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首页 > 热门关键词 > 安森美光耦
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DC输入 隔离电压(rms):3750V
型号：FODM8801B 编号：C457702
封装：SOIC-4-175mil
品牌：onsemi(安森美)
OptoHiT FODM8801 是一款全新光电晶体管，利用安森美半导体先进的专属工艺技术，可实现高运行温度特性，最高可达 125°C。该光耦合器在紧凑的半间距、微型扁平、4 引脚封装中包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED),与光电晶体管进行光耦合。它以极低输入电流提供高电流传输率。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 3750 VACRMS。
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    ￥3.89364 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：4N33SM 编号：C898961
封装：SMD-6P
品牌：onsemi(安森美)
4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。
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    ￥1.64832 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):5000V
型号：MCT62SD 编号：C258242
封装：SMD-8P
品牌：onsemi(安森美)
MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅外延平面光电晶体管。
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    ￥2.06964 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):5000V
型号：FOD2741BTV 编号：C899232
封装：DIP-8
品牌：onsemi(安森美)
FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。 该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。 它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。 它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。 它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。 严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。 该器件采用8引脚DIP白色封装。
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DC 5kV
型号：MCT9001SD 编号：C457714
封装：SMD-8P
品牌：onsemi(安森美)
MCT9001 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅平面光电晶体管。
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FODM611
型号：FODM611 编号：C463973
封装：SOIC-5
品牌：onsemi(安森美)
FODM611是一款5V高速逻辑门输出（开路集电极）光电耦合器，支持隔离式通信，允许数字信号在不传导接地环路或危险电压的情况下在系统间通信。 该器件采用飞兆专有的共面封装技术，Optoplanar，优化了IC设计，通过高共模瞬变抑制规格特点实现了高抗噪能力。 该光电耦合器在输入端包括一个AlGaAS LED，该LED光耦合至一个高速集成光电检测器逻辑门。 检测器IC输出是一个开路集电极肖特基箝位晶体管。 在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。 5mA的最大输入信号将提供13mA的最小输出灌电流（扇出为8）。
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    ￥4.9212 / 个
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FOD2741BSDV
型号：FOD2741BSDV 编号：C457736
封装：SMD-8P
品牌：onsemi(安森美)
FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。 该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。 它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。 它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。 它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。 严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。 该器件采用8引脚DIP白色封装。
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单通道，交流/直流感应输入，半间距 4 引脚迷你扁平封装光电晶体管光耦合器
型号：FODM217A 编号：C190617
封装：SOP-4-1.27mm
品牌：onsemi(安森美)
FODM217 系列单通道、DC 检测输入、光耦合器（包含一个砷化镓 (GaAs) 红外线发光二极管，与一个光电晶体管进行光耦合），采用紧凑型、半间距、4 针封装 输入-输出隔离电压、VISO、额定电压为 3750 VACRMS。
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    ￥1.00152 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):5000V
型号：FOD2743BTV 编号：C899238
封装：DIP-8
品牌：onsemi(安森美)
FOD2743 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个参考电压容限等级：2%，1% 和 0.5%。电流传输比 (CTR) 范围为 50% 至 100%。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2743 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。
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    ￥5.55036 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):2500V
型号：FOD8802B 编号：C891164
封装：SOIC-8
品牌：onsemi(安森美)
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    ￥5.94588 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):5000V
型号：FOD2743BSD 编号：C899235
封装：SMD-8P
品牌：onsemi(安森美)
FOD2743 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个参考电压容限等级：2%，1% 和 0.5%。电流传输比 (CTR) 范围为 50% 至 100%。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2743 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。
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DC输入 隔离电压(rms):3750V
型号：FODM8801A 编号：C891206
封装：SO-4-175mil
品牌：onsemi(安森美)
OptoHiT 系列的FODM8801器件是第一款此类光电晶体管，它采用飞兆半导体领先的专利工艺技术生产，可实现高达125°C的工作温度特性。 光电耦合器是由与光电晶体管进行光耦合的铝砷化镓(AlGaAs)红外发光二极管组成，它采用紧凑型的半间距、4引脚微型扁平封装。 它可以在极低的输入电流下提供高电流传输比。 输入输出隔离电压V
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    ￥3.83016 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):4170V
型号：MOC8021M 编号：C899878
封装：DIP-6
品牌：onsemi(安森美)
MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。
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    ￥1.60092 / 个
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低输入电流、高增益、分体式达林顿光耦合器
型号：HCPL0700 编号：C891332
封装：SOIC-8
品牌：onsemi(安森美)
HCPL-0700、HCPL-0701、HCPL-0730 和 HCPL-0731 光耦合器包括一个与高增益分离达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED，采用紧凑型 8 引脚小外形封装。HCPL-0730 和 HCPL-0731 器件每个封装有两个沟道，可实现最佳安装密度。该分离达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和压和更高的运行速度。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。
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    ￥3.36924 / 个
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DC输入 隔离电压(rms):2500V
型号：FOD8802C 编号：C2902030
封装：SOIC-8
品牌：onsemi(安森美)
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    ￥5.20416 / 个
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DC输入 2通道 隔离电压(rms):2500V
型号：HCPL2730 编号：C899535
封装：DIP-8
品牌：onsemi(安森美)
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    FOD8480
