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特性:针对逻辑电平驱动进行优化。 改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。 完全表征了电容和雪崩SOA。 增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。 无铅,符合RoHS标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
数据手册
  • 1+

    ¥22.32
  • 10+

    ¥19.1
  • 30+

    ¥17.19
  • 100+

    ¥15.25
  • 有货
  • Vce=600V,Ic=80A,Vce(sat)=1.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥24.83
    • 10+

      ¥21.19
    • 30+

      ¥18.02
  • 有货
  • 特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷Qs。 最高结温175℃。 经过动态应力测试。应用:车载充电器。 非车载充电器
    数据手册
    • 1+

      ¥24.87
    • 10+

      ¥24.24
    • 30+

      ¥23.81
  • 有货
  • CYT2B9是TRAVEO T2G微控制器系列的一部分,主要针对汽车系统如车身控制单元。它配备了Arm Cortex-M4 CPU用于主处理和一个Arm Cortex M0+ CPU用于外围设备和安全处理。这些设备包含支持Controller Area Network with Flexible Data rate (CAN FD)、Local Interconnect Network (LIN)以及Clock Extension Peripheral Interface (CXPI)的嵌入式外设。TRAVEO T2G设备采用先进的40纳米工艺制造,CYT2B9集成了Cypress低功耗闪存、多个高性能模拟和数字外设,并支持创建安全计算平台。
    • 1+

      ¥29.46
    • 10+

      ¥28.04
    • 30+

      ¥27.17
    • 100+

      ¥26.44
  • 有货
  • 特性:超快速开关和高效率。 节省空间且高度可靠的封装。 无反向恢复电荷。 超低栅极电荷和输出电荷。 顶部散热出色的裸片外露设计。 防潮等级MSL1。应用:电池供电工具。 AC-DC和DC-DC转换器的同步整流
    • 1+

      ¥30
    • 10+

      ¥26.03
    • 30+

      ¥23.67
    • 100+

      ¥18.7264 ¥21.28
    • 500+

      ¥17.7584 ¥20.18
    • 1000+

      ¥17.3184 ¥19.68
  • 有货
  • 特性:适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥32.29
    • 10+

      ¥30.62
    • 30+

      ¥29.6
    • 100+

      ¥28.75
  • 有货
  • 特性:CMOS 3.0伏核心,具有通用I/O。SPI支持多I/O。SPI时钟极性和相位模式0和3,支持DDR选项。扩展寻址:24位或32位地址选项。串行命令集和引脚布局与S25FL A、S25FL K和S25FL P SPI系列兼容。多I/O命令集和引脚布局与S25FL P SPI系列兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥32.79
    • 10+

      ¥28.17
    • 30+

      ¥25.36
    • 100+

      ¥23.01
  • 有货
    • 1+

      ¥38.71
    • 10+

      ¥33.62
    • 30+

      ¥30.52
  • 有货
  • 特性:N沟道。 增强模式。 AEC合格。 MSL1高达260℃峰值回流。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥38.84
    • 10+

      ¥33.7
    • 30+

      ¥30.57
  • 有货
    • 1+

      ¥54.93
    • 10+

      ¥46.85
    • 30+

      ¥41.93
  • 有货
  • 特性:低Vce(ON)沟槽IGBT技术。 低开关损耗。 最高结温175℃。 5μs短路安全工作区。 方形反向偏置安全工作区。 100%的器件进行ILM测试。 正Vce(ON)温度系数。 紧密的参数分布。 无铅封装
    数据手册
    • 1+

      ¥63.69
    • 10+

      ¥55.79
    • 25+

      ¥45.36
  • 有货
    • 1+

      ¥73.14
    • 10+

      ¥69.5
    • 30+

      ¥63.21
  • 有货
  • 3.3V 4Gbit
    数据手册
    • 1+

      ¥76.44
    • 10+

      ¥65.48
    • 30+

      ¥58.8
    • 100+

      ¥53.2
  • 有货
    • 1+

      ¥77
    • 10+

      ¥66.06
    • 30+

      ¥59.38
    • 100+

      ¥53.79
  • 有货
  • 该模块系列提供了集成各种功率和控制组件的机会,以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机,适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用,同时具备 EMI 安全控制和过载保护功能。反向导通 IGBT 与优化的 SOI 栅极驱动器相结合,以实现出色的电气性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥81.85
    • 10+

