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    ¥13.2
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    数据手册
    • 1+

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      ¥14.6
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      ¥13.67
  • 有货
  • IRF7739L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合,在封装尺寸小于D²PAK且高度仅为0.7mm的情况下实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时,DirectFET封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热,可最大程度提高电源系统的热传递效率
    数据手册
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    • 100+

      ¥19.46
    • 500+

      ¥19.14
  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET。N沟道。增强模式。正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。应用:一般汽车应用
    • 1+

      ¥23.2
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      ¥19.95
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  • 有货
  • Vce=600V,Ic=80A,Vce(sat)=1.5V
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      ¥24.83
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      ¥21.19
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      ¥18.02
  • 有货
  • SAE 800 是一款单音、双音或三音锣声集成电路,专为极宽的电源电压范围而设计。例如,如果将振荡器设置为 f₀ = 13.2 kHz,该集成电路在三音模式下将发出小三度和大三度音 Θ² - 升 C - a,对应频率为 660 Hz - 550 Hz - 440 Hz;在双音模式下发出小三度音 Θ² - 升 C;在单音模式下发出音 Θ²(由基频 f₀ 推导得出;f₁ = f₀ / 20,f₂ = f₀ / 24,f₃ = f₀ / 30)。未触发时,该集成电路处于待机状态,仅消耗几 μA 电流
    数据手册
    • 1+

      ¥87.24
    • 10+

      ¥83.21
    • 30+

      ¥76.22
  • 有货
  • 特性:扩展工作温度 TVJop。低开关损耗。低 VCEsat。TVJop = 150°C。VCEsat 具有正温度系数。应用:高功率转换器。电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥325.49
    • 10+

      ¥317.4
  • 有货
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      ¥0.356608 ¥0.5572
    • 50+

      ¥0.26649 ¥0.4935
    • 150+

      ¥0.203148 ¥0.4617
    • 500+

      ¥0.192676 ¥0.4379
    • 2500+

      ¥0.184272 ¥0.4188
    • 5000+

      ¥0.180048 ¥0.4092
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压。 互补类型:SMBT2907A / MMBT2907A(PNP)。 无铅(符合RoHS标准)封装。 根据AEC Q101标准认证
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7266
    • 50+

      ¥0.5898
    • 150+

      ¥0.5214
    • 500+

      ¥0.4701
  • 有货
  • P沟道,30V,2.3A,165mΩ@2.3A,10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7902
    • 50+

      ¥0.6206
    • 150+

      ¥0.5358
    • 500+

      ¥0.4722
  • 有货
  • N沟道,30V,3.4A,63mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9568
    • 50+

      ¥0.7921
    • 150+

      ¥0.7098
    • 500+

      ¥0.6481
  • 有货
  • 适用于集电极电流为 1 mA 至 20 mA 的低噪声、高增益宽带放大器,fT = 8 GHz,在 900 MHz 时 NFmin = 0.9 dB,采用无铅(符合 RoHS 标准)封装,可提供符合 AEC-Q101 的认证报告。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.001754 ¥1.2843
    • 50+

      ¥0.766224 ¥1.1268
    • 150+

      ¥0.614394 ¥1.0593
    • 500+

      ¥0.5655 ¥0.975
    • 3000+

      ¥0.54375 ¥0.9375
    • 6000+

      ¥0.5307 ¥0.915
  • 有货
  • 特性:N沟道耗尽模式。 dv/dt额定。 卷轴上带有VGS(th)指示器。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤。 根据AEC Q101认证
    数据手册
    • 3000+

      ¥0.92158
    • 6000+

      ¥0.89815
    • 9000+

      ¥0.86691
    • 18000+

      ¥0.85129
    P沟道,30V,1.5A,140mΩ@10V
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      ¥1.1249
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      ¥0.9521
    • 150+

      ¥0.8657
    • 500+

      ¥0.517
  • 有货
  • 特性:P沟道。 在VDS = -4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥1.9968 ¥3.12
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      ¥1.5066 ¥2.79
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      ¥1.1572 ¥2.63
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      ¥1.0868 ¥2.47
    • 500+

      ¥1.0428 ¥2.37
    • 1000+

      ¥1.0208 ¥2.32
  • 有货
  • P沟道,-20V,-5.6A,50mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.91
    • 10+

