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NPN 电流:50mA 电压:4.7V
型号：BF776H6327XTSA1 编号：C3199239
封装：SOT-343-4
品牌：Infineon(英飞凌)
高性能低噪声放大器。适用于多种非汽车应用，如无线局域网（WLAN）、全球微波互联接入（WiMax）、超宽带（UWB）、蓝牙（Bluetooth）、全球定位系统（GPS）、卫星数字音频广播（SDARs）、数字音频广播（DAB）、低噪声块下变频器（LNB）、通用移动通信系统（UMTS）/长期演进技术（LTE）以及工业、科学和医疗（ISM）频段。

  • 5+

    ￥1.036

  • 50+

    ￥0.8092

  • 150+

    ￥0.712

  • 500+

    ￥0.5908
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    NPN 电流:90mA 电压:12V
    型号：BFR93AE6327HTSA1 编号：C513260
    封装：SOT-23-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    用于集电极电流为 2 mA 至 30 mA 的低噪声、高增益宽带放大器，无铅（符合 RoHS 标准）封装，可提供根据 AEC-Q101 的认证报告
    数据手册

    • 5+

      ￥1.065

    • 50+

      ￥0.8487

    • 150+

      ￥0.756

    • 500+

      ￥0.6404
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:0.36A
    型号：BSR316P H6327 编号：C534589
    封装：SC-59-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道增强模式。逻辑电平。雪崩额定。无铅镀铅，符合RoHS标准。封装尺寸与SOT23兼容。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥1.2195 ￥2.71

    • 10+

      ￥0.756 ￥2.16

    • 30+

      ￥0.48 ￥1.92

    • 100+

      ￥0.4075 ￥1.63

    • 500+

      ￥0.3725 ￥1.49

    • 1000+

      ￥0.355 ￥1.42
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:600V
    型号：IPD60R1K5CE 编号：C536807
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.368 ￥3.04

    • 10+

      ￥0.952 ￥2.72

    • 30+

      ￥0.64 ￥2.56

    • 100+

      ￥0.6025 ￥2.41

    • 500+

      ￥0.5775 ￥2.31

    • 1000+

      ￥0.565 ￥2.26
  • 有货
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    NPN 硅数字晶体管
    型号：BCR 523 E6327 编号：C533902
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    适用于开关电路、逆变器电路、驱动电路，内置偏置电阻（R₁ = 1kΩ，R₂ = 10kΩ），无铅（符合RoHS标准）封装，符合AEC Q101标准。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6526

    • 50+

      ￥1.2846

    • 150+

      ￥1.127
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:110A
    型号：IPP050N10NF2S 编号：C5149848
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对广泛应用进行优化。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤
    数据手册

    • 5+

      ￥2.8117

    • 50+

      ￥2.3105

    • 150+

      ￥2.0957

    • 500+

      ￥1.8277
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:172A
    型号：IRFB7440PBF 编号：C48044
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,40V,172A,2.5mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.1

    • 10+

      ￥2.43

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      ￥1.67

    • 500+

      ￥1.51
  • 有货
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    耐压:650V 电流:6A
    型号：IPD60R360P7S 编号：C536820
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.11

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      ￥2.43

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      ￥2.14

    • 100+

      ￥1.78
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:98A
    型号：BSC032N04LS 编号：C194147
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,40V,98A,3.2mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.19

    • 10+

      ￥2.55

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      ￥2.22

    • 100+

      ￥1.9
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:6.8A
    型号：IPD60R1K0CE 编号：C536805
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.3

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      ￥2.91

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    • 1000+

      ￥2.35
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
    型号：IRF4104PBF 编号：C212027
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,Vdss=40V,Ic=75A
    数据手册

    • 1+

      ￥3.36

    • 10+

      ￥2.61

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      ￥2.29

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      ￥1.89

    • 500+

      ￥1.72
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:90A
    型号：IRFR7540TRPBF 编号：C3007637
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

    • 1+

      ￥3.78

    • 10+

      ￥3.07

    • 30+

      ￥2.71

    • 100+

      ￥2.36
  • 有货
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    高速CAN收发器，带总线唤醒功能
    型号：TLE6251DS 编号：C140570
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    高速CAN收发器，支持高达1 Mbaud的数据传输速率，适用于汽车和工业应用。具有远程唤醒功能。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.835 ￥6.5

    • 10+

      ￥2.891 ￥5.9

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      ￥2.1723 ￥5.57

    • 100+

      ￥2.028 ￥5.2

    • 500+

      ￥1.9617 ￥5.03

    • 1000+

      ￥1.9344 ￥4.96
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:16A 停产
    型号：IRFU3910PBF 编号：C3031
    封装：TO-251(IPAK)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,16A,115mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.11

    • 10+

      ￥3.28

    • 30+

      ￥2.87
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:160A
    型号：IRFB3306PBF 编号：C2643
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,160A,4.2mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.2

