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价格(含税)

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3.3V零延迟缓冲器

型号：CY2308SXI-1HT 编号：C2953297

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是3.3V零延迟缓冲器，旨在为PC、工作站、数据通信、电信和其他高性能应用分配高速时钟。芯片内置PLL，可锁定REF引脚上的输入时钟。PLL反馈由外部FBK引脚驱动，用户可灵活选择任一输出作为反馈输入并连接到FBK引脚。输入到输出的偏斜小于250 ps，输出到输出的偏斜小于200 ps

1+
￥24.85
10+
￥23.7
30+
￥21.79
100+
￥21.2

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:217A

型号：IPB024N10N5 编号：C536487

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷×导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥24.94
10+
￥21.2
30+
￥18.97
100+
￥16.73

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:345A

型号：IRF7749L1TRPBF 编号：C520641

封装：DirectFET-L8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：RoHS 合规，无卤。无铅（最高 260℃ 回流焊合格）。适用于高性能隔离式转换器初级开关插座。针对同步整流进行优化。低传导损耗。高 Cdv/dt 抗扰度。应用：高性能隔离式转换器初级开关插座。同步整流

数据手册

1+
￥26.21
10+
￥22.4
30+
￥20.14

有货

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650V CoolMOS CFD2功率晶体管

型号：IPW65R150CFD 编号：C537495

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗以及极高的坚固性，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥27.79
10+
￥23.55
30+
￥21.03
90+
￥18.48

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:180A

型号：IPB180N08S4-02 编号：C536574

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。AEC Q101认证。MSL1，最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试。超低导通电阻RDS(on)

数据手册

1+
￥27.82
10+
￥26.49
30+
￥25.68
100+
￥25

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:50A

型号：IPW65R041CFD7XKSA1 编号：C3278907

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650 V CoolMOS™ CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品，是650 V CoolMOS™ CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS™ CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性

1+
￥29.54
10+
￥25.26
30+
￥22.71

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:256A

型号：IPB017N10N5LFATMA1 编号：C3289286

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。极低的导通电阻RDS(on)。宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥31.81
10+
￥27.34
30+
￥24.68

有货

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N沟道 100V 276A

型号：IQD020N10NM5SCATMA1 编号：C42283737

封装：SON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低的导通电阻 RDS(on)。卓越的热阻。针对双面冷却进行优化设计。 100% 雪崩测试。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JECL1249-2-21 标准无卤

1+
￥32.34
10+
￥27.51
30+
￥24.64
100+
￥21.74

有货

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SPI闪存

型号：S25FL256SAGNFI000 编号：C914933

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 伏核心，具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3，具备 DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

数据手册

1+
￥33.9
10+
￥28.94
30+
￥25.91
100+
￥23.37

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:53A

型号：IPW60R070C6 编号：C454262

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。该器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥36.91
10+
￥31.94
30+
￥28.99
90+
￥26

有货

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600V 20A

型号：SPW20N60S5 编号：C539323

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。超低有效电容。改进的跨导。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC针对目标应用进行了认证

数据手册

1+
￥41.05
10+
￥35.05
30+
￥31.4
100+
￥28.33

有货

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降压型 12A 1.5V~16V

型号：IR3840MTRPBF 编号：C537713

封装：QFN-14(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3840 SupIRBuckTM 是一款易于使用、高度集成且高效的 DC/DC 同步降压稳压器。与片上 PWM 控制器共封装的 MOSFET 使 IR3840 成为节省空间的解决方案，可为低输出电压应用提供精确的功率传输。IR3840 是一款多功能稳压器，可在宽输入和输出电压范围内工作，同时提供启动时间、开关频率和电流限制的可编程性。开关频率可在 250kHz 至 1.5MHz 范围内编程，以实现最佳解决方案。它还具备重要的保护功能，如预偏置启动、打嗝式电流限制和热关断，可在故障条件下提供所需的系统级安全保障。

数据手册

1+
￥41.39
10+
￥39.37
30+
￥38.14
100+
￥37.1

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:55A

型号：IRF6614TRPBF 编号：C152359

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,12.7A,8.3mΩ@10V

数据手册

1+
￥62.29
10+
￥61.39
30+
￥59.83

有货

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集成功率控制系统，双列直插式智能功率模块，三相桥

型号：IKCM15L60GD 编号：C536159

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块家族可集成各种功率和控制组件，以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。其封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用，同时具备 EMI 安全控制和过载保护功能。TRENCHSTOP IGBT 和反并联二极管与优化的 SOI 栅极驱动器相结合，以实现出色的电气性能。

数据手册

1+
￥63.13
10+
￥54.94
28+
￥49.95

有货

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16-Mbit (1 M x 16) 静态随机存取存储器

型号：CY62167DV30LL-55ZXIT 编号：C2956479

封装：TSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167DV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字×16-Bit。该设备具有超低功耗特性，适用于便携式设备，如手机。它支持自动断电功能，当未选中时可显著降低功耗。

数据手册

1+
￥64.88
10+
￥56.12
30+
￥48.5

有货

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双列直插式智能功率模块3Φ桥600V/15A

型号：IGCM15F60GA 编号：C536065

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块系列可集成各种功率和控制组件，以提高可靠性、优化PCB尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离，以及EMI安全控制和过载保护的功率应用。反向导通IGBT与优化的SOI栅极驱动器相结合，具有出色的电气性能。

数据手册

1+
￥73.44
10+
￥70.02
28+
￥64.09

有货

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BSC033N08NS5SCATMA1

型号：BSC033N08NS5SCATMA1 编号：C20189654

封装：WSON-8-2

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥78.75
10+
￥68.32
30+
￥61.97
100+
￥56.64

