ON传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MC33172DR2G 编号：C59632

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

双路高压运放、低功耗运放；2.1 V/μs；带宽>=1.8MHz;偏置电流：20nA；失调电压：2mV 电流：220μA；电源：3V~44V，±1.5V-±22V；-40°C-85°C SOIC8

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￥1.1473
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￥0.8882
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￥0.7772
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￥0.6387
2500+
￥0.577
5000+
￥0.54

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型号：MC78M15BDTRKG 编号：C127442

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

高 PSRR

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￥1.1947
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￥0.9427
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￥0.5661
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￥0.5301

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型号：UF4007 编号：C232764

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

特性：低正向压降。高浪涌电流能力。高可靠性。高电流能力。玻璃钝化结

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￥1.2944
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￥1.0155
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￥0.896
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￥0.7469
2500+
￥0.6264
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￥0.5865

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型号：SS14HE 编号：C894424

封装：SOD-323HE

品牌：onsemi(安森美)

特性：非常低的外形：典型高度为0.68mm。低功耗，高效率。湿度敏感度等级1（符合J-STD-020）。 UL可燃性94V-0分类。符合RoHS标准/绿色模塑料。 NRVB前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力

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￥1.3177
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3000+
￥0.709
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￥0.6695

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型号：MC14013BDTR2G 编号：C233444

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14013B双D触发器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件，集成于单一单片结构中。每个触发器都有独立的数据（D）、直接置位（S）、直接复位（R）和时钟（C）输入，以及互补输出（Q和Q̅）。这些器件可用作移位寄存器元件，或作为T型触发器用于计数器和触发应用

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￥1.4983
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￥0.7883
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型号：M74VHC1GT126DF2G 编号：C233496

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC1GT126 是一款单门极非反向 3 态缓冲器，使用硅门极 CMOS 技术制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还能保持 CMOS 低功耗。MC74VHC1GT126 需要 3 态控制输入 (OE(bar)) 设置为低电平才能将输出置于高阻抗状态。该器件输入可兼容 TTL 型输入阈值，输出则具有全 CMOS 电平输出摆幅。此器件上的输入保护电路允许输入上的耐过电压，使得此器件能够用作从 3.0V CMOS 逻辑到 5.0V CMOS 逻辑，或 1.8V CMOS 逻辑到 3.0V CMOS 逻辑的逻辑电平转换器，且能在高电压电源下运行。MC74VHC1GT126 输入结构在应用高达 5.5V 的电压时提供保护，而无论电源电压如何。因此使得 MC74VHC1GT126 可用作 5V 到 3V 电路的接口。输出结构还会在 VCC = 0V 时提供保护。这些输入和输出结构有助于防止电源电压 - 输入/输出电压不匹配、电池备用、热插入等导致的器件损坏。

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￥1.5056
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￥1.026
3000+
￥0.981
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型号：PZT2222AT1G 编号：C115272

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-223 封装，适用于中等功率表面贴装应用。

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￥1.2434
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￥1.119
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￥0.8882
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￥0.8191
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型号：SS18 编号：C719830

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构具有较高的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。

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￥1.5579
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￥1.24
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￥1.1038
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型号：MC1496DR2G 编号：C7295

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

RF检测器，MC1496B 适用于输出电压为输入电压（信号）和开关功能（载波）的共同结果的场合。典型应用包括抑制载波和放大调制、同步检测、调频 (FM) 检测、相位检测和斩波器应用。

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￥1.6224
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￥1.303
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￥1.1661
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￥0.7997
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型号：ESD8104MUTAG 编号：C94394

封装：DFN-10(1x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8104旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。直插式封装便于进行PCB布局，并能匹配走线长度，这对于保持高速差分线（如USB 3）之间的阻抗一致性十分必要

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5+
￥1.646
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￥1.3325
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￥1.1982
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￥0.928
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￥0.8085

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型号：1N5349BRLG 编号：C9078

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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￥1.7867
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￥1.4238
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￥1.0743
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型号：MC14040BDR2G 编号：C62403

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14040B 12 级二进制计数器采用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件，集成于单一单片结构中。该部件设计有输入波形整形电路和 12 级行波进位二进制计数器。器件在时钟脉冲的下降沿进行计数

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5+
￥1.7933
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￥1.2341
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￥1.0247
2500+
￥0.9315
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￥0.8756

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型号：BCP56-16T1G 编号：C16602

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些NPN型硅外延晶体管专为音频放大器应用而设计。该器件采用SOT - 223封装，此封装专为中功率表面贴装应用而设计。

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5+
￥2.1166
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￥1.7199
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￥1.5499
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￥1.2512
2000+
￥1.1567
5000+
￥1.1

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型号：PZTA42T1G 编号：C82085

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

特性：与PZTA92T1G互补。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准

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￥2.2208
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￥1.5642
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￥1.1419
2000+
￥1.0324
5000+
￥0.9668

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型号：MC14049UBDR2G 编号：C233449

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14049UB 六路逆变器缓冲器采用一个单片结构，使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件进行构造。此互补 MOS 器件主要用于需要低功耗和/或高抗扰度的场合。此器件仅使用一个电源电压 VDD 即可提供逻辑电平转换。该输入信号高电平 VIH 可能超过逻辑电平转换的 VDD 电源电压。当器件用作 CMOS 至 TTL DTL 转换器（VDD = 5.0 V，VOL 0.4 V IOL 3.2 mA）时，可以驱动两个 TTL DTL 负载。请注意，此器件内部未联接引脚 13 和 16 因此，与这些端子联接不会影响电路运行。

