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封装：SOT-353

NC7SZ04 是安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列单逆变器。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 VCC 运行电压任何。

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10+
￥0.3836
100+
￥0.2834
300+
￥0.2454
3000+
￥0.2169
6000+
￥0.1942
9000+
￥0.1828

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型号：BSS123 编号：C513249

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS123 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

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10+
￥0.4245
100+
￥0.3398
300+
￥0.2975
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￥0.2657
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￥0.2276

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型号：MMSZ9V1T1G 编号：C132795

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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10+
￥0.4637
100+
￥0.3758
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￥0.3319
3000+
￥0.2629
6000+
￥0.2365

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型号：MMBD1205 编号：C236936

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

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5+
￥0.5052
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￥0.4009
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￥0.3487
500+
￥0.3096
3000+
￥0.2783
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￥0.2626

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型号：1N4733A 编号：C140851

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

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5+
￥0.5759
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￥0.4602
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￥0.4024
500+
￥0.3481
3000+
￥0.3134

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型号：NTR2101PT1G 编号：C168745

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。

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5+
￥0.8037
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￥0.6356
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￥0.4884
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￥0.4042
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￥0.379

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型号：SD05T1G 编号：C233423

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

这些浪涌保护二极管专为需要瞬态过电压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

数据手册

5+
￥0.8343
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￥0.6801
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￥0.603
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￥0.5452
3000+
￥0.4432
6000+
￥0.42

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型号：MBRA160T3G 编号：C49187

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该器件在大面积金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。其先进的几何结构采用了带有氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性二极管

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5+
￥0.8833
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￥0.6875
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￥0.5895
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￥0.5161
2500+
￥0.4573
5000+
￥0.4279

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型号：NTZD3155CT1G 编号：C236117

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的沟槽技术，实现低导通电阻（RDS(on)）性能。高效的系统性能。低阈值电压。静电放电（ESD）保护栅极。小尺寸封装，尺寸为 1.6×1.6mm。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换电路。带电平转换的负载/电源开关

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5+
￥0.9259
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￥0.7317
150+
￥0.6346
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￥0.5618
2500+
￥0.5035
4000+
￥0.4744

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型号：NC7WZ17L6X 编号：C457663

封装：MicroPaK-6

品牌：onsemi(安森美)

NC7WZ17 是一款来自 TinyLogic 产品超高速（UHS）系列的双缓冲器，带有施密特触发输入。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽的 VCC 工作电压范围内保持低静态功耗。该器件的工作电压范围为 1

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5+
￥1.0178
50+
￥0.896
150+
￥0.8438
500+
￥0.7787
2500+
￥0.6322
5000+
￥0.6148

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型号：NTJD4152PT1G 编号：C236239

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的沟槽技术，实现低导通电阻性能。小尺寸封装（相当于SC70-6）。栅极具有ESD保护。 NV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些是无铅器件。应用：负载/电源管理。充电电路

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5+
￥1.0502
50+
￥0.8485
150+
￥0.762
500+
￥0.6542
3000+
￥0.5372
6000+
￥0.5084

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型号：1SMA5932BT3G 编号：C36389

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.0737
50+
￥0.864
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￥0.7741
500+
￥0.6619
2500+
￥0.571
5000+
￥0.541

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型号：1SMB5951BT3G 编号：C152508

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥1.113
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￥0.8693
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￥0.7649
500+
￥0.6345
2500+
￥0.5765
5000+
￥0.5417

有货

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型号：1SMA5917BT3G 编号：C72594

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1349
50+
￥0.8994
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￥0.7816
500+
￥0.6933
2500+
￥0.6118
5000+
￥0.5764

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型号：MC79L05ACDR2G 编号：C154823

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

负电压 -5V 100mA

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5+
￥1.1374
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￥0.8955
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￥0.7918
500+
￥0.6625
2500+
￥0.5638
5000+
￥0.5292

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型号：MURA210T3G 编号：C146738

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

该超快功率整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.1433
50+
￥0.9111
150+
￥0.8116
500+
￥0.6874
2500+
￥0.6322
5000+
￥0.599

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型号：NC7SZ74L8X 编号：C184651

封装：UFQFN-8(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ74 是一款单路 D 型 CMOS 触发器，具备预置和清零功能，属于超高速系列产品。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在 1.65V 至 5V 这一极宽的 Vcc 工作电压范围内保持较低的静态功耗。

数据手册

5+
￥1.1474
50+
￥1.0162
150+
￥0.9599
500+
￥0.8897
2500+
￥0.6813
5000+
￥0.6625

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型号：1N5408RLG 编号：C232460

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

该标准恢复整流器适用于电源和其他应用。

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5+
￥1.1712
50+
￥0.9295
150+
￥0.8258
1200+
￥0.6966
2400+
￥0.639

