安森美光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：H11G1TVM 编号：C899468

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。

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单价：
￥2.049 / 个

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型号：H11B1M 编号：C899445

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。

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单价：
￥1.4958 / 个

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型号：FODM2705R2V 编号：C903705

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 由一个驱动光电晶体管的砷化镓红外发光二极管组成，采用 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于交流运行。

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单价：
￥1.30092 / 个

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型号：H11G2SR2M 编号：C184491

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。

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单价：
￥2.31456 / 个

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型号：HMHA2801AR2V 编号：C903768

封装：SOIC-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

HMHA281、HMHA2801 系列包括一个砷化镓红外发光二极管，用以驱动紧凑型 4 引脚微型扁平封装中的硅光电晶体管。引线间距为1.27mm。

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单价：
￥1.24896 / 个

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型号：HMHA281 编号：C274638

封装：SOIC-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

HMHA281 和 HMHA2801 系列器件采用紧凑型 4 引脚微型扁平封装，其中包含一个砷化镓红外发光二极管，以驱动硅光电晶体管。引线间距为 1.27 mm。

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单价：
￥1.21128 / 个

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型号：MOC223M 编号：C463824

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MOC223M 由光耦合到单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。MOCD223M 是 MOC223M 的双沟道版本。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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单价：
￥1.68936 / 个

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型号：FOD814A300W 编号：C900896

封装：PDIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD814包含两个反向并联的砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动4引脚双列直插封装中的硅光电晶体管输出。 FOD817 系列包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动 4 引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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单价：
￥0.9684 / 个

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型号：MOC223R2M 编号：C904290

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MOC223M 由光耦合到单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。MOCD223M 是 MOC223M 的双沟道版本。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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单价：
￥1.67124 / 个

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型号：H11D1M 编号：C410938

封装：PDIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。

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单价：
￥2.12568 / 个

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型号：H11D1SR2M 编号：C463502

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。

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单价：
￥2.46096 / 个

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型号：FOD0721 编号：C463260

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD0721/0720/0710系列采用飞兆专有的共面封装技术Optoplanar，并优化了IC设计，以保证共模噪声抑制(CMR)最小额定值为20kV/μs。

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单价：
￥4.7196 / 个

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型号：MCT5210SM 编号：C899739

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MCT52XXM 系列在六引脚双列直插封装内包括一个与 NPN 光电晶体管耦合的高能效 AlGaAs 红外发光二极管。MCT52XXM 适用于 CMOS 与 LSTT/TTL 的接口，提供 250% CTR CE(SAT)，LED 输入电流为 1mA。提供 1.6mA 的 LED 输入电流时，数据速率可达 20K bits/s。MCT52XXM 可将 LSTTL 轻松接口 LSTTL/ TTL，使用外部基极-射极电阻时，数据速率可达 100K bits/s。

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单价：
￥2.81796 / 个

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型号：MCT5211M 编号：C899740

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MCT52XXM 系列在六引脚双列直插封装内包括一个与 NPN 光电晶体管耦合的高能效 AlGaAs 红外发光二极管。MCT52XXM 适用于 CMOS 与 LSTT/TTL 的接口，提供 250% CTR CE(SAT)，LED 输入电流为 1mA。提供 1.6mA 的 LED 输入电流时，数据速率可达 20K bits/s。MCT52XXM 可将 LSTTL 轻松接口 LSTTL/ TTL，使用外部基极-射极电阻时，数据速率可达 100K bits/s。

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单价：
￥2.83392 / 个

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型号：CNY17F4SR2VM 编号：C899106

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

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单价：
￥1.49532 / 个

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型号：MCT2ESR2VM 编号：C463323

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MCT2XXX 系列光绝缘体包括一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双线内封装。

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400+
￥1.458085
950+
￥1.364272

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型号：TIL111M 编号：C900041

封装：PDIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC8100、TIL111 和 TIL117 光耦合器在 6 引脚双线内封装内包括一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥3.343633 / 个

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型号：4N30M 编号：C45986

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥1.53144 / 个

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型号：FODM352 编号：C891201

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

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单价：
￥2.2968 / 个

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型号：FOD3184S 编号：C457717

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.47176 / 个

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型号：4N32SR2M 编号：C898958

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。

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单价：
￥1.74708 / 个

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型号：4N30SM 编号：C898955

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥1.53144 / 个

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型号：FOD2741ASD 编号：C463018

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用8引脚DIP白色封装。

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单价：
￥4.95624 / 个

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型号：H11G2M 编号：C258237

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。

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单价：
￥1.95816 / 个

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型号：FOD2742B 编号：C891161

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2742 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个等级的参考耐压 = 2％、1％和 0.5％。电流传输率 (CTR) 范围介于 100％到 200％之间。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2742 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚小外形封装。

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单价：
￥3.58992 / 个

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型号：FOD2712A 编号：C891159

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2711A光隔离放大器包括流行的AZ431L精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。参考电压容差为1%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2712A时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用紧凑型8引脚小型封装。

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单价：
￥3.19908 / 个

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型号：FODM8801BV 编号：C891208

封装：SO-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

OptoHiT FODM8801 是一款全新光电晶体管，利用安森美半导体先进的专属工艺技术，可实现高运行温度特性，最高可达 125°C。该光耦合器在紧凑的半间距、微型扁平、4 引脚封装中包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED),与光电晶体管进行光耦合。它以极低输入电流提供高电流传输率。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 3750 VACRMS。

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