Infineon传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRF7413TRPBF 编号：C2998

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,13A,11mΩ@10V

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￥5.27
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￥4.41
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型号：IPD90N04S4L-04 编号：C536903

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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￥5.327 ￥7.61
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型号：IRF7317TRPBF 编号：C454608

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。SO-8通过定制的引线框架进行了改进，具有增强的热特性和多芯片能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，多个器件可以在应用中使用，大大减少了电路板空间。该封装设计用于气相、红外或波峰焊接技术。

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1+
￥5.33
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￥4.4
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型号：IPD90N04S4-03 编号：C536900

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。AEC认证。MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试

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￥5.425 ￥7.75
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￥4.23 ￥7.05
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￥3.33 ￥6.66
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￥3.015 ￥6.03
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型号：IAUC100N04S6N015ATMA1 编号：C3288831

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。正常电平。AEC Q101认证。MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试

1+
￥5.68
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型号：IPB054N06N3 G 编号：C536513

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。具有出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。 N沟道，标准电平。经过100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥5.6984 ￥8.38
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￥4.4834 ￥7.73
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型号：IR3899MTRPBF 编号：C537732

封装：PQFN-24-EP(4x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3899是一款易于使用的、高度集成且高效的DC/DC调节器。内置的PWM控制器和MOSFET使得IR3899成为一种空间效率高的解决方案,能够提供精确的电源传输。

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￥5.944 ￥29.72
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￥5.69 ￥28.45
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￥5.406 ￥27.03

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型号：IDP08E65D1 编号：C535906

封装：TO-220AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：650V发射极控制技术。关键参数的温度稳定性好。低正向电压 (Vr)。超快速恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。低反向恢复电流 (Irm)。应用：AC/DC转换器。 PFC级中的升压二极管

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￥6.0375 ￥8.75
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￥4.7613 ￥8.07
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型号：IRLR3915TRPBF 编号：C66853

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,30A,14mΩ@10V

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1+
￥6.32
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￥5.12
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型号：BSC065N06LS5 编号：C534360

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥6.61
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型号：BTS5016-1EKB 编号：C534803

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5016 - 1EKB是一款导通电阻为16 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - DSO - 14 - 47 EP露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成

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￥6.7365 ￥14.97
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￥6.201 ￥13.78
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￥5.868 ￥13.04
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型号：ISC230N10NM6ATMA1 编号：C3278635

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低导通电阻 RDS(on)。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。极低反向恢复电荷 (Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。针对高频开关和同步整流进行优化。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级

1+
￥7.44
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型号：IRGR3B60KD2TRP 编号：C3190816

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低VCE (on)非穿通IGBT技术。低二极管VF。 10μs短路能力。方形RBSOA。超软二极管反向恢复特性。正VCE (on)温度系数。无铅

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￥7.44
10+
￥7.28
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型号：FM24C16B-GTR 编号：C66016

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24C16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持100万亿次读写操作，数据保留时间长达151年。支持最高1 MHz的I2C接口。

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1+
￥7.98
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型号：IPB029N06NF2S 编号：C5359110

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥8.58
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￥7.84
30+
￥7.38
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型号：IGLR70R270D2SXUMA1 编号：C47146876

封装：PG-TSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥9.1256 ￥10.37
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￥7.7792 ￥8.84
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￥6.9344 ￥7.88
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型号：IRF5305STRLPBF 编号：C41224

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V

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￥9.18
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型号：TLE94108ELXUMA1 编号：C2680272

封装：SSOP-24-EP-150mil

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE94108EL是一款带保护功能的八路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行方式驱动直流电机负载

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￥9.2
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￥8.81
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型号：IRFB4229PBF 编号：C2653

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,250V,46A,38mΩ@10V

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1+
￥9.56
10+
￥8.12
50+
￥6.42

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型号：FM24CL16B-G 编号：C2953561

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是一款采用先进铁电工艺的16-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，不会产生写延迟

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￥9.65
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￥5.92
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￥5.5
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型号：IRFR13N20DTRPBF 编号：C3021

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,13A,235mΩ@10V

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￥10.29
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￥8.33
30+
￥7.34
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￥6.37

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型号：BSC500N20NS3GATMA1 编号：C5381902

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，标准电平。出色的栅极电荷×导通电阻 RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61240-2-21 标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

1+
￥10.33
10+
￥8.72
30+
￥7.71
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￥6.68

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型号：IPP075N15N3G 编号：C501517

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。极低的导通电阻。 175°C工作温度。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥10.48
10+
￥8.6
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￥6.8
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￥5.63

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型号：BSC009NE2LS5I 编号：C122543

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。100%雪崩测试。N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥10.74
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￥9
30+
￥8.05
100+
￥6.97

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型号：SPP11N80C3 编号：C476111

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。极高的dv/dt额定值。高脉冲电流能力。针对目标应用通过JEDEC认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。超低栅极电荷。应用：具有高直流母线电压的工业应用。开关应用（如有源钳位正激）

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1+
￥11.22
10+
￥9.47
50+
￥8.37
100+
￥7.25

有货

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型号：IRFP4768PBF 编号：C2923

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,250V,93A,17.5mΩ@10V

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1+
￥11.65
10+
￥9.9
25+
￥8.06

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型号：IR21094STRPBF 编号：C19559

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥12.27
10+
￥10.13
30+
￥8.96

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型号：IHW30N135R5 编号：C536124

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。 TRENCHSTOP™ 技术提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。微波炉

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1+
￥15.95
10+
￥13.59
30+
￥11.27
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￥9.76
480+
￥9.07
960+
￥8.78

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型号：IPLU300N04S4-R8 编号：C537070

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）；100%无铅。超低导通电阻。 100%雪崩测试

数据手册

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￥16.22
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￥13.91
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￥12.47
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￥10.99

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型号：IRF7748L1TRPBF 编号：C537824

封装：MG-WDSON-9

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF7748L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在封装尺寸小于D2PAK且高度仅为0.7 mm的情况下实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。

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