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电压:100V 电流:20A
型号：FSV20100V 编号：C895438
封装：TO-277-3
品牌：onsemi(安森美)
特性：超低正向压降。 低热阻。 超薄外形：典型高度为 1.1mm。 沟槽肖特基技术。 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料。 仅无 DAP 选项。 这些器件无铅、无卤且符合 RoHS 标准
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    输出电流为1.0 A的双电源运算放大器
    型号：TCA0372DWR2G 编号：C362060
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：onsemi(安森美)
    TCA0372 是一款单片电路，旨在用作功率运算放大器，广泛应用于伺服放大器和电源等各种应用。无死区交越失真，可为驱动线圈提供更佳性能。
    数据手册

    • 1+

      ￥7.74

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    300mJ、400V，N沟道点火IGBT
    型号：ISL9V3040D3ST-F085C 编号：C603080
    封装：DPAK(TO-252)
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：SCIS能量：在TJ = 25℃时为300 mJ。 逻辑电平栅极驱动。 通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：汽车点火线圈驱动电路。 大电流点火系统
    数据手册

    • 1+

      ￥8.15

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    电压:45V 电流:10A
    型号：FSV1045V 编号：C895433
    封装：TO-277-3
    品牌：onsemi(安森美)
    FSV1045V 肖特基整流器具有突破性尺寸和性能。 该器件针对移动充电器应用进行了优化。 在充电器设计中，高温条件下该器件仅灌入 18 mA 的反向电流，并在 1 A 工作电流下提供 0.18 V 的正向压降。
    数据手册

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      ￥9.18

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    耐压:1.2kV 电流:15A 反向恢复时间：75ns 停产
    型号：RHRP15120 编号：C11771
    封装：TO-220AC-2
    品牌：onsemi(安森美)
    RHRP15120 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。
    数据手册

    • 1+

      ￥12.4

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    400V 21A
    型号：ISL9V3040S3ST-F085C 编号：C603081
    封装：D2PAK
    品牌：onsemi(安森美)
    ISL9V3040D3ST-F085C 和 ISL9V3040S3ST-F085C 提供卓越的 SCIS 能力，采用节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D-Pak (TO-263) 塑料封装。此器件适用于汽车点火电路，尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位，而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息，请联系最近的安森美半导体销售办公室。之前开发类型为 49362。
    数据手册

    • 1+

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    600V 80A
    型号：FGH40N60SFDTU 编号：C49514
    封装：TO-247
    品牌：onsemi(安森美)
    安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、微波炉、电信、ESS 和 PFC 等导通和开关损耗至关重要的应用。
    数据手册

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      ￥18.81

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    独立式 耐压:7.5V 电流:1uA@5.0V
    型号：MM3Z7V5ST1G 编号：C891650
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功耗为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。适用于手机、手持便携式设备和高密度PC板等应用。
    数据手册

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      ￥0.1047

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    250V 200mA
    型号：NSVBAS21M3T5G 编号：C896450
    封装：SOT-723-3
    品牌：onsemi(安森美)
    该开关二极管是我们受欢迎的 SOT-23 三引线器件的副产品。该器件适用于高电压开关应用，采用 SOT-723 表面贴装封装。该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.150118 ￥0.1597

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      ￥0.095692 ￥0.1018
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    小信号二极管
    型号：FDLL4148-D87Z 编号：C896730
    封装：SOD-80
    品牌：onsemi(安森美)
    高电导快速二极管
    数据手册

    • 20+

      ￥0.177

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    PNP 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC857ALT1G 编号：C163726
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2162

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      ￥0.1715

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    独立式 耐压:3.3V 电流:25uA@1V
    型号：MMSZ5226BT1G 编号：C235771
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2204

    • 200+

      ￥0.1707

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      ￥0.1431

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      ￥0.1242

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      ￥0.1098

    • 21000+

      ￥0.1021
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    PNP 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC807-16LT3G 编号：C232631
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2319

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    • 20000+

      ￥0.1092
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    独立式 耐压:30V 电流:0.1uA@23V
    型号：MMSZ5256BT1G 编号：C235773
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2358

