光耦_厂家_价格_品牌_库存

UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

数据手册

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￥1.5939
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￥1.2594
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￥1.0598
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￥0.8809
2470+
￥0.8013
6500+
￥0.7535

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型号：FOD817D3SD 编号：C365734

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

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￥1.6057
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￥1.2796
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￥1.1398
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￥0.9655
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￥0.8878
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￥0.8412

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型号：EL827S 编号：C42371502

封装：SMD-8P

EL827是一款由发光二极管和光电晶体管组成的双通道光电耦合器。八引脚封装( DIP、 SMD)。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、白色家电等。

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￥1.68834 ￥1.7772
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￥1.32924 ￥1.3992
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￥1.17534 ￥1.2372
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￥0.983345 ￥1.0351
2500+
￥0.88502 ￥0.9316
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￥0.833625 ￥0.8775

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型号：MOC3041M 编号：C20624247

封装：DIP-6

MOC3041M是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等。

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￥1.7622 ￥1.958
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￥1.4175 ￥1.575
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￥1.26972 ￥1.4108
520+
￥1.0854 ￥1.206
2470+
￥1.00332 ￥1.1148
6500+
￥0.95409 ￥1.0601

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型号：6N136S 编号：C20612603

封装：SMD-8P

6N136S是一种用于单通道的高速光耦合器，由一个850nm的AlGaAs LED光学耦合到一个高速光电检测器组成。光电二极管偏极和输出晶体管集电极的单独连接，可以通过降低基极集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高 100 倍。广泛应用于：CMOS-LSTTL-TTL 的输出接口、通信设备、电机驱动器等。

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￥1.80842 ￥1.9036
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￥1.44932 ￥1.5256
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￥1.29542 ￥1.3636
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￥1.103425 ￥1.1615
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￥0.96653 ￥1.0174

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型号：6N136S(UMW) 编号：C7436894

封装：SOP-8

UMW6N135/6N136光耦合器由一个850nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和一个高速光电探测器晶体管光耦合而成。通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容，为光电二极管偏置设置的独立连接使该器件的速度比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距（M型）和贴片式（SMD）可选

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￥1.8472
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￥1.4473
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￥1.276
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￥1.0488
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￥0.9536
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￥0.8965

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型号：TLP185(GRL-TL,SE 编号：C2848499

封装：SOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是小外形耦合器，适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小，适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器。

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￥1.962
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￥1.5437
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￥1.3645
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￥1.091
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￥0.9914
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￥0.9317

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型号：MPCM601(T1)-GV 编号：C17701959

封装：SOP-5

品牌：MP(美禄科技)

MPCM601系列将一个铝镓砷（AlGaAs）红外发射二极管作为发射端，该发射端与一个带可选通输出的硅高速集成光电探测器逻辑门进行光耦合，采用塑料SOP5封装。凭借坚固的共面双塑封结构，MPCM601系列具备最稳定的隔离特性。

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￥1.9863
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￥1.5075
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￥1.3023
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￥1.0462

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型号：PS2501L-1-F3 编号：C51825

封装：SMD-4P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

数据手册

5+
￥2.0334
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￥1.6393
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￥1.4704
500+
￥1.1938

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型号：SFH615A-3X009 编号：C143042

封装：SMD-4P

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可堆叠。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400V_RMS 或直流的工作电压下的加强绝缘。

数据手册

5+
￥2.2379
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￥1.7339
200+
￥1.5179
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￥1.2484
2500+
￥1.1284

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型号：TLP185(TPR,SE 编号：C26805120

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小，适用于如可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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￥2.29
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￥1.79
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￥1.57
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￥1.3
3000+
￥1.18

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型号：VO618A-3X017T 编号：C143748

封装：SMD-4P

110℃额定的VO618A具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器具有一个GaAs红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料DIP-4封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。

数据手册

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￥2.3173
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￥1.8523
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￥1.653
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￥1.266
2000+
￥1.1552

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型号：LTV-208 编号：C133121

封装：SOP-8

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 200/205/206/207/208 由一个高效砷化镓红外 LED 和一个硅 NPN 光电晶体管组成。这种设计为光耦合器的输入和输出端提供了出色的隔离性能。LTV - 200/205/206/207/208 采用标准 SOP8 小外形封装，适用于表面贴装，非常适合空间有限的高密度应用

数据手册

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￥2.43
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￥1.92
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￥1.7
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￥1.43
500+
￥1.23
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￥1.16

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型号：APY221S 编号：C42444413

封装：SOP-4

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器的基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。光继电器通过移动光子来实现其开关功能，不会产生机械磨损，提供一致可靠的开关。

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￥2.45
10+
￥2.14
30+
￥2.01
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￥1.84
500+
￥1.69
1000+
￥1.65

