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型号：BAS20HT1G 编号：C152543

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。

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20+
￥0.237
200+
￥0.1896
600+
￥0.1632
3000+
￥0.1152
9000+
￥0.1015
21000+
￥0.0941

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型号：BZX84C5V1LT1G 编号：C47075

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

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20+
￥0.2407
200+
￥0.1909
600+
￥0.1633
3000+
￥0.1467
9000+
￥0.1323
21000+
￥0.1245

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型号：MMSZ5232BT1G 编号：C72743

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

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20+
￥0.2454
200+
￥0.1937
600+
￥0.1649
3000+
￥0.1418
9000+
￥0.1269
21000+
￥0.1188

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型号：MMSZ5V1T1G 编号：C132283

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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20+
￥0.2498
200+
￥0.2007
600+
￥0.1734
3000+
￥0.1487
9000+
￥0.1345
21000+
￥0.1269

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型号：BZX84C5V6LT1G 编号：C82471

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

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20+
￥0.3486
200+
￥0.269
600+
￥0.2248
3000+
￥0.1917
9000+
￥0.1687
21000+
￥0.1563

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型号：NCP115ASN330T2G 编号：C603505

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP115是一款300 mA的低压差线性稳压器（LDO），能为工程师提供非常稳定、精确且低噪声的电压，适用于空间受限、对噪声敏感的应用场景。为了优化电池供电便携式应用的性能，NCP115采用动态静态电流调整技术，在空载时实现极低的IO功耗。

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5+
￥0.5139
50+
￥0.4155
150+
￥0.3663
500+
￥0.3294
3000+
￥0.2999
6000+
￥0.2851

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型号：MC74HC1G14DFT2G 编号：C99676

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC1G14 是一款高速 CMOS 逆变器，带有采用硅门极 CMOS 技术制造的施密特触发器输入。该内部电路由多级组成，包括一个提供高抗扰性和稳定输出的缓冲器输出。MC74HC1G14 输出驱动电流是 MC74HC 系列的 1/2。

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5+
￥0.5261
50+
￥0.4116
150+
￥0.3544
500+
￥0.3115
3000+
￥0.2772
6000+
￥0.26

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型号：SM12T1G 编号：C92455

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

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5+
￥0.5609
50+
￥0.441
150+
￥0.381
500+
￥0.3361
3000+
￥0.3001
6000+
￥0.2821

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型号：NL17SZ08DFT2G-F22038 编号：C5207835

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NL17SZ08 是一款采用超小尺寸封装的单路 2 输入与门。

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5+
￥0.5756
50+
￥0.4662
150+
￥0.4115
500+
￥0.3705
3000+
￥0.3081
6000+
￥0.2917

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型号：MRA4004T3G 编号：C40324

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。

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5+
￥0.5767
50+
￥0.4495
150+
￥0.3859
500+
￥0.3382
2500+
￥0.3
5000+
￥0.281

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型号：NC7WZ04P6X 编号：C457618

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

NC7WZ04 是安森美半导体（ON Semiconductor）TinyLogic 超高速（UHS）系列的双反相器。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在较宽的 VCC 工作电压范围内保持较低的静态功耗。该器件可在非常宽的 VCC 工作电压范围内工作

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5+
￥0.6512
50+
￥0.4958
150+
￥0.418
500+
￥0.3598
3000+
￥0.1634
6000+
￥0.14

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型号：BSS138LT3G 编号：C83790

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：低阈值电压（VGS(th)：0.5V-1.5V），适用于低电压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动电话和无绳电话

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5+
￥0.7116
50+
￥0.5638
150+
￥0.4898
500+
￥0.4344
2500+
￥0.3606
5000+
￥0.3385

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型号：NSVBAS21HT1G 编号：C232623

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

此高电压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。此器件采用 SOD-323 表面贴装封装，适用于自动化插入。

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5+
￥0.7991
50+
￥0.6701
150+
￥0.6056
500+
￥0.5573
3000+
￥0.4715
6000+
￥0.4521

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型号：MMBFJ112 编号：C258195

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道开关此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。

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5+
￥0.9067
50+
￥0.7439
150+
￥0.6625
500+
￥0.6015
3000+
￥0.4645
6000+
￥0.44

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型号：1SMB5913BT3G 编号：C53169

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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5+
￥0.9829
50+
￥0.8054
150+
￥0.7166
500+
￥0.6501
2500+
￥0.5968

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型号：MBR140SFT1G 编号：C43381

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构具有铬势垒金属、带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。

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5+
￥1.1798
50+
￥0.9186
150+
￥0.8067
500+
￥0.6539
3000+
￥0.5917
6000+
￥0.5544

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型号：MC14093BDR2G 编号：C36616

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14093B施密特触发器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件，以单块结构制成。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合

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5+
￥1.2153
50+
￥0.9749
150+
￥0.8718
500+
￥0.7118
2500+
￥0.6546
5000+
￥0.6202

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型号：1SMA5919BT3G 编号：C20555

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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5+
￥1.2331
50+
￥0.9847
150+
￥0.8605
500+
￥0.7673
2500+
￥0.6152
5000+
￥0.5779

有货

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型号：MC78M05CDTRKG 编号：C20719

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

高 PSRR

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5+
￥1.2472
50+
￥0.9922
150+
￥0.8829
500+
￥0.7465
2500+
￥0.6858
5000+
￥0.6493

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型号：NTTFS4C25NTWG 编号：C893914

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低 RDS(on) 以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。功率负载开关

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5+
￥1.3086
50+
￥1.1405
150+
￥1.0685
500+
￥0.9128
2500+
￥0.8727
5000+
￥0.8487

