ON传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：SBAV99LT1G 编号：C152481

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。

数据手册

10+
￥0.3439
100+
￥0.2723
300+
￥0.2365
3000+
￥0.1903
6000+
￥0.1688
9000+
￥0.1581

有货

立即购买

型号：BZX84C8V2LT1G 编号：C82469

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

20+
￥0.3565
200+
￥0.2791
600+
￥0.2361
3000+
￥0.1864
9000+
￥0.164
21000+
￥0.152

有货

立即购买

型号：NC7SZ125P5X 编号：C112084

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ125 是一款带三态输出的单缓冲器，属于安森美半导体的 TinyLogic 超高速 (UHS) 系列。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为接地以上高阻抗。输入耐压达 6V，而无论 VCC 运行电压任何。在 3 态条件下，输出耐压高于 VCC。

数据手册

10+
￥0.3656
100+
￥0.285
300+
￥0.2447
3000+
￥0.2144
6000+
￥0.1902
9000+
￥0.1781

有货

立即购买

型号：BCX19LT1G 编号：C232541

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：S和NSV前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准

数据手册

10+
￥0.4083
100+
￥0.3271
300+
￥0.2865
3000+
￥0.2414
6000+
￥0.217
9000+
￥0.2048

有货

立即购买

型号：NC7SZ125M5X 编号：C7420

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ125是一款带三态输出的单缓冲器。该器件采用先进的CMOS技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽的VCC工作电压范围内保持低静态功耗

数据手册

10+
￥0.4386
100+
￥0.3614
300+
￥0.3229
3000+
￥0.2518
6000+
￥0.2286
9000+
￥0.217

有货

立即购买

型号：MMSZ4700T1G 编号：C236099

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5板）。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（> 16 kV）。SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

10+
￥0.4597
100+
￥0.3728
300+
￥0.3293
3000+
￥0.2584
6000+
￥0.2323
9000+
￥0.2193

有货

立即购买

型号：NCP114BSN330T1G 编号：C327507

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP114是一款300 mA的低压差稳压器（LDO），可为工程师提供极其稳定、精确且低噪声的电压，适用于空间受限、对噪声敏感的应用场景。为优化电池供电的便携式应用的性能，NCP114采用动态静态电流调整技术，在空载时可实现极低的静态电流（IQ）消耗。

数据手册

10+
￥0.4849
100+
￥0.3931
300+
￥0.3472
3000+
￥0.286
6000+
￥0.2585
9000+
￥0.2447

有货

立即购买

型号：MBR0530T3G 编号：C236079

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

10+
￥0.5027
100+
￥0.3918
300+
￥0.3364
1000+
￥0.2948
5000+
￥0.2615

有货

立即购买

型号：1N4746A 编号：C181831

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥0.531
50+
￥0.4228
250+
￥0.3371
500+
￥0.2965
1750+
￥0.2641
5250+
￥0.2479

有货

立即购买

型号：BSS84 编号：C266796

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用高单元密度的沟槽 MOSFET 技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供强固可靠的性能和快速开关。BSS84 可以最小的损耗用于最高要求 0.13 A DC 的大多数应用，可提供高达 0.52 A 的电流。此产品尤其适合需要低电流高边开关的低压应用。

数据手册

10+
￥0.5382
100+
￥0.4422
300+
￥0.3942
3000+
￥0.3332
6000+
￥0.3044
9000+
￥0.29

有货

立即购买

型号：NTR4503NT1G 编号：C94763

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,30V

数据手册

5+
￥0.7202
50+
￥0.5856
150+
￥0.5183
500+
￥0.4678
3000+
￥0.3709
6000+
￥0.3507

有货

立即购买

型号：1SMB5921BT3G 编号：C53356

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.7395
50+
￥0.5865
150+
￥0.51
500+
￥0.4527
2500+
￥0.4068
5000+
￥0.3838

有货

立即购买

型号：1SMA5943BT3G 编号：C238876

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.7499
50+
￥0.5845
150+
￥0.5018
500+
￥0.4398
2500+
￥0.3901
5000+
￥0.3653

