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型号：MC74VHC1G126DFT1G-Q 编号：C26032014

封装：SOT-353

单门非反相三态缓冲器采用小尺寸封装。一款具有CMOS电平输入阈值，另一款具有TTL电平输入阈值。内部电路由三级组成，包括一个缓冲三态输出，提供高抗噪性和稳定输出。输入结构在施加高达5.5V的电压时提供保护，无论电源电压如何。这允许该器件用于将5V电路与3V电路连接。一些输出结构在VCC = 0V和输出电压超过VCC时也提供保护。这些输入和输出结构有助于防止因电源电压-输入/输出电压不匹配、电池备份、热插拔等原因导致的器件损坏。

5+
￥0.6709
50+
￥0.5269
150+
￥0.4549
500+
￥0.4009
3000+
￥0.3577
6000+
￥0.336

有货

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型号：SZMMSZ4678T1G 编号：C513070

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5电路板）。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级 (>16 kV)。带SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.6732
50+
￥0.5484
150+
￥0.486
500+
￥0.4392
3000+
￥0.3386

有货

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型号：BSS138W 编号：C890266

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 N 沟道增强型 MOSFET。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS138W 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

数据手册

5+
￥0.8229
50+
￥0.6516
150+
￥0.566
500+
￥0.5017
3000+
￥0.4504
6000+
￥0.4247

有货

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型号：1SMA5921BT3G 编号：C38220

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.8325
50+
￥0.6654
150+
￥0.5818
500+
￥0.4967
2500+
￥0.4466
5000+
￥0.4215

有货

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型号：1SMB5923BT3G 编号：C235766

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

数据手册

5+
￥0.8487
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￥0.6832
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￥0.6004
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￥0.5384
2500+
￥0.4887
5000+
￥0.4639

有货

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型号：MMBF4392LT1G 编号：C259802

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

数据手册

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￥0.8985
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￥0.7084
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￥0.6134
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￥0.5421
3000+
￥0.4721
6000+
￥0.4435

有货

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型号：NUP4301MR6T1G 编号：C52856

封装：SC-74

品牌：onsemi(安森美)

8KV接触, 15KV空隙放电

数据手册

5+
￥0.9169
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￥0.7442
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￥0.6579
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￥0.5932
3000+
￥0.4898
6000+
￥0.4639

有货

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型号：1SMB5949BT3G 编号：C150045

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

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￥0.9537
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￥0.7457
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￥0.6566
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￥0.5454
2500+
￥0.4671
5000+
￥0.4374

有货

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型号：1SMA5920BT3G 编号：C141342

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0022
50+
￥0.7827
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￥0.6887
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￥0.5713
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￥0.5191
5000+
￥0.4877

有货

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型号：1SMB5934BT3G 编号：C142360

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

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￥1.0462
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￥0.7358
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￥0.6196
2500+
￥0.5527
5000+
￥0.5216

有货

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型号：1SMA5934BT3G 编号：C94409

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0917
50+
￥0.8617
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￥0.7631
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￥0.64
2500+
￥0.5488
5000+
￥0.5159

有货

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型号：MC33072DR2G 编号：C112613

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。这一系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速建立时间，且未使用JFET器件技术。虽然这一系列可以采用双电源供电工作，但特别适合单电源供电，因为其共模输入电压范围包括地电位（VEE）。凭借达林顿输入级，该系列表现出高输入阻抗、低输入偏移电压和高增益。全NPN输出级的特点是没有死区交叉失真和大输出电压摆幅，提供了高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/吸交流频率响应。

数据手册

5+
￥1.1115
50+
￥0.8945
150+
￥0.8015
500+
￥0.6424
2500+
￥0.5908
5000+
￥0.5598

有货

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型号：1SMB5917BT3G 编号：C89739

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1336
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￥0.9039
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￥0.8055
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￥0.6827
2500+
￥0.5843
5000+
￥0.5514

有货

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型号：FDG6301N 编号：C236893

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用专属的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。

数据手册

5+
￥1.1404
50+
￥0.9067
150+
￥0.8065
500+
￥0.6816
3000+
￥0.5713
6000+
￥0.5379

有货

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型号：NCV8133BMX150TCG 编号：C893083

封装：XDFN-6-EP(1.2x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥1.1447
50+
￥0.9026
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￥0.7988
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￥0.6694
2500+
￥0.6117
5000+
￥0.5771

有货

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型号：1SMB5931BT3G 编号：C146740

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V 至 200V。人体模型 3 级 ESD 等级（>16kV）。扁平操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要特定场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1869
50+
￥1.0079
150+
￥0.9185
500+
￥0.5651
2500+
￥0.5115
5000+
￥0.4846

