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电压:45V 电流:750mA
型号：BAS5202VH6433XTMA1 编号：C3758354
封装：SC-79-2
品牌：Infineon(英飞凌)
特性：中电流整流肖特基二极管。 200mA时正向电压低。 高反向电压。 无铅（符合RoHS标准）封装。 符合AEC Q101标准

  • 5+

    ￥0.7146

  • 50+

    ￥0.7002

  • 150+

    ￥0.6906

  • 500+

    ￥0.64695 ￥0.681
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:0.021A
    型号：BSS126IXTSA1 编号：C3288820
    封装：SOT-23-3-5
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道。耗尽模式。dv/df额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。完全符合JEDEC工业应用标准

    • 5+

      ￥0.9684

    • 50+

      ￥0.7617

    • 150+

      ￥0.6731

    • 500+

      ￥0.5626
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    NPN 电流:210mA 电压:16V
    型号：BFR106E6327 编号：C439780
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：高线性度低噪声。 900 MHz、8 V、70 mA 条件下，OP1dB 为 22 dBm，OIP3 为 31 dBm。 集电极设计支持 5 V 电源电压。 无铅（符合 RoHS 标准）封装。 可提供根据 AEC-Q101 的认证报告。应用：UHF / VHF 应用。 多级放大器驱动
    数据手册

    • 5+

      ￥1.01025 ￥1.1225

    • 50+

      ￥0.99216 ￥1.1024

    • 150+

      ￥0.9801 ￥1.089

    • 500+

      ￥0.96804 ￥1.0756
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:3.2A
    型号：BSS606NH6327 编号：C151515
    封装：SOT-89
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,3.2A,60mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1531

    • 50+

      ￥0.9162

    • 150+

      ￥0.8147
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.23A
    型号：BSS159N H6327 编号：C534606
    封装：SOT-23-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道。耗尽模式。dv/dt额定。卷轴上带有VGS(th)指示器。根据AEC Q101标准认证。100%无铅；无卤素，符合RoHS标准
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2422

    • 50+

      ￥0.9781

    • 150+

      ￥0.865

    • 500+

      ￥0.7237
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    70V 140mA
    型号：BGX50AE6327 编号：C74966
    封装：SOT-143
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：桥接配置。 高速开关二极管芯片。 无铅（符合RoHS标准）封装。 根据AEC Q101标准认证
    数据手册

    • 5+

      ￥1.40316 ￥1.5945

    • 50+

      ￥1.152096 ￥1.3092

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      ￥1.044472 ￥1.1869

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      ￥0.910184 ￥1.0343

    • 3000+

      ￥0.720104 ￥0.8183

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      ￥0.684288 ￥0.7776
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    电压:10V 电流:3A
    型号：BAT60BE6327 编号：C91059
    封装：SOD-323
    品牌：Infineon(英飞凌)
    硅肖特基二极管 大电流整流肖特基二极管，正向压降（VF）极低（在正向电流（IF）为10mA时，典型值为0.24V） 适用于电源应用 适用于低压应用中的钳位和保护 适用于检测和升压转换 无铅（符合RoHS标准）封装 符合AEC Q101标准
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4443

    • 50+

      ￥1.1395

    • 150+

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    • 500+

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    • 3000+

      ￥0.6908

    • 6000+

      ￥0.6472
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    BB85702VH7902XTSA1
    型号：BB85702VH7902XTSA1 编号：C3272467
    封装：SC-79-2
    品牌：Infineon(英飞凌)
    用于卫星调谐器，具有高电容比、低串联电阻的特点，由于“在线”匹配组装程序，具有出色的均匀性和匹配性，采用无铅（符合RoHS标准）封装。

    • 5+

      ￥1.6033

    • 50+

      ￥1.2757

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      ￥1.1353

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      ￥0.9211
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    耐压:30V 电流:63A
    型号：BSC0906NS 编号：C534384
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能降压转换器进行优化。 针对干净的开关进行优化。 100% 雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 无卤
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6129

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      ￥0.9195
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：IRFTS9342TRPBF 编号：C538060
    封装：TSOP-6
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：行业标准TSOP-6封装。 符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，通过消费级认证。 多供应商兼容。 更环保。 可靠性更高。应用：电池供电的直流电机逆变器MOSFET。 系统/负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6603

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      ￥1.2935

    • 150+

      ￥1.1363

    • 500+

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      ￥0.8005
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:0.36A
    型号：BSR316P H6327 编号：C534589
    封装：SC-59-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道增强模式。逻辑电平。雪崩额定。无铅镀铅，符合RoHS标准。封装尺寸与SOT23兼容。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥1.96

    • 10+

      ￥1.73

    • 30+

      ￥1.63

    • 100+

      ￥1.5

    • 500+

      ￥1.45

    • 1000+

      ￥1.42
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    输出200mA
    型号：BCR420UE6327 编号：C129165
    封装：SC-74-6
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 5+

      ￥2.0993

    • 50+

      ￥1.7093

    • 150+

      ￥1.5422

    • 500+

      ￥1.3337

    • 3000+

      ￥1.0822

    • 6000+

      ￥1.0265
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:25A
    型号：IRFH8334TRPBF 编号：C152623
    封装：PQFN-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：低热阻至PCB (< 4.1℃/W)。 低外形 (< 1.2mm)。 行业标准引脚排列。 与现有表面贴装技术兼容。 符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，消费级认证。应用：高频降压转换器的控制MOSFET

