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CoolMOs TM 第七代平台是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。600V CoolMOsTM P7 系列是 CoolMOS TM P6 系列的换代产品。
数据手册
  • 1+

    ¥18.41
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    ¥15.46
  • 50+

    ¥13.62
  • 100+

    ¥11.73
  • 有货
  • 最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级,是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能,650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑(如LLC和移相全桥 (ZVS))中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合。CoolMOS CFD7技术满足最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。
    • 1+

      ¥19.53
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      ¥18.47
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      ¥17.84
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      ¥17.2
  • 有货
  • 第七代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和低温。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.7925 ¥22.75
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      ¥16.7013 ¥21.69
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      ¥14.1035 ¥21.05
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      ¥13.6747 ¥20.41
    • 480+

      ¥13.4737 ¥20.11
    • 960+

      ¥13.3866 ¥19.98
  • 有货
  • 特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关行为基准。 无反向恢复 / 无正向恢复。 与温度无关的开关行为。 高浪涌电流能力。应用:开关电源(如连续导通模式功率因数校正)。 电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥21.63
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      ¥20.48
    • 50+

      ¥19.8
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      ¥19.11
    • 500+

      ¥18.8
    • 1000+

      ¥18.65
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥22.16
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      ¥18.83
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      ¥16.85
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      ¥14.84
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      ¥13.92
    • 1000+

      ¥13.5
  • 有货
  • 1ED332xMC12N(1ED - F3)是 EiceDRIVER™ 增强型单通道电气隔离式栅极驱动器系列产品,采用 DSO - 16 宽体封装,具备短路保护、有源密勒钳位和有源关断等集成保护功能,适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。该产品的典型输出电流最高可达 +6 A / -8.5 A。所有逻辑引脚均与 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容,可直接连接到微控制器
    • 1+

      ¥23.93
    • 10+

      ¥20.31
    • 30+

      ¥18.16
  • 有货
  • 特性:高速F5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 与升压转换器中的碳化硅肖特基二极管完美匹配。 最高结温175℃。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。应用:太阳能转换器。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥24.12
    • 10+

      ¥22.81
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      ¥22.03
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      ¥19.55 ¥21.25
    • 510+

      ¥19.2096 ¥20.88
    • 990+

      ¥19.0624 ¥20.72
  • 有货
    • 1+

      ¥24.15
    • 10+

      ¥20.81
    • 30+

      ¥18.83
  • 有货
  • 是3.3V零延迟缓冲器,旨在为PC、工作站、数据通信、电信和其他高性能应用分配高速时钟。芯片内置PLL,可锁定REF引脚上的输入时钟。PLL反馈由外部FBK引脚驱动,用户可灵活选择任一输出作为反馈输入并连接到FBK引脚。输入到输出的偏斜小于250 ps,输出到输出的偏斜小于200 ps
    • 1+

      ¥24.85
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      ¥23.7
    • 30+

      ¥21.79
    • 100+

      ¥21.2
  • 有货
  • 特性:N沟道。增强模式。AEC Q101认证。MSL1,最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品(符合RoHS标准)。100%雪崩测试。超低导通电阻RDS(on)
    数据手册
    • 1+

      ¥27.82
    • 10+

      ¥26.49
    • 30+

      ¥25.68
    • 100+

      ¥25
  • 有货
  • 特性:极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×导通电阻(FOM)。 优化的反向恢复电荷Qrr。 175℃工作温度。 根据JEDEC标准进行产品验证。 针对分销合作伙伴的广泛供应进行了优化
    数据手册
    • 1+

      ¥31.29
    • 10+

      ¥26.6
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      ¥23.81
    • 100+

      ¥20.98
  • 有货
  • 该产品是一款3.0 mΩ单通道智能高端功率开关,采用PG-HsOF-8封装,提供保护功能和诊断。它专为驱动高电流负载而设计,适用于加热器、电热塞、风扇和泵等应用。
    • 1+

      ¥35.12
    • 10+

      ¥29.89
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      ¥26.78
    • 100+

      ¥23.63
  • 有货
  • CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM,组织为512K字节x16-Bit或1M字节x8-Bit。该器件具有先进的电路设计,可提供超低功耗。适用于便携式设备,如手机。支持自动断电功能,可显著降低功耗。
    数据手册
    • 1+

      ¥36.18
    • 10+

      ¥31.49
    • 30+

      ¥26.05
    • 100+

      ¥23.66
  • 有货
  • CYT2B9是TRAVEO T2G微控制器系列的一部分,主要针对汽车系统如车身控制单元。它配备了Arm Cortex-M4 CPU用于主处理和一个Arm Cortex M0+ CPU用于外围设备和安全处理。这些设备包含支持Controller Area Network with Flexible Data rate (CAN FD)、Local Interconnect Network (LIN)以及Clock Extension Peripheral Interface (CXPI)的嵌入式外设。TRAVEO T2G设备采用先进的40纳米工艺制造,CYT2B9集成了Cypress低功耗闪存、多个高性能模拟和数字外设,并支持创建安全计算平台。
    • 1+

