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特性:针对高性能降压转换器(服务器、VGA)进行优化。 对于高频开关电源具有非常低的Qoss品质因数。 对于高频开关电源具有低的SW品质因数。 出色的栅极电荷x导通电阻乘积(品质因数)。 在栅源电压为4.5V时具有非常低的导通电阻。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
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  • N沟道,55V,30A,14mΩ@10V
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  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS P6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的同时,具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
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  • IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道,专为半桥应用而设计。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容
    数据手册
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  • CCG3PA提供额外的功能和BOM集成优势。使用Cypress专有的MoS8技术,支持USB PD3.0 Version 1.1 Spec,包括可编程电源模式。
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  • 第五代 HEXFET 功率场效应晶体管采用先进的工艺技术,以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势,再结合 HEXFET 功率 MOSFET 闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,适用于各种应用场景。D2Pak 是一种表面贴装功率封装,能够容纳尺寸达 HEX - 4 的芯片
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  • 有货
  • 特性:优化同步整流技术。 适用于高频开关和DC/DC转换器。 出色的栅极电荷×R_D(S(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准,无卤素。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
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  • IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
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  • N沟道,100V,63A,13.9mΩ@10V
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      ¥8.83
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      ¥7.42
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      ¥6.65
  • 有货
  • 特性:针对同步整流进行优化。 集成单片肖特基类二极管。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 N沟道,逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚电镀,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
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      ¥9.08
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  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
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      ¥9.1
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  • TLE94108EL是一款带保护功能的八路半桥驱动器,专为汽车运动控制应用而设计,如加热、通风和空调(HVAC)风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分,该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器,具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行方式驱动直流电机负载
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  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
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      ¥9.2032 ¥14.38
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      ¥7.1604 ¥13.26
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      ¥4.9984 ¥11.36
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  • ICL5102是一款高度集成的多模式(临界连续模式和不连续模式)PFC和谐振半桥组合控制器。将PFC和HB集成到单个控制器中,可以减少外部元件数量,并通过两个阶段的协调工作优化性能。两阶段方法将PFC职责与输出电流调节功能分开。这确保了输出电压和电流的变化很小,并允许低THD、高功率因数以及更强的抗交流线路干扰能力。PFC转换器的多模式操作在整个负载范围内提供了出色的效率。谐振HB转换器支持LLC和LCC拓扑结构,并具有固定或可变开关频率控制,以实现最高效率,而ABM则实现了低待机功耗。全面的保护功能与自动重启功能确保了组件和整个系统的最高安全性和可靠性。
    数据手册
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      ¥9.38
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  • LITIX Basic+ TLD2331-3EP 是一款具有集成输出级的三通道高端驱动IC。它设计用于控制电流高达80毫安的LED。在典型的汽车应用中,如果不受整个系统热特性限制的话,该器件能够以高达60毫安甚至更高的电流驱动每串3个红色LED(总共9个LED)。实际上,输出电流由外部电阻或参考源控制,独立于负载和供电电压的变化。
    数据手册
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  • 有货
  • 最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新标杆,它将一流的性能与最先进的易用性完美结合,这得益于超过18年超结技术的开创性创新。
    数据手册
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  • 有货
  • 是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列,通过无芯变压器(CT)技术提供功能(2EDFx)或增强(2EDSx)输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快,特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET(CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC)。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计,针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计,提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强(安全)和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度:4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET,1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变(EMI)。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器(如1EDNx 4A/8A)结合用作PWM数据耦合器,该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置
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  • 有货
  • 是一款高性能数字PDM MEMS麦克风,旨在实现70dB(A)的高信噪比。由于其高灵敏度和高信噪比,非常适合用于高级音频捕捉,可提升笔记本电脑、平板电脑、相机和会议系统的音频体验。基于英飞凌的密封双膜MEMS技术,可在麦克风级别提供高防护等级(IP57)。
    • 1+

      ¥12.69
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      ¥9.36
    • 100+

      ¥8.05
  • 有货
  • 特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关行为基准。 无反向恢复/无正向恢复。 与温度无关的开关行为。 高浪涌电流能力。应用:SMPS(如CCM PFC)。 电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥15.26
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      ¥12.47
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      ¥10.72
    • 100+

      ¥8.93
  • 有货
  • N沟道,75V,209A,4.5mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥15.8
    • 10+

      ¥13.4
    • 25+

      ¥11.89
    • 100+

      ¥10.35
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。 无铅,符合RoHS标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥15.9
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      ¥13.54
    • 30+

      ¥12.07
    • 100+

      ¥10.34
  • 有货
  • IRF7748L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合,在封装尺寸小于D2PAK且高度仅为0.7 mm的情况下实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN 1035中关于制造方法和工艺的说明时,DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.07
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      ¥16.17
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      ¥15.63
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      ¥15.08
  • 有货
  • 1ED31xxMC12H(1ED-X3 Compact)栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流,或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内,采用CMOS阈值电平,以支持3.3 V微控制器
    • 1+

      ¥17.28
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      ¥14.57
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      ¥12.87
    • 100+

      ¥11.13
  • 有货
  • TLE9201SG是一款通用型6A H桥,专为汽车应用中的直流电机或其他感性负载控制而设计(但不限于这些应用)。输出可进行脉宽调制,最高频率达20kHz。PWM/DIR控制减少了微控制器端所需的具备PWM功能的引脚数量
    数据手册
    • 1+

      ¥18.7
    • 10+

      ¥15.87
    • 30+

      ¥14.1
    • 100+

      ¥12.29
  • 有货
  • CoolMOS C7是一种用于高压功率MOSFET的创新技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。600V C7是首款RDS(on) * A低于1Ohm * mm的技术。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.82
    • 10+

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      ¥17.21
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      ¥16.61
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      ¥16.33
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷(Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)和改善的关断行为,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合,同时不牺牲设计过程中的易实现性
    数据手册
    • 1+

      ¥19.368 ¥21.52
    • 10+

      ¥16.84 ¥21.05
    • 30+

      ¥14.518 ¥20.74
    • 100+

      ¥14.301 ¥20.43
  • 有货
  • 1ED31xxMC12H(1ED-X3 Compact)栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流,或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内,采用CMOS阈值电平,以支持3.3 V微控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥22.33
    • 10+

      ¥18.98
    • 30+

      ¥16.99
    • 100+

      ¥14.98
  • 有货
  • N沟道,800V,11A,450mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥22.47
    • 10+

      ¥19.08
    • 50+

      ¥17.06
  • 有货
  • 是高效的功能安全电源管理集成电路(PMIC)。
    数据手册
    • 1+

      ¥24.8
    • 10+

      ¥21.14
    • 30+

      ¥18.96
    • 100+

      ¥16.76
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