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NPN 电流:200mA 电压:40V
型号：MMBT3904TT1G 编号：C242260
封装：SOT-416
品牌：onsemi(安森美)
此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装，适用于低功率表面贴装应用。
数据手册

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    NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC846ALT1G 编号：C163723
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：湿度敏感度等级：1-ESD 等级。 人体模型：>4000V。 机器模型：>400V。 S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准
    数据手册

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    独立式 耐压:12V 电流:1uA@9.1V
    型号：MMSZ5242BT1G 编号：C82050
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

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    独立式 耐压:16.2V 电流:0.05uA
    型号：MM3Z16VT1G 编号：C150089
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用 SOD-323 表面贴装封装，功率耗散为 300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

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    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904WT1G 编号：C58011
    封装：SC-70(SOT-323)
    品牌：onsemi(安森美)
    此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

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      ￥0.1892

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    50V 100mA
    型号：MMUN2211LT3G 编号：C150229
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
    数据手册

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    独立式 耐压:15V 电流:0.1uA@11V
    型号：MMSZ5245BT1G 编号：C129730
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

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      ￥0.2457

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    NPN 电流:600mA 电压:30V
    型号：MMBT2222LT1G 编号：C43496
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

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    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847BDW1T1G 编号：C82368
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用 SOT−363/SC−88 封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。
    数据手册

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    独立式 耐压:6V 电流:5uA@3.5V
    型号：MMSZ5233BT1G 编号：C145506
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

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    耐压:12V 电流:0.1uA
    型号：MM3Z12VT1G 编号：C236177
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

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    NPN 电流:50mA 电压:30V
    型号：MMBT5088LT1G 编号：C232555
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 NPN 双极晶体管适用于高增益、低噪声通用放大器应用。 此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:0.18A
    型号：NDS0605 编号：C124476
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0605 可用于最高要求 0.18A DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的脉冲电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5308

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    NPN 30V 1.2A
    型号：BCV27 编号：C258198
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此器件适用于集极电流达 1.0 A、需要极高电流增益的应用。源自 Process 05。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.553

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    双路反相器
    型号：NC7WZ04P6X 编号：C457618
    封装：SC-70-6
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7WZ04 是安森美半导体（ON Semiconductor）TinyLogic 超高速（UHS）系列的双反相器。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在较宽的 VCC 工作电压范围内保持较低的静态功耗。该器件可在非常宽的 VCC 工作电压范围内工作
    数据手册

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      ￥0.6512

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      ￥0.14
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    独立式 耐压:6.8V 电流:5uA
    型号：1SMB5921BT3G 编号：C53356
    封装：SMB
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3（>16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册

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      ￥0.7606

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    2个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：2N7002DW 编号：C232839
    封装：SC-70-6(SOT-363)
    品牌：onsemi(安森美)
    2N7002DW 是一种双 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和低门极阈值电压。它还具有较高的开关速度，以及超小型表面贴装封装，因此适合很多不同的应用。
    数据手册

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    电压:30V 电流:2A
    型号：MBR230LSFT1G 编号：C126673
    封装：SOD-123FL
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装还是无引线 34 封装样式易于使用的替代产品。由于其尺寸小巧，适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMICA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸性能至关重要的其他应用。
    数据手册

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      ￥0.3463
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    单电源3.0 V至44 V低功耗运算放大器
    型号：MC33172DR2G 编号：C59632
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    双路 高压运放、低功耗运放；2.1 V/μs；带宽>=1.8MHz;偏置电流：20nA；失调电压：2mV 电流：220μA；电源：3V~44V，±1.5V-±22V；-40°C-85°C SOIC8
    数据手册

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      ￥0.8799

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    250V 200mA
    型号：NSVBAS21HT1G 编号：C232623
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    此高电压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。 此器件采用 SOD-323 表面贴装封装，适用于自动化插入。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9108

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    独立式 耐压:13V 电流:0.5uA@9.9V
    型号：1SMA5928BT3G 编号：C235763
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。 平整的操作表面，便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9345

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      ￥0.4548
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
    型号：NTR4171PT1G 编号：C146715
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    30 V，3.5 A，75 mΩ，单 P 沟道，功率 MOSFET，SOT-23
    数据手册

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      ￥0.4928
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    耐压:100V 电流:2A 反向恢复时间：30ns
    型号：MURA110T3G 编号：C23915
    封装：SMA
    品牌：onsemi(安森美)
    适用于高压、高频整流，或在尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中用作续流和保护二极管。
    数据手册

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      ￥0.9622

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      ￥0.7798

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      ￥0.5216

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      ￥0.4942
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    1.24V~16V 并联 150nA
    型号：TLV431BSN1T1G 编号：C91075
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    低压精确可调分路稳压器
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      ￥1.0525

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    电压:100V 电流:2A
    型号：MBR2H100SFT3G 编号：C96515
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。由于其尺寸小巧，因而适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式和电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多电源电压的“OR”运行，以及性能和尺寸在其中至关重要的任何其他应用。
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    5V 500mA 35V
    型号：MC78M05BDTRKG 编号：C94612
    封装：TO-252-2(DPAK)
    品牌：onsemi(安森美)
    高 PSRR
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    12V 500mA 27V
    型号：MC78M12BDTRKG 编号：C110905
    封装：DPAK-3
    品牌：onsemi(安森美)
    高 PSRR
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    单D型CMOS触发器，带预置和清除功能
    型号：NC7SZ74K8X 编号：C128370
    封装：US-8
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7SZ74 是一款单路 D 型 CMOS 触发器，具备预置和清零功能，属于 TinyLogic 超高速系列产品。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在 1.65V 至 5.5V 这一极宽的 VCC 工作电压范围内保持低静态功耗。当 VCC 为 0V 时，输入和输出呈高阻抗状态
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    单电源四路比较器
    型号：LM2901DR2G 编号：C63822
    封装：SOIC-14
    品牌：onsemi(安森美)
    这些比较器设计用于消费、汽车和工业电子应用中的电平检测、低电平传感和存储器应用。
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    MC14051B 8通道模拟多路复用器/多路分路器
    型号：MC14051BDR2G 编号：C7284
    封装：SOIC-16
    品牌：onsemi(安森美)
    MC14051B 是一种8通道模拟多路复用器/多路分路器，具有低导通阻抗和极低的关断漏电流。
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