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价格(含税)

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耐压:650V 电流:8.4A

型号：IPD60R800CE 编号：C536837

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。

数据手册

1+
￥1.491 ￥4.97
10+
￥0.904 ￥4.52
30+
￥0.427 ￥4.27
100+
￥0.399 ￥3.99
500+
￥0.387 ￥3.87
1000+
￥0.381 ￥3.81

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:1.9A

型号：ISP26DP06NMS 编号：C538452

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。正常电平。增强模式。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

数据手册

1+
￥1.7595 ￥2.55
10+
￥1.3334 ￥2.26
30+
￥1.0339 ￥2.11
100+
￥0.9653 ￥1.97
500+
￥0.9212 ￥1.88
1000+
￥0.8967 ￥1.83

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:0.62A

型号：BSR315P H6327 编号：C534588

封装：SC-59-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。逻辑电平。封装尺寸和引脚与SOT-23 / SuperSOT-23兼容。雪崩额定SC-59。无铅引脚涂层，符合RoHS标准。漏极引脚3。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥2.1229 ￥2.99
10+
￥1.6898 ￥2.38
30+
￥1.5052 ￥2.12
100+
￥1.2709 ￥1.79
500+
￥1.1715 ￥1.65
1000+
￥1.1076 ￥1.56

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:40A

型号：IPD090N03L G 编号：C536727

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道，逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。雪崩额定。无铅电镀

数据手册

1+
￥2.2304 ￥3.28
10+
￥1.6994 ￥2.93
30+
￥1.3248 ￥2.76
100+
￥1.2432 ￥2.59
500+
￥1.1952 ￥2.49
1000+
￥1.1712 ￥2.44

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:9.2A

型号：IRF9393TRPBF 编号：C520642

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：25V VGS max。行业标准SO8封装。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。高VGS下直接驱动。多供应商兼容性。更环保。应用：笔记本电脑的适配器输入开关

数据手册

5+
￥2.3386
50+
￥1.8844
150+
￥1.6897
500+
￥1.4469

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:7.5A

型号：BSL202SNH6327 编号：C3279331

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道。增强模式。超级逻辑电平（额定 2.5V）。雪崩额定。dv/dt 额定。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 AEC Q101 认证。根据 IEC61249-2-21 无卤

1+
￥2.4
10+
￥2.12
30+
￥1.98
100+
￥1.85
500+
￥1.77
1000+
￥1.72

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:49A

型号：BSC093N04LSG 编号：C148252

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,13A,9.3mΩ@10V

数据手册

1+
￥2.72
10+
￥2.19
30+
￥1.96
100+
￥1.67

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:4.5A

型号：BSL606SNH6327XTSA1 编号：C3279330

封装：TSOP-6-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。逻辑电平（额定4.5V）。雪崩额定。根据AEC Q101标准认证。 100%无铅；无卤；符合RoHS标准

1+
￥2.77
10+
￥2.18
30+
￥1.93
100+
￥1.62

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:1.9A

型号：BSP170PH6327 编号：C75283

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-60V,-1.9A,0.3Ω@-10V

数据手册

1+
￥3.02
10+
￥2.4
30+
￥2.13
100+
￥1.79

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:250A

型号：IRFS7437TRLPBF 编号：C881765

封装：TO-263AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅。无卤。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥3.22
10+
￥3.15
30+
￥3.09
100+
￥3.04

有货

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1个N沟道耐压:240V 电流:0.35A

型号：BSP129H6327 编号：C79340

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,240V,350mA,6Ω@10V

数据手册

1+
￥3.3
10+
￥2.63
30+
￥2.35
100+
￥1.99
500+
￥1.5
1000+
￥1.4

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:120A

型号：IRF4104PBF 编号：C212027

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,Vdss=40V,Ic=75A

数据手册

1+
￥3.36
10+
￥2.61
50+
￥2.29
100+
￥1.89
500+
￥1.72

有货

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2.85V~3.6V

型号：IR3599MTRPBF 编号：C537688

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3599/IR3599A 是一种相位倍增器,设计用于将单个PWM输入信号加倍或四倍,从而实现高相位计数的电压调节器。支持多种配置模式,包括双倍和四倍逻辑,适用于服务器和台式计算机等应用。

数据手册

1+
￥3.3956 ￥6.53
10+
￥2.4906 ￥5.93
30+
￥1.792 ￥5.6
100+
￥1.6704 ￥5.22
500+
￥1.6192 ￥5.06
1000+
￥1.5936 ￥4.98

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:6A

型号：BSL207SP H6327 编号：C520636

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。工作温度150℃。雪崩额定。 dv/dt额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据ABC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥3.7012 ￥4.87
10+
￥3.0704 ￥4.04
30+
￥2.7512 ￥3.62
100+
￥2.432 ￥3.2
500+
￥2.242 ￥2.95
1000+
￥2.1508 ￥2.83