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型号：CA-IS3211VBJ 编号：C7422552

封装：SOIC-16-WB

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS3211 是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器，可用于驱动MOSFET、IGBT 和SiC 器件。隔离等级达到5.7kV_RMS，芯片可提供5A 拉、6A 灌输出峰值电流能力。高达30V 的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动IGBT 和SiC 功率FET。

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￥2.47
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￥1.9
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￥1.66
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￥1.35
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￥1.22
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￥1.13

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型号：TLP383(D4GL-TL,E 编号：C22454475

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器，由与红外LED光耦合的光电晶体管组成，采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压（5000 Vrms）和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。与标准DIP封装相比，TLP383的封装小巧轻薄，适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用

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￥2.68
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￥2.38
30+
￥2.24
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￥2.08
500+
￥2.01
1000+
￥1.96

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型号：OR-3H4-4GB-TA1-G-(GK) 编号：C29099903

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：Orient(奥伦德)

OR-3H4-4系列由四通道器件组成，每对包含两个红外发光二极管和一个光电晶体管探测器。它们采用16引脚SOP封装，无卤素和三氧化二锑。

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￥2.98
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￥2.38
30+
￥2.12
100+
￥1.8
500+
￥1.65
1000+
￥1.56

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型号：TCLT1002 编号：C3035008

封装：SOP-4

由一个光电晶体管与一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用4引脚SOP4L封装。

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1+
￥3
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￥2.41
30+
￥2.16

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型号：HCPL-4503-000E(UMW) 编号：C53109718

封装：DIP-8

1+
￥3.03
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￥2.37
45+
￥2.09
90+
￥1.74
495+
￥1.59
990+
￥1.5

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型号：HCPL-4506-000E(UMW) 编号：C53109722

封装：DIP-8

1+
￥3.05
10+
￥2.39
45+
￥2.11
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￥1.76
495+
￥1.6
990+
￥1.5

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型号：VOM618A-3T 编号：C17373983

封装：SOP-4

额定温度为110°C的VOM618A采用了砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为100密耳的微型扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥3.08
10+
￥2.37
30+
￥2.07
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￥1.69

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型号：LTV-5341C-TP1 编号：C48542909

封装：SOP-5-300mil

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 5341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。该光耦合器的工作参数在 -40°C 至 +110°C 的温度范围内得到保证

1+
￥3.11
10+
￥2.43
30+
￥2.14
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￥1.77
500+
￥1.61
1000+
￥1.51

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型号：TLP155 编号：C22436729

封装：SO-6

品牌：KTP(科泰普)

应用在等离子显示面板(PDPs)、晶体管逆变器、MOSFET 栅极驱动、IGBT 栅极驱动

1+
￥3.14
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￥2.46
30+
￥2.17
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￥1.81
500+
￥1.64
1000+
￥1.55

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型号：CY214S(TP) 编号：C20417308

封装：SOP-4

品牌：OCIC(卓睿科)

型光MOS继电器CY21XS，是一款采用SOP-4封装小型贴片式光继电器，适合表面贴装生产。

1+
￥3.27
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￥2.9
30+
￥2.72
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￥2.54
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￥2.43
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￥2.37

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型号：MOCD213R2M 编号：C258244

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD213M 器件包含两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

数据手册

1+
￥3.37
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￥2.64
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￥2.32
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￥1.93
500+
￥1.64
1000+
￥1.53

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型号：HCPL-4504-000E(UMW) 编号：C53109720

封装：DIP-8

1+
￥3.46
10+
￥2.78
45+
￥2.44
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￥2.11
495+
￥1.91
990+
￥1.8

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型号：ATAQY221S 编号：C50199111

封装：SOP-4

ATAQY221S 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感器、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

1+
￥3.46
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￥2.76
30+
￥2.42
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￥2.08
500+
￥1.87
1000+
￥1.76

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型号：LTV-244-GB-G 编号：C5143796

封装：SMD-16P

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：在IF = ±1mA、VCE = 5V时，最小为20%。高输入输出隔离电压：(viso = 3,750Vms)。采用双传输模塑技术。 UL1577、VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5)、CSA CA5A、FIMKO认证。 RoHS合规：器件中使用的所有材料均符合欧盟RoHS指令（No.2002/95/EC）。 ESD通过HBM 6000V/MM2000V。应用：要求高密度安装的混合基板。可编程控制器

数据手册

1+
￥3.8
10+
￥3.13
30+
￥2.79
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￥2.46
500+
￥2.26

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型号：ACPL-T350-500E(UMW) 编号：C53109729

封装：SOP-8

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￥3.84
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￥3.09
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￥2.72
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￥2.34
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￥2.12
1000+
￥2

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型号：FOD3182S(UMW) 编号：C53109749

封装：SOP-8