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型号：NTMFS5C628NLT1G 编号：C145537

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，60V，150A，2.4mΩ，单 N 沟道

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1+
￥3.57
10+
￥2.84
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￥2.48
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￥2.12
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￥1.9
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型号：MOCD207R2M 编号：C232863

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD207M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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1+
￥3.61
10+
￥2.85
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型号：CAT24C256HU4IGT3 编号：C233771

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb I2C，内部组织为 512 页，每页 64 字节。它具有 64 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C256 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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1+
￥4.13
10+
￥3.28
30+
￥2.86
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￥2.2
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￥2.07

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型号：FSA2567UMX 编号：C357761

封装：UFQFN-16(1.8x2.6)

品牌：onsemi(安森美)

双路低电容、低导通电阻、宽Vcc工作范围(1.65V至4.3V)的模拟开关，适用于双SIM卡多路复用。

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1+
￥4.52
10+
￥3.69
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￥3.28
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型号：FQD5N60CTM 编号：C467458

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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1+
￥4.58
10+
￥3.72
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￥3.29
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￥2.51
500+
￥2.26
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型号：FUSB302BMPX 编号：C132291

封装：WFQFN-14(2.5x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

支持双角色功能，自主DRP切换，能够连接为主机或设备，基于所连接的设备。支持USB Type-C 1.2标准，集成CC引脚功能，包括连接/断开检测、电流能力指示等。

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1+
￥4.9
10+
￥4.23
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￥3.76
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￥3.37
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￥2.71
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型号：NCP1399ACDR2G 编号：C377544

封装：SOIC-16-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCP1399 是一款用于半桥谐振转换器的高性能电流模式控制器。此控制器实施了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。内置的欠电压输入功能简化了该控制器在所有应用中的实施。在需要 PFC 前级的应用中，NCP1399 具有一个专门的输出来驱动 PFC 控制器。此功能结合专门的跳过模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP1399 提供了一套保护功能，可实现在任何应用中的安全运行。其中包括：过载保护、放置硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动停滞时间调节、过电压 (OVP) 和高温 (OTP) 保护。

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1+
￥6.38
10+
￥5.31
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￥4.77
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￥4.24
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￥2.85
1000+
￥2.69

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型号：FDMS86200 编号：C128799

封装：PDFN-8(4.9x5.8)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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1+
￥6.46
10+
￥5.3
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￥4.66
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￥3.93
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￥3.61
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型号：HCPL2630SDM 编号：C899520

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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