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封装：SOT-23

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要采用非常小形的表面贴装封装，实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.517
50+
￥1.2001
150+
￥1.0643
500+
￥0.8948
3000+
￥0.7496
6000+
￥0.7044

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型号：LM311DR2G 编号：C231850

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

该器件能够在5.0 V至30 V的单电源或±15 V的双电源（运算放大器常用电源）下工作，这使得LM211/LM311成为一款真正通用的比较器。此外，该器件的输入可以与系统地隔离，而输出可以驱动以地、VCC或VEE电源为参考的负载。这种灵活性使得它能够驱动DTL、RTL、TTL或MOS逻辑电路。输出还能在50 mA电流下切换高达50 V的电压，因此，LM211/LM311可用于驱动继电器、指示灯或螺线管。

数据手册

5+
￥1.7499
50+
￥1.451
150+
￥1.3229
500+
￥1.1173
2500+
￥1.0461
5000+
￥1.0034

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型号：MC14040BDR2G 编号：C62403

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14040B 12 级二进制计数器采用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件，集成于单一单片结构中。该部件设计有输入波形整形电路和 12 级行波进位二进制计数器。器件在时钟脉冲的下降沿进行计数

数据手册

5+
￥1.7933
50+
￥1.4018
150+
￥1.2341
500+
￥1.0247
2500+
￥0.9315
5000+
￥0.8756

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型号：MC14094BDR2G 编号：C161627

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14094B 将一个 8 级移位寄存器与每一级的数据锁存器以及每个锁存器的三态输出相结合。数据在时钟信号的上升沿进行移位，并从第七级移位至两个串行输出端。Qs 输出数据用于高速级联系统

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5+
￥1.9066
50+
￥1.5015
150+
￥1.3279
500+
￥1.0468
2500+
￥0.9503
5000+
￥0.8925

有货

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型号：BCP56-16T1G 编号：C16602

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些NPN型硅外延晶体管专为音频放大器应用而设计。该器件采用SOT - 223封装，此封装专为中功率表面贴装应用而设计。

数据手册

5+
￥1.9096
50+
￥1.5233
150+
￥1.3578
1000+
￥1.067
2000+
￥0.975
5000+
￥0.9198

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型号：MUR460RLG 编号：C16377

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

5+
￥1.9138
50+
￥1.4854
150+
￥1.3018
1500+
￥1.0728
3000+
￥0.9708
4500+
￥0.9096

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型号：MC7815BDTRKG 编号：C38381

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作固定电压调节器，适用于包括本地板载调节在内的各种应用。这些调节器采用了内部电流限制、热关断和安全区补偿功能。在有足够散热措施的情况下，它们能够提供超过1A的输出电流

数据手册

5+
￥1.9294
50+
￥1.4975
150+
￥1.3124
500+
￥1.0815
2500+
￥0.9786
5000+
￥0.9169

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型号：MC33072ADR2G 编号：C26356

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33071/72/74、MC34071/72/74、NCV33072/74A 系列单片运算放大器采用了优质双极制造工艺和创新设计理念。该系列运算放大器在不使用 JFET 器件技术的情况下，可提供 4.5 MHz 的增益带宽积、13 V/μs 的压摆率和快速建立时间。

数据手册

5+
￥2.0664
50+
￥1.6085
150+
￥1.4123
500+
￥1.1375
2500+
￥1.0285
5000+
￥0.9631

有货

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型号：74VHC08MX 编号：C6142

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

VHC08 是一款采用硅栅 CMOS 技术制造的先进高速 CMOS 二输入与门。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 相似的高速运行，同时保持 CMOS 的低功耗特性

数据手册

1+
￥2.09
10+
￥1.656 ￥1.84
30+
￥1.384 ￥1.73
100+
￥1.28 ￥1.6
500+
￥1.232 ￥1.54
1000+
￥1.208 ￥1.51

有货

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型号：MC79M12CDTRKG 编号：C67852

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器，有 -5.0V、-8.0V、-12V 和 -15V 固定输出电压选项。采用限流、热关断和安全区补偿，在大多数工作条件下非常耐用。有足够散热时可提供超过 0.5A 的输出电流。

数据手册

5+
￥2.2188
50+
￥1.7348
150+
￥1.5274
500+
￥1.2157
2500+
￥1.1005
5000+
￥1.0313

有货

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型号：MC33275ST-3.3T3G 编号：C153747

