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首页 > 热门关键词 > Infineon传感器
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N沟道,40V,180A,3.7mΩ@10V
数据手册
  • 1+

    ¥5.71
  • 10+

    ¥4.68
  • 50+

    ¥4.17
  • 100+

    ¥3.66
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥5.9052 ¥15.96
    • 10+

      ¥4.1067 ¥15.21
    • 30+

      ¥2.5092 ¥14.76
    • 100+

      ¥2.4327 ¥14.31
    • 500+

      ¥2.397 ¥14.1
    • 800+

      ¥2.3817 ¥14.01
  • 有货
  • TLE6250G是一款适用于12V和24V应用的高速CAN收发器,支持高达1Mbps的数据传输速率,并具有接收模式和待机模式。该器件提供优异的EMC性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.92
    • 10+

      ¥4.78
    • 30+

      ¥4.2
    • 100+

      ¥3.63
    • 500+

      ¥3.05
  • 有货
  • 特性:高插入功率增益:20.0 dB。 带外输入三阶截点:-2 dBm
    数据手册
    • 1+

      ¥5.99
    • 10+

      ¥4.77
    • 30+

      ¥4.16
    • 100+

      ¥3.55
    • 500+

      ¥3.19
    • 1000+

      ¥3
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了技术优化。 具有出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,逻辑电平。 100%经过雪崩测试。 无铅镀层,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥6.05
    • 10+

      ¥5.44
    • 30+

      ¥5.11
    • 100+

      ¥4.74
  • 有货
  • 特性:针对广泛应用进行优化。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥6.47
    • 10+

      ¥5.8
    • 50+

      ¥5.43
    • 100+

      ¥5.02
    • 500+

      ¥4.83
  • 有货
  • N沟道,150V,17A,95mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.59
    • 10+

      ¥5.54
    • 50+

      ¥4.6
    • 100+

      ¥4.08
  • 有货
  • 特性:4.5V VGS时极低的RDS(on)。 低栅极电荷。 完全表征雪崩电压和电流。 最大栅极额定电压20V。 改进的体二极管反向恢复。 100%测试RG。应用:笔记本电脑、服务器、显卡、游戏机和机顶盒中的负载点转换器的双SO-8 MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥6.74
    • 10+

      ¥5.55
    • 30+

      ¥4.95
    • 100+

      ¥4.36
    • 500+

      ¥4.01
  • 有货
  • 特性:符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。 快速恢复。 软开关。 低反向恢复电荷。 低正向电压且温度稳定性好。应用:连续导通模式(CCM)功率因数校正(PFC)中的升压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥6.8799 ¥9.69
    • 10+

      ¥5.7828 ¥9.48
    • 50+

      ¥4.7634 ¥9.34
    • 100+

      ¥4.692 ¥9.2
  • 有货
  • N沟道,75V,128A,5.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.91
    • 10+

      ¥5.7
    • 50+

      ¥5.03
    • 100+

      ¥4.27
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥6.99
    • 10+

      ¥5.91
    • 30+

      ¥5.32
    • 100+

      ¥4.64
  • 有货
  • N沟道 100V 7.3A
    数据手册
    • 1+

      ¥7.1001 ¥11.27
    • 10+

      ¥6.0228 ¥9.56
    • 30+

      ¥5.3487 ¥8.49
    • 100+

      ¥4.6557 ¥7.39
    • 500+

      ¥4.347 ¥6.9
    • 1000+

      ¥4.2084 ¥6.68
  • 有货
  • 特性:适用于同步整流、电机驱动和 DC/DC 开关电源。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道,正常电平。 100% 雪崩测试。 符合 JEDEC 标准,适用于目标应用。 无铅电镀,符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    • 1+

      ¥7.35
    • 10+

      ¥6.65
    • 30+

      ¥6.27
    • 100+

      ¥5.84
    • 500+

      ¥5.65
    • 1000+

      ¥5.56
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥7.52
    • 10+

      ¥6.29
    • 30+

      ¥5.61
    • 100+

      ¥4.65
    • 500+

      ¥4.31
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行技术优化。具有出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。N沟道,逻辑电平。100%经过雪崩测试。无铅电镀,符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥7.55
    • 10+