      ¥71.46
    • 28+

      ¥62.91
    • 98+

      ¥57.6
  • 有货
  • IGBT模块
    数据手册
    • 1+

      ¥93.78
    • 10+

      ¥92.42
    • 30+

      ¥90.06
    • 100+

      ¥88
  • 有货
  • CY15B104Q是一款4兆位非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),支持高速SPI接口。它具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力,支持高达40 MHz的时钟频率,低功耗,适用于频繁写入的应用场景。
    数据手册
    • 1+

      ¥113.03
    • 10+

      ¥107.69
    • 30+

      ¥98.43
    • 100+

      ¥90.36
  • 有货
    • 1+

      ¥136.67
    • 10+

      ¥130.21
    • 30+

      ¥119.02
  • 有货
  • 特性:低VCEsat-Trenchstop™ IGBT7。过载运行可达175℃。2.5 kV AC 1min绝缘。Al₂O₃基板,低热阻。高功率密度。紧凑设计。应用:辅助逆变器。空调
    • 1+

      ¥205.2
    • 30+

      ¥198
  • 有货
  • 62mm C系列模块,带有用于高频开关的快速IGBT2
    数据手册
    • 1+

      ¥526.34
    • 30+

      ¥500.25
  • 有货
  • 特性:低开关损耗。 低VCEsat。 极高的鲁棒性。 VCEsat具有正温度系数。 外壳的CTI > 400。 高爬电距离和电气间隙。应用:高功率转换器。 电机驱动
    • 1+

      ¥883.28
    • 30+

      ¥839.5
  • 有货
    • 1+

      ¥2736
    • 28+

      ¥2640
  • 有货
  • 硅肖特基二极管 用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管,采用无铅(符合 RoHS 标准)封装,符合 AEC Q101 标准。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.33592 ¥0.884
    • 50+

      ¥0.198072 ¥0.7074
    • 150+

      ¥0.11142 ¥0.619
    • 500+

      ¥0.099504 ¥0.5528
    • 3000+

      ¥0.089964 ¥0.4998
    • 6000+

      ¥0.085194 ¥0.4733
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:0.1 mA 至 100 mA。 低集电极-发射极饱和电压。 对于 SMBT3904S:一个封装中有两个(电流)内部隔离且匹配良好的晶体管。 互补类型:SMBT3906... MMBT3906。 无铅(符合 RoHS 标准)封装。 根据 AEC Q101 认证
    • 5+

      ¥0.3364
    • 50+

      ¥0.3293
    • 150+

      ¥0.3245
    • 500+

      ¥0.3198
  • 有货
  • 特性:N-沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅引脚电镀。 符合RoHS标准。 根据ABC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥0.502326 ¥0.7611
    • 50+

      ¥0.34104 ¥0.609
    • 150+

      ¥0.24518 ¥0.533
    • 500+

      ¥0.21896 ¥0.476
    • 3000+

      ¥0.197938 ¥0.4303
    • 6000+

      ¥0.18745 ¥0.4075
  • 有货
  • 这款静电放电(ESD)保护器件具有双向对称的电流-电压(I/V)特性和出色的钳位性能。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5326
    • 50+

      ¥0.4246
    • 150+

      ¥0.3706
    • 500+

      ¥0.3301
  • 有货
  • 特性:N沟道增强模式。 逻辑电平(额定4.5V)。 雪崩额定。 符合AEC Q101标准。 100%无铅;符合RoHS标准,无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6631
    • 50+

      ¥0.5195
    • 150+

      ¥0.4477
    • 500+

      ¥0.3938
    • 2500+

      ¥0.3507
  • 有货
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