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1个N沟道耐压:250V 电流:10.9A

型号：BSZ16DN25NS3GATMA1 编号：C6135714

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化用于直流-直流转换。N沟道，正常电平。出色的栅极电荷 × 导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。低导通电阻RDS(on)。150℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥11.36
10+
￥9.6
30+
￥8.51
100+
￥7.38

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:120A

型号：IAUC120N06S5N017ATMA1 编号：C3278702

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。增强模式。正常级别-MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥11.96
10+
￥10.09
30+
￥8.92
100+
￥7.72

有货

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200V 8.6V~18V

型号：IR11682STRPBF 编号：C148145

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR11682是一款双路智能次级侧整流器驱动IC，旨在驱动两个用作谐振转换器应用中同步整流器的N沟道功率MOSFET。该IC可控制一个或多个并联的N沟道MOSFET，以模拟肖特基二极管整流器的行为。对每个整流MOSFET的漏源电压进行差分检测，以确定电流大小，并在接近零电流转换时控制功率开关的导通和关断

数据手册

1+
￥12.24
10+
￥10.27
30+
￥9.03
100+
￥7.77

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3.3V零延迟缓冲器

型号：CY2308SXI-2T 编号：C466881

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是一款3.3V零延迟缓冲器，用于在PC、工作站、数据通信、电信和其他高性能应用中分配高速时钟。芯片具有一个片上PLL，可锁定REF引脚上提供的输入时钟。PLL反馈由外部FBK引脚驱动，因此用户可以灵活选择任何一个输出作为反馈输入并将其连接到FBK引脚。输入到输出的偏斜小于250 ps，输出到输出的偏斜小于200 ps

数据手册

1+
￥12.55
10+
￥11.88
30+
￥11.48
100+
￥11.07

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系统基础芯片

型号：TLE9263-3BQX 编号：C540140

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：Infineon(英飞凌)

中档+系统基础芯片家族，集成低降压电压调节器、高速CAN收发器、LIN收发器、高侧开关等功能。

数据手册

1+
￥12.95
10+
￥12.28
30+
￥11.88
100+
￥11.47

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1个N沟道耐压:25V 电流:310A

型号：IQE006NE2LM5CGSCATMA1 编号：C20191643

封装：WHTFN-9

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥14.65
10+
￥12.32
30+
￥10.85
100+
￥9.36

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1个N沟道耐压:55V 电流:160A

型号：IRFP1405PBF 编号：C212022

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,Vdss=50V,Ic=95A

数据手册

1+
￥14.75
10+
￥12.37
25+
￥10.88
100+
￥9.36

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8Mbit 、3V、引导扇区闪存

型号：S29AL008J70TFI010 编号：C2759923

封装：TSOPI-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

8 Mbit、3.0 伏的闪存,组织为 1,048,576 字节或 524,288 字。提供 48 球细间距 BGA(0.8 mm 间距)和 48 引脚 TSOP 封装。字宽数据(x16)出现在 DQ15 DQ0;字节宽(x8)数据出现在 DQ7 DQ0。该设备设计为使用标准系统 3.0 伏 VCC 电源在系统内编程。写入或擦除操作不需要 12.0 V VPP 或 5.0 VCC。该设备也可以在标准 EPROM 编程器中编程

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1+
￥15.51
10+
￥13.09
30+
￥11.58

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高速、100V、自振荡50%占空比半桥驱动器

型号：AUIR2085STR 编号：C2677064

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置。死区时间可通过适当选择CT来控制，范围为50ns至200ns

数据手册

1+
￥17.17
10+
￥14.46
30+
￥12.77
100+
￥11.03

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1个N沟道耐压:80V 电流:120A

型号：IPP023N08N5AKSA1 编号：C3278809

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。符合IEC61249-2-21标准的无卤产品

1+
￥17.68
10+
￥14.86
30+
￥13.09
100+
￥11.28

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:88A

型号：IPP110N20N3GXKSA1 编号：C672167

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，标准电平。出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 认证，适用于目标应用。根据 IEC61249-2-21 标准无卤。适用于高频开关和同步整流

1+
￥19.91
10+
￥17.2
50+
￥15.5

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1个N沟道耐压:200V 电流:35A

型号：BSC350N20NSFD 编号：C152360

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,35A,35mΩ@10V

数据手册

1+
￥20.25
10+
￥17.57
30+
￥15.98
100+
￥14.36

有货

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128-Kbit 串行 F-RAM

型号：FM25V01A-GTR 编号：C2684782

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V01A是一款128-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用16K x 8的逻辑组织方式。它支持高速SPI接口，最高时钟频率可达40 MHz，具备高耐久性和低功耗特性，适用于需要频繁写入的应用场景。

数据手册

1+
￥20.35
10+
￥17.64
30+
￥15.94
100+
￥12.83
500+
￥12.04

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单通道5.7 kV（rms）隔离栅极驱动器IC，带有源米勒钳位或独立输出

型号：1ED3122MC12HXUMA1 编号：C17379449

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

1+
￥21.6
10+
￥18.38
30+
￥16.47
100+
￥14.53

有货

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单通道5.7 kV（rms）隔离栅极驱动器IC，带有源米勒钳位或独立输出

