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高CMR，高速TTL兼容的光电耦合器

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￥4.88
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￥3.93
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型号：GAQW214E 编号：C7435148

封装：DIP-8

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。高速和高频开关。高灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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型号：GAQY225G2EH 编号：C48606609

封装：SMD-4P

1 Form A(SPST-NO) 负载电压:150V 连续负载电流:2.0A

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型号：TLP2168(TP,F) 编号：C99480

封装：SO-8

20MBd 双路高速光耦，CMR@15KV/uS

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型号：TLP3122A(TPL,E 编号：C4153843

封装：SOP-4

隔离电压:3750Vrms 导通电流:1.4A off状态输出端电压:60V

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￥7.94
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型号：HCPL2630SDM 编号：C899520

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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￥7.01
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型号：HCNR201-000E 编号：C9066

封装：DIP-8

HCNR200/201 高线性模拟光耦合器由一个高性能的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和两个紧密匹配的光电二极管组成。输入光电二极管可用于监测并稳定 LED 的光输出。因此，LED 的非线性和漂移特性几乎可以消除

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型号：TLP5214A(TP,E 编号：C396025

封装：SOP-16-300mil

是高度集成的 4.0 A 输出电流 IGBT 栅极驱动光耦合器，采用长爬电距离和电气间隙的 SO16L 封装。智能栅极驱动光耦合器，具备 IGBT 欠饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT 软关断、有源米勒钳位和欠压锁定 (UVLO) 功能。此外，该光耦合器具有欠饱和前沿消隐时间、滤波时间，并优化了软关断性能，以确保应用的安全运行。适用于驱动逆变器应用中使用的 IGBT 和功率 MOSFET。由两个 GaAtAs 红外发光二极管 (LED) 和两个高增益、高速 IC 组成，可实现大电流、高速输出控制和输出故障状态反馈。

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￥14.46
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￥8.99
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型号：GAQV252G3EH 编号：C7435170

封装：SMD-6P

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥15.13
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型号：ACPL-330J-500E 编号：C908115

封装：SOIC-16-Narrow

是一款先进的1.5 A输出电流、易于使用的智能栅极驱动器，可使IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实现。具有集成Vce检测、欠压锁定（UVLO）、“软”IGBT关断、隔离集电极开路故障反馈和有源米勒钳位等功能，提供最大的设计灵活性和电路保护。包含一个AlGaAs LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V和100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。绝缘电压为VIOM = 1414 VPEAK。

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￥18.26
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￥15.68
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￥11.41
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￥10.67
850+
￥10.34

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型号：HCPL-0661-500E 编号：C545696

封装：SO-8

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥28.61
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￥24.59
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￥22.2
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￥17.52
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型号：LTV-816S-TA1-B 编号：C115456

封装：SMD-4P

特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA、VCE = 5V时为50%。高输入输出隔离电压：Viso = 5000Vrms。响应时间：典型值在VCE = 2V、IC = 2mA、RL = 100Ω时为4μs。应用：要求高密度安装的混合基板

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￥0.3157
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￥0.2805
300+
￥0.2629
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5000+
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10000+
￥0.2315

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型号：LTV-816S-TA1-D3-TX 编号：C92647

封装：SMD-4P

特性：电流传输比CTR：300%-450%（IF = 5mA，VCE = 5V）。高输入输出隔离电压（Viso = 5,000Vrms）。响应时间（tr：典型值4μs，VCE = 2V，Ic = 2mA，RL = 100Ω）。双列直插式封装：1通道类型。表面贴装封装：1通道类型。卷带包装。安全认证：UL/CSA/FIMKO/NEMKO/DEMKO/SEMKO/VDE认证（需要“V”订购选项）。符合RoHS标准

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￥0.409
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￥0.2945
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￥0.2315

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型号：EL2501S(K)(TU)-G 编号：C62440

封装：SMD-4P

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￥0.444
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￥0.3544
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￥0.3095
1500+
￥0.2684
4500+
￥0.2416
10500+
￥0.2281

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型号：EL357N(C)(TA)-VG 编号：C42385003