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR

数据手册

5+
￥2.2447
50+
￥1.7532
150+
￥1.5425
500+
￥1.2797
2500+
￥1.1626
4000+
￥1.0924

有货

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型号：NCV1117DT33T5G 编号：C20625

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR

数据手册

5+
￥2.4144
50+
￥1.9187
150+
￥1.7063
500+
￥1.3114
2500+
￥1.1933
5000+
￥1.1225

有货

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型号：1N5338BRLG 编号：C5307

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥2.4507
50+
￥1.9672
150+
￥1.76
500+
￥1.3518
2500+
￥1.2367
4000+
￥1.1677

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型号：UC3842BD1R2G 编号：C7114

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B系列是高性能固定频率电流模式控制器。它们专为离线和DC - DC转换器应用而设计，为设计人员提供了一种使用最少外部元件的经济高效解决方案。这些集成电路具有经过微调的振荡器，可实现精确的占空比控制、温度补偿基准、高增益误差放大器、电流检测比较器，以及非常适合驱动功率MOSFET的大电流图腾柱输出。还包括保护功能，如带迟滞的输入和基准欠压锁定、逐周期电流限制、可编程输出死区时间，以及用于单脉冲计量的锁存器。这些器件有8引脚双列直插式和表面贴装（SOIC - 8）塑料封装，以及14引脚塑料表面贴装（SOIC - 14）封装。SOIC - 14封装为图腾柱输出级提供了独立的电源和接地引脚。UCX842B的欠压锁定（UVLO）阈值为16 V（开启）和10 V（关闭），非常适合离线转换器。UCX843B针对低电压应用进行了优化，其UVLO阈值为8.5 V（开启）和7.6 V（关闭）。

数据手册

5+
￥2.4809
50+
￥2.0369
150+
￥1.8466
500+
￥1.4584
2500+
￥1.3526

有货

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型号：UC3844BD1R2G 编号：C7117

封装：SOIC-8-150mil

品牌：onsemi(安森美)

UC3844B、UC3845B系列是高性能固定频率电流模式控制器。它们专为离线和直流 - 直流转换器应用而设计，为设计人员提供了一种使用最少外部元件的经济高效解决方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿基准源、高增益误差放大器、电流检测比较器和一个非常适合驱动功率MOSFET的大电流图腾柱输出。还包括保护功能，其中包括带迟滞的输入和基准欠压锁定、逐周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存器，以及一个触发器，该触发器每隔一个振荡周期将输出关断，允许将输出死区时间从50%编程到70%。这些器件有8引脚双列直插式和表面贴装（SOIC - 8）塑料封装，以及14引脚塑料表面贴装（SOIC - 14）封装。SOIC - 14封装为图腾柱输出级设有单独的电源和接地引脚。UCX844B的欠压锁定（UVLO）阈值为16V（开启）和10V（关断），非常适合离线转换器。UCX845B针对低电压应用进行了优化，其UVLO阈值为8.5V（开启）和7.6V（关断）。

数据手册

5+
￥2.5107
50+
￥2.0035
150+
￥1.7861
500+
￥1.2602
2500+
￥1.1394
5000+
￥1.0669

有货

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型号：1N5339BRLG 编号：C5306

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

1+
￥2.52
10+
￥1.99
30+
￥1.76
100+
￥1.47
500+
￥1.35
1000+
￥1.27

有货

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型号：MC79M12BDTRKG 编号：C126400

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器，有 -5.0V、-8.0V、-12V 和 -15V 固定输出电压选项。采用限流、热关断和安全区补偿，在大多数工作条件下非常耐用。有足够散热时可提供超过 0.5A 的输出电流。

数据手册

5+
￥2.5453
50+
￥2.0075
150+
￥1.7771
500+
￥1.3359
2500+
￥1.2079
5000+
￥1.1311

有货

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型号：NSR20F30NXT5G 编号：C145508

封装：DSN-2(0.8x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于低正向压降和低漏电流，采用芯片级 (CSP) 封装以减少板空间。低热电阻让设计人员能够完成实现更高能效的难题，满足减少空间要求。

数据手册

5+
￥2.5939
50+
￥2.0813
150+
￥1.8616
500+
￥1.5875
2500+
￥1.2575

有货

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型号：MC74ACT244DTR2G 编号：C233595

封装：ETSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

设计用作内存地址驱动器、时钟驱动器和面向总线的收发器，可提高印刷电路板密度。

数据手册

1+
￥2.69
10+
￥2.14
30+
￥1.9
100+
￥1.61
500+
￥1.47
1000+
￥1.39

有货

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型号：NTD2955T4G 编号：C10663

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。适用于电源、转换器和功率电机控制中的低压高速开关应用。此类器件尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。