有货

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型号：MBRS360T3G 编号：C24449

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。

数据手册

5+
￥1.3522
50+
￥1.0897
150+
￥0.9772
500+
￥0.7301
2500+
￥0.6676
5000+
￥0.6301

有货

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型号：NCP51460SN33T1G 编号：C233715

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

精确电压参考，20 mA，低 Iq，高 PSRR，低噪声

数据手册

5+
￥1.3953
50+
￥1.1142
150+
￥0.9937
500+
￥0.8434
3000+
￥0.7765
6000+
￥0.7363

有货

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型号：MBRS360BT3G 编号：C59027

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。

数据手册

5+
￥1.4134
50+
￥1.1161
150+
￥0.9886
500+
￥0.7741
2500+
￥0.7033
5000+
￥0.6608

有货

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型号：FDN304P 编号：C241803

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

数据手册

5+
￥1.4514
50+
￥1.144
150+
￥1.0122
500+
￥0.8478
3000+
￥0.6906
6000+
￥0.6466

有货

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型号：MURS320T3G 编号：C54101

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，在此类应用中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.6645
50+
￥1.2943
150+
￥1.1357
500+
￥0.9377
2500+
￥0.8496
5000+
￥0.7967

有货

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型号：MC14051BDR2G 编号：C7284

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14051B 是一种8通道模拟多路复用器/多路分路器，具有低导通阻抗和极低的关断漏电流。

数据手册

5+
￥1.8655
50+
￥1.4593
150+
￥1.2852
500+
￥1.0172
2500+
￥0.9205
5000+
￥0.8624

有货

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型号：US1MFA 编号：C894760

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化芯片结。低功耗、高效率。快速开关反向恢复时间：最大50-75 ns。高浪涌容量。UL可燃性94V-0分类。符合J-STD-020的MSL 1。适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用的NRV前缀；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准

数据手册

5+
￥2.004
50+
￥1.6225
150+
￥1.4591
500+
￥1.0764
3000+
￥0.9856
6000+
￥0.9311

有货

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型号：NCP1117STAT3G 编号：C20546

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

是低压正电压调节器，能够提供超过1.0A的输出电流，在800mA时最大压降为1.2V。该系列包含1.5V、1.8V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V和12V八种固定输出电压，无需最小负载即可保持稳压。还包括一个可调输出版本，可通过两个外部电阻将输出电压编程为1.25V至18.8V。片上微调可将参考/输出电压调节到±1.0%的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达20V的输入电压下工作。器件采用SOT-223和DPAK封装。

数据手册

5+
￥2.1355
50+
￥1.7346
150+
￥1.5628
500+
￥1.083
2500+
￥0.9876
4000+
￥0.9303

有货

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型号：NDT2955 编号：C194179

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 60V P 沟道 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的高压沟槽工艺生产的。此产品非常适用于电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.181
50+
￥1.6971
150+
￥1.4898
500+
￥1.231
2500+
￥1.1158
4000+
￥1.0467

有货

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型号：NCP1253BSN65T1G 编号：C190290

封装：TSOP-6-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP1253是一款高度集成的PWM控制器，能够在小巧的TSOP−6封装中提供坚固且高性能的离线电源。该控制器的电源范围高达28 V，采用峰值电流模式控制，拥有抖动频率为65 kHz或100 kHz的开关电路。当次级侧功率开始下降时，控制器会自动将开关频率降至最低26 kHz。随着功率进一步降低，该器件在限制峰值电流的同时进入跳周期模式。为避免CCM工作时出现次谐波振荡，可通过在电流检测信号中串联一个简单电阻来实现可调斜率补偿。除了基于自动恢复定时器的短路保护外，VCC引脚的过压保护可在光耦损坏或开环工作异常时保护整个电路。NCP1253采用标准的电流模式架构，关断事件由峰值电流设定点决定。该组件是低元件数量和高成本效益为关键参数应用的理想选择，尤其适用于低成本的AC−DC适配器、开放式电源等。借鉴NCP1200系列的成功经验，NCP1253集成了现代电源设计通常所需的所有必要组件，并进行了多项改进，如VCC过压保护或可调斜率补偿信号。• 带内部斜坡补偿的电流模式操作：NCP1253以固定的65 kHz或100 kHz频率实现峰值电流模式控制，提供内部斜坡补偿信号，可轻松与检测到的电流相加。因此，通过在电流检测信息中串联一个简单电阻，可补偿次谐波振荡。• 低启动电流：当控制器在启动期间消耗大量电流时，要实现低空载待机功率始终是一项难题。凭借其专利架构，NCP1253保证最大电流消耗低于15 μA，简化了低待机功率适配器的设计。• EMI抖动：内部低频调制信号会改变振荡器频率的调制节奏。这有助于在传导噪声分析中分散能量。为改善低功率水平下的EMI特性，在频率折返模式（轻载条件）下，抖动功能不会禁用。• 频率折返功能：连续的脉冲流与空载/轻载待机功率要求不兼容。为在这方面表现出色，控制器会监测反馈引脚，当反馈引脚电压达到1.5 Vm时，随着反馈电平继续降低，振荡器开始降低其开关频率。当反馈引脚电压达到1.05 V时，内部会锁定峰值电流设定点，频率继续降低。当反馈电平约为350 mV时，频率可降至26 kHz（典型值）。此时，如果功率继续下降，控制器进入……

数据手册

1+
￥2.96
10+
￥2.34
30+
￥2.08
100+
￥1.74
500+
￥1.47
1000+
￥1.38

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