封装：SOP-4-2.54mm

EL357N-G 系列包含一个红外发光二极管，与光电晶体管检测器光耦合。这些器件采用 4 引脚小外形贴片（SMD）封装。

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￥0.4671
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￥0.3708
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￥0.3227
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￥0.2866
3500+
￥0.2577
7000+
￥0.2432

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型号：PC817X3NSZW 编号：C2840441

封装：DIP-4

品牌：SHARP(夏普)

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￥0.6104
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￥0.482
200+
￥0.4081
500+
￥0.36
2000+
￥0.3215
4000+
￥0.3022

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型号：PC357N4J000F 编号：C52995

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：SHARP(夏普)

应用：计算机。 OA设备。电信设备（终端）。测量设备。加工机械。视听设备。家用电器

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5+
￥0.9626
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￥0.7535
150+
￥0.6638
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￥0.552
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￥0.4795
6000+
￥0.4496

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型号：EL3021 编号：C115475

封装：DIP-6

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￥1.0177
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￥0.806
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￥0.7153
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￥0.6022
3250+
￥0.5518
4875+
￥0.5215

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型号：ATM3083-CuH-SE 编号：C20612776

封装：SOP-4

品牌：AOTE(奥特)

ATM3083是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器。

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￥1.02144 ￥1.0752
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￥0.80598 ￥0.8484
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￥0.71364 ￥0.7512
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￥0.598405 ￥0.6299
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￥0.53105 ￥0.559
6000+
￥0.500175 ￥0.5265

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型号：MOC3063 编号：C78487

封装：DIP-6

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso：5000Vrms。 6引脚DIP过零光耦可控硅驱动器输出。高重复峰值断态电压VDRM：最小600V。应用：交流电机驱动器

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￥1.2046
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￥0.9995
130+
￥0.8519
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￥0.764
2080+
￥0.7054
5200+
￥0.6702

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型号：MOC3022S-TA1 编号：C115468

封装：SMD-6P

特性：输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。6引脚DIP光电耦合器,三端双向可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM:最小400V。高关态电压上升临界速率 (dV/dt):最小1000V/μs。应用：AC电机驱动器。AC电机启动器

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5+
￥1.2813
50+
￥1.0234
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￥0.9129
1000+
￥0.7021
2000+
￥0.6407
5000+
￥0.6038

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型号：EL3063S(TA) 编号：C123691

封装：SMD-6P

6脚SOP6封装，零交叉可控硅驱动器

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￥1.36
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￥1.0944
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￥0.9805
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￥0.7429
2000+
￥0.6796
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￥0.6417

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型号：EL3063S(TA)-V 编号：C181877

封装：SMD-6P

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5+
￥1.3936
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￥1.1063
150+
￥0.9832
1000+
￥0.8296
2000+
￥0.7612
5000+
￥0.7202

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型号：ELM3052(TA)-V 编号：C42436927

封装：SOP-4-2.54mm

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￥1.4349
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￥1.129
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￥0.9979
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￥0.8343
3500+
￥0.7614
7000+
￥0.7177

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型号：TLP292(GB-TPL,E 编号：C74225

封装：SOP-4-1.27mm

TLP292 是一款高隔离、交流输入型低电平光耦合器，在 SO4 封装中，由光电晶体管与两个反并联的铟镓砷（InGaAs）红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压（3750 Vrms）和较宽的工作温度范围（Ta = -55 至 125 °C），因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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5+
￥1.4583
50+
￥1.1458
150+
￥1.0118
500+
￥0.8448
2500+
￥0.7267
5000+
￥0.6821

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型号：TLP2761(TP,E 编号：C4153768

封装：SOP-6

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI)，有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动，以实现低输入电流。此外，它还具有内部法拉第屏蔽，可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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￥2.85
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￥2.51
30+
￥2.35
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￥2.18
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￥2.08
1500+
￥2.02

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型号：TCMT1107 编号：C81148

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：VISHAY(威世)

TCMT110系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚封装。这些元件安装在一个引线框架上，为满足最高安全要求，在输入和输出之间提供固定距离。

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1+
￥2.93
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￥2.39
30+
￥2.15
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￥1.86
500+
￥1.66
1000+
￥1.58

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型号：GAQY221R2S 编号：C22385176

封装：SOP-4-175mil-2.54mm