数据手册

1+
￥2.86
10+
￥2.57
30+
￥2.42
100+
￥1.83
500+
￥1.75
1000+
￥1.7

有货

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型号：MOC3023SR2M 编号：C40701

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V

数据手册

1+
￥3.33
10+
￥2.68
30+
￥2.41
100+
￥2.06
500+
￥1.45
1000+
￥1.36

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型号：NCP361SNT1G 编号：C233714

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

当在NCP361的输入端检测到VBUS工作条件异常时，它会断开其输出端的系统连接。该系统具备正向过压保护功能，可承受高达 +20 V 的电压。由于集成了 PMOS FET，无需外部器件，从而降低了系统成本和应用板的 PCB 面积

数据手册

1+
￥3.52
10+
￥2.84
30+
￥2.5
100+
￥2.16
500+
￥1.88
1000+
￥1.77

有货

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型号：MOC3081M 编号：C9215

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

数据手册

1+
￥3.69
10+
￥2.99
50+
￥2.45
100+
￥2.1
500+
￥1.89
1000+
￥1.79

有货

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型号：NCP1271D65R2G 编号：C110551

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1271代表了新一代固定频率PWM电流模式反激式控制器。该器件具备集成高压启动功能和出色的待机性能。专有的软跳周期模式可实现极低的待机功耗，同时将电源的声学噪声降至最低。

数据手册

1+
￥3.7
10+
￥2.91
30+
￥2.58
100+
￥2.16
500+
￥1.75
1000+
￥1.64

有货

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型号：74ACT244MTCX 编号：C5496

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

AC/ACT244是一款八进制缓冲器和线路驱动器，设计用于作为内存地址驱动器、时钟驱动器以及面向总线的发送器/接收器，可提高印刷电路板的布线密度。

数据手册

1+
￥4.02
10+
￥3.28
30+
￥2.92
100+
￥2.56
500+
￥2.32
1000+
￥2.21

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型号：NCP5106BDR2G 编号：C67861

封装：SOIC-8-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP5106 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

数据手册

1+
￥4.54
10+
￥3.53
30+
￥3.02
100+
￥2.51
500+
￥2.21
1000+
￥2.05

有货

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型号：NCV8405ASTT1G 编号：C223559

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8405 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件适用于严苛的汽车环境。

数据手册

1+
￥4.79
10+
￥3.91
30+
￥3.46
100+
￥3.02
500+
￥2.61
1000+
￥2.47

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型号：MC33161DR2G 编号：C233686

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34161/MC33161是通用电压监测器，适用于各种电压感应应用。这些器件为电路设计人员提供了一种经济的正负电压检测解决方案。该电路由两个带迟滞的比较器通道、一个用于通道编程的独特模式选择输入、一个引出的2.54 V参考电压和两个能够吸收超过10 mA电流的开集电极输出组成。每个比较器通道可通过模式选择输入配置为反相或同相。这允许对正负电压进行过压、欠压和窗口检测。这些器件要完全正常工作所需的最小电源电压，对于正电压感应为2.0 V，对于负电压感应为4.0 V。

数据手册

1+
￥5.2
10+
￥4.22
30+
￥3.73
100+
￥3.25
500+
￥2.96
1000+
￥2.81

有货

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型号：NCP4305DDR2G 编号：C2892150

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP4305 是一款高性能驱动器，专门为控制开关模式电源中的同步整流 MOSFET 而设计。由于其高性能驱动器和多功能性，可用于多种拓扑结构，如 DCM 或 CCM 反激、准谐振反激、正向和半桥谐振 LLC。外部可调最短开关时间间隔时段的组合有助于抵御 PCB 布局和其他寄生元件产生的振铃。SR 系统的可靠低噪音运行由于自同步功能而得以保证。NCP4305 还利用 MOSFET 的驱动器开尔文连接，实现了满负载下的高能效运行，利用轻负载检测结构实现了轻负载下的高能效。该驱动器精确的关断阈值、极低的关断延迟时间和高接受电流功能可实现最长的同步整流 MOSFET 导通时间以及最高的 SMPS 能效。这种高准确性驱动器和 5V 门极箝位实现了 GaN MOSFET 的使用。

数据手册

1+
￥5.38
10+
￥4.39
30+
￥3.9
100+
￥3.41
500+
￥3.12
1000+
￥2.97

有货

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型号：CAT24M01WI-GT3 编号：C62273

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24M01 是一款 EEPROM 串行 1-Mb I2C，内部组织为 131,072 个词，每个词 8 位。它具有 256 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多四个 CAT24M01 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

数据手册

1+
￥7.09
10+
￥5.7
30+
￥5
100+
￥4.31
500+
￥3.66
1000+
￥3.45

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