    • 1+

      ￥2.24

    • 10+

      ￥1.98

    • 30+

      ￥1.87

    • 100+

      ￥1.72

    • 500+

      ￥1.66

    • 1000+

      ￥1.62
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:18A
    型号：BSZ440N10NS3G 编号：C476115
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：非常低的栅极电荷，适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃ 工作温度。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥2.78

    • 10+

      ￥2.22

    • 30+

      ￥1.99

    • 100+

      ￥1.69

    • 500+

      ￥1.56
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 60V 500mA
    型号：BCP49H6327XTSA1 编号：C5952067
    封装：SOT-223
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 无铅（符合RoHS标准）封装。 根据AEC Q101标准认证

    • 1+

      ￥2.92

    • 10+

      ￥2.27

    • 30+

      ￥1.99

    • 100+

      ￥1.65

    • 500+

      ￥1.49

    • 1000+

      ￥1.4
  • 有货
    • 立即购买
    SIPMos小信号晶体管
    型号：BSP613PH6327 编号：C534578
    封装：SOT-223
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道增强模式。 雪崩额定。 dv/dt额定。 适用于快速开关降压转换器。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据AEC Q101进行认证。 根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥3.08

    • 10+

      ￥2.39

    • 30+

      ￥2.09

    • 100+

      ￥1.72

    • 500+

      ￥1.56
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 耐压:60V 电流:1.9A
    型号：ISP25DP06LMS 编号：C538450
    封装：SOT-223
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道。 在VDS = -4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥3.12

    • 10+

      ￥2.79

    • 30+

      ￥2.63

    • 100+

      ￥2.47

    • 500+

      ￥2.37

    • 1000+

      ￥2.32
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:29A
    型号：IPD350N06LGBTMA1 编号：C3289137
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于快速开关转换器和同步整流。 N沟道增强型逻辑电平。 工作温度175℃。 雪崩额定。 无铅镀铅，符合RoHS标准

    • 1+

      ￥3.141 ￥3.49

    • 10+

      ￥2.826 ￥3.14

    • 30+

      ￥2.673 ￥2.97

    • 100+

      ￥2.52 ￥2.8

    • 500+

      ￥2.475 ￥2.75

    • 1000+

      ￥2.421 ￥2.69
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:98A
    型号：BSC030N03LSGATMA1 编号：C6753338
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。 针对直流-直流转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格认证。 N沟道；逻辑电平。 出色的栅极电荷×导通电阻积（品质因数）。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 雪崩额定。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

    • 1+

      ￥3.46

    • 10+

      ￥2.73

    • 30+

      ￥2.41

    • 100+

      ￥2.02

    • 500+

      ￥1.85
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：BSC100N06LS3G 编号：C72767
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道
    数据手册

    • 1+

      ￥3.84

    • 10+

      ￥3.14

    • 30+

      ￥2.78

    • 100+

      ￥2.44

    • 500+

      ￥1.94
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:42A
    型号：IRFR3710ZTRPBF 编号：C52839
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,42A,18mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.31

    • 10+

      ￥3.43

    • 30+

      ￥2.99

    • 100+

      ￥2.56
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:43A
    型号：IPD180N10N3GATMA1 编号：C3279048
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N 沟道，正常电平。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证，适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

    • 1+

      ￥4.38

    • 10+

      ￥3.85

    • 30+

      ￥3.59

    • 100+

      ￥3.33
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:160A
    型号：IRFB3306PBF 编号：C2643
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,160A,4.2mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.39

    • 10+

      ￥3.65

    • 50+

      ￥2.82

    • 100+

      ￥2.46
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V
    型号：IPD30N06S4L-23 编号：C536754
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道。 增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
    数据手册

    • 1+

      ￥4.4778 ￥8.78

    • 10+

      ￥3.0094 ￥7.34

    • 30+

      ￥2.0305 ￥6.55

    • 100+

      ￥1.7546 ￥5.66

    • 500+

      ￥1.6306 ￥5.26

    • 1000+

      ￥1.5748 ￥5.08
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:232A
    型号：IRFB7534PBF 编号：C537870
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

    • 1+

      ￥4.48

    • 10+

      ￥3.82

    • 50+

      ￥2.85

    • 100+

      ￥2.52
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：BSC020N03LS G 编号：C386344
    封装：TDSON-8-EP(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器进行优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格鉴定。N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。雪崩额定。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:40A
    型号：BSZ028N04LS 编号：C534649
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 在 VDS 为 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。 100% 经过雪崩测试。 出色的热阻性能。 N 沟道。 符合 JEDEC 标准，适用于目标应用。 无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准，无卤素。 扩大源极互连，提高焊点可靠性
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：IRF7413TRPBF 编号：C2998
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,30V,13A,11mΩ@10V
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5.3A
    型号：IRF7317TRPBF 编号：C454608
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代HEXFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。SO-8通过定制的引线框架进行了改进，具有增强的热特性和多芯片能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，多个器件可以在应用中使用，大大减少了电路板空间。该封装设计用于气相、红外或波峰焊接技术。
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
    型号：IAUC100N04S6N015ATMA1 编号：C3288831
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。正常电平。AEC Q101认证。MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试

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