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特性:低集电极-发射极饱和电压。 互补类型:SMBT2907A / MMBT2907A(PNP)。 无铅(符合RoHS标准)封装。 根据AEC Q101标准认证
数据手册
  • 5+

    ¥0.7266
  • 50+

    ¥0.5898
  • 150+

    ¥0.5214
  • 500+

    ¥0.4701
  • 有货
  • 特性:N沟道增强模式。 超逻辑电平(额定1.8V)。 ESD保护。 雪崩额定。 根据AEC Q101认证。 100%无铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8282
    • 50+

      ¥0.6605
    • 150+

      ¥0.5766
    • 500+

      ¥0.5138
  • 有货
  • N沟道,20V,1.5A,140mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9034
    • 50+

      ¥0.7407
    • 150+

      ¥0.6593
    • 500+

      ¥0.5983
  • 有货
  • N沟道,60V,3.2A,60mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1666
    • 50+

      ¥0.9296
    • 150+

      ¥0.8281
    • 1000+

      ¥0.7014
  • 有货
  • 特性:行业标准TSOP-6封装。 符合RoHS标准,无铅、无溴、无卤素。 MSL1,通过消费级认证。 多供应商兼容。 更环保。 可靠性更高。应用:电池供电的直流电机逆变器MOSFET。 系统/负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4154
    • 50+

      ¥1.1055
    • 150+

      ¥0.9726
    • 500+

      ¥0.8069
    • 3000+

      ¥0.7331
    • 6000+

      ¥0.6888
  • 有货
  • N 沟道,Vds=600V,Id=0.12A
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2797
    • 50+

      ¥1.7671
    • 150+

      ¥1.5474
  • 有货
  • 特性:N 通道。增强模式。超级逻辑电平(额定 2.5V)。雪崩额定。dv/dt 额定。无铅镀铅;符合 RoHS 标准。根据 AEC Q101 认证。根据 IEC61249-2-21 无卤
    • 1+

      ¥2.37
    • 10+

      ¥2.09
    • 30+

      ¥1.95
    • 100+

      ¥1.82
    • 500+

      ¥1.73
    • 1000+

      ¥1.69
  • 有货
  • 是一种经济高效的LED驱动器,用于驱动低功率LED。与电阻偏置相比,具有以下优点:尽管不同LED串的正向电压不同,但光输出均匀;尽管电源线上有电压降,但LED的光输出均匀;光输出与电源电压变化无关;由于在较高温度下输出电流降低(负热系数),LED的使用寿命更长。与分立解决方案相比,具有以下优点:更低的组装成本;更小的外形尺寸;由于焊接点较少,质量更好;由于预测试的LED驱动器,输出电流精度更高。可以通过在接地引脚处使用外部数字晶体管来实现调光。通过在电源和LED驱动器的电源引脚之间放置LED,可以在更高的电源电压下运行。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.37
    • 10+

      ¥1.84
    • 30+

      ¥1.61
    • 100+

      ¥1.33
    • 500+

      ¥1.2
    • 1000+

      ¥1.13
  • 有货
  • 特性:P沟道增强模式。 超级逻辑电平(额定2.5V)。 工作温度150℃。 雪崩额定。 dv/dt额定。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据ABC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥2.435 ¥4.87
    • 10+

      ¥1.616 ¥4.04
    • 30+

      ¥1.086 ¥3.62
    • 100+

      ¥0.96 ¥3.2
    • 500+

      ¥0.885 ¥2.95
    • 1000+

      ¥0.849 ¥2.83
  • 有货
  • 特性:针对5V驱动应用(笔记本电脑、VGA、负载点)进行优化。 高频开关电源的低品质因数FOM_SW。 100%雪崩测试。 N沟道。 极低导通电阻RDS(on)@VGS = 4.5V。 出色的栅极电荷 × RDS(on)乘积(FOM)。 符合消费级应用要求。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥2.548 ¥5.2
    • 10+

      ¥1.6536 ¥4.24
    • 30+

      ¥1.0904 ¥3.76
    • 100+

      ¥0.9512 ¥3.28
    • 500+

      ¥0.87 ¥3
    • 1000+

      ¥0.8265 ¥2.85
  • 有货
  • 特性:低栅极到漏极电荷,以减少开关损耗。 完全表征的电容,包括有效输出电容,以简化设计。 完全表征的雪崩电压和电流。应用:高频直流-直流转换器。 电信48V输入正激转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.64
    • 10+

      ¥2.11
    • 30+

      ¥1.89
    • 100+

      ¥1.61
    • 500+

      ¥1.25
    • 1000+

      ¥1.17
  • 有货
  • 特性:P沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 正常电平增强模式。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥2.664 ¥3.7
    • 10+

      ¥2.0522 ¥3.31
    • 30+

      ¥1.6224 ¥3.12
    • 100+

      ¥1.5236 ¥2.93
    • 500+

      ¥1.4612 ¥2.81
    • 1000+

      ¥1.43 ¥2.75
  • 有货
  • 大电流MOS管
    数据手册
    • 1+

      ¥2.77
    • 10+

      ¥2.18
    • 30+

      ¥1.93
    • 100+

      ¥1.61
    • 500+

      ¥1.32
  • 有货
  • IRS44273L是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。采用专有的抗闭锁CMOS技术,实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥2.81
    • 10+

