ON传感器_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > ON传感器

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共122415件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

600V 9.5V~15.8V

型号：NCP1399ACDR2G 编号：C377544

封装：SOIC-16-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCP1399 是一款用于半桥谐振转换器的高性能电流模式控制器。此控制器实施了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。内置的欠电压输入功能简化了该控制器在所有应用中的实施。在需要 PFC 前级的应用中，NCP1399 具有一个专门的输出来驱动 PFC 控制器。此功能结合专门的跳过模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP1399 提供了一套保护功能，可实现在任何应用中的安全运行。其中包括：过载保护、放置硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动停滞时间调节、过电压 (OVP) 和高温 (OTP) 保护。

数据手册

1+
￥6.4
10+
￥5.33
30+
￥4.8
100+
￥4.27
500+
￥2.89
1000+
￥2.73

有货

立即购买

600V 9.5V~20V

型号：NCP1397BDR2G 编号：C362061

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1397 是一款高性能控制器，可应用于半桥谐振拓扑结构，如串联谐振、并联谐振和 LLC 谐振转换器。它集成了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。NCP1397 具有独特的结构，包括一个其控制模式可在需要 OR 运算的情况下实现灵活性的 500 kHz 电压控制振荡器，可提供构建可靠耐用的谐振模式电源所需的一切内容。NCP1397 提供了一套保护功能，带有优化任何应用的可配置设置。其中包括：自动恢复或故障锁存、欠电压、开路光耦合器、软启动和短路保护。停滞时间也可调节以克服击穿电流。 NCV1397 提供汽车认证版本 (AEC-Q100/PPAP)

数据手册

1+
￥6.62
10+
￥5.48
30+
￥4.91
100+
￥3.47
500+
￥3.14
1000+
￥2.96

有货

立即购买

1个N沟道耐压:60V 电流:50A

型号：NVTFS5C673NLTAG 编号：C604646

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥7.11
10+
￥5.89
30+
￥5.27
100+
￥4.67
500+
￥4.3
1500+
￥4.12

有货

立即购买

200mA 45V

型号：CS8182YDFR8G 编号：C156197

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CS8182是一款单片集成式低压差跟踪稳压器，旨在提供可调节的缓冲输出电压，该电压可紧密跟踪（±10mV）参考输入。输出电流最高可达200 mA，且可配置为高于、低于或等于参考电压。该器件设计用于在2.8 V至45 V的宽电压范围内工作，同时仍能保持出色的直流特性

数据手册

1+
￥7.51
10+
￥5.781 ￥6.15
30+
￥4.536 ￥5.4
100+
￥3.822 ￥4.55
500+
￥3.5112 ￥4.18
1000+
￥3.3684 ￥4.01

有货

立即购买

430V 21A

型号：ISL9V3040D3ST 编号：C462128

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V3040P3 和 ISL9V3040S3 是下一代点火 IGBT，它们在节省空间的 D-Pak (TO-252)、工业标准 D

数据手册

1+
￥7.97
10+
￥6.57
30+
￥5.8
100+
￥4.93
500+
￥4.54
1000+
￥4.37

有货

立即购买

耐压:100V 电流:50A

型号：FDMS86163P 编号：C469176

封装：PQFN-8(4.9x5.8)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥8.12
10+
￥6.86
30+
￥6.17
100+
￥4.81
500+
￥4.46
1000+
￥4.3

有货

立即购买

8V~35V

型号：SG3525ANG 编号：C5286

封装：DIP-16

品牌：onsemi(安森美)

SG3525A脉宽调制器控制电路在用于控制各类开关电源时，能提升性能并减少外部元件数量。片上+5.1 V基准电压经微调至± 1%，误差放大器的输入共模电压范围包含基准电压，因此无需外部分压电阻。振荡器的同步输入可使多个单元同步工作，或使单个单元与外部系统时钟同步。通过连接在Cₜ和放电引脚之间的单个电阻，可对较宽范围的死区时间进行编程。该器件还具备内置软启动电路，仅需一个外部定时电容。关断引脚可控制软启动电路和输出级，通过脉冲关断时的PWM锁存实现瞬间关断，以及在较长关断命令下实现软启动循环。当Vcc低于标称值时，欠压锁定功能会禁止输出并阻止软启动电容充电。输出级采用图腾柱设计，灌电流和拉电流能力超过200 mA。SG3525A的输出级采用或非逻辑，关断状态下输出为低电平。

