ON传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MURS320T3G 编号：C54101

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，在此类应用中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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型号：MC74ACT14DR2G 编号：C7316

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

包含六个逻辑反相器，可接受标准CMOS输入信号（对于MC74AC14为TTL电平），并提供标准CMOS输出电平。它们能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰、无抖动的输出信号。此外，它们比传统反相器具有更大的噪声容限。在正向和负向输入阈值之间具有迟滞（典型值为1.0V），该迟滞由晶体管比率在内部确定，并且基本上不受温度和电源电压变化的影响。

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型号：UC3843BVD1R2G 编号：C231572

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，包括输入和参考欠压锁定且全部带有迟滞、按周期电流限制、可编程输出停滞时间和用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX843B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

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型号：ULN2003ADR2G 编号：C96639

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 ULx2003A 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。

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型号：NCP1654BD200R2G 编号：C603659

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1654 是一款用于连续导通模式 (CCM) 功率因数校正 (PFC) 步升预转换器的控制器。它在固定频率模式下控制电源开关导通时间 (PWM)，取决于瞬时线圈电流。该电路采用 SO-8 封装，最大程度减少了外部部件数量，并极大简化了 PFC 实施。它还集成了高安全性功能，使得 NCP1654 成为一款适用于有效输入功率失控箝位电路。

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型号：MOC3020M 编号：C86911

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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型号：NCS2200SQ2T2G 编号：C603838

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

NCS2200系列是低于1V的低功耗比较器产品系列。这些器件的电源电流仅为10μA。它们保证能在低至0.85V的电压下工作，这使其可用于需要低于1.0V电压的系统；并且在高达6.0V的电压下仍能完全正常工作，这使得它们便于在3.0V和5.0V系统中使用。其他特性包括：输入过驱动时无输出相位反转、内置迟滞功能（可实现干净的输出切换）以及轨到轨输入和输出性能。NCS2200系列提供互补推挽和开漏输出，并有多种封装可供选择。SOT - 23 - 5和SC70 - 5封装有两种行业标准引脚排列。NCS2200还提供微型DFN 2x2.2封装。NCS2200A和NCS2202A提供UDFN 1.2x1.0封装。

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型号：CAT25512VI-GT3 编号：C146783

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25512是一款512 Kb的串行CMOS EEPROM器件，内部组织为64Kx8位。它具有128字节的页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（CS(overline)）输入使能

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型号：NUP4202W1T2G 编号：C89319

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

NUP4202W1浪涌保护器件旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击的影响。全新的NUP4202W1是一款低电容浪涌保护二极管阵列，用于保护通信系统、计算机及计算机外设等敏感电子设备，使其免受静电放电事件或瞬态过压情况造成的损坏。由于其电容较低，可用于高速输入/输出（I/O）数据线。NUP4202W1采用集成设计，在单个封装（SC - 88）中集成了具有浪涌额定值的低电容导向二极管和浪涌保护二极管。若出现瞬态情况，导向二极管会将瞬态电流引导至电源的正轨或接地。浪涌保护器件可保护电源线免受电压过高的影响，避免损坏电源及任何下游组件。

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型号：NTD3055-094T4G 编号：C179612

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

设计用于电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的低电压、高速开关应用。

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型号：QRE1113GR 编号：C232862

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

QRE1113 由在塑料矩形盒体中与兼容硅光电晶体管并排封装的 940nm 发射极组成。采用表面贴装和通孔选项。

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型号：FQD11P06TM 编号：C719783

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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型号：RHRP860 编号：C11751

封装：ITO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP840 和 RHRP860 是具有软恢复特性的超高速二极管

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￥4.9444 ￥5.26
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￥3.384 ￥3.6

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型号：FSA2567UMX 编号：C357761

封装：UFQFN-16(1.8x2.6)

品牌：onsemi(安森美)

双路低电容、低导通电阻、宽Vcc工作范围(1.65V至4.3V)的模拟开关，适用于双SIM卡多路复用。

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型号：NCP45521IMNTWG-H 编号：C223558

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关通过软启动实现浪涌电流限制，为高效电源域切换提供了节省元件和空间的解决方案。除了具备超低导通电阻的集成控制功能外，这些器件还通过故障保护和电源正常信号提供系统保护和监控功能。这种经济高效的解决方案非常适合需要小尺寸、低功耗的电源管理和热插拔应用。

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型号：MC12080DR2G 编号：C903920

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC12080 是一款通过 10、20、40、80 预分频器进行分频的单模，用于 1.1GHz 高频输入信号的低功耗分频。分频比控制输入 SW1、SW2 和 SW3 选择所需的 10、20、40 或 80 分频比。需要外部负载电阻来端接输出。假设负载为 8.0 pF，如果以最低分频比 10 对 1.1 GHz 输入信号进行分频，则推荐 820 Ohm 电阻来实现 1.2 Vpp 输出摆幅。输出电流可以根据输出频率、驱动的电容负载和所需输出电压摆幅等条件进行最大程度降低。负载电阻的典型值针对 1.1 GHz 输入频率下的不同分频比包含在 Vout 规格内。

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