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5+
￥2.2217
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￥1.7427
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￥1.5374
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￥1.0714
2500+
￥0.9573
5000+
￥0.8889

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型号：MC74HC4051ADR2G 编号：C16870

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC4051A 是一款单刀八掷模拟多路复用器/解复用器，具有低导通电阻和快速切换速度。

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1+
￥2.34
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￥1.83
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￥1.61
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￥1.33
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￥1.16
1000+
￥1.08

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型号：UC3842BVD1R2G 编号：C462971

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，包括输入和参考欠电压锁闭且全部带有迟滞、按周期电流限制、可编程输出停滞时间和用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX843B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

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5+
￥2.4098
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￥1.9204
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￥1.4489
2500+
￥1.3324
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￥1.2624

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型号：ES3J 编号：C241736

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

3.0超快恢复整流器

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￥2.6126
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￥2.0472
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￥1.8048
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￥1.388
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￥1.2534
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￥1.1726

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型号：FDMS86101DC 编号：C605042

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。

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￥3.03
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￥2.35
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￥2.06
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￥1.7
500+
￥1.53
1000+
￥1.44

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型号：NCS2200SQ2T2G 编号：C603838

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

NCS2200系列是低于1V的低功耗比较器产品系列。这些器件的电源电流仅为10μA。它们保证能在低至0.85V的电压下工作，这使其可用于需要低于1.0V电压的系统；并且在高达6.0V的电压下仍能完全正常工作，这使得它们便于在3.0V和5.0V系统中使用。其他特性包括：输入过驱动时无输出相位反转、内置迟滞功能（可实现干净的输出切换）以及轨到轨输入和输出性能。NCS2200系列提供互补推挽和开漏输出，并有多种封装可供选择。SOT - 23 - 5和SC70 - 5封装有两种行业标准引脚排列。NCS2200还提供微型DFN 2x2.2封装。NCS2200A和NCS2202A提供UDFN 1.2x1.0封装。

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1+
￥3.12
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￥2.47
30+
￥2.2
100+
￥1.85
500+
￥1.52
1000+
￥1.42

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型号：MC7812BTG 编号：C45387

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用（包括本地、板载调节）的固定电压调节器。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计用作固定电压调节器，但这些器件可与外部组件配合使用，以获得可调电压和电流。

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1+
￥3.32
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￥2.59
50+
￥2.04
100+
￥1.65
500+
￥1.48
1000+
￥1.37

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型号：NCP1271D65R2G 编号：C110551

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1271代表了新一代固定频率PWM电流模式反激式控制器。该器件具备集成高压启动功能和出色的待机性能。专有的软跳周期模式可实现极低的待机功耗，同时将电源的声学噪声降至最低。

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1+
￥3.39
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￥2.74
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￥2.46
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￥2.11
500+
￥1.78
1000+
￥1.68

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型号：MC33063ADR2G 编号：C7296

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款单片控制电路，包含直流到直流转换器所需的主要功能。这些器件包括内部温度补偿基准、比较器、带有源电流限制电路的受控占空比振荡器、驱动器和大电流输出开关。该系列专为在降压、升压和电压反转应用中使用最少的外部元件而设计。

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1+
￥3.46
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￥2.8
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￥2.52
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￥2.17
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￥1.56
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￥1.46

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型号：FSA2567MPX 编号：C512961

封装：WFQFN-16(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

双路低电容、低导通电阻、宽Vcc工作范围(1.65V至4.3V)的模拟开关，适用于双SIM卡多路复用。

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1+
￥3.54
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￥2.79
30+
￥2.47
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￥2.07
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￥1.89
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￥1.78

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型号：CAT25512VI-GT3 编号：C146783

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25512是一款512 Kb的串行CMOS EEPROM器件，内部组织为64Kx8位。它具有128字节的页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（CS(overline)）输入使能

数据手册

1+
￥3.63
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￥2.81
30+
￥2.47
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￥2.03
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￥1.84
1000+
￥1.72

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型号：MOC3063M 编号：C8920

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥4.21
10+
￥3.48
50+
￥2.97
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￥2.61
500+
￥2.39
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￥2.28

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型号：FL7760BM6X 编号：C367388

封装：SOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

模拟/PWM 可调光 60 V 输入降压控制器，用于 LED 照明

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1+
￥4.38
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￥3.63
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￥3.26
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￥2.89
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￥2.25

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型号：UC2842BNG 编号：C111570

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了一种经济高效的方案，并最大限度减少了外部部件。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流感应比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。此外，此外还包含以下保护功能：都具有迟滞的输入和参考欠压锁定、逐周期电流限制、可编程输出停滞时间以及用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有用于图腾柱输出级的单独电源和接地引脚。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），非常适用于离线转换器。UCX843B 适用于 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的较低电压应用。

数据手册

1+
￥4.88
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￥3.95
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￥3.21
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￥2.74
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￥2.33

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型号：FDD86102LZ 编号：C111627

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,100V,35A,22.5mΩ@10V

数据手册

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￥5.24
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型号：FOD8342TR2 编号：C132695

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8342 是一款 3.0 A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动中等功率 IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8342 系列利用拉伸体封装，可实现 8 毫米的漏电和间距 (FOD8342T)，优化的集成电路设计可实现可靠的高绝缘电压和高抗扰性。FOD8342 系列包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED)，使用用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器与集成电路进行光耦合。该器件采用拉伸体，6 引脚，小外形塑料封装。

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