    型号：FOD8480 编号：C605163
    封装：SOIC-6-6.8mm
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD8480 和 FOD8482 是低功率光耦合器，支持智能功率模块 (IPM) 的隔离接口，从控制器向 IPM 传输数字控制信号，无需导通接地回路或危险电压。FOD848x 系列采用拉伸体、6 引脚小型塑料封装，包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管和一个集成式高增益集成高增益光电探测器。检测器具有带磁滞的检测器阈值。磁滞提供了差分模式噪声抗干扰性，消除了输出信号颤振的可能性。它的非反相输出设计作为图腾柱，不需要任何上拉电阻。FOD8482 有一个低阈值输入电流 IFLH，最大为 3.0 mA。对于 FOD848x 全系列，在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 4.5 V 至 30 V 的 VDD 范围内可保证其电气和开关特性。低 IF 和宽 VDD 范围，可与 TTL、LSTTL 和 CMOS 逻辑电平兼容，与其他高速光耦合器相比，功耗更低。
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      ￥7.38036 / 个
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    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：MCT5210M 编号：C899738
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    MCT52XXM 系列在六引脚双列直插封装内包括一个与 NPN 光电晶体管耦合的高能效 AlGaAs 红外发光二极管。MCT52XXM 适用于 CMOS 与 LSTT/TTL 的接口，提供 250% CTR CE(SAT)，LED 输入电流为 1mA。提供 1.6mA 的 LED 输入电流时，数据速率可达 20K bits/s。MCT52XXM 可将 LSTTL 轻松接口 LSTTL/ TTL，使用外部基极-射极电阻时，数据速率可达 100K bits/s。
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      ￥2.81796 / 个
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    低输入电流、高增益、分体式达林顿光耦合器
    型号：HCPL0701 编号：C891334
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    HCPL-0700、HCPL-0701、HCPL-0730 和 HCPL-0731 光耦合器包括一个与高增益分离达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED，采用紧凑型 8 引脚小外形封装。HCPL-0730 和 HCPL-0731 器件每个封装有两个沟道，可实现最佳安装密度。该分离达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。
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      ￥3.36924 / 个
    我要订货
    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD8173 编号：C900905
    封装：SOP-6-6.8mm
    品牌：onsemi(安森美)
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      ￥4.29288 / 个
    我要订货
    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD2741BS 编号：C899229
    封装：SMD-8P
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。 该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。 它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。 它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。 它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。 严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。 该器件采用8引脚DIP白色封装。
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      ￥4.76028 / 个
    我要订货
    AC,DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：HCPL3700SVM 编号：C899547
    封装：SOP-8-2.54mm
    品牌：onsemi(安森美)
    HCPL3700M 电压/电流阈值检测光耦合器包括一个联接阈值感应输入缓冲集成电路的 AlGaAs LED，该集成电路与高增益达灵顿输出进行光耦合。输入缓冲芯片能够使用单个电阻在较宽的输入电压范围内控制阈值水平。该输出可兼容 TTL 和 CMOS。
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      ￥9.26616 / 个
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    双向可控硅 有过零电路 1通道
    型号：FOD4118SDV 编号：C899299
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关使用两个逆向并联 SCR 形成，构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高效红外发光二极管，可提高触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。
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      ￥15.89616 / 个
    我要订货
    DC输入 2通道 隔离电压(rms):2500V@AC
    型号：HCPL0531R2 编号：C231172
    封装：SO-8
    品牌：onsemi(安森美)
    HCPL05XX 和 HCPL04XX 光耦合器由与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED 组成，采用紧凑的 8 引脚小外形封装。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL04XX 器件没有与引线结合的基板，可实现更大噪声裕度。HCPL053X 器件的每个封装有两个沟道，具有最佳安装密度。
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      ￥4.50624 / 个
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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：FODM3022R2-NF098 编号：C457817
    封装：SMD-4P
    品牌：onsemi(安森美)
    FODM301X、FODM302X 和 FODM305X 系列由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。适用于电子控件与电源三端双向可控硅开关元件之间的接口，以在 115V/240V 条件下控制电阻负载和电感负载。
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    • 单价：

      ￥2.1138 / 个
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):2500V
    型号：HCPL2601S 编号：C899509
    封装：SOP-8-2.54mm
    品牌：onsemi(安森美)
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      ￥2.56

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      ￥1.3
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    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：MOC3012SM 编号：C899776
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光绝缘三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。适用于电子控件与电源三端双向可控硅开关元件之间的接口，以在 115 VAC 条件下控制电阻负载和电感负载。
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      ￥1.54644 / 个
    我要订货
    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：MOC3012VM 编号：C899779
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光绝缘三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。适用于电子控件与电源三端双向可控硅开关元件之间的接口，以在 115 VAC 条件下控制电阻负载和电感负载。
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      ￥1.63152 / 个
    我要订货
    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：MOC3011SM 编号：C899773
    封装：SMD-6P
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。
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      ￥1.54464 / 个
    我要订货
    双向可控硅 无过零电路 1通道
    型号：MOC3023VM 编号：C899796
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V
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      ￥1.70244 / 个
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