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描述

价格(含税)

库存

操作

700V 9V~28V

型号：NCP1342AMDCDAD1R2G 编号：C462899

封装：SOIC-9-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP1342 是一款高度集成的准谐振反激控制器，适用于设计高性能离线功率转换器。NCP1342 具有集成的有源 X2 电容器放电功能，可以实现低于 30 mW 的无负载功耗。NCP1342 具有专属的谷锁闭电路，确保稳定的谷开关。此系统可在低至第 6 个谷的情况下运行，并转换为频率折回模式以降低开关损耗。随着负载进一步降低，NCP1342 进入静音跳过模式来管理功率传递，同时最大程度减小噪音。为了确保高频率设计的轻负载性能，NCP1342 结合了最低峰值电流调制 (MPCM) 以快速降低开关频率。为了帮助确保转换器耐用性，NCP1342 实施了若干关键保护功能，如内部欠电压检测、在任何输入电压下保证恒定最大输出功率的非功耗过功率保护 (OPP)、通过专门引脚实现的锁存过电压和 NTC 就绪高温保护，以及线路去除检测，可在去除交流线路时对 X2 电容器进行安全放电。

数据手册

1+
￥6.03
10+
￥4.95
30+
￥4.41
100+
￥3.87
500+
￥3.55
1000+
￥3.39

有货

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1个N沟道耐压:42V 电流:15A

型号：NCV8403ASTT1G 编号：C266786

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8403 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。

数据手册

1+
￥6.69
10+
￥5.35
30+
￥4.68
100+
￥4.02
500+
￥3.62
1000+
￥3.41

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL0601R2 编号：C411208

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED，该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门（单通道器件）。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。该输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管，而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管，以降低功耗。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

数据手册

1+
￥6.77
10+
￥5.53
30+
￥4.9
100+
￥4.28
500+
￥3.26
1000+
￥3.07

有货

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电压:100V 电流:20A

型号：FSV20100V 编号：C895438

封装：TO-277-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低正向压降。低热阻。超薄外形：典型高度为 1.1mm。沟槽肖特基技术。符合 IEC61249 标准的绿色模塑料。仅无 DAP 选项。这些器件无铅、无卤且符合 RoHS 标准

数据手册

1+
￥7.46
10+
￥6.21
30+
￥5.52
100+
￥4.74
500+
￥4.38
1000+
￥4.23

有货

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8V~35V

型号：SG3525ANG 编号：C5286

封装：DIP-16

品牌：onsemi(安森美)

SG3525A脉宽调制器控制电路在用于控制各类开关电源时，能提升性能并减少外部元件数量。片上+5.1 V基准电压经微调至± 1%，误差放大器的输入共模电压范围包含基准电压，因此无需外部分压电阻。振荡器的同步输入可使多个单元同步工作，或使单个单元与外部系统时钟同步。通过连接在Cₜ和放电引脚之间的单个电阻，可对较宽范围的死区时间进行编程。该器件还具备内置软启动电路，仅需一个外部定时电容。关断引脚可控制软启动电路和输出级，通过脉冲关断时的PWM锁存实现瞬间关断，以及在较长关断命令下实现软启动循环。当Vcc低于标称值时，欠压锁定功能会禁止输出并阻止软启动电容充电。输出级采用图腾柱设计，灌电流和拉电流能力超过200 mA。SG3525A的输出级采用或非逻辑，关断状态下输出为低电平。

数据手册

1+
￥8.2
10+
￥6.71
25+
￥5.89
100+
￥4.97
500+
￥4.56
1000+
￥4.38

有货

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1个N沟道耐压:900V 电流:4A

型号：FQP4N90C 编号：C350835

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强型功率MOSFET采用专利平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器

数据手册

1+
￥12.91
10+
￥10.86
50+
￥9.4
100+
￥8.08
500+
￥7.49
1000+
￥7.23

有货

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650V 100A

型号：FGH50T65SQD-F155 编号：C132704

封装：TO-247-G03

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 4 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供优异性能。

数据手册

1+
￥17.02
10+
￥14.54
30+
￥12.16
100+
￥10.57
500+
￥9.85
1000+
￥9.54

有货

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1.2kV 160A

型号：NGTB40N120FL3WG 编号：C411217

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管，带有较低正向电压。

数据手册

1+
￥19.79
10+
￥16.87
30+
￥14.31
100+
￥12.45
500+
￥11.6
1000+
￥11.24

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:52A

型号：FCH072N60F 编号：C352884

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。

数据手册

1+
￥22.18
10+
￥19.1
30+
￥15.52
90+
￥13.66
450+
￥12.81
900+
￥12.43

有货

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100V 200mA

型号：1N4148TA 编号：C124481

封装：DO-35

品牌：onsemi(安森美)

高电导快速二极管

数据手册

50+
￥0.1009
500+
￥0.0793
1500+
￥0.0673
5000+
￥0.0544
25000+
￥0.0482
50000+
￥0.0448

有货

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50V 200mA

型号：BAV74LT1G 编号：C82481

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此共阴极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.1814
200+
￥0.1441
600+
￥0.1235
3000+
￥0.1111
9000+
￥0.1003
21000+
￥0.0945

有货

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100V 200mA

型号：BAS16XV2T1G 编号：C152479

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

特性：高速开关应用。引脚镀层：100%雾锡（Tin）。合格的回流温度：260℃。极小的SOD-523封装。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准

