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NC7SZ175P6X

型号：NC7SZ175P6X 编号：C128372

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

是一款单正沿触发的 D 型 CMOS 触发器，具有异步清除功能，采用节省空间的 SC70 6 引脚封装。该器件采用先进的 CMOS 技术，在非常宽的 VCC 工作范围内实现超高速和高输出驱动，同时保持低静态功耗。该器件规定在 1.65V 至 5.5V 的 VCC 范围内工作。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入可承受高达 7V 的电压，与 VCC 工作电压无关。这个单触发器将在时钟（CP）从低到高转换时，存储满足建立和保持时间要求的 D 输入状态。低电平的清除输入将 Q 输出设置为低电平。清除输入与时钟无关。

数据手册

10+
￥0.3852
100+
￥0.3022
300+
￥0.2607
3000+
￥0.2295
6000+
￥0.2046
9000+
￥0.1922

有货

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独立式耐压:2.4V 电流:100uA@1V

型号：MMSZ5221BT1G 编号：C94406

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.3866
100+
￥0.3103
300+
￥0.2721
3000+
￥0.2435
6000+
￥0.2206
9000+
￥0.2091

有货

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3.3V 300mA 5.5V

型号：NCP114BSN330T1G 编号：C327507

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP114是一款300 mA的低压差稳压器（LDO），可为工程师提供极其稳定、精确且低噪声的电压，适用于空间受限、对噪声敏感的应用场景。为优化电池供电的便携式应用的性能，NCP114采用动态静态电流调整技术，在空载时可实现极低的静态电流（IQ）消耗。

数据手册

10+
￥0.4715
100+
￥0.3797
300+
￥0.3339
3000+
￥0.2726
6000+
￥0.2451
9000+
￥0.2313

有货

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NL17SZ08: Single 2-Input AND Gate

型号：NL17SZ08DFT2G-F22038 编号：C5207835

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NL17SZ08 是一款采用超小尺寸封装的单路 2 输入与门。

数据手册

5+
￥0.533
50+
￥0.4237
150+
￥0.369
500+
￥0.328
3000+
￥0.2655
6000+
￥0.2491

有货

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400V 1A

型号：MRA4004T3G 编号：C40324

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。

数据手册

5+
￥0.5717
50+
￥0.4456
150+
￥0.3826
500+
￥0.3353
2500+
￥0.2975
5000+
￥0.2785

有货

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耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：35ns

型号：MUR120RLG 编号：C27680

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

单价：
￥0.2964 / 个

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独立式耐压:5.1V 电流:2uA@2.0V

型号：MM5Z5V1ST1G 编号：C94383

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-523表面贴装封装，旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

5+
￥0.6842
50+
￥0.5723
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￥0.5163
500+
￥0.4743
3000+
￥0.4202
6000+
￥0.4034

有货

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NPN 电流:1A 电压:40V

型号：PN2222ABU 编号：C896866

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：可作为中功率放大器和开关使用，集电极电流可达500mA

数据手册

5+
￥0.6862
50+
￥0.5493
150+
￥0.4809
500+
￥0.4296
2500+
￥0.3655
5000+
￥0.345

有货

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300V 1A

型号：MRA4003T3G 编号：C94410

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。

数据手册

5+
￥0.6904
50+
￥0.5461
150+
￥0.4739
500+
￥0.4198
2500+
￥0.3585
5000+
￥0.3368

有货

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ESD 5.5V截止峰值浪涌电流：3.6A@8/20us

型号：ESD8011MUT5G 编号：C462721

封装：X3-DFN-2(0.3x0.6)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8011静电放电（ESD）保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。

数据手册

5+
￥0.7138
50+
￥0.5626
150+
￥0.487
500+
￥0.4303
2500+
￥0.3849
5000+
￥0.3528

有货

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PNP 电流:50mA 电压:20V

型号：MMBTH81 编号：C190349

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此器件适用于收集器电流为 1.0 mA 至 30 mA 范围的，最高 250 mHz 的通用射频放大器和混频器应用。源自 Process 75。

数据手册

5+
￥0.7243
50+
￥0.5876
150+
￥0.5192
500+
￥0.468
3000+
￥0.4051
6000+
￥0.3846

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:1.13A

型号：NTR4502PT1G 编号：C12325

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-30V,-1.95A,200mΩ@-10V

数据手册

5+
￥0.7348
50+
￥0.5838
150+
￥0.5083
500+
￥0.4517
3000+
￥0.3562
6000+
￥0.3335

有货

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独立式耐压:16V 电流:0.5uA@12.2V

型号：1SMA5930BT3G 编号：C128848

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.7366
50+
￥0.598
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￥0.5288
500+
￥0.4768
2500+
￥0.4353
5000+
￥0.4145

有货

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电压:60V 电流:1A

型号：SS16T3G 编号：C113257

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.7897
50+
￥0.6217
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￥0.5377
500+
￥0.4747
2500+
￥0.4243
5000+
￥0.399

有货

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电压:40V 电流:1A

型号：MBRA140T3G 编号：C54798

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.8111
50+
￥0.6395
150+
￥0.5537
500+
￥0.4669
2500+
￥0.4155
5000+
￥0.3897