有货

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型号：MURS140T3G 编号：C21243

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.1869
50+
￥0.9374
150+
￥0.8305
500+
￥0.6971
2500+
￥0.553
5000+
￥0.5174

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型号：MC74HC126ADR2G 编号：C233530

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

高性能硅门极 CMOS MC74HC125A 和 MC74HC126A 与 LS125 和 LS126 的引脚输出相同。该器件输入兼容标准的 CMOS 输出；带有上拉电阻器，可兼容 LSTTL 输出。 HC125A 和 HC126A 非反相缓冲器适用于 3 态内存地址驱动器、时钟驱动器和其他总线导向系统。此类器件具有四个单独的输出启用，为有效低电平 (HC125A) 或有效高电平 (HC126A)。

数据手册

5+
￥1.1944
50+
￥1.0454
150+
￥0.9815
500+
￥0.9017
2500+
￥0.7739
5000+
￥0.7526

有货

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型号：UESD3.3DT5G 编号：C233435

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

μESD系列产品旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。其出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于尺寸小巧，该系列产品适用于手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用

数据手册

5+
￥1.2069
50+
￥0.9636
150+
￥0.8593
500+
￥0.7292
2500+
￥0.619
5000+
￥0.5842

有货

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型号：1SMB5915BT3G 编号：C152473

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.2199
50+
￥0.9604
150+
￥0.8492
500+
￥0.6446
2500+
￥0.5828
5000+
￥0.5457

有货

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型号：MC14011BDR2G 编号：C7278

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

B系列逻辑门采用P沟道和N沟道增强型器件构建在单一的单片结构中（互补金属氧化物半导体，即CMOS）。它们主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。

数据手册

5+
￥1.2332
50+
￥0.9715
150+
￥0.8593
500+
￥0.7194
2500+
￥0.6571
5000+
￥0.6197

有货

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型号：MBRM140T1G 编号：C132634

封装：DO-216AA

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用势垒金属和外延结构，可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。这种先进的封装技术可用于实现高能效的微型、节省空间的表面贴装整流器。由于其独特的散热设计，该整流器与 SMA 具有相同的热性能，而占位减小 50%，提供了业内最小高度的外形，不到 1.1 mm。由于其尺寸小巧，适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸性能至关重要的其他应用。

数据手册

5+
￥1.248
50+
￥0.9945
150+
￥0.8859
500+
￥0.7504
3000+
￥0.69
6000+
￥0.6538

有货

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型号：ESD8104MUTAG 编号：C94394

封装：DFN-10(1x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8104旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。直插式封装便于进行PCB布局，并能匹配走线长度，这对于保持高速差分线（如USB 3）之间的阻抗一致性十分必要

数据手册

5+
￥1.3205
50+
￥1.069
150+
￥0.9613
500+
￥0.7445
3000+
￥0.6846
6000+
￥0.6487

有货

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型号：PZTA42T1G 编号：C82085

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

特性：与PZTA92T1G互补。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准

数据手册

5+
￥1.3409
50+
￥1.0863
150+
￥0.9773
1000+
￥0.7434
2000+
￥0.6828
5000+
￥0.6464

有货

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型号：FDG6303N 编号：C512895

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。

数据手册

5+
￥1.4307
50+
￥1.1147
150+
￥0.9792
500+
￥0.8102
3000+
￥0.735
6000+
￥0.6898

有货

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型号：MBRS360BT3G 编号：C59027

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。

数据手册

5+
￥1.4374
50+
￥1.135
150+
￥1.0054
500+
￥0.7873
2500+
￥0.7153
5000+
￥0.6721

有货

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型号：1SMB5928BT3G 编号：C53168

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.4472
50+
￥1.1435
150+
￥1.0133
500+
￥0.8509
2500+
￥0.7183
5000+
￥0.6749

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型号：NUP4114HMR6T1G 编号：C260431

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NUP4114 ESD保护二极管阵列旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和高级别的ESD保护使这些器件非常适合用于USB 2.0高速应用。新型NUP4114是一款低电容ESD二极管阵列，旨在保护通信系统、计算机和计算机外设等敏感电子设备，使其免受ESD事件或瞬态过压情况造成的损坏。由于其电容较低，可用于高速I/O数据线。NUP4114的集成设计在单个封装（TSOP - 6）中集成了低电容转向二极管和ESD二极管。该器件可保护电源线免受过压情况影响，避免损坏电源和任何下游组件。

数据手册

5+
￥1.5066
50+
￥1.1678
150+
￥1.0227
500+
￥0.8415
3000+
￥0.7609
6000+
￥0.7125

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