      ¥6.92
    • 50+

      ¥6.53
    • 100+

      ¥6.12
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关。 针对DC/DC转换器进行了技术优化。 具有出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(FOM)。 N沟道,逻辑电平。 经过100%雪崩测试。 无铅电镀,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥7.99
    • 10+

      ¥7.27
    • 30+

      ¥6.82
    • 100+

      ¥6.36
  • 有货
  • N沟道,20V,49A,0.95mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.02
    • 10+

      ¥6.68
    • 30+

      ¥5.95
    • 100+

      ¥5.13
  • 有货
  • N沟道,60V,200A,3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.26
    • 10+

      ¥6.86
    • 25+

      ¥6.1
    • 100+

      ¥5.24
  • 有货
  • 特性:针对广泛应用进行优化。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥8.45
    • 10+

      ¥7.7
    • 30+

      ¥7.23
    • 100+

      ¥6.74
    • 500+

      ¥6.53
  • 有货
  • FM24C64B是一款64Kbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺,具有高耐久性和低功耗。支持快速2线串行接口(I2C),最高时钟频率可达1MHz。适用于频繁写入的应用,如数据记录和工业控制。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.74
    • 10+

      ¥7.19
    • 30+

      ¥6.34
    • 100+

      ¥5.37
    • 500+

      ¥4.94
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥8.83
    • 10+

      ¥7.28
    • 30+

      ¥6.42
    • 100+

      ¥5.46
  • 有货
  • 特性:符合JEDEC标准,适用于目标应用。 600V发射极控制技术。 快速恢复。 软开关。 低反向恢复电荷。 低正向电压。应用:工作范围高达30kHz的PFC应用开关二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥9.3633 ¥13.57
    • 10+

      ¥7.375 ¥12.5
    • 30+

      ¥5.8016 ¥11.84
    • 90+

      ¥5.4684 ¥11.16
    • 510+

      ¥5.3165 ¥10.85
    • 990+

      ¥5.2528 ¥10.72
  • 有货
  • 塑封
    数据手册
    • 1+

      ¥9.99
    • 10+

      ¥8.4
    • 50+

      ¥7.41
    • 100+

      ¥6.39
  • 有货
  • 特性:低RDSon (< 9 mΩ)。 低至PCB的热阻 (<0.5℃/W)。 低传导损耗。 100% Rg测试。 低外形 (<0.9 mm)。 行业标准引脚排列。应用:二次侧同步整流。 直流电机逆变器
    数据手册
    • 1+

      ¥10
    • 10+

      ¥8.3
    • 30+

      ¥7.38
    • 100+

      ¥6.32
  • 有货
  • 采用TRENCHSTOPTM 5技术的高速5 FAST IGBT,与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.0164 ¥14.73
    • 10+

      ¥8.1432 ¥14.04
    • 50+

      ¥6.5424 ¥13.63
    • 100+

      ¥6.3408 ¥13.21
    • 500+

      ¥6.2496 ¥13.02
    • 1000+

      ¥6.2064 ¥12.93
  • 有货
  • N沟道,150V,43A,0.042mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.37
    • 10+

      ¥8.84
    • 30+

      ¥7.89
    • 100+

      ¥6.91
  • 有货
  • 特性:极佳的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 极低的反向恢复电荷 Qrr。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥10.41
    • 10+

      ¥8.67
    • 50+

      ¥7.72
  • 有货
  • N沟道,55V,81A,12mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.61
    • 10+

      ¥8.72
    • 25+

      ¥7.68
    • 100+

      ¥6.5
  • 有货
  • 高速双封装:采用沟槽和场截止技术的 IGBT,配备软恢复、快速恢复的反并联二极管。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.96
    • 10+

      ¥9.18
    • 30+

      ¥7.87
    • 90+

      ¥6.73
  • 有货
  • S34ML01G200TFI000 是一款 1 Gb 3 V 4-bit ECC SLC NAND Flash 存储器,适用于嵌入式系统。它支持 x8 和 x16 接口,具有 3.3 V 供电电压,支持 4-bit ECC。该存储器具有高可靠性和长寿命,适用于需要高数据完整性的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.3088 ¥14.88
    • 10+

      ¥8.3754 ¥12.69
    • 30+

      ¥6.3336 ¥11.31
    • 96+

      ¥5.544 ¥9.9
    • 480+

      ¥5.1912 ¥9.27
    • 960+

      ¥5.0344 ¥8.99
  • 有货
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