有货

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型号：1SMA5916BT3G 编号：C146725

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.2378
50+
￥1.019
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￥0.9253
500+
￥0.8083
2500+
￥0.6172
5000+
￥0.586

有货

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型号：1SMA5936BT3G 编号：C235765

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.2637
50+
￥0.9943
150+
￥0.8788
500+
￥0.7347
2500+
￥0.6052
5000+
￥0.5667

有货

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型号：NSR05F40NXT5G 编号：C146713

封装：0402

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管经优化适用于低正向压降和低漏电流，采用芯片级封装 (CSP) 以减少板空间。低热电阻使设计人员能够完成提高能效并满足减少空间要求的具有挑战性的任务。

数据手册

5+
￥1.3068
50+
￥1.0384
150+
￥0.9234
500+
￥0.7799
2500+
￥0.6348
5000+
￥0.5965

有货

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型号：LM317MBDTRKG 编号：C179570

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR 可调正向

数据手册

5+
￥1.3159
50+
￥1.0226
150+
￥0.897
500+
￥0.7402
2500+
￥0.6703
5000+
￥0.6284

有货

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型号：MC7805CDTRKG 编号：C54285

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。

数据手册

5+
￥1.3508
50+
￥1.0658
150+
￥0.9437
500+
￥0.7418
2500+
￥0.6739
5000+
￥0.6332

有货

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型号：74AC14MTCX 编号：C903332

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

包含六个带施密特触发输入的反相器门。能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰、无抖动的输出信号。此外，与传统反相器相比，它们具有更大的噪声容限。在正向和负向输入阈值之间具有迟滞（典型值为1.0V），该迟滞由晶体管比率在内部确定，并且基本上不受温度和电源电压变化的影响。

数据手册

5+
￥1.4135
50+
￥1.2223
150+
￥1.1403
500+
￥1.0381
2500+
￥0.9925
5000+
￥0.9652

有货

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型号：MC74HC132ADR2G 编号：C7332

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC132A的引脚排列与LS132相同。该器件的输入与标准CMOS输出兼容；使用上拉电阻时，可与LSTTL输出兼容

数据手册

5+
￥1.4354
50+
￥1.2573
150+
￥1.181
500+
￥1.0857
2500+
￥0.9585
5000+
￥0.9331

有货

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型号：MC74ACT08DR2G 编号：C233452

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

特性：输出源/灌电流：24 mA。 -ACT08具有与TTL兼容的输入。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.4837
50+
￥1.1712
150+
￥1.0373
500+
￥0.8135
2500+
￥0.7391
5000+
￥0.6945

有货

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型号：ES2D 编号：C232831

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化结。低外形封装。易于拾取和放置。内置应力消除。超快恢复时间，效率高

数据手册

5+
￥1.5498
50+
￥1.2575
150+
￥1.1322
500+
￥0.9758

有货

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型号：MBRS2040LT3G 编号：C59626

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低电压、高频率开关电源、续流二极管和极性保护二极管。

数据手册

5+
￥1.5725
50+
￥1.2189
150+
￥1.0674
500+
￥0.8783
2500+
￥0.7942
5000+
￥0.7436

有货

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型号：ES1JFL 编号：C719809

封装：SOD-123F

品牌：onsemi(安森美)

特性：快速开关速度：最大反向恢复时间35 ns。超薄外形：最大高度1.08 mm。玻璃钝化结。 UL可燃性94V-0分类。 MSL 1。绿色模塑料。这些器件无铅、无卤且符合RoHS标准

数据手册

5+
￥1.5803
50+
￥1.26
150+
￥1.1227
500+
￥0.9514

有货

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型号：MC74HC02ADR2G 编号：C7328

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

该产品引脚排列与LS02相同，其输入与标准CMOS输出兼容，通过上拉电阻，也可与LSTTL输出兼容。

数据手册

5+
￥1.6566
50+
￥1.3528
150+
￥1.2226
500+
￥1.0602
2500+
￥0.8974
5000+
￥0.854

有货

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型号：1N5341BG 编号：C898880

封装：插件,D3.3xL8.4mm

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥1.6845
50+
￥1.4947
150+
￥1.4133
1000+
￥1.1309
2000+
￥1.0857
5000+
￥1.0586

有货

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型号：MC34072DR2G 编号：C146747

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。这一系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速建立时间，且未使用JFET器件技术。虽然这一系列可以采用双电源供电工作，但特别适合单电源供电，因为其共模输入电压范围包括地电位（VEE）。凭借达林顿输入级，该系列表现出高输入阻抗、低输入偏移电压和高增益。全NPN输出级的特点是没有死区交叉失真和大输出电压摆幅，提供了高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/吸交流频率响应。

数据手册

5+
￥1.6859
50+
￥1.33
150+
￥1.1775
500+
￥0.8842
2500+
￥0.7995
5000+
￥0.7486

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