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价格(含税)

库存

操作

独立式耐压:7.5V 电流:2.5uA

型号：1SMA5922BT3G 编号：C47074

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.9099
50+
￥0.7214
150+
￥0.6272
500+
￥0.5565
2500+
￥0.4623
5000+
￥0.434

有货

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1kV 1A

型号：S1MFL 编号：C604670

封装：SOD-123F

品牌：onsemi(安森美)

表面通用整流器

数据手册

5+
￥0.92
50+
￥0.7357
150+
￥0.6436
500+
￥0.5745
3000+
￥0.4844
6000+
￥0.4568

有货

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独立式耐压:5.6V 电流:2.5uA@3.0V

型号：1SMA5919BT3G 编号：C20555

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.9213
50+
￥0.7382
150+
￥0.6467
500+
￥0.5781
2500+
￥0.4659
5000+
￥0.4385

有货

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恒流调节器与LED驱动器，45V，25mA，460mW封装

型号：NSI45025AT1G 编号：C146752

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

线性恒流调节器（CCR）是一种简单、经济且耐用的设备，旨在为调节LED中的电流提供经济高效的解决方案（类似于恒流二极管，CCD）。CCR基于自偏置晶体管（SBT）技术，可在较宽的电压范围内调节电流。它设计有负温度系数，以保护LED在极端电压和电流下免受热失控影响。CCR可立即开启，仅需0.5V的Vak即可达到25%的调节率。它无需外部组件，可设计为高端或低端调节器。高阳极-阴极电压额定值可承受汽车、工业和商业 signage应用中常见的浪涌。CCR采用热性能良好的封装，并通过了UL94-V0认证。

数据手册

5+
￥0.9363
50+
￥0.7569
150+
￥0.6672
500+
￥0.6
3000+
￥0.5128
6000+
￥0.4858

有货

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耐压:200V 电流:2A 反向恢复时间：35ns

型号：MURS220T3G 编号：C56421

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.0173
50+
￥0.8029
150+
￥0.711
500+
￥0.5964
2500+
￥0.5454
5000+
￥0.5147

有货

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电压:60V 电流:2A

型号：SS26T3G 编号：C47071

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低压高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。

数据手册

5+
￥1.0573
50+
￥0.834
150+
￥0.6786
500+
￥0.5592
2500+
￥0.5061
5000+
￥0.4741

有货

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耐压:100V 电流:1A 反向恢复时间：15ns

型号：ES1B 编号：C232818

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化结。低外形封装。易于拾取和放置。内置应力消除。超快恢复时间，效率高。应用：本产品为通用产品，适用于多种不同应用

数据手册

5+
￥1.082
50+
￥0.8602
150+
￥0.7652
500+
￥0.6466
2500+
￥0.5244
7500+
￥0.4928

有货

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电压:100V 电流:1A

型号：MBRS1100T3G 编号：C82068

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.131
50+
￥0.9105
150+
￥0.816
500+
￥0.6528
2500+
￥0.6003
5000+
￥0.5688

有货

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型号：TLV431ASN1T1G 编号：C127592

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低压精确可调分路稳压器

数据手册

5+
￥1.2529
50+
￥1.0432
150+
￥0.9533
500+
￥0.8412
3000+
￥0.7913
6000+
￥0.7613

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:27A

型号：NTTFS4C25NTWG 编号：C893914

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低 RDS(on) 以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。功率负载开关

数据手册

5+
￥1.3407
50+
￥1.1725
150+
￥1.1005
500+
￥0.9448
2500+
￥0.9048
5000+
￥0.8808

有货

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双D型触发器

型号：MC14013BDTR2G 编号：C233444

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14013B双D触发器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件，集成于单一单片结构中。每个触发器都有独立的数据（D）、直接置位（S）、直接复位（R）和时钟（C）输入，以及互补输出（Q和Q̅）。这些器件可用作移位寄存器元件，或作为T型触发器用于计数器和触发应用

数据手册

5+
￥1.5226
50+
￥1.2
150+
￥1.0618
500+
￥0.8893
2500+
￥0.8125
5000+
￥0.7664

有货

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3.3V 1A 20V

型号：NCV1117ST33T3G 编号：C114733

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR

数据手册

5+
￥1.606
50+
￥1.2695
150+
￥1.1253
500+
￥0.836
2500+
￥0.7559
4000+
￥0.7078

有货

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六路施密特触发反相器

型号：74VHC14MTCX 编号：C6145

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

VHC14是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS六施密特反相器。它能实现类似于等效双极型肖特基TTL的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。其引脚配置和功能与VHC04相同，但输入在正跳变和负跳变输入阈值之间具有迟滞特性，能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰明确、无抖动的输出信号，因此比传统反相器具有更大的噪声容限

数据手册

5+
￥1.7384
50+
￥1.3577
150+
￥1.1946
500+
￥0.991
2500+
￥0.9004
5000+
￥0.846

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:3A

型号：FDC5614P 编号：C48167

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-60V,-3A,105mΩ@-10V

数据手册

5+
￥2.2009
50+
￥1.7082
150+
￥1.4971
500+
￥1.2337
3000+
￥1.1164
6000+
￥1.046

有货

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NPN 电流:3A 电压:100V

型号：MJD31CT4G 编号：C57942

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。

数据手册

5+
￥2.4267
50+
￥1.942
150+
￥1.7343
500+
￥1.3257
2500+
￥1.2102
5000+
￥1.141

有货

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低噪声双/四运算放大器

型号：MC33079DR2G 编号：C9376

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33078/9 系列是采用双极技术的高品质单片放大器系列，运用了创新的高性能理念，适用于优质音频和数据信号处理应用。该系列采用高频 PNP 输入晶体管，使放大器具有低输入电压噪声、高增益带宽积和转换速率。全 NPN 输出级无死区交越失真，输出电压摆幅大，具有出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源极和漏极交流频率性能。MC33078/9 系列提供双放大器和四放大器版本，采用塑料 DIP 和 SOIC 封装（后缀为 P 和 D）。