      ¥2.35
    • 30+

      ¥2.11
    • 100+

      ¥1.8
  • 有货
  • 特性:低栅极到漏极电荷,以降低开关损耗。 完全表征的电容,包括有效Coss,以简化设计。 完全表征的雪崩电压和电流。应用:高频DC-DC转换器。 无铅
    数据手册
    • 1+

      ¥3.657 ¥6.9
    • 10+

      ¥2.4811 ¥5.77
    • 30+

      ¥1.6995 ¥5.15
    • 100+

      ¥1.4652 ¥4.44
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      ¥1.3629 ¥4.13
    • 1000+

      ¥1.3167 ¥3.99
  • 有货
  • IR2301(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.76
    • 10+

      ¥3.05
    • 30+

      ¥2.69
    • 100+

      ¥2.33
    • 500+

      ¥1.85
    • 1000+

      ¥1.74
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥4.0828 ¥6.92
    • 10+

      ¥3.0821 ¥6.29
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      ¥2.3205 ¥5.95
    • 100+

      ¥2.1684 ¥5.56
    • 500+

      ¥2.0982 ¥5.38
    • 1000+

      ¥2.0709 ¥5.31
  • 有货
  • N沟道,Vin=6V~20V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.24
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.51
    • 500+

      ¥2.26
    • 1000+

      ¥2.12
  • 有货
  • 第五代HEXFET采用先进的制造工艺,以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计师提供了一种极为高效的器件,可广泛应用于各种领域。D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计
    数据手册
    • 1+

      ¥4.28
    • 10+

      ¥3.59
    • 30+

      ¥3.25
    • 100+

      ¥2.9
  • 有货
    • 1+

      ¥5.24
    • 10+

      ¥4.3
    • 30+

      ¥3.84
    • 100+

      ¥3.37
    • 500+

      ¥3.1
    • 1000+

      ¥2.95
  • 有货
  • 第五代HEXFET采用先进的加工技术,以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效的器件,可用于各种应用。对于所有功率耗散水平约达50瓦的商业和工业应用,TO - 220封装是普遍首选
    数据手册
    • 1+

      ¥5.27
    • 10+

      ¥4.28
    • 50+

      ¥3.47
    • 100+

      ¥2.98
    • 500+

      ¥2.68
  • 有货
  • 特性:双N沟道正常电平增强模式。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥5.36
    • 10+

      ¥4.82
    • 30+

      ¥4.53
    • 100+

      ¥4.19
    • 500+

      ¥4.04
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台,适用于对成本敏感的消费市场应用,如充电器、适配器、照明、电视等。该系列提供了快速开关超结MOSFET的所有优点,结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准,支持高功率密度,使客户能够实现非常纤薄的设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.4
    • 10+

      ¥4.089 ¥4.35
    • 50+

      ¥3.2172 ¥3.83
    • 100+

      ¥2.7804 ¥3.31
    • 500+

      ¥2.52 ¥3
    • 1000+

      ¥2.3856 ¥2.84
  • 有货
  • 特性:650V发射极控制技术。 关键参数的温度稳定性好。 低正向电压 (Vr)。 超快速恢复。 低反向恢复电荷 (Qrr)。 低反向恢复电流 (Irm)。应用:AC/DC转换器。 PFC级中的升压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥5.6 ¥8.75
    • 10+

      ¥4.3578 ¥8.07
    • 50+

      ¥3.3616 ¥7.64
    • 100+

      ¥3.168 ¥7.2
    • 500+

      ¥3.08 ¥7
    • 1000+

      ¥3.0404 ¥6.91
  • 有货
  • 特性:用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常电平-AEC Q101认证。 MSL1,最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥5.66
    • 10+

      ¥4.54
    • 30+

      ¥3.98
    • 100+

      ¥3.42
  • 有货
  • N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.1
    • 10+

      ¥5.01
    • 30+

      ¥4.47
    • 100+

      ¥3.93
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了优化。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。N沟道,正常电平。100% 雪崩测试。无铅电镀;符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥6.3726 ¥11.18
    • 10+

      ¥4.8833 ¥10.39
    • 30+

      ¥3.663 ¥9.9
    • 100+

      ¥3.2486 ¥8.78
    • 500+

      ¥3.1635 ¥8.55
    • 1000+

      ¥3.1265 ¥8.45
  • 有货
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