：C241830
    封装：SMD-4P
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。
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    • 5+

      ￥1.3329

    • 50+

      ￥1.0595

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      ￥0.9423

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      ￥0.7739

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      ￥0.7088

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      ￥0.6698
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    4引脚DIP光电晶体管光耦合器
    型号：FOD817C3SD 编号：C241831
    封装：SMD-4P
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。
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    • 5+

      ￥1.4329

    • 50+

      ￥1.1197

    • 150+

      ￥0.9855

    • 1000+

      ￥0.803

    • 2000+

      ￥0.7285

    • 5000+

      ￥0.6837
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    • 立即购买
    DC输入 隔离电压(rms):3750V
    型号：HMHA2801R2 编号：C457670
    封装：SOIC-4-175mil
    品牌：onsemi(安森美)
    HMHA281 和 HMHA2801 系列器件在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。引线间距为 1.27 mm。
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    • 1+

      ￥2.41

    • 10+

      ￥1.87

    • 30+

      ￥1.64

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      ￥1.35

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    • 1000+

      ￥1.14
  • 有货
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    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：4N32M 编号：C110941
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.2

    • 10+

      ￥2.52

    • 50+

      ￥2.11

    • 100+

      ￥1.75

    • 500+

      ￥1.59

    • 1000+

      ￥1.49
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    DC输入 隔离电压(rms):2500V
    型号：MOC207R2M 编号：C274700
    封装：SO-8
    品牌：onsemi(安森美)
    这些器件由砷化镓红外线发光二极管组成，二极管以光学方式耦合到单片硅光电晶体管检测器上，采用可表面帖装的小型塑料封装。 它们非常适合高密度应用，并且无需通过电路板安装。
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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：MOC3051M 编号：C8964
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管，该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关（三端双向可控硅开关）。 这些器件将来自 115 V
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    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：H11AA1M 编号：C416004
    封装：PDIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成，以驱动单个硅光电晶体管输出。
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    双向可控硅 有 1
    型号：MOC3082SR2M 编号：C899862
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供电的设备的接口，此类设备包括固态继电器、工业控件、电机、电磁阀和消费品设备等。
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：6N139M 编号：C4071
    封装：DIP-8
    品牌：onsemi(安森美)
    6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD3150ASD 编号：C411200
    封装：SOP-8-2.54mm
    品牌：onsemi(安森美)
    能够驱动大多数800V/20A的IGBT或MOSFET。非常适合用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中的功率IGBT和MOSFET的快速开关驱动。利用安森美半导体获得专利的共面封装技术Optoplanar和优化的IC设计，实现高抗噪性，其特点是具有高共模抑制能力。由一个砷化镓铝（AlGaAs）发光二极管和一个带有推挽MOSFET输出级高速驱动器的集成电路光耦合而成。
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    DC输入 2通道 隔离电压(rms):2500V
    型号：HCPL2631 编号：C16384
    封装：DIP-8
    品牌：onsemi(安森美)
    6N137、HCPL2601、HCPL2611单通道和HCPL2630、HCPL2631双通道光耦合器由一个850 nm AlGaAS LED组成，光耦合到一个具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门。该输出具有集电极开路特性，因此允许线或输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证。
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD817C300 编号：C124472
    封装：DIP-4
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。
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    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD817B300 编号：C124471
    封装：DIP-4
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。
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