      ¥38.52
    • 10+

      ¥32.82
    • 30+

      ¥29.35
    • 100+

      ¥26.44
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先超结MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优点,同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性相结合,使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥53.8632 ¥74.81
    • 10+

      ¥45.787 ¥73.85
    • 30+

      ¥37.5388 ¥72.19
    • 90+

      ¥36.7848 ¥70.74
  • 有货
  • N沟道,40V,12.7A,8.3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥64.04
    • 10+

      ¥63.16
    • 30+

      ¥61.63
  • 有货
  • IGBT模块
    数据手册
    • 1+

      ¥98.45
    • 10+

      ¥97.09
    • 30+

      ¥94.73
    • 100+

      ¥92.68
  • 有货
  • 特性:扩展工作温度 TVJop。 低开关损耗。 低 VCEsat。 TVJop = 150℃。 VCEsat 具有正温度系数。应用:高功率转换器。 电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥141.45
    • 10+

      ¥138
  • 有货
  • Cypress CY14B104LA-ZS45XIT 是一款 4Mbit nvSRAM,具有非易失性存储单元,支持无限次读写操作,数据保持时间为 20 年,支持 1 百万次 STORE 操作。
    数据手册
    • 1+

      ¥213.61
    • 3+

      ¥205.2
    • 30+

      ¥194.4
  • 有货
  • 特性:增加阻断电压能力至650V。 低电感设计。 低开关损耗。 低集电极-发射极饱和电压(VcEsat)。 Al₂O₃ 基板,低热阻。 紧凑设计。应用:三电平应用。 太阳能应用
    数据手册
    • 1+

      ¥281.44
    • 3+

      ¥254.1
    • 30+

      ¥241.5
  • 有货
  • 特性:电气特性: -集电极-发射极电压(VCES):1200V。 -连续直流集电极电流(ICDC):75A(Tvjmax = 175℃,TC = 100℃)。 -重复峰值集电极电流(ICRM):150A。 -低集电极-发射极饱和电压(VCE sat)。 可过载运行至175℃。 机械特性: -高功率和热循环能力。应用:辅助逆变器。 电机驱动器
    • 1+

      ¥381
    • 30+

      ¥363.6
  • 有货
  • 特性:电气特性:扩展工作温度T(v_ijop)。 低V(CEsat)。 高鲁棒性。 V(CEsat)具有正温度系数。机械特性:4 kV AC 1min绝缘。 CTI > 400的封装。应用:高功率转换器。电机驱动器
    • 1+

      ¥597.98
    • 30+

      ¥566.8
  • 有货
  • 特性:低VCEsat,Tvrop = 150℃。 标准封装。应用:电机驱动。 伺服驱动器
    • 1+

      ¥598.49
    • 30+

      ¥571.5
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:0.1 mA 至 100 mA。 低集电极-发射极饱和电压。 对于 SMBT3904S:一个封装中有两个(电流)内部隔离且匹配良好的晶体管。 互补类型:SMBT3906... MMBT3906。 无铅(符合 RoHS 标准)封装。 根据 AEC Q101 认证
    • 5+

      ¥0.3216
    • 50+

      ¥0.3145
    • 150+

      ¥0.3098
    • 500+

      ¥0.3051
  • 有货
  • 硅肖特基二极管 用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管,采用无铅(符合 RoHS 标准)封装,符合 AEC Q101 标准。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.353847 ¥0.8229
    • 50+

      ¥0.213279 ¥0.6463
    • 150+

      ¥0.128317 ¥0.5579
    • 500+

      ¥0.113091 ¥0.4917
    • 3000+

      ¥0.100901 ¥0.4387
    • 6000+

      ¥0.094806 ¥0.4122
  • 有货
  • 适用于开关电路、逆变器、接口电路和驱动电路,内置偏置电阻(R₁ = 4.7kΩ,R₂ = 4.7kΩ),采用无铅(符合RoHS标准)封装,符合AEC Q101标准。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4186
    • 50+

      ¥0.4103
    • 150+

      ¥0.4047
    • 500+

      ¥0.3991
  • 有货
  • 特性:N沟道增强模式。 超逻辑电平(额定1.8V)。 雪崩额定值。 根据AEC Q101认证。 100%无铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5566
    • 50+

      ¥0.4437
    • 150+

      ¥0.3873
    • 500+

      ¥0.3449
  • 有货
  • 高性能低噪声放大器。适用于多种非汽车应用,如无线局域网(WLAN)、全球微波互联接入(WiMax)、超宽带(UWB)、蓝牙(Bluetooth)、全球定位系统(GPS)、卫星数字音频广播(SDARs)、数字音频广播(DAB)、低噪声块下变频器(LNB)、通用移动通信系统(UMTS)/长期演进技术(LTE)以及工业、科学和医疗(ISM)频段。
    • 5+

      ¥1.0204
    • 50+

      ¥0.8089
    • 150+

      ¥0.7182
    • 500+

      ¥0.6052
  • 有货
  • N沟道,30V,86A,8mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.334
    • 50+

      ¥1.0669
    • 150+

      ¥0.9524
  • 有货
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