光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：AT343-CuH-W 编号：C20612780

封装：SOP-6-W

品牌：AOTE(奥特)

AT343包含一个砷化铝镓LED，它被光学耦合到一个具有功率输出级的集成电路上。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制装置所需的驱动电压。

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型号：TLP2358(TPL,E 编号：C99486

封装：SOP-5-3.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用SO6封装。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度，有反相器输出。

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￥3.78
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￥2.01

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型号：TLP188(GB-TPL,E 编号：C4153840

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：AT216-CuH-S 编号：C42371494

封装：SMD-4P

品牌：AOTE(奥特)

AT216 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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型号：MOC3051M 编号：C8964

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管，该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关（三端双向可控硅开关）。这些器件将来自 115 V

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型号：TLP560G(F) 编号：C2848505

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光控三端双向可控硅和一个红外发光二极管组成，采用六引脚塑料双列直插式封装。

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型号：CYTLP109(TPD2) 编号：C5290155

封装：SOP-5

品牌：OCIC(卓睿科)

迷你扁平耦合器CYTLP109是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。CYTLP109由一个高输出功率红外LED与一个高速光电二极管 - 晶体管芯片光耦合而成。CYTLP109采用SO6封装，保证爬电距离≥5.0 mm、电气间隙≥5.0 mm，绝缘厚度≥0.4 mm

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型号：ACPL-W314(AT) 编号：C41415693

封装：SOP-6-W

品牌：AOTE(奥特)

ACPL-W314(AT)是一种输出电流为0.6A的栅极驱动光电耦合器，具有一个镓砷磷化合物( GaAsP ) 的发光二极管，通过红外光耦合到光敏集成电路。广泛应用于：开关电源、IGBT/MOSFET 栅极驱动器、交流和无刷直流电机驱动器、可再生能源逆变器、工业逆变器。

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型号：APY282S 编号：C42444484

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMI光电继电器是最可靠、技术最先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。光电继电器主要通过传输光子来实现开关功能，不会产生机械磨损，能提供始终如一的可靠开关性能

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型号：TLP268J(V4-TPL,E 编号：C26805125

封装：SO-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和红外 LED 光耦合组成。采用 SO6 封装，保证最小爬电距离为 5.0mm，最小电气间隙为 5.0mm，最小绝缘厚度为 0.4mm。因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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型号：TLP5751(D4-TP4,E 编号：C3032936

封装：SOP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证了 ±35kV/μs 的共模瞬态抗扰度。特别是具有轨到轨输出，可实现系统的稳定运行和更好的开关性能。

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型号：MOC3043SR2M 编号：C41809

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：OR-341W-TA1 编号：C3031118

封装：SOP-6

品牌：Orient(奥伦德)

OR - 341包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，该二极管与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）。输出级较宽的工作电压范围可为栅控器件提供所需的驱动电压

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型号：HCPL-3180-500E(UMW) 编号：C53109725

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：TLP2395(TPL,E 编号：C99488

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反并联，因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级，具备拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑缓冲输出，也有反相器输出版本。

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型号：PS2805-1-F3-A 编号：C171801

封装：SOIC-4-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2805-1 和 PS2805-4 是光耦合隔离器，在用于高密度应用的塑料 SSOP 封装中集成了砷化镓（GaAs）发光二极管和 NPN 硅光电晶体管。该封装具有屏蔽作用，可阻隔环境光。

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￥4.79
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型号：PC923LRNIP0F 编号：C2983162

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：SHARP(夏普)

应用：计算机。办公自动化设备。电信设备（终端）。测量设备。加工机械。视听设备。家用电器

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￥4.82
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型号：LTP-1G2 编号：C19186175

封装：SOP-4

品牌：Letex(丽太)

特性：SOP封装，4引脚微型设计（4.4×4.3×2.0mm / 0.173×0.169×0.083inch）。高速开关。 2500Vrms输入/输出隔离。提供卷带包装版本。应用：MOSFET驱动器。电子电路的电源（Vcc）

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￥3.9525 ￥4.25
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型号：AQY280S 编号：C2936853

封装：SOP-4

品牌：PANASONIC(松下)

特性：低成本类型。高灵敏度，低导通电阻，能以 5mA 输入电流控制最大 0.5A 负载电流，导通电阻低至 2.5Ω。稳定运行，无金属接触部件。多种封装设计（提供 DIP4、SOP4、DIP8、SOP8 封装）。低关态泄漏电流，额定负载电压 350V 时仅 100pA。应用：调制解调器。电话设备

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￥3.49
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￥3.08

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型号：PS9117A-F3-AX 编号：C133879

封装：SOIC-5-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS9117A 是一款高速光耦合低电平有效型隔离器，其输入侧采用 GaAlAs 发光二极管（LED），输出侧在同一芯片上集成了光电二极管和信号处理电路。PS9117A 专为实现高共模瞬态抗扰度（CMR）和低脉冲宽度失真而设计，适用于高密度应用场景。

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￥5.59
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￥4.56
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￥4.05
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型号：TLP2362(TPR,E 编号：C5156050

封装：SOIC-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。保证在高达 125℃ 的温度和 2.7-5.5V 的电源下工作。采用 SO6 封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。

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型号：SFH6286-3T 编号：C144899

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发射二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。该版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。

数据手册

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￥4.78
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￥4.33
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￥3.88
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￥3.19

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型号：LTV-6341W-TA1 编号：C2944039

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 6341系列光电耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个AlGaAs LED，该LED与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。该光电耦合器的工作参数在 - 40°C至 + 125°C的温度范围内得到保证

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￥3.1

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型号：QX214-CuH-S 编号：C22459233

封装：SMD-4P

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SMD4封装光继电器 5000V隔离电压，负载电压400V, 负载电流：0.12A

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型号：HCPL-0501-500E 编号：C6673

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用。这些器件在IF = 16 mA时的电流传输比（CTR）最小为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。这些器件在IF = 16 mA时的电流传输比（CTR）最小为19%。

数据手册

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型号：GAQW211G2E 编号：C7435147

封装：DIP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无阀弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥7.04
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￥4.42
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型号：TLP292-4(4LGBTRE 编号：C17309043

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用