有货

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1200V 沟槽式碳化硅 MOSFET

型号：IMW120R030M1H 编号：C536280

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。无阈值导通状态特性。宽栅源电压范围。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。完全可控的dV/dt。应用：能源发电。 -太阳能串逆变器和太阳能优化器

数据手册

1+
￥86.89
10+
￥80.38
30+
￥74.39
90+
￥69.17

有货

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4-Mbit 串行 (SPI) F-RAM

型号：CY15B104Q-SXI 编号：C2759922

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY15B104Q是一款4兆位非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），支持高速SPI接口。它具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力，支持高达40 MHz的时钟频率，低功耗，适用于频繁写入的应用场景。

数据手册

1+
￥113.03
10+
￥107.69
30+
￥98.43
100+
￥90.36

有货

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650V CoolSiC MOSFET G2

型号：IMZA65R015M2HXKSA1 编号：C25949769

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

基于第二代碳化硅沟槽技术，提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计，以满足不断增长的系统和市场需求。

1+
￥115.88
10+
￥110.12
30+
￥100.15

有货

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超低功耗、闪存可编程片上系统

型号：CY8C5868AXI-LP035 编号：C340159

封装：TQFP-100(14x14)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

PSoC 5LP 是一种真正的可编程嵌入式系统芯片，它在一个芯片上集成了可配置的模拟和数字外设、存储器以及微控制器。PSoC 5LP 架构通过以下方式提升性能：- 32位ARM CorteX-M3核心加上DMA控制器和数字滤波处理器，最高可达80MHz- 超低功耗，并具有业界最宽的工作电压范围- 可编程的数字和模拟外设支持定制功能- 任何模拟或数字外设功能均可灵活地路由到任意引脚PSoC 设备采用高度可配置的系统芯片架构用于嵌入式控制设计。它们集成了可配置的模拟和数字电路，由片上微控制器控制。单个PSoC设备可以集成多达100个数字和模拟外设功能，从而减少了设计时间、板卡空间、功耗和系统成本，同时提高了系统质量。

数据手册

1+
￥121.38
10+
￥115.26
30+
￥104.65

有货

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1 Mbit nvSRAM

型号：CY14B101NA-ZS45XIT 编号：C2932413

封装：TSOP-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY14B101NA 是一款快速静态RAM (SRAM)，每个存储单元都包含一个非易失性元素。该存储器组织为128K字节的8-Bit或64K字的16-Bit。非易失性元素采用QuantumTrap技术，提供20年的数据保留时间。支持无限次读写和RECALL操作，最多支持1百万次STORE操作。

数据手册

1+
￥129.8
5+
￥123.2
30+
￥118.8

有货

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IMZA120R012M2HXKSA1

型号：IMZA120R012M2HXKSA1 编号：C50389380

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥143.26
30+
￥135.46

有货

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FF300R07KE4

型号：FF300R07KE4 编号：C17561819

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥512.05
30+
￥488.67

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:0.54A

型号：BSS670S2L H6327 编号：C151529

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,540mA,650mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.625512 ￥0.9336
50+
￥0.42579 ￥0.747
150+
￥0.307239 ￥0.6537
500+
￥0.274386 ￥0.5838
3000+
￥0.248066 ￥0.5278
6000+
￥0.234906 ￥0.4998

有货

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NPN 50mA 4.5V

型号：BFP 460 H6327 编号：C534095

封装：SOT-343-4

品牌：Infineon(英飞凌)

是用于互补无线解决方案的稳健、灵活、小型且可靠的设备。第8代射频晶体管可提供市场上最佳的噪声系数（NF），在应用中测得为0.6dB，可提高系统灵敏度，增强抗干扰能力，使信号收发更稳定可靠。产品组合丰富，提供多种不同封装和器件特性供客户选择。提供具有竞争力的交货周期（≤6周），确保供应安全，对客户发货日期和供应绩效的承诺始终超过行业标准2%。现场故障率平均<0.1PPM，质量和可靠性高。拥有全球现场应用工程和销售团队，提供专业灵活的设计支持和销售服务

数据手册

5+
￥0.642224 ￥1.4596
50+
￥0.437648 ￥1.2872
150+
￥0.291192 ￥1.2133
500+
￥0.269088 ￥1.1212
3000+
￥0.259224 ￥1.0801
6000+
￥0.25332 ￥1.0555

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:2.3A

型号：BSS806NEH6327 编号：C91714

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。超逻辑电平（额定1.8V）。 ESD保护。雪崩额定。根据AEC Q101认证。 100%无铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤

数据手册

5+
￥0.8282
50+
￥0.6605
150+
￥0.5766
500+
￥0.5138

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:1.5A

型号：BSS214NH6327 编号：C150915

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,20V,1.5A,140mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.9034
50+
￥0.7407
150+
￥0.6593
500+
￥0.5983

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:3.2A

型号：BSS606NH6327 编号：C151515

封装：SOT-89

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,3.2A,60mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.1666
50+
￥0.9296
150+
￥0.8281
1000+
￥0.7014

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：IRFTS9342TRPBF 编号：C538060

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：行业标准TSOP-6封装。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，通过消费级认证。多供应商兼容。更环保。可靠性更高。应用：电池供电的直流电机逆变器MOSFET。系统/负载开关

数据手册

5+
￥1.4154
50+
￥1.1055
150+
￥0.9726
500+
￥0.8069
3000+
￥0.7331
6000+
￥0.6888

有货

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70万种现货SKU

品类不断扩充中
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科技智能大仓储

最快4小时发货
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