数据手册

1+
￥8.82
10+
￥7.33
25+
￥6.51
100+
￥5.59
500+
￥5.18
1000+
￥4.99

有货

立即购买

32 抽头数字电位器

型号：CAT5115ZI-10-GT3 编号：C890423

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT5115 是一款单数字电位计，设计用于替代机械电位计和调整电位计。适用于自动化调整的高产量生产线，也适合在难以访问或位于危险或远程环境中的设备中使用。

数据手册

1+
￥9.74
10+
￥9
30+
￥8.54
100+
￥6.53
500+
￥6.32
1000+
￥6.23

有货

立即购买

1个N沟道耐压:900V 电流:4A

型号：FQP4N90C 编号：C350835

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强型功率MOSFET采用专利平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器

数据手册

1+
￥11.6
10+
￥9.76
50+
￥8.45
100+
￥7.26
500+
￥6.73
1000+
￥6.5

有货

立即购买

耐压:1.2kV 电流:30A 反向恢复时间：85ns

型号：RHRG30120 编号：C11753

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRG30120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

数据手册

1+
￥17
10+
￥14.83
30+
￥11.51
90+
￥10.12
450+
￥9.49
900+
￥9.22

有货

立即购买

FNA41560T2

型号：FNA41560T2 编号：C411214

封装：SPM-AB-C26

品牌：onsemi(安森美)

FNA41560T2 是一款用于电机控制的电源模块，为交流直感、BLDC 和 PMSM 电机提供全功能、高性能的逆变器输出级。此类模块集成了内置 IGBT 的优化门极驱动，可最大程度减少 EMI 和损耗，同时还提供多个模块上保护功能，包括欠压锁定、过电流关断、驱动集成电路的高温监控和故障报告。内置的高速 HVIC 仅需一个电源电压，会将传入的逻辑电平门极输入转换为正确驱动模块内部 IGBT 所需的高电压、高电流驱动信号。每个相位都有单独的负 IGBT 端子，可支持最广泛的控制算法。

数据手册

1+
￥58.9
10+
￥57.31

有货

立即购买

独立式耐压:16V 电流:0.05uA

型号：BZX84C16LT1G 编号：C44457

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

20+
￥0.2136
200+
￥0.1679
600+
￥0.1425
3000+
￥0.1188
9000+
￥0.1055
21000+
￥0.0984

有货

立即购买

独立式耐压:20V 电流:0.1uA@15V

型号：MMSZ5250BT1G 编号：C94386

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

20+
￥0.2172
200+
￥0.1714
600+
￥0.1459
3000+
￥0.1307
9000+
￥0.1174
21000+
￥0.1103

有货

立即购买

250V 225mA

型号：BAS21SLT1G 编号：C23847

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。此双二极管器件包含两个串联封装的高压开关二极管，采用 SOT-23 表面贴装封装。

数据手册

20+
￥0.2538
200+
￥0.2028
600+
￥0.1744
3000+
￥0.1437
9000+
￥0.1289
21000+
￥0.121

有货

立即购买

1个N沟道耐压:60V 电流:310mA

型号：NTR5103NT1G 编号：C152469

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，60 V，310mA，单 N 沟道，SOT-23

数据手册

10+
￥0.2602
100+
￥0.2074
300+
￥0.181
3000+
￥0.1612
6000+
￥0.1454
9000+
￥0.1375

有货

立即购买

PNP 电流:100mA 电压:45V

型号：BC857BDW1T1G 编号：C154783

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

此双 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-363/SC-88 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.2631
100+
￥0.2088
300+
￥0.1816
3000+
￥0.1613
6000+
￥0.145
9000+
￥0.1369

有货

立即购买

独立式耐压:27V 电流:0.05uA@18.9V

型号：BZX84C27LT1G 编号：C38408

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这一系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

10+
￥0.2699
100+
￥0.2104
300+
￥0.1806
3000+
￥0.1583
6000+
￥0.1404
9000+
￥0.1315

有货

立即购买

独立式耐压:8.2V 电流:3uA@6.5V

型号：MMSZ5237BT1G 编号：C236103

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.2727
100+
￥0.2225
300+
￥0.1973
3000+
￥0.1785
6000+
￥0.1634
9000+
￥0.1559

有货

立即购买

200V 200mA

型号：BAS20HT1G 编号：C152543

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。

数据手册

20+
￥0.2748
200+
￥0.2195
600+
￥0.1888
3000+
￥0.133
9000+
￥0.1171
21000+
￥0.1085

有货

立即购买

NPN+NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：MBT3904DW1T3G 编号：C896759

