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1个N沟道耐压:600V 电流:13A

型号：IPLK60R360PFD7 编号：C537054

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS PFD7是一个优化的平台，适用于消费市场对成本敏感的应用，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，兼具出色的性价比和先进的易用性。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，可实现非常纤薄的设计。

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1+
￥8.62
10+
￥7.25
30+
￥6.5
100+
￥4.7

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2个N沟道耐压:55V 电流:5.1A

型号：AUIRF7341QTR 编号：C533278

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

专为汽车应用设计，双SO-8封装的功率MOSFET利用最新处理技术，实现每硅面积极低的导通电阻。这些经过汽车认证的功率MOSFET的额外特性包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些优点结合在一起，使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效和可靠的器件。高效的SO-8封装提供增强的热特性和双MOSFET管芯能力，使其非常适合各种功率应用。这种双表面贴装SO-8可以显著减少电路板空间，也有卷带包装形式。

数据手册

1+
￥8.94
10+
￥7.32
30+
￥6.43
100+
￥5.43
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￥4.98

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N沟道耐压:250V 电流:60A

型号：IRFB4332PBF 编号：C19941

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,250V,120A,29mΩ@10V

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1+
￥8.99
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￥7.36
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￥6.47
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￥5.46

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1个N沟道耐压:40V 电流:200A

型号：IAUA200N04S5N010 编号：C535690

封装：HSOF-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。正常电平。 AEC Q101认证。 MSL3，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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1+
￥9.13
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￥7.16
30+
￥6.07
100+
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单通道智能高端功率开关

型号：BTS4300SGAXUMA1 编号：C454916

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS4300SGA是一款单通道智能高端功率开关。它采用PG-DSO-8-24封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道功率MOSFET构成

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1+
￥9.34
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￥7.84
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￥6.89
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高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器

型号：IR21814STRPBF 编号：C371545

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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￥9.64
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￥7.09
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￥5.05
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1个N沟道耐压:40V 电流:380A

型号：IRLS3034TRL7PP 编号：C538184

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完整特性的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

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￥9.678 ￥16.13
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￥7.685 ￥15.37
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800+
￥5.664 ￥14.16

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1个N沟道耐压:60V 电流:90A

型号：IPD038N06N3G 编号：C83342

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,90A,3.8mΩ@10V

数据手册

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￥9.68
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￥7.92
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￥6.95
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￥5.86
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StrongIRFET M2功率晶体管

型号：IPB018N06NF2S 编号：C5359109

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥9.75
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￥8.9
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￥7.82
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1个N沟道耐压:60V

型号：IPA032N06N3 G 编号：C536306

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器优化技术。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥9.952 ￥15.55
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￥5.6276 ￥12.79
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￥5.4736 ￥12.44
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￥5.4032 ￥12.28

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4Kb串行5V铁电随机存取存储器

型号：FM24C04B-GTR 编号：C9826

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

4-Kbit(512 × 8bit)，I2C接口，工作电压：5V

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1+
￥10.08
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￥8.5
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1个N沟道耐压:60V 电流:84A

型号：IPA029N06N 编号：C536303

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

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￥10.1312 ￥15.83
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￥8.1486 ￥15.09
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￥6.4416 ￥14.64
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￥6.248 ￥14.2
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1个N沟道耐压:40V 电流:195A

型号：IRFB7430PBF 编号：C386335

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 40V 195A

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1+
￥10.6
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￥8.98
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IPB80P04P4-05

型号：IPB80P04P4-05 编号：C536680

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥11.34
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￥9.71
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1个N沟道耐压:100V 电流:42A

型号：IRFP150MPBF 编号：C2673

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,42A,36mΩ@10V

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1+
￥11.52
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￥9.87
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￥7.53
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400+
￥5.99

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650V 18A

型号：IKP08N65H5 编号：C536189

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

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￥11.5388 ￥12.68
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￥7.8526 ￥11.06
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￥7.4053 ￥10.43
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￥7.1994 ￥10.14
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￥7.1071 ￥10.01

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1个N沟道耐压:30V 电流:40A

型号：BSZ019N03LS 编号：C152374

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,22A,1.9mΩ@10V

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￥12.07
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￥9.22
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￥4.3686 ￥8.09
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￥4.0932 ￥7.58
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￥3.9744 ￥7.36

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1个N沟道耐压:200V 电流:94A

型号：IRFP90N20DPBF 编号：C2924

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,94A,23mΩ@10V

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￥8.905
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￥8.22
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￥8.083
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￥7.672

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1个N沟道耐压:60V 电流:90A

型号：IPD90N06S404ATMA2 编号：C3289153

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道。增强模式。AEC 认证。MSL1 高达 260℃ 峰值回流。175℃ 工作温度。绿色产品（符合 RoHS）。100% 雪崩测试