有货

立即购买

型号：MRA4003T3G 编号：C94410

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。

数据手册

5+
￥0.7523
50+
￥0.6027
150+
￥0.5278
500+
￥0.4717
2500+
￥0.4081
5000+
￥0.3856

有货

立即购买

型号：MBRS130LT3G 编号：C51771

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.8188
50+
￥0.6498
150+
￥0.5654
500+
￥0.502
2500+
￥0.3985
5000+
￥0.3732

有货

立即购买

型号：ESD9M5.0ST5G 编号：C242267

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

ESD9M系列旨在保护需要低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合用于诸如USB等高速线路设计中的ESD保护。

数据手册

5+
￥0.8238
50+
￥0.647
150+
￥0.5586
500+
￥0.4923
2500+
￥0.4392
5000+
￥0.4127

有货

立即购买

型号：MURA220T3G 编号：C37995

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

该超快功率整流器适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.8417
50+
￥0.6569
150+
￥0.5645
500+
￥0.4952
2500+
￥0.4397
5000+
￥0.412

有货

立即购买

型号：NC7SZ125L6X 编号：C457636

封装：UFDFN-6

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ125 是TinyLogic 超高速（UHS）系列的单路三态输出缓冲器。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽的 VCC 工作范围内保持低静态功耗。该器件规定的工作电压范围为 1

数据手册

5+
￥0.8538
50+
￥0.7383
150+
￥0.6888
500+
￥0.627
2500+
￥0.5995
5000+
￥0.583

有货

立即购买

型号：MC79L05ACPG 编号：C233232

封装：TO-92-3

品牌：onsemi(安森美)

负电压调节器价格便宜、易于使用，适用于众多需要高达100mA电流的应用。该系列具有热关断和电流限制功能，非常耐用。在大多数应用中，操作无需外部组件。该器件适用于板载调节或任何其他需要适度电流水平的稳压负电压的应用。这些调节器比普通的电阻/齐纳二极管方法具有显著优势。

数据手册

5+
￥0.9025
50+
￥0.6996
150+
￥0.6126
500+
￥0.5041
2000+
￥0.4558
4000+
￥0.4268

有货

立即购买

型号：MBR130LSFT1G 编号：C235756

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装还是无引线 34 封装样式的易于使用的替代产品。由于其尺寸小巧，因而适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMICA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多电源电压的“OR”运行，以及性能和尺寸在其中至关重要的任何其他应用。

数据手册

5+
￥0.9082
50+
￥0.7184
150+
￥0.6235
500+
￥0.5523
3000+
￥0.4478
6000+
￥0.4193

有货

立即购买

型号：MUR120RLG 编号：C27680

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

5+
￥0.9307
50+
￥0.779
150+
￥0.7032
500+
￥0.6464
2500+
￥0.6009
5000+
￥0.5781

有货

立即购买

型号：1SMA5932BT3G 编号：C36389

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.9901
50+
￥0.7803
150+
￥0.6904
500+
￥0.5783
2500+
￥0.4874
5000+
￥0.4574

有货

立即购买

型号：1SMA5935BT3G 编号：C235764

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.9953
50+
￥0.7715
150+
￥0.6756
500+
￥0.5559
2500+
￥0.5027
5000+
￥0.4707

有货

立即购买

型号：MURS220T3G 编号：C56421

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.0173
50+
￥0.8029
150+
￥0.711
500+
￥0.5964
2500+
￥0.5454
5000+
￥0.5147

有货

立即购买

型号：NTJD4152PT1G 编号：C236239

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的沟槽技术，实现低导通电阻性能。小尺寸封装（相当于SC70-6）。栅极具有ESD保护。 NV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些是无铅器件。应用：负载/电源管理。充电电路

数据手册

5+
￥1.0281
50+
￥0.8435
150+
￥0.7512
500+
￥0.6819
3000+
￥0.5603
6000+
￥0.5326

有货

立即购买

型号：FDN335N 编号：C241804

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。

数据手册

5+
￥1.083
50+
￥0.8459
150+
￥0.7442
500+
￥0.6174
3000+
￥0.561
6000+
￥0.5271

有货

立即购买

型号：1SMB5934BT3G 编号：C142360

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1017
50+
￥0.8835
150+
￥0.79
500+
￥0.6733
2500+
￥0.6061
5000+
￥0.5749

有货

立即购买

型号：1SMA5937BT3G 编号：C235776

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册