ON传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MJD112T4G 编号：C233690

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

专为通用电源和开关应用而设计，如开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中的输出级或驱动级。

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型号：NCS2220AMUT1G 编号：C464059

封装：UDFN-8-EP(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

NCS2220A是业界首款亚1V的低功耗比较器。该器件专为轨到轨输入和输出性能而设计，功耗仅为7。

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型号：MOC3041M 编号：C8921

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：CAT24C16HU4I-GT3 编号：C464144

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C16 是一款 EEPROM 串行 16-Kb I2C 器件，内部组织为 128 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多一个 CAT24C16 器件的寻址。

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型号：74ACT244MTCX 编号：C5496

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

AC/ACT244是一款八进制缓冲器和线路驱动器，设计用于作为内存地址驱动器、时钟驱动器以及面向总线的发送器/接收器，可提高印刷电路板的布线密度。

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型号：NUP4202W1T2G 编号：C89319

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

NUP4202W1浪涌保护器件旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击的影响。全新的NUP4202W1是一款低电容浪涌保护二极管阵列，用于保护通信系统、计算机及计算机外设等敏感电子设备，使其免受静电放电事件或瞬态过压情况造成的损坏。由于其电容较低，可用于高速输入/输出（I/O）数据线。NUP4202W1采用集成设计，在单个封装（SC - 88）中集成了具有浪涌额定值的低电容导向二极管和浪涌保护二极管。若出现瞬态情况，导向二极管会将瞬态电流引导至电源的正轨或接地。浪涌保护器件可保护电源线免受电压过高的影响，避免损坏电源及任何下游组件。

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型号：NCP1380BDR2G 编号：C15428

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1380 是一款高性能器件，旨在为准谐振转换器供电。该控制器基于专属的谷锁闭系统，可以在功率负载变轻时进行切换并降低开关频率。这样将产生稳定的运行，即使在漏极-源极谷中总是触发的开关事件下也是如此。此系统可在低至第 4 个谷的条件下运行，并在之后切换到变频模式，确保卓越的待机功率性能。为了提高过载条件下的安全性，该控制器包括了过功率保护 (OPP) 电路，可对高电平线路处提供的电源进行箝制。具有安全功能的固定内部计时器依赖反馈电压来检测故障。一旦计时器到期，控制器则停止并保持选项 A 和 C 的锁存状态，或者进入选项 B 和 D 的自动恢复模式。该控制器尤其适用于适配器应用，有一个引脚来实施过电压/高温组合保护（版本 A 和 B）或欠电压/过电压组合保护（版本 C 和 D）。

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型号：NTF3055L108T1G 编号：C152278

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

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型号：NCV8450ASTT3G 编号：C100028

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

是一款全保护的高端智能分立器件，典型导通电阻为1.0Ω，典型内部电流限制为0.8A。该器件可以切换各种阻性、感性和容性负载。

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型号：FDS6681Z 编号：C236906

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

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型号：74LVX4245MTCX 编号：C61186

封装：TSSOP-24

品牌：onsemi(安森美)

是一款双电源、8位转换收发器，设计用于在3V/5V混合电源环境中的5V总线和3V总线之间进行接口。发送/接收（T/R）输入决定数据流方向。发送（高电平有效）使数据从A端口流向B端口；接收（低电平有效）使数据从B端口流向A端口。输出使能输入为高电平时，通过将A和B端口置于高阻抗状态来禁用它们。A端口与5V总线接口；B端口与3V总线接口。适用于混合电压应用，如使用3.3V CPU和5V LCD显示器的笔记本电脑。

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型号：FDMS86101 编号：C102622

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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型号：ISL9V3040D3ST 编号：C462128

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V3040P3 和 ISL9V3040S3 是下一代点火 IGBT，它们在节省空间的 D-Pak (TO-252)、工业标准 D

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型号：ISL9V3040D3ST-F085C 编号：C603080

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：SCIS能量：在TJ = 25℃时为300 mJ。逻辑电平栅极驱动。通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：汽车点火线圈驱动电路。大电流点火系统

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￥9.58
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型号：NCV7356D1R2G 编号：C235992

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV7356是一款单线数据链路物理层设备，支持多种载波侦听多路访问/冲突解决 (CSMA/CR) 协议。

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型号：FDA59N30 编号：C140696

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：RHRG75120 编号：C11773

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRG75120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

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￥9.72

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型号：THB6128-TLM-H 编号：C5337018

封装：MFP30KR

品牌：onsemi(安森美)

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￥27.66
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￥23.95
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￥18.92
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型号：2N7002ET1G 编号：C71533

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道 MOSFET，小信号，60V，310mA，2.5 Ω 沟槽，N 沟道， SOT23

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型号：BZX84C3V6LT1G 编号：C94413

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

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20+
￥0.2152
200+
￥0.1688
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￥0.143
3000+
￥0.1276
9000+
￥0.1142
21000+
￥0.107

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型号：MMBZ5240BLT1G 编号：C29115

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。

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20+
￥0.2166
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￥0.1675
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￥0.1402
3000+
￥0.1238
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￥0.1096
21000+
￥0.102

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型号：MMSZ4707T1G 编号：C36797

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

提供了三种齐纳二极管系列，采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了方便的替代方案。

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￥0.2267
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￥0.1787
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￥0.1547
3000+
￥0.1367
6000+
￥0.1223
9000+
￥0.115

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型号：MMSZ4703T1G 编号：C236087

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5板）。宽齐纳反向电压范围：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计便于自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级3级 (>16 kV)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件，符合RoHS标准

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