有货

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耐压:30V 电流:89A

型号：BSC0902NSI 编号：C534382

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。集成单片肖特基二极管。在栅源电压为4.5V时，具有极低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

数据手册

1+
￥3.71
10+
￥2.98
30+
￥2.67
100+
￥2.28

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:42A

型号：IRFR4104TRPBF 编号：C513166

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的工艺技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域

数据手册

1+
￥3.78 ￥5.25
10+
￥2.9636 ￥4.78
30+
￥2.3452 ￥4.51
100+
￥2.1944 ￥4.22
500+
￥2.1268 ￥4.09
1000+
￥2.0956 ￥4.03

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:31A

型号：IRFR3410TRLPBF 编号：C537964

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，以降低开关损耗。完全表征的电容，包括有效Coss，以简化设计。完全表征的雪崩电压和电流。应用：高频DC-DC转换器。无铅

数据手册

1+
￥4.002 ￥6.9
10+
￥2.7696 ￥5.77
30+
￥1.957 ￥5.15
100+
￥1.6872 ￥4.44
500+
￥1.5694 ￥4.13
1000+
￥1.5162 ￥3.99

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:9.3A

型号：IRF630NSTRLPBF 编号：C520651

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET功率MOSFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。TO-220封装在功率耗散水平约为50瓦的所有商业-工业应用中普遍受到青睐。TO-220的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可

数据手册

1+
￥4.02
10+
￥3.22
30+
￥2.82
100+
￥2.43

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:100A

型号：BSC019N04NS G 编号：C534303

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器进行了优化。根据JEDEC标准进行目标应用认证。 N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥4.29
10+
￥3.5
30+
￥3.1
100+
￥2.4
500+
￥2.17

有货

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电流感应单通道驱动器

型号：IR21271STRPBF 编号：C440505

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2127/IR2128/IR21271(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

数据手册

1+
￥4.31
10+
￥3.51
30+
￥3.12
100+
￥2.72
500+
￥2.18
1000+
￥2.06

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:5.4A

型号：IRF7490TRPBF 编号：C537815

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，以减少开关损耗。完全表征的电容，包括有效Coss，简化设计。应用：高频DC-DC转换器。无铅

数据手册

1+
￥4.66
10+
￥3.86
30+
￥3.46
100+
￥3.07

有货

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1个N沟道电流:15.1A

型号：IPA65R400CE 编号：C501513

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。CoolMOS CE系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术相结合。由此产生的器件在不牺牲易用性的同时，具备了快速开关超结MOSFET的所有优势

数据手册

1+
￥4.69
10+
￥3.81
50+
￥3.36
100+
￥2.93

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:18.1A

型号：IPD50R280CEAUMA1 编号：C467012

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供市场上最佳的降本性能比。

数据手册

1+
￥4.94
10+
￥3.96
30+
￥3.47
100+
￥2.99

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:17A

型号：IRFR15N20DTRPBF 编号：C537951

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，可降低开关损耗。完全表征的电容，包括有效输出电容Coss，便于设计。完全表征的雪崩电压和电流。应用：高频DC-DC转换器

数据手册

1+
￥5.34
10+
￥4.32
30+
￥3.81
100+
￥3.3

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:0.12A

型号：BSP135H6327 编号：C3278599

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道耗尽模式。dv/dt额定。卷盘上带有VGS(th)指示器。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。符合AEC Q101标准。符合IEC61249-2-21的无卤标准

数据手册

1+
￥5.43
10+
￥4.46
30+
￥3.98
100+
￥3.5

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:8.3A

型号：IRF7853TRPBF 编号：C15001

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,8.3A,18mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.48
10+
￥4.4
30+
￥3.86
100+
￥3.33

有货

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OptiMOST2功率晶体管

型号：IPG20N04S4-09 编号：C536929

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道正常电平增强模式。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥5.54
10+
￥5
30+
￥4.7
100+
￥4.37
500+
￥4.22

有货

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650V 20A

型号：IDP20C65D2 编号：C535913

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压，且随温度变化稳定。应用：连续导通模式功率因数校正（CCM PFC）中的升压二极管

数据手册

1+
￥5.5556 ￥8.17
10+
￥4.3094 ￥7.43
50+
￥3.3696 ￥7.02
100+
￥3.1488 ￥6.56
500+
￥3.0528 ￥6.36
1000+
￥3.0096 ￥6.27

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:362A

型号：IRFS7434TRL7PP 编号：C538029

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征电容和雪崩 SOA。增强体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥5.64
10+
￥5.08
30+
￥4.77
100+
￥4.42

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:86A

型号：IRFR3709ZTRPBF 编号：C50086

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,86A,8.2mΩ@4.5V

数据手册

1+
￥5.661 ￥6.29
10+
￥4.707 ￥5.23
30+
￥4.23 ￥4.7
100+
￥3.753 ￥4.17
500+
￥3.177 ￥3.53
1000+
￥3.024 ￥3.36

有货

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