    • 10+

      ￥3.51

    • 50+

      ￥2.72

    • 100+

      ￥2.38
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:73A
    型号：BSC059N04LSG 编号：C151526
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,40V,16A,5.9mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.43

    • 10+

      ￥3.59

    • 30+

      ￥3.17

    • 100+

      ￥2.76
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:55V 电流:20A
    型号：IRLR9343TRPBF 编号：C67281
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-55V,-20A,170mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.59

    • 10+

      ￥3.69

    • 30+

      ￥3.24

    • 100+

      ￥2.79

    • 500+

      ￥2.52
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:46A
    型号：BSZ099N06LS5ATMA1 编号：C3279306
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了资格认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

    • 1+

      ￥4.71

    • 10+

      ￥3.8

    • 30+

      ￥3.35

    • 100+

      ￥2.9
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
    型号：IRFHM9331TRPBF 编号：C148156
    封装：PQFN3x3-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道 -30V -11A
    数据手册

    • 1+

      ￥4.86

    • 10+

      ￥3.77

    • 30+

      ￥3.3
  • 有货
    • 立即购买
    集成自举二极管（BSD）的600 V半桥栅极驱动器
    型号：2EDL05N06PF 编号：C533066
    封装：DSO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    2ED05 是一款 600V 半桥栅极驱动器系列产品。其英飞凌薄膜绝缘体上硅（thin-film-SOI）技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容
    数据手册

    • 1+

      ￥4.8762 ￥7.74

    • 10+

      ￥3.7259 ￥7.03

    • 30+

      ￥2.8552 ￥6.64

    • 100+

      ￥2.666 ￥6.2

    • 500+

      ￥2.5843 ￥6.01

    • 1000+

      ￥2.5456 ￥5.92
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
    型号：IPP057N06N3 G 编号：C537140
    封装：TO-220
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 1+

      ￥5.1328 ￥8.02

    • 10+

      ￥3.9906 ￥7.39

    • 50+

      ￥3.0756 ￥6.99

    • 100+

      ￥2.8996 ￥6.59

    • 500+

      ￥2.8204 ￥6.41

    • 1000+

      ￥2.7852 ￥6.33
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:150V 电流:21A
    型号：IPD530N15N3 G 编号：C536794
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。极低的导通电阻RDS(on)。175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准；无卤。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥5.66

    • 10+

      ￥4.78

    • 30+

      ￥4.34
  • 有货
    • 立即购买
    OptiMOS5功率MOSFET，25 V
    型号：BSZ013NE2LS5I 编号：C534640
    封装：TSDSON-8(3.3x3.3)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥5.84

    • 10+

      ￥4.74

    • 30+

      ￥4.18

    • 100+

      ￥3.64

    • 500+

      ￥3.31
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:950V 电流:2A
    型号：IPN95R3K7P7ATMA1 编号：C3278582
    封装：SOT-223
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss，降低了Qg、CGS 和 CGD。 同类最佳的 SOT-223 RDS(on)。 同类最佳的 VGS(th) 为 3V，且 VGS(th) 变化最小，为 ±0.5V。 集成齐纳二极管 ESD 保护。 同类最佳的品质和可靠性。 完全优化的产品组合。应用：推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源的反激式拓扑。 也适用于消费和太阳能应用中的 PFC 级

    • 1+

      ￥5.9

    • 10+

      ￥4.8

    • 30+

      ￥4.25

    • 100+

      ￥3.7
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 电流:15.1A
    型号：IPA65R400CE 编号：C501513
    封装：TO-220F
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。CoolMOS CE系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术相结合。由此产生的器件在不牺牲易用性的同时，具备了快速开关超结MOSFET的所有优势
    数据手册

    • 1+

      ￥5.95

    • 10+

      ￥4.83

    • 50+

      ￥4.27
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
    型号：IAUZ40N10S5L120ATMA1 编号：C3289321
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

    • 1+

      ￥6.21

    • 10+

      ￥5.1

    • 30+

      ￥4.49

    • 100+

      ￥3.8

    • 500+

      ￥3.5
  • 有货
    • 立即购买
    OptiMOs 7汽车级功率MOSFET，40 V
    型号：IAUCN04S7L028ATMA1 编号：C29536843
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。 增强模式。 逻辑电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 坚固的设计。应用：一般汽车应用

    • 1+

      ￥6.64

    • 10+

      ￥5.44

    • 30+

      ￥4.83

    • 100+

      ￥4.24
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:50A
    型号：IPD200N15N3 G 编号：C386332
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道 150V 50A
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    1个N沟道 耐压:900V 电流:5.1A
    型号：IPD90R1K2C3 编号：C386347
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,900V,5.1A
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    1个N沟道 耐压:25V 电流:147A
    型号：BSC015NE2LS5I 编号：C3278724
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N 沟道。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 为无卤产品

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