数据手册

5+
￥2.5673
50+
￥2.0068
150+
￥1.7666
500+
￥1.415
2500+
￥1.2816
5000+
￥1.2015

有货

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9V~28V

型号：NCP1252ADR2G 编号：C80800

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1252 控制器提供了构建专用于 ATX 电源和任何正向应用的成本高效且可靠的 AC-DC 开关电源所需的一切内容。由于使用内部固定的计时器，NCP1252 可以在不依赖辅助 Vcc 的情况下检测输出过载。欠压输入针对低输入电压提供保护，提高了转换器安全性。最后，SOIC-8 封装节省 PCB 空间，是成本敏感项目的首选方案。

数据手册

1+
￥2.57
10+
￥2.05
30+
￥1.82
100+
￥1.54
500+
￥1.41
1000+
￥1.17

有货

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9V~28V

型号：NCP1252EDR2G 编号：C904430

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1252 控制器提供了构建专用于 ATX 电源和任何正向应用的成本高效且可靠的 AC-DC 开关电源所需的一切内容。由于使用内部固定的计时器，NCP1252 可以在不依赖辅助 Vcc 的情况下检测输出过载。欠压输入针对低输入电压提供保护，提高了转换器安全性。最后，SOIC-8 封装节省 PCB 空间，是成本敏感项目的首选方案。

数据手册

1+
￥2.79
10+
￥2.22
30+
￥1.98
100+
￥1.67
500+
￥1.54
1000+
￥1.45

有货

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低电压、轨到轨运算放大器

型号：MC33204DR2G 编号：C146793

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33201/2/4系列运算放大器在输入和输出端均支持轨到轨操作。输入信号的幅度可比电源轨高200 mV，而输出端不会出现相位反转，且输出摆幅可接近每个电源轨50 mV。这种轨到轨操作使用户能够充分利用可用的电源电压范围

数据手册

1+
￥3.06
10+
￥2.4
30+
￥2.12
100+
￥1.77
500+
￥1.41
1000+
￥1.31

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:150A

型号：NTMFS5C628NLT1G 编号：C145537

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，60V，150A，2.4mΩ，单 N 沟道

数据手册

1+
￥3.4
10+
￥2.66
30+
￥2.34
100+
￥1.95
500+
￥1.77
1500+
￥1.67

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:200A

型号：NTMFS5C430NLT1G 编号：C194661

封装：DFN5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40 V，1.4 mΩ，200 A，单 N 沟道

数据手册

1+
￥3.71
10+
￥2.92
30+
￥2.59
100+
￥2.17
500+
￥1.86
1500+
￥1.75

有货

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低功耗，双SIM卡模拟开关

型号：FSA2567MPX 编号：C512961

封装：WFQFN-16(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

双路低电容、低导通电阻、宽Vcc工作范围(1.65V至4.3V)的模拟开关，适用于双SIM卡多路复用。

数据手册

1+
￥4.19
10+
￥3.3
30+
￥2.91
100+
￥2.43
500+
￥2.22
1000+
￥2.09

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:20A

型号：FDS6681Z 编号：C236906

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

1+
￥5.34
10+
￥4.34
30+
￥3.85
100+
￥3.35
500+
￥3.06
1000+
￥2.91

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:330A

型号：NTMFS5C410NLT1G 编号：C348540

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40V，0.82 m，330 A，单 N 沟道

数据手册

1+
￥5.41
10+
￥4.43
30+
￥3.95
100+
￥3.22
500+
￥2.93
1500+
￥2.78

有货

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升压型 1.5A 3V~40V

型号：NCP3063BDR2G 编号：C41034

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP3063是一款专为直流 - 直流转换器应用优化的单片式功率开关稳压器。其特性组合使系统设计人员能够使用最少数量的外部组件直接实现升压、降压和电压反相转换器。潜在应用包括对成本敏感的消费产品以及工业市场设备

数据手册

1+
￥5.96
10+
￥4.77
30+
￥4.18
100+
￥3.58
500+
￥3.23
1000+
￥3.05

有货

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1个N沟道耐压:150V

型号：FDMS86200 编号：C128799

封装：PDFN-8(4.9x5.8)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥6.74
10+
￥5.55
30+
￥4.9
100+
￥4.16
500+
￥3.84
1000+
￥3.69

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:2.8A

型号：FQD5N60CTM 编号：C467458

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥6.83
10+
￥5.54
30+
￥4.9
100+
￥3.74
500+
￥3.36
1000+
￥3.16

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):3750V

型号：HCPL0601R2 编号：C411208

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED，该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门（单通道器件）。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。该输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管，而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管，以降低功耗。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

数据手册

1+
￥6.85
10+
￥5.59
30+
￥4.96
100+
￥4.33
500+
￥3.3
1000+
￥3.11

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:17A 32A

型号：FDPC5018SG 编号：C464164

封装：PQFN-8-EP(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此器件在一个双封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。

数据手册

1+
￥7.23
10+
￥5.99
30+
￥5.37
100+
￥4.58
500+
￥4.21
1000+
￥4.02

有货

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隔离式大电流IGBT栅极驱动器

型号：NCV57001DWR2G 编号：C603965

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV57001是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护以及退饱和时的软关断功能。NCV57001兼容5 V和3.3V

数据手册

1+
￥12.48
10+
￥10.86
30+
￥9.45
100+
￥8.44
500+
￥7.99
1000+
￥7.79

有货

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