      ¥2.18
    • 30+

      ¥1.91
    • 100+

      ¥1.57
  • 有货
  • IR3599/IR3599A 是一种相位倍增器,设计用于将单个PWM输入信号加倍或四倍,从而实现高相位计数的电压调节器。支持多种配置模式,包括双倍和四倍逻辑,适用于服务器和台式计算机等应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.0038 ¥6.53
    • 10+

      ¥2.1348 ¥5.93
    • 30+

      ¥1.456 ¥5.6
    • 100+

      ¥1.3572 ¥5.22
    • 500+

      ¥1.3156 ¥5.06
    • 1000+

      ¥1.2948 ¥4.98
  • 有货
  • 2EDN752x/2EDN852x是一款先进的双通道驱动器,适用于驱动逻辑电平和普通电平MOSFET,支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET,以及IGBT和GaN功率器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.26
    • 10+

      ¥2.55
    • 30+

      ¥2.24
    • 100+

      ¥1.86
    • 500+

      ¥1.61
    • 1000+

      ¥1.51
  • 有货
  • N沟道,55V,17A,65mΩ@10V,75/管
    数据手册
    • 1+

      ¥3.78
    • 10+

      ¥2.97
    • 30+

      ¥2.63
    • 75+

      ¥2.01
  • 有货
  • 特性:适用于快速开关转换器和同步整流。 N沟道增强型逻辑电平。 工作温度175℃。 雪崩额定。 无铅镀铅,符合RoHS标准
    • 1+

      ¥4
    • 10+

      ¥3.17
    • 30+

      ¥2.76
    • 100+

      ¥2.115 ¥2.35
    • 500+

      ¥1.935 ¥2.15
    • 1000+

      ¥1.818 ¥2.02
  • 有货
  • 单线LIN收发器,传输速率高达20kbps。符合ISO17987-4、LIN规范2.2A和SAEJ2602标准。睡眠模式下电流消耗极低,具有唤醒功能。与3.3V和5V微控制器兼容。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.03
    • 10+

      ¥3.54
    • 30+

      ¥3.3
    • 100+

      ¥3.06
    • 500+

      ¥2.91
    • 1000+

      ¥2.84
  • 有货
  • 特性:N-channel, logic level。非常低的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。适用于高频开关和同步整流。低导通电阻 RDS(on)。无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了资格认证。150℃ 工作温度。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥4.24
    • 10+

      ¥3.48
    • 30+

      ¥3.11
    • 100+

      ¥2.73
  • 有货
  • N沟道 100V 97A
    数据手册
    • 1+

      ¥4.36
    • 10+

      ¥3.56
    • 50+

      ¥3.1
    • 100+

      ¥2.7
    • 500+

      ¥2.47
    • 1000+

      ¥2.34
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。 无铅。 无卤。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.44
    • 10+

      ¥4.37
    • 30+

      ¥4.31
    • 100+

      ¥4.26
  • 有货
  • 特性:针对广泛应用进行优化。N沟道,正常电平。100%雪崩测试。无铅镀铅;符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准,无卤
    • 1+

      ¥4.47
    • 10+

      ¥4.01
    • 50+

      ¥3.76
    • 100+

      ¥3.47
    • 500+

      ¥3.35
  • 有货
  • 特性:工作频率:1164至1615 MHz。 多种工作模式,适用于不同应用。 电流消耗低至1.5 mA。 宽电源电压范围:1.1 V至3.3 V。 高插入功率增益高达19 dB。 低噪声系数低至0.7 dB。应用:增强L1/L2/L5频段GNSS信号灵敏度,尤其适用于可穿戴设备和移动蜂窝物联网应用。 低功耗模式:小电池供电的GNSS设备
    • 1+

      ¥4.64
    • 10+

      ¥3.78
    • 30+

      ¥3.35
    • 100+

      ¥2.92
    • 500+

      ¥2.66
    • 1000+

      ¥2.53
  • 有货
  • MOS全桥
    数据手册
    • 1+

      ¥4.77
    • 10+

      ¥3.86
    • 30+

      ¥3.46
    • 100+

      ¥2.97
  • 有货
  • N沟道,30V,13A,11mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.07
    • 10+

      ¥4.21
    • 30+

      ¥3.78
    • 100+

      ¥3.35
  • 有货
  • 特性:优化的同步场效应管,适用于高性能降压转换器。 集成单芯片类肖特基二极管。 极低导通电阻,在 VGS = 4.5V 时。 100% 雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 符合 JEDEC 标准,适用于目标应用。 无铅引脚镀层,符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    • 1+

      ¥5.12
    • 10+

      ¥4.1
    • 30+

      ¥3.6
    • 100+

      ¥3.09
  • 有货
  • 特性:符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。 快速恢复。 软开关。 低反向恢复电荷。 低正向电压,且随温度变化稳定。应用:连续导通模式功率因数校正(CCM PFC)中的升压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥5.1471 ¥8.17
    • 10+

      ¥3.9379 ¥7.43
    • 50+

      ¥3.0186 ¥7.02
    • 100+

      ¥2.8208 ¥6.56
    • 500+

      ¥2.7348 ¥6.36
    • 1000+

      ¥2.6961 ¥6.27
  • 有货
  • N沟道,100V,8.3A,18mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.29
    • 10+

      ¥4.21
    • 30+

      ¥3.67
    • 100+

      ¥3.13
  • 有货
  • N沟道,40V,75A,2mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.5
    • 10+

      ¥4.92
    • 50+

      ¥4.46
    • 100+

      ¥4.1
  • 有货
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