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特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    • 500+

      ¥0.4128
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  • 特性:500 mW额定功率(FR-4或FR-5电路板)。齐纳反向电压范围宽:1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT):50 μA。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸,适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级 (>16 kV)。带SZ前缀,适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6732
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      ¥0.5484
    • 150+

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      ¥0.3386
  • 有货
  • ESD8011静电放电(ESD)保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。
    数据手册
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      ¥0.7705
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      ¥0.4416
    • 5000+

      ¥0.4095
  • 有货
  • 该器件在大面积金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。其先进的几何结构采用了带有氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低电压、高频整流,或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性二极管
    数据手册
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      ¥0.8265
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    • 2500+

      ¥0.437
    • 5000+

      ¥0.4101
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 玻璃钝化结。 低外形封装。 易于拾取和放置。 内置应力消除。 超快恢复时间,效率高
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8853
    • 50+

      ¥0.7102
    • 150+

      ¥0.6226
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    • 2500+

      ¥0.413
    • 7500+

      ¥0.3868
  • 有货
  • 30 V,3.5 A,75 mΩ,单 P 沟道,功率 MOSFET,SOT-23
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8903
    • 50+

      ¥0.6886
    • 150+

      ¥0.5878
    • 500+

      ¥0.5121
    • 3000+

      ¥0.4516
    • 6000+

      ¥0.4213
  • 有货
  • ESD7462旨在保护需要超低电容的电压敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。它在不同电压下具有业界领先的电容线性度,非常适合射频(RF)应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合,使该器件非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9108
    • 50+

      ¥0.8976
    • 150+

      ¥0.8888
    • 500+

      ¥0.88
  • 有货
  • 该肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用金属-硅功率整流器。该肖特基整流器具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9115
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      ¥0.7259
    • 150+

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  • 有货
  • 表面通用整流器
    数据手册
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      ¥0.92
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      ¥0.7357
    • 150+

      ¥0.6436
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      ¥0.5745
    • 3000+

      ¥0.4844
  • 有货
  • 该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装,功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护,特别适用于空间有限的情况。
    数据手册
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      ¥0.92
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      ¥0.7699
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    • 500+

      ¥0.6386
    • 3000+

      ¥0.4989
  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级(>16kV)。 平坦的操作表面,便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0014
    • 50+

      ¥0.7773
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    • 500+

      ¥0.5613
    • 2500+

      ¥0.508
    • 5000+

      ¥0.4759
  • 有货
  • LM393系列是双路独立精密电压比较器,可采用单电源或双电源供电。这些器件设计允许在单电源供电时实现共模范围至地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子众多应用的理想选择。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.004
    • 50+

      ¥0.772
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    • 2500+

      ¥0.4933
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      ¥0.4602
  • 有货
  • SZ/NUP3105L 专为保护 24 V 系统中的 CAN 收发器免受 ESD 及其他有害瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用单个紧凑型 SOT−23 封装,为每条数据线提供双向保护,为系统设计师提供了一种低成本的方案,以提高系统可靠性并满足严格的 EMI 要求。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0132
    • 50+

      ¥0.7864
    • 150+

      ¥0.6892
    • 500+

      ¥0.568
    • 3000+

      ¥0.514
  • 有货
  • 低压精确可调分路稳压器
    数据手册
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      ¥1.0524
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      ¥0.8359
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      ¥0.7431
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      ¥0.6273
    • 3000+

      ¥0.5036
    • 6000+

      ¥0.4726
  • 有货
  • 正电压调节器是价格实惠、易于使用的设备,适用于多种需要高达100 mA稳压电源的应用。与功率更高的同类产品一样,这些调节器具有内部限流和热关断功能,非常耐用。在许多应用中,该设备无需外部组件。与传统的齐纳二极管-电阻组合相比,这些设备具有显著的性能优势,因为输出阻抗和静态电流大幅降低。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0721
    • 50+