    • 200+

      ￥0.1869

    • 600+

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      ￥0.12

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      ￥0.1124
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    独立式 耐压:51V 电流:0.1uA@39V
    型号：MMSZ5262BT1G 编号：C40515
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.242

    • 200+

      ￥0.189

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      ￥0.1335

    • 9000+

      ￥0.1182

    • 21000+

      ￥0.11
  • 有货
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    独立式 耐压:4.7V 电流:3uA@2V
    型号：MM3Z4V7T1G 编号：C236205
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.243

    • 200+

      ￥0.1917

    • 600+

      ￥0.1632

    • 3000+

      ￥0.1293

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      ￥0.1145

    • 21000+

      ￥0.1065
  • 有货
    • 立即购买
    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54SWT1G 编号：C78260
    封装：SOT-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2464

    • 200+

      ￥0.1924

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      ￥0.1624

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    • 9000+

      ￥0.1155

    • 21000+

      ￥0.107
  • 有货
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    独立式 耐压:3.3V 电流:5uA@1V
    型号：MMSZ3V3T1G 编号：C94381
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。 齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。 封装设计适合优化自动电路板组装。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。 带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2471

    • 100+

      ￥0.1947

    • 300+

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    • 3000+

      ￥0.1431

    • 6000+

      ￥0.1274

    • 9000+

      ￥0.1195
  • 有货
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    独立式 耐压:10V 电流:1uA@7.6V
    型号：MMSZ4697T1G 编号：C48870
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    提供了三种齐纳二极管系列，采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了方便的替代方案。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2521

    • 100+

      ￥0.2025

    • 300+

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    • 3000+

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      ￥0.1359

    • 9000+

      ￥0.1284
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:12V 电流:0.1uA@8V
    型号：MMSZ12T1G 编号：C72599
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了方便的替代方案。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.261

    • 100+

      ￥0.2105

    • 300+

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      ￥0.1336
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    双NPN偏置电阻晶体管
    型号：MUN5214DW1T1G 编号：C94403
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2727

    • 100+

      ￥0.2181

    • 300+

      ￥0.1908

    • 3000+

      ￥0.1703

    • 6000+

      ￥0.1539

    • 9000+

      ￥0.1457
  • 有货
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    50V 100mA
    型号：MUN2211T1G 编号：C232615
    封装：SC-59
    品牌：onsemi(安森美)
    此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2928

    • 100+

      ￥0.2381

    • 300+

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    • 3000+

      ￥0.1737

    • 6000+

      ￥0.1573
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    NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC846BM3T5G 编号：C232536
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    此 NPN 晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-723 封装，适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3176

    • 100+

      ￥0.2531

    • 300+

      ￥0.2209

    • 1000+

      ￥0.1968

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      ￥0.1775

    • 8000+

      ￥0.1678
  • 有货
    • 立即购买
    50V 100mA
    型号：SMMUN2211LT3G 编号：C896914
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
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    独立式 耐压:6.8V 电流:2uA@4V
    型号：MMSZ6V8T1G 编号：C132794
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。 齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。 封装设计适合优化自动电路板组装。 小封装尺寸，适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。 带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
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    双NPN偏置电阻晶体管
    型号：MUN5211DW1T1G 编号：C152507
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中，减少了系统成本和电路板空间。
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    50V 100mA
    型号：SMMUN2233LT1G 编号：C894369
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。
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    独立式 耐压:75V 电流:0.045uA@52.5V
    型号：MM3Z75VC 编号：C891646
    封装：SOD-323F
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：宽齐纳电压范围选择，2.4V至75V。VZ公差选择为 ±5%（C系列）。非常小且薄的贴片封装。哑光镀锡（Sn）表面处理，无铅
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    单路施密特触发反相器
    型号：NL17SZ14DFT2G 编号：C113256
    封装：SOT-353
    品牌：onsemi(安森美)
    NL17SZ14是一款带施密特触发器的单反相器，有三种小尺寸封装形式。该器件在速度和驱动能力方面的表现与LCX多门产品相当。
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    TinyLogic UHS 双输入与门
    型号：NC7SZ08M5X 编号：C32411
    封装：SOT-23-5
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7SZ08 是一款两输入 AND 单门极，属于安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 VCC 运行电压任何。
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