光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：TLP352(UMW) 编号：C53109737

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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￥3.84
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￥2.34
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￥2.12
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￥2

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型号：FOD3184S(UMW) 编号：C53114917

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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￥3.84
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￥3.09
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型号：PC3SD12NTZAH 编号：C908103

封装：DIP-5

品牌：SHARP(夏普)

光控三端双向可控硅耦合器包括一个红外发射二极管 (IRED)，该二极管通过光耦合到一个输出光控三端双向可控硅。这些器件具有全波控制功能，是中高电流三端双向可控硅的理想隔离驱动器。DIP 封装提供 5.0kV 的输入到输出隔离，并具有出色的换向抗噪性。

数据手册

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￥4.05
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￥3.23
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￥2.87
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￥2.43
480+
￥2.23
1020+
￥2.11

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型号：TLP268J(V4-TPL,E 编号：C26805125

封装：SO-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和红外 LED 光耦合组成。采用 SO6 封装，保证最小爬电距离为 5.0mm，最小电气间隙为 5.0mm，最小绝缘厚度为 0.4mm。因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥4.18
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￥3.73
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￥3.28
500+
￥3.15
1000+
￥3.08

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型号：GAQY214KSX 编号：C53282195

封装：SOP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1A(单刀单掷-常开) 连续负载电流:0.12A 负载电压:400V

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￥4.2
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￥3.41
30+
￥3.01
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￥2.61
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￥2.37
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￥2.25

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型号：HCPL-3140-560E(UMW) 编号：C53109731

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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￥4.23
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￥3.4
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￥2.99
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￥2.58
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￥2.33
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￥2.2

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型号：TLP267J(TPR,E 编号：C7361661

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥4.32
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￥3.45
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￥3.02
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￥2.59
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￥2.34
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￥2.2

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型号：XL3120S-G 编号：C53426506

封装：SMD-8P

品牌：XINGLIGHT(成兴光)

工业级栅极驱动光耦符合欧盟RoHS指令；ROHS、HF（无卤）安全认证：CQC、VDE、UL 应用于工业自动化与电力控制系统，主要做整流及电路保护的作用

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￥4.32
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￥3.09
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￥2.68
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￥2.44
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￥2.31

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型号：ACPL-217-56CE 编号：C6800674

封装：SMD-4P

品牌：Broadcom(博通)

是一款直流输入、单通道、半间距光电晶体管光耦合器，包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。采用 4 引脚 SO 封装。输入-输出隔离电压额定值为 3750V_RMS。响应时间 tr 典型值为 2μs，在输入电流为 5mA 时，最小电流传输比 (CTR) 为 50%。

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￥4.36
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￥3.13
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￥2.47
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￥2.35

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型号：MOCD207M 编号：C68894

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD207M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

数据手册

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￥4.37
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￥3.62
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￥3.12
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￥2.74
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￥2.52

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型号：LTV-178 编号：C48542903

封装：SOP-4

品牌：LITEON(光宝)

由铝镓砷红外发光二极管与光MOSFET光耦合组成，采用SOP4封装，适用于表面贴装。适用于需要节省空间的电池管理系统。

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￥4.5
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￥3.6
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￥3.14
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￥2.69
500+
￥2.42
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￥2.28

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型号：PC365NJ0000F 编号：C3015397

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：SHARP(夏普)

包含一个与光电晶体管光耦合的红外发射二极管。它采用4引脚迷你扁平封装。低输入电流类型。输入-输出隔离电压（rms）为3.75kV，在输入电流为0.5mA时，电流传输比（CTR）最小为600%。

数据手册

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￥4.53
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￥3.68
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￥3.25
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￥2.83
500+
￥2.57
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￥2.44

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型号：HCPL-3180-500E(UMW) 编号：C53109725

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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￥4.61
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￥3.71
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￥3.26
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￥2.81
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￥2.54
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￥2.4

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型号：TLP2748(D4-TP,E 编号：C725711

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成。采用厚度为2.3mm（最大值）的薄型SO6L封装。保证隔离电压为5kVrms，符合加强绝缘的国际安全标准。可在4.5V至30V的电源电压下工作，最高工作温度为110℃。保证低电源电流3mA，低阈值输入电流1.6mA，有助于设备节能。可由微计算机直接驱动，适用于低输入电流。探测器具有图腾柱输出级，具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为±30kV/μs。采用反相器输出，另有缓冲输出版本。

数据手册

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￥4.7
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￥3.75
30+
￥3.28
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￥2.81
500+
￥2.52
1500+
￥2.38

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型号：LTV-176G 编号：C5180456

封装：SOP-4

品牌：LITEON(光宝)

由一个铝镓砷红外发光二极管和一个光电MOSFET光耦合而成，采用SOP4封装，适用于表面贴装组装。LTV - 176G适用于需要节省空间的电池管理系统。

数据手册

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￥4.81
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￥3.9
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￥3.45
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￥3
500+
￥2.71
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￥2.57

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型号：KAQY217STLD 编号：C22379859

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：Cosmo(冠西)

KAQY217系列性能可靠，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1 Form A），在许多应用中可替代机电继电器。该开关采用镓铝砷（GaAlAs）发光二极管进行驱动控制，采用集成单片管芯作为开关输出

1+
￥5.45
10+
￥4.94
30+
￥4.66
100+
￥4.34
500+
￥4.2
1000+
￥4.14

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型号：FODM453R2V 编号：C411199

封装：SOIC-5

品牌：onsemi(安森美)

FODM452 和 FODM453 光耦合器包括一个与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。该器件采用紧凑的 5 引脚微型扁平封装，可实现最佳安装密度。FODM453 具有高 CMR 等级，可实现优化的共模瞬变抗扰性。

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1+
￥5.48
10+
￥4.46
30+
￥3.95
100+
￥3.44
500+
￥2.77
1000+
￥2.61

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型号：PS9117A-F3-AX 编号：C133879

封装：SOIC-5-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS9117A 是一款高速光耦合低电平有效型隔离器，其输入侧采用 GaAlAs 发光二极管（LED），输出侧在同一芯片上集成了光电二极管和信号处理电路。PS9117A 专为实现高共模瞬态抗扰度（CMR）和低脉冲宽度失真而设计，适用于高密度应用场景。

数据手册

1+
￥5.59
10+
￥4.56
30+
￥4.05
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￥3.54
500+
￥3.24
1000+
￥3.08

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型号：GAQY212G1E 编号：C7435139

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥5.62
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￥4.54
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￥4
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￥3.39
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￥3.07
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￥2.9

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型号：TLP3073(TP1,F 编号：C2693197

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由非过零光控可控硅与红外LED光耦合组成，采用DIP6封装，保证绝缘厚度为0.4mm（最小值），因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥5.97
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￥4.89
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￥3.82
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￥3.33

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型号：6N139M 编号：C4071

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

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