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￥13.56
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￥10.35
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￥8.52
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TLE9471ES V33 Lite CAN SBC Family

型号：TLE9471ES V33 编号：C540169

封装：TSDSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE9471ES V33 是一种单片集成电路，采用PG-TSDSO-24-1 (150 mil) 功率封装。该设备设计用于各种CAN汽车应用，作为微控制器的主要电源和CAN总线网络的接口。

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1+
￥13.58
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￥12.84
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￥12.4
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￥11.76
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￥11.66

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5V 400mA 40V

型号：TLE4267G 编号：C539690

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE4267是一款适用于汽车应用的5 V低压差稳压器，采用PG-TO263-7或PG-DSO-14封装。它可提供超过400 mA的输出电流。该集成电路具备短路保护功能，并设有过温保护电路

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1+
￥13.58
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￥11.83
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￥10.73
100+
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500+
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600V 21A

型号：IPL60R185C7 编号：C537028

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。它是首个 RDS(on)*A 低于10mΩ*mm² 的技术。

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1+
￥13.8
10+
￥11.59
30+
￥10.2
100+
￥8.79
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￥8.15

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N沟道耐压:150V 电流:83A

型号：IPB108N15N3G 编号：C3276386

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥13.86
10+
￥13.12
30+
￥12.67
100+
￥12.22
500+
￥12.02

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1个N沟道耐压:250V 电流:25A

型号：IPD600N25N3 G 编号：C536796

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。工作温度175°C。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

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1+
￥15.05
10+
￥13
30+
￥11.73
100+
￥10.08

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系统基础芯片 TLE9262QX

型号：TLE9262QX 编号：C540139

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：Infineon(英飞凌)

中端系统基础芯片系列，车身系统IC，集成电压调节器、电源管理功能、高速CAN收发器支持CAN FD和LIN收发器。具备多个高边开关和高电压唤醒输入。

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1+
￥15.43
10+
￥13.02
30+
￥11.51
100+
￥9.96
500+
￥9.27
1000+
￥8.96

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N沟道耐压:40V 电流:205A

型号：IQE013N04LM6CGATMA1 编号：C3020632

封装：TTFN-9-1

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥16.14
10+
￥13.58
30+
￥11.97
100+
￥10.33

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2.75V38dB

型号：IM73A135V01XTSA1 编号：C3171831

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

设计用于需要高信噪比（低自噪声）、低失真（高AOP）且具备IP57防尘防水能力麦克风的应用。具备73dB(A)的一流信噪比，可实现远场和低音量音频拾取。平坦的频率响应（20Hz低频滚降）和严格的制造公差提高了多麦克风阵列应用的性能。高性能模拟麦克风ASIC包含极低噪声前置放大器和高性能差分输出放大器。可选择不同的电源模式以满足特定的电流消耗要求。每个麦克风都采用先进的英飞凌校准算法进行校准，灵敏度公差小（±1dB）。

数据手册

1+
￥18.23
10+
￥15.49
30+
￥13.87
100+
￥12.22
500+
￥11.46

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32位ARM Cortex-M3 FM3微控制器

型号：CY9BF121JPMC-G-JNE2 编号：C2840302

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是高度集成的32位微控制器，专为具有低功耗模式和成本竞争力的嵌入式控制器而设计。基于ARM Cortex-M3处理器，带有片上闪存和SRAM，并具有各种定时器、ADC和通信接口（UART、CSIO、I2C、LIN）等外设功能。

数据手册

1+
￥19.83
10+
￥18.83
30+
￥17.21
250+
￥16.61
500+
￥16.33

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降压型 12V

型号：PXE1610CDN-G003 编号：C538651

封装：VQFN-48-EP(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

企业级数字控制器为英特尔VR13和VR12.5应用提供电源。通过支持5mV/步和10mV/步VID表、动态电压识别（DVID）、电源状态（PS）和VR数据与配置寄存器要求的SVID接口来控制命令和监控功能。先进的控制回路特性，如主动瞬态响应（ATR）调制和快速DVID响应，能够对高di/dt负载瞬变和大电压阶跃实现最佳响应。对电流检测进行可编程温度补偿，使设计人员能够针对不同温度调整响应，以实现最佳负载线精度。通过高过采样率和数字电流估计实现了一流的抗噪能力。除了电感DCR电流检测外，企业级控制器还支持具有集成电流检测和集成温度检测的英飞凌集成功率级

1+
￥20.15
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30+
￥15.25
100+
￥13.4
500+
￥12.55
1000+
￥12.16

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1个N沟道耐压:100V

型号：BSC027N10NS5 编号：C534315

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。额定温度175℃。符合JEDEC47/20/22相关测试，适用于工业应用

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1+
￥20.29
10+
￥17.33
30+
￥15.49
100+
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