      ¥0.8453
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      ¥0.5635
    • 2500+

      ¥0.5095
    • 5000+

      ¥0.477
  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级(> 16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0798
    • 50+

      ¥0.858
    • 150+

      ¥0.763
    • 500+

      ¥0.6444
    • 2500+

      ¥0.5476
    • 5000+

      ¥0.5159
  • 有货
  • 此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用:负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1012
    • 50+

      ¥0.8965
    • 150+

      ¥0.8087
    • 500+

      ¥0.6992
    • 3000+

      ¥0.5777
    • 6000+

      ¥0.5485
  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级(>16kV)。 平坦的操作表面,便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1038
    • 50+

      ¥0.9148
    • 150+

      ¥0.8203
    • 500+

      ¥0.7495
    • 2500+

      ¥0.6841
    • 5000+

      ¥0.6557
  • 有货
  • NC7SZ74 是一款单路 D 型 CMOS 触发器,具备预置和清零功能,属于超高速系列产品。该器件采用先进的 CMOS 技术制造,可实现超高速运行和高输出驱动能力,同时在 1.65V 至 5V 这一极宽的 Vcc 工作电压范围内保持较低的静态功耗。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1599
    • 50+

      ¥1.0287
    • 150+

      ¥0.9724
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      ¥0.9022
    • 2500+

      ¥0.6938
    • 5000+

      ¥0.675
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1828
    • 50+

      ¥0.9431
    • 150+

      ¥0.8404
    • 500+

      ¥0.7123
    • 2500+

      ¥0.6096
    • 5000+

      ¥0.5753
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力(SZ1SMB59xxT3G)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1909
    • 50+

      ¥0.9346
    • 150+

      ¥0.8247
    • 500+

      ¥0.6877
    • 2500+

      ¥0.5758
    • 5000+

      ¥0.5391
  • 有货
  • 该超快整流器适用于高电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1943
    • 50+

      ¥0.9448
    • 150+

      ¥0.8379
    • 500+

      ¥0.7045
    • 2500+

      ¥0.5604
    • 5000+

      ¥0.5247
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1947
    • 50+

      ¥0.9327
    • 150+

      ¥0.8203
    • 500+

      ¥0.6802
    • 2500+

      ¥0.6178
    • 5000+

      ¥0.5803
  • 有货
  • 高 PSRR
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2072
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      ¥0.9493
    • 150+

      ¥0.8388
    • 500+

      ¥0.6406
    • 2500+

      ¥0.5792
    • 5000+

      ¥0.5424
  • 有货
  • B系列逻辑门采用P沟道和N沟道增强型器件构建在单一的单片结构中(互补金属氧化物半导体,即CMOS)。它们主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2119
    • 50+

      ¥0.9448
    • 150+

      ¥0.8303
    • 500+

      ¥0.6875
    • 2500+

      ¥0.6239
    • 5000+

      ¥0.5857
  • 有货
  • 负电压 -5V 100mA
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2153
    • 50+

      ¥0.9387
    • 150+

      ¥0.8201
    • 500+

      ¥0.6722
    • 2500+

      ¥0.5593
    • 5000+

      ¥0.5198
  • 有货
  • 汽车用功率 MOSFET。60V,230 mΩ,单 N 沟道 逻辑电平,SOT?23 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.223
    • 50+

      ¥0.9803
    • 150+

      ¥0.8763
    • 500+

      ¥0.7466
    • 3000+

      ¥0.6888
    • 6000+

      ¥0.6541
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.235
    • 50+

      ¥0.9809
    • 150+

      ¥0.872
    • 500+

      ¥0.7362
    • 2500+

      ¥0.6757
    • 5000+

      ¥0.6394
  • 有货
  • 通用双通道运放,LM358A系列,LM358高精密度版本
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2633
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      ¥0.9843
    • 150+

      ¥0.8647
    • 500+

      ¥0.7154
    • 2500+

      ¥0.649
    • 5000+

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