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

MBT3904DW1 和 MBT3904DW2 器件是我们受欢迎的 SOT-23/SOT-323 三引线器件的副产品。此双 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用，采用 SOT-363 六引线表面贴装封装。通过将两个分立器件放入一个封装中，此类器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.2977
100+
￥0.2363
300+
￥0.2056
1000+
￥0.1825
5000+
￥0.1641

有货

立即购买

耐压:5.6V 电流:1uA@2.0V

型号：MM3Z5V6ST1G 编号：C193904

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

10+
￥0.3255
100+
￥0.2637
300+
￥0.2328
3000+
￥0.1871

有货

立即购买

具有三态输出的TinyLogic超高速缓冲器

型号：NC7SZ125P5X 编号：C112084

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ125 是一款带三态输出的单缓冲器，属于安森美半导体的 TinyLogic 超高速 (UHS) 系列。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为接地以上高阻抗。输入耐压达 6V，而无论 VCC 运行电压任何。在 3 态条件下，输出耐压高于 VCC。

数据手册

10+
￥0.3482
100+
￥0.2714
300+
￥0.233
3000+
￥0.2042
6000+
￥0.1812
9000+
￥0.1696

有货

立即购买

双缓冲器（开漏输出）

型号：NC7WZ07P6X 编号：C95342

封装：SOT-363-6

品牌：onsemi(安森美)

缓冲器，可以用作3.3V与5V电平高速转换用

数据手册

10+
￥0.3714
100+
￥0.2895
300+
￥0.2486
3000+
￥0.2178
6000+
￥0.1933
9000+
￥0.181

有货

立即购买

2个N沟道耐压:30V 电流:250mA

型号：NTJD4001NT1G 编号：C190019

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

特性：低栅极电荷，实现快速开关。小尺寸封装，比TSOP-6小30%。栅极具备ESD保护。NVTJD4001N符合AEC Q101标准。这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：低端负载开关。锂离子电池供电设备，如手机、个人数字助理、数码相机

数据手册

5+
￥0.4809
50+
￥0.3848
150+
￥0.3368
500+
￥0.3007
3000+
￥0.2447
6000+
￥0.2303

有货

立即购买

1个N沟道耐压:50V 电流:0.22A

型号：BSS138K 编号：C255592

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V，0.22A，1.6Ω

数据手册

10+
￥0.5143
100+
￥0.42
300+
￥0.3728
3000+
￥0.2993
6000+
￥0.271
9000+
￥0.2568

有货

立即购买

单路反相器

型号：MC74HC1G04DFT1G 编号：C150227

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC1G04 是一款采用硅栅 CMOS 技术制造的高速 CMOS 反相器。其内部电路由多级组成，包括一个缓冲输出级，该输出级具有高抗噪能力和稳定的输出。

数据手册

5+
￥0.5144
50+
￥0.404
150+
￥0.3488
500+
￥0.3074
3000+
￥0.2743
6000+
￥0.2577

有货

立即购买

1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:220mA

型号：NTUD3169CZT5G 编号：C213059

封装：SOT-963-6

品牌：onsemi(安森美)

这是一款互补 20 V 小信号 MOSFET，采用 1.0 x 1.0 mm SOT-963 封装。

数据手册

5+
￥0.57722 ￥0.6076
50+
￥0.504355 ￥0.5309
150+
￥0.46797 ￥0.4926
500+
￥0.44061 ￥0.4638
2500+
￥0.3971 ￥0.418
5000+
￥0.386175 ￥0.4065

有货

立即购买

独立式耐压:5.1V 电流:10uA@1V

型号：1N4733ATR 编号：C258172

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥0.5797
50+
￥0.4627
150+
￥0.4042
500+
￥0.3604
3000+
￥0.3114
6000+
￥0.2938

有货

立即购买

独立式耐压:56V 电流:1uA@42.6V

型号：1SMB5943BT3G 编号：C179562

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.5797
50+
￥0.5037
150+
￥0.4656
500+
￥0.4371
2500+
￥0.4143
5000+
￥0.4029

有货

立即购买

独立式耐压:51V 电流:0.5uA@38.8V

型号：1SMA5942BT3G 编号：C82080

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.606
50+
￥0.5372
150+
￥0.5028
500+
￥0.477
2500+
￥0.3749
5000+
￥0.3646

有货

立即购买

共4081页，122415条记录到页

<上一页
1
...
41
42
43
44
45
...
4081
下一页

立创商城为您提供ON传感器型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买ON传感器提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB
立创ERP

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content