数据手册

20+
￥0.2023
200+
￥0.16
600+
￥0.1365
3000+
￥0.1109
9000+
￥0.0986
21000+
￥0.092

有货

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电压:30V 电流:100mA

型号：BAT54ALT1G 编号：C92068

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该共阳极肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

20+
￥0.203
200+
￥0.1583
600+
￥0.1335
3000+
￥0.1086
9000+
￥0.0957
21000+
￥0.0887

有货

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PNP 电流:100mA 电压:45V

型号：BC857ALT1G 编号：C163726

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2102
200+
￥0.1667
600+
￥0.1426
3000+
￥0.124
9000+
￥0.1115
21000+
￥0.1047

有货

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50V 100mA

型号：MMUN2133LT1G 编号：C86182

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。

数据手册

20+
￥0.2174
200+
￥0.1754
600+
￥0.1521
3000+
￥0.1127

有货

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独立式耐压:13V 电流:0.1uA@8V

型号：BZX84C13LT1G 编号：C235768

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节。

数据手册

20+
￥0.2201
200+
￥0.1718
600+
￥0.145
3000+
￥0.1289
9000+
￥0.1149
21000+
￥0.1074

有货

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单向ESD 5V截止峰值脉冲电流：8.7A

型号：ESD9X5.0ST5G 编号：C87910

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

30KV接触, 30KV空隙放电

数据手册

20+
￥0.2528
200+
￥0.2046
600+
￥0.1778
2000+
￥0.1618
8000+
￥0.1293
16000+
￥0.1218

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:2uA@2V

型号：BZX84B5V1LT1G 编号：C236173

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

10+
￥0.2801
100+
￥0.2279
300+
￥0.2019
3000+
￥0.1754
6000+
￥0.1598

有货

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NPN 电流:500mA 电压:45V

型号：BC817-16LT1G 编号：C94373

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2868
200+
￥0.2274
600+
￥0.1944
3000+
￥0.1431
9000+
￥0.1259

有货

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100V 200mA

型号：SBAS16XV2T1G 编号：C327512

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

特性：高速开关应用。引脚镀层：100%雾锡（锡）。合格回流温度：260°C。极小的SOD-523封装。S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）且符合RoHS标准

数据手册

10+
￥0.3034
100+
￥0.2522
300+
￥0.2267
3000+
￥0.2075
6000+
￥0.1921
9000+
￥0.1845

有货

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独立式耐压:75V 电流:0.045uA@52.5V

型号：MM3Z75VC 编号：C891646

封装：SOD-323F

品牌：onsemi(安森美)

特性：宽齐纳电压范围选择，2.4V至75V。VZ公差选择为 ±5%（C系列）。非常小且薄的贴片封装。哑光镀锡（Sn）表面处理，无铅

数据手册

5+
￥0.334486 ￥0.4582
50+
￥0.255717 ￥0.4059
150+
￥0.201241 ￥0.3797
500+
￥0.190853 ￥0.3601
3000+
￥0.182532 ￥0.3444
6000+
￥0.178345 ￥0.3365

有货

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独立式耐压:13V 电流:0.5uA@9.9V

型号：MMSZ5243BT1G 编号：C188411

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.3465
100+
￥0.2842
300+
￥0.253
3000+
￥0.2205
6000+
￥0.2018
9000+
￥0.1925

有货

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250V 200mA

型号：MMSD103T1G 编号：C232610

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

此高压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。此器件采用 SOD-123 表面贴装封装，适合自动插装。

数据手册

20+
￥0.3664
200+
￥0.288
600+
￥0.2445
3000+
￥0.2019
9000+
￥0.1792
21000+
￥0.167

有货

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100V 200mA

型号：SMMSD4148T1G 编号：C132796

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。

数据手册

10+
￥0.3743
100+
￥0.3045
300+
￥0.2696
3000+
￥0.2237
6000+
￥0.2027
9000+
￥0.1923

有货

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独立式耐压:4.7V 电流:3uA@2V

型号：MMSZ4V7T1G 编号：C9995

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

10+
￥0.3775
100+
￥0.3098
300+
￥0.2759
3000+
￥0.2505
6000+
￥0.2302
9000+
￥0.22

有货

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独立式耐压:2.5V 电流:100uA@1V

型号：MMSZ5222BT1G 编号：C150078

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.3839
100+
￥0.3083
300+
￥0.2705
3000+
￥0.2341

有货

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双NPN偏置电阻晶体管

型号：MUN5214DW1T1G 编号：C94403

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。

数据手册

10+
￥0.4082
100+
￥0.3182
300+
￥0.2731
3000+
￥0.2394
6000+
￥0.2124
9000+
￥0.1989

有货

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独立式耐压:10V 电流:0.5uA@6V

型号：MM3Z10VST1G 编号：C235983

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功耗为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。适用于手机、手持便携式设备和高密度PC板等应用。

数据手册

10+
￥0.4441
100+
￥0.3665
300+
￥0.3277
3000+
￥0.258
6000+
￥0.2347
9000+
￥0.223

有货

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600V 1A

型号：S1J 编号：C184326

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

1.0A通用整流器

数据手册

10+
￥0.5105
100+
￥0.4286
300+
￥0.3876
1000+
￥0.3569
7500+
￥0.3074
15000+
￥0.2952

有货

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100V 200mA

型号：MMBD1205 编号：C236936

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥0.5319
50+
￥0.4276
150+
￥0.3754
500+
￥0.3363
3000+
￥0.305
6000+
￥0.2893

有货

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