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:2.9A

型号：NVGS5120PT1G 编号：C604548

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。-60V -2.9A，111 Ω，单 P 沟道，TSOP-6，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥0.8784 ￥4.88
10+
￥0.7884 ￥4.38
30+
￥0.738 ￥4.1
100+
￥0.6804 ￥3.78
500+
￥0.6552 ￥3.64
1000+
￥0.6444 ￥3.58

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:3.1A

型号：NTR4170NT1G 编号：C236116

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 30 V N 沟道功率 MOSFET。

数据手册

5+
￥0.8952
50+
￥0.7128
150+
￥0.6216
500+
￥0.5533
3000+
￥0.4985
6000+
￥0.4712

有货

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MMBFJ309LT1G

型号：MMBFJ309LT1G 编号：C58012

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 JFET 器件适用于高频率放大器和振荡器。

数据手册

5+
￥0.897
50+
￥0.7119
150+
￥0.6194
500+
￥0.55
3000+
￥0.4944
6000+
￥0.4667

有货

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独立式耐压:12V 电流:1uA

型号：1SMB5927BT3G 编号：C53171

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.958
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￥0.753
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￥0.6652
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￥0.5555
2500+
￥0.4849
5000+
￥0.4556

有货

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独立式耐压:15V 电流:0.5uA@11.4V

型号：1SMA5929BT3G 编号：C32357

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.9627
50+
￥0.7705
150+
￥0.6744
500+
￥0.6023
2500+
￥0.4573
5000+
￥0.4285

有货

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耐压:1kV 电流:1A 反向恢复时间：75ns

型号：UF4007 编号：C232764

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

特性：低正向压降。高浪涌电流能力。高可靠性。高电流能力。玻璃钝化结

数据手册

5+
￥0.9878
50+
￥0.7862
150+
￥0.6998
500+
￥0.592
2500+
￥0.5049

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:5uA@2V

型号：1SMB5918BT3G 编号：C142361

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.029
50+
￥0.8199
150+
￥0.7154
500+
￥0.5602
2500+
￥0.4975
5000+
￥0.4661

有货

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独立式耐压:12V 电流:0.5uA

型号：1SMA5927BT3G 编号：C33754

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.0888
50+
￥0.8882
150+
￥0.7879
500+
￥0.7126
2500+
￥0.4816
5000+
￥0.4515

有货

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电压:40V 电流:2A

型号：MBRS240LT3G 编号：C8165

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

在金属 - 硅功率整流器中采用肖特基势垒原理。具备采用氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低压、高频开关电源；续流二极管和极性保护二极管

数据手册

5+
￥1.1959
50+
￥0.927
150+
￥0.8118
500+
￥0.668
2500+
￥0.604
5000+
￥0.5656

有货

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独立式耐压:33V 电流:0.5uA@25.1V

型号：1SMA5937BT3G 编号：C235776

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.2047
50+
￥0.9661
150+
￥0.8638
500+
￥0.7362
2500+
￥0.6071
5000+
￥0.573

有货

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NPN 电流:300mA 电压:400V

型号：KSP44BU 编号：C232817

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：高压晶体管-集电极-发射极电压：VCEO = KSP44: 400 V；KSP45: 350 V

数据手册

5+
￥1.229426 ￥1.3079
50+
￥0.964816 ￥1.0264
150+
￥0.851358 ￥0.9057
1000+
￥0.657436 ￥0.6994
2000+
￥0.594362 ￥0.6323
5000+
￥0.556574 ￥0.5921

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:2.7A

型号：FDN359AN 编号：C236898

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

数据手册

5+
￥1.4635
50+
￥1.1611
150+
￥1.0315
500+
￥0.7737
3000+
￥0.7017
6000+
￥0.6585

有货

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电压:80V 电流:1A

型号：SS18 编号：C719830

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构具有较高的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。

数据手册

5+
￥1.4893
50+
￥1.1715
150+
￥1.0353
500+
￥0.8653
2500+
￥0.7896
7500+
￥0.7442

有货

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三态输出，同相缓冲器

型号：M74VHC1GT126DF2G 编号：C233496

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC1GT126 是一款单门极非反向 3 态缓冲器，使用硅门极 CMOS 技术制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还能保持 CMOS 低功耗。MC74VHC1GT126 需要 3 态控制输入 (OE(bar)) 设置为低电平才能将输出置于高阻抗状态。该器件输入可兼容 TTL 型输入阈值，输出则具有全 CMOS 电平输出摆幅。此器件上的输入保护电路允许输入上的耐过电压，使得此器件能够用作从 3.0V CMOS 逻辑到 5.0V CMOS 逻辑，或 1.8V CMOS 逻辑到 3.0V CMOS 逻辑的逻辑电平转换器，且能在高电压电源下运行。MC74VHC1GT126 输入结构在应用高达 5.5V 的电压时提供保护，而无论电源电压如何。因此使得 MC74VHC1GT126 可用作 5V 到 3V 电路的接口。输出结构还会在 VCC = 0V 时提供保护。这些输入和输出结构有助于防止电源电压 - 输入/输出电压不匹配、电池备用、热插入等导致的器件损坏。

数据手册

5+
￥1.5056
50+
￥1.3166
150+
￥1.2356
500+
￥1.026
3000+
￥0.981
6000+
￥0.954

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:750mA

型号：MGSF1N02LT1G 编号：C236202

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。

数据手册

5+
￥1.5165
50+
￥1.2023
150+
￥1.0677
500+
￥0.8997
3000+
￥0.7251
6000+
￥0.6802

有货

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