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首页 > 热门关键词 > 光耦
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TLP388由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP388采用薄型SO6L(4引脚)封装,可保证在高温环境下工作(最高环境温度Ta = 125 °C)。集电极 - 发射极间的击穿电压(VCEO)高达350 V,TLP388适用于可编程逻辑控制器(PLC)和家用电器,包括空调
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  • 高速 10MB/s 逻辑门极光耦合器 HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED,与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合(单沟道器件)
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  • TLP187是一款光电耦合器,由一个红外LED与一个达林顿晶体管光耦合而成。它采用SO6封装,具有高抗噪性和高绝缘性。由于集电极和发射极之间具有高击穿电压,TLP187适用于可编程控制器的100 VDC输出模块等应用
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  • 有货
  • TLP188由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。TLP188采用非常小巧纤薄的SO6(4引脚)封装,可保证在高温环境下工作(最高环境温度Ta = 110 °C)。集电极 - 发射极间具有高击穿电压(VCEO = 350 V),TLP188适用于可编程逻辑控制器(PLC)和家用电器,包括空调
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      ¥1.8
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  • CA-IS3211 是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器,可用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC 器件。隔离等级达到 5.7kV_RMS,芯片可提供 5A 拉、6A 灌输出峰值电流能力。 高达 30V 的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。
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  • 有货
  • IGBT栅极驱动光耦,峰值电流5A,隔离电压(rms): 5KV,LSOP6,窄体
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      ¥3.717 ¥4.13
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      ¥1.989 ¥2.21
  • 有货
  • ACPL-M50L(AT)由一个 850nm 的 AlGaAs LED 光学耦合到一个高速光电检测器组成。广泛应用于:CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等。
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  • 迷你扁平耦合器CYTLP109是一款小外形耦合器,适用于表面贴装组装。CYTLP109由一个高输出功率红外LED与一个高速光电二极管 - 晶体管芯片光耦合而成。CYTLP109采用SO6封装,保证爬电距离≥5.0 mm、电气间隙≥5.0 mm,绝缘厚度≥0.4 mm
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  • 有货
  • AT213 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于:通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。
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      ¥3.772 ¥4.1
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  • 有货
  • 特性:电流传输比(CTR):在IF = ±1mA、VCE = 5V时,最小为20%。 高输入输出隔离电压:(viso = 3,750Vms)。 采用双传输模塑技术。 UL1577、VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5)、CSA CA5A、FIMKO认证。 RoHS合规:器件中使用的所有材料均符合欧盟RoHS指令(No.2002/95/EC)。 ESD通过HBM 6000V/MM2000V。应用:要求高密度安装的混合基板。 可编程控制器
    数据手册
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  • 有货
  • 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用4引脚SOP4L封装。
    数据手册
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  • 有货
  • 单通道隔离栅极驱动器,适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。其输入与工业标准宽体WSOP6封装的光耦合器兼容,驱动能力可支持4.5A源电流和5A灌电流。输出级可承受高达40V的高压,支持最新一代基于IGBT和SiC的应用。该设备在低功耗下提供高电磁抗扰度和低辐射。其隔离通道由双电容二氧化硅(SiO₂)绝缘屏障分隔。专有电流隔离技术支持150 kV/μs共模瞬态抗扰度(CMTI),这对SiC应用尤为关键。输入级模拟具有增强抗噪能力的光电二极管,增强的可靠性可支持高功率工业应用。
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  • 有货
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  • 有货
  • MOCD217M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成,采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用,无需直通板安装。
    数据手册
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  • 有货
  • 触点形式:1A(单刀单掷-常开) 连续负载电流:0.12A 负载电压:350V 描述:带限流短路保护
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      ¥4.2
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  • 有货
  • MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成,执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件,如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.22
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      ¥2.19
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。可保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO6封装,内部有法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为±20kV/μs。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.29
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      ¥3.43
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      ¥2.99
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      ¥2.18
  • 有货
  • AT216 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于:通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。
    • 1+

      ¥4.29
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      ¥2.73
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      ¥2.19
  • 有货
  • ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 是由砷化镓红外发光二极管和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件能够传输包含直流电平的信号信息,同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。ILD205T、ILD206T、ILD207T、ILD211T 和 ILD213T 采用标准的 SOIC - 8 小外形表面贴装封装,非常适合空间有限的高密度应用
    • 1+

      ¥4.39
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      ¥3.14
  • 有货
  • 是小型扁平耦合器,适用于表面贴装组装。由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。比DIP封装小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.51
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      ¥3.68
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      ¥2.85
    • 500+

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      ¥2.48
  • 有货
  • CY21xS是一款通用经济型光电MOS继电器,采用小型SOP - 4封装,适用于表面贴装生产。
    • 1+

      ¥4.55
    • 10+

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      ¥2.78
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  • 有货
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      ¥2.5
  • 有货
  • OR - 341包含一个铝镓砷(AlGaAs)发光二极管,该二极管与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)。输出级较宽的工作电压范围可为栅控器件提供所需的驱动电压
    数据手册
    • 1+

      ¥4.7
    • 10+

      ¥3.83
    • 30+

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      ¥2.97
    • 500+

      ¥2.74
    • 1000+

      ¥2.61
  • 有货
  • AT174光继电器由红外发光二极管和光电发生器、 MOSFET 组成。 广泛应用于:通讯产品(移动电话、电脑、笔记本电脑)、测量设备、工厂自动化设备、高速检验机器等。
    • 1+

      ¥4.731 ¥4.98
    • 10+

      ¥3.8285 ¥4.03
    • 30+

      ¥3.3725 ¥3.55
    • 100+

      ¥2.926 ¥3.08
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      ¥2.8025 ¥2.95
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      ¥2.66 ¥2.8
  • 有货
  • 特性:低成本类型。 高灵敏度,低导通电阻,能以 5mA 输入电流控制最大 0.5A 负载电流,导通电阻低至 2.5Ω。 稳定运行,无金属接触部件。 多种封装设计(提供 DIP4、SOP4、DIP8、SOP8 封装)。 低关态泄漏电流,额定负载电压 350V 时仅 100pA。应用:调制解调器。 电话设备
    数据手册
    • 1+

      ¥4.89
    • 10+

      ¥4.14
    • 30+

      ¥3.77
    • 100+

      ¥3.49
    • 500+

      ¥3.22
    • 1000+

      ¥3.08
  • 有货
  • ATAQY215G1S 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于:通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感器、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。
    • 1+

      ¥4.99
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      ¥3.99
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      ¥3.5
    • 100+

      ¥3
    • 500+

      ¥2.71
    • 1000+

      ¥2.56
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