型号：1ED3123MC12HXUMA1 编号：C5311592

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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1+
￥22.26
10+
￥18.91
30+
￥16.92

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1个N沟道耐压:100V 电流:217A

型号：IPB024N10N5 编号：C536487

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷×导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥24.94
10+
￥21.2
30+
￥18.97
100+
￥16.73

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1个N沟道耐压:150V 电流:114A

型号：BSC074N15NS5 编号：C534367

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。极低的反向恢复电荷(Qrr)。 175℃工作温度。无铅负载电镀，符合BalUS标准。适用于高频开关和同步整流

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1+
￥25.23
10+
￥21.91
30+
￥19.94

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耐压:200V 电流:44A

型号：IRFB42N20DPBF 编号：C495799

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，可降低开关损耗。具备完整的电容特性，包括有效输出电容 Coss，简化设计。具备完整的雪崩电压和电流特性。应用：高频 DC-DC 转换器。电机控制

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1+
￥26.49
10+
￥23.26
50+
￥21.33

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1.3V 700mA 45V

型号：TLE7368-3E 编号：C540038

封装：DSO-36

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE7368器件是一款多功能电源电路，专为使用标准12 V电池的汽车动力总成系统而设计。该器件旨在为下一代32位微控制器系列（13 μm光刻工艺）供电并进行监控，这些微控制器需要5 V、3.3 V或1.5/1.2/1.3 V等电压电平。该稳压器沿用了其前代产品TLE6368/SONIC的设计理念，预稳压器的输出为微控制器线性电源的输入供电

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1+
￥26.86
10+
￥23.96
30+
￥21.59

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智能高端功率开关

型号：ITS716GFUMA1 编号：C2680402

封装：SOIC-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

N 沟道垂直功率 MOSFET，带电荷泵、地参考 CMOS 兼容输入和诊断反馈，采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能

数据手册

1+
￥28.48
10+
￥24.23
30+
￥21.7
100+
￥19.15

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600V 80A

型号：IKW75N60H3 编号：C2916135

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™技术。极低的VCEsat。低EMI。最高结温175℃。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，无卤模塑料，符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

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1+
￥30.05
10+
￥26.3
30+
￥24.07
90+
￥21.81
480+
￥20.77
960+
￥20.3

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单通道5.7 kV（有效值）隔离式栅极驱动IC，具备可调节的过饱和检测（DESAT）和软关断功能

型号：1ED3491MC12MXUMA1 编号：C17428940

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED34x1Mc12M系列（X3模拟）由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成，其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能，可简化高可靠性系统的设计

1+
￥34.2
10+
￥29.38
30+
￥26.44

有货

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单通道隔离式SiC-MOSFET驱动器

型号：1EDI3031ASXUMA1 编号：C17668389

封装：BFSOP-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER栅极驱动器1EDI3031AS是一款高压SiC-MOSFET驱动器，专为5 kW以上的汽车电机驱动而设计。该器件基于无芯变压器（CT）技术，在低压和高压域之间提供电流隔离。它支持400 V、600 V和1200 V的SiC-MOSFET技术

1+
￥34.55
10+
￥29.37
30+
￥26.29
100+
￥23.17

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1个N沟道耐压:60V 电流:180A

型号：IPB010N06N 编号：C536470

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道，正常电平。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

数据手册

1+
￥38.18
10+
￥33.08
30+
￥30.06

有货

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双IGBT驱动IC

型号：2ED020I12-F2 编号：C2916131

封装：DSO-36

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥47.04
10+
￥40.81
30+
￥37.02

有货

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CY7C1011DV33 10ZSXI

型号：CY7C1011DV33-10ZSXI 编号：C1349125

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1010DV33 是一款高性能 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 256K 字×8 位。通过低电平有效的片选信号（CE）、低电平有效的输出使能信号（OE）和三态驱动器，可轻松实现存储器扩展。向该器件写入数据时，需将片选信号（CE）和写使能信号（WE）置为低电平

数据手册

1+
￥47.19
10+
￥41.08
30+
￥37.36

有货

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IGT65R045D2ATMA1

型号：IGT65R045D2ATMA1 编号：C42669719

封装：PG-HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥58.44
10+
￥50.62
30+
￥45.85
100+
￥41.86

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16-Mbit (1M x 16/2M x 8) 静态随机存取存储器

型号：CY62167EV30LL-45ZXIT 编号：C511152

封装：TSOP-48-12.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高速度，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥62.94
10+
￥54.13
30+
￥48.76

有货

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IGT60R070D1

型号：IGT60R070D1 编号：C536084

封装：HSOF-8-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥73.5768 ￥83.61
10+
￥63.7032 ￥72.39
30+
￥57.684 ￥65.55
100+
￥52.6416 ￥59.82

有货

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S34ML04G100TFI000

型号：S34ML04G100TFI000 编号：C98940

封装：TSOPI-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

3.3V 4Gbit

数据手册

1+
￥73.59
10+
￥62.63
30+
￥55.95
100+
￥50.35

有货

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