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耐压:650V 电流:9.9A

型号：IPD60R650CE 编号：C536836

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。

数据手册

1+
￥8.23
10+
￥7.53
30+
￥7.08
100+
￥6.63
500+
￥6.42
1000+
￥6.33

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PSoC 4 可编程片上系统

型号：CY8C4146LQI-S423 编号：C2948687

封装：QFN-40-EP(6x6)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

PSoC 4 是一个可扩展和可重新配置的平台架构，适用于一系列基于 Arm CorteX-M0+ CPU 的可编程嵌入式系统控制器。它结合了可编程和可重新配置的模拟与数字模块以及灵活的自动布线。PSoC 4100S 产品系列是 PSoC 4 平台架构的成员之一。它集成了具有标准通信和定时外设的微控制器、具有同类最佳性能的电容式触摸感应系统（CapSense）、可编程通用连续时间和开关电容模拟模块以及可编程连接性。PSoC 4100S 产品与 PSoC 4 平台的其他成员向上兼容，以满足新的应用和设计需求。

数据手册

1+
￥8.35
10+
￥7.64
30+
￥7.19
100+
￥6.4
490+
￥6.2

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2个N沟道耐压:55V 电流:5.1A

型号：AUIRF7341QTR 编号：C533278

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

专为汽车应用设计，双SO-8封装的功率MOSFET利用最新处理技术，实现每硅面积极低的导通电阻。这些经过汽车认证的功率MOSFET的额外特性包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些优点结合在一起，使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效和可靠的器件。高效的SO-8封装提供增强的热特性和双MOSFET管芯能力，使其非常适合各种功率应用。这种双表面贴装SO-8可以显著减少电路板空间，也有卷带包装形式。

数据手册

1+
￥9.1
10+
￥8.31
30+
￥7.82
100+
￥7.32
500+
￥7.09
1000+
￥7

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1个N沟道耐压:40V 电流:191A

型号：IPB014N04NF2S 编号：C5359105

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

1+
￥9.45
10+
￥8.71
30+
￥8.24
100+
￥7.76
500+
￥7.55

有货

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4Kb串行5V F-RAM存储器

型号：FM24C04B-GTR 编号：C9826

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

4-Kbit(512 × 8bit)，I2C接口，工作电压：5V

数据手册

1+
￥9.74
10+
￥8.16
30+
￥7.29
100+
￥6.31
500+
￥5.35
1000+
￥5.15

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:195A

型号：IRFB7430PBF 编号：C386335

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 40V 195A

数据手册

1+
￥10
10+
￥8.49
50+
￥7.01
100+
￥6.07

有货

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1.2kV 31A

型号：IDP18E120 编号：C535912

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：1200V二极管技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压。易于并联。无铅引脚电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

数据手册

1+
￥10.74
10+
￥10.51
50+
￥10.36
100+
￥10.2

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:232A

型号：IRFS7534TRLPBF 编号：C538033

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥10.89
10+
￥9.45
30+
￥8.66
100+
￥7.77

有货

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1.35kV 20A

型号：IHW20N135R5 编号：C536119

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：提供1350V的高击穿电压，提高可靠性。强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。 TRENCHSTOP™技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性，温度稳定性能。 -低Vce(sat)。 -由于Vce(sat)具有正温度系数，易于并联开关。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

1+
￥11.02
10+
￥9.41
30+
￥8.4
90+
￥7.37

有货

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智能高端功率开关

型号：BSP752TXUMA1 编号：C112637

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵，接地参考 CMOS 兼容输入，采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥11.1
10+
￥9.49
30+
￥8.48
100+
￥7.45

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:11A

型号：IPW60R180P7 编号：C467009

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥11.25
10+
￥9.67
30+
￥8.68
90+
￥7.66
480+
￥7.2
960+
￥7

有货

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650V 80A

型号：IKW50N65EH5 编号：C536218

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：不间断电源。太阳能转换器

数据手册

1+
￥11.27
10+
￥9.49
30+
￥8.38
90+
￥7.24
510+
￥6.73
990+
￥6.5

有货

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IPB80P04P4-05

型号：IPB80P04P4-05 编号：C536680

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥11.34
10+
￥10.33
30+
￥9.71
100+
￥9.06
500+
￥8.77

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:180A

型号：IRFP4110PBF 编号：C2689

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,180A,4.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥11.61
10+
￥10.03
25+
￥8.23
100+
￥7.22

有货

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1个N沟道耐压:250V 电流:93A

型号：IRFP4768PBF 编号：C2923

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,250V,93A,17.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥11.65
10+
￥9.9
25+
￥8.06

有货

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650V 18A

型号：IKP08N65H5 编号：C536189

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥12.68
10+
￥11.69
50+
￥11.06
100+
￥10.43

有货

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适用于汽车应用的带LIN和功率开关的微控制器

型号：TLE9842-2QX 编号：C540170

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：32位ARM Cortex-M0内核。高达40 MHz时钟频率。每个机器周期一个时钟架构。单周期乘法器

数据手册

1+
￥13.51
10+
￥12.74
30+
￥12.28
100+
￥11.81
500+
￥11.6
1000+
￥11.5

有货

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N沟道耐压:150V 电流:83A

型号：IPB108N15N3G 编号：C3276386

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥13.86
10+
￥13.12
30+
￥12.67
100+
￥12.22
500+
￥12.02

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:78A

型号：IPP052N08N5 编号：C537137

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥14.38
10+
￥13.26
50+
￥12.55
100+
￥11.83

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:85A

型号：IRFS4321TRLPBF 编号：C513162

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低RDS(ON)降低损耗。低栅极电荷改善开关性能。改善二极管恢复性能，提高开关和EMI性能。 30V栅极电压额定值提高了稳健性。完全表征雪崩SOA。应用：运动控制应用。开关电源中的高效同步整流

数据手册

1+
￥15.6
10+
￥13.27
30+
￥11.81
100+
￥9.08

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:380A

型号：IRLS3034TRL7PP 编号：C538184

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完整特性的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

数据手册

1+
￥16.13
10+
￥15.37
30+
￥14.92
100+
￥14.47

有货

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1个N沟道耐压:75V 电流:183A

型号：IRFS7734TRLPBF 编号：C406802

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥16.72
10+
￥14.36
30+
￥12.89
100+
￥11.16

有货

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系统基础芯片 TLE9262QX

型号：TLE9262QX 编号：C540139

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：Infineon(英飞凌)

中端系统基础芯片系列，车身系统IC，集成电压调节器、电源管理功能、高速CAN收发器支持CAN FD和LIN收发器。具备多个高边开关和高电压唤醒输入。

数据手册

1+
￥17.11
10+
￥14.7
30+
￥13.19
100+
￥11.64
500+
￥10.95
1000+
￥10.64

有货

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降压型 12V

型号：PXE1610CDN-G003 编号：C538651

封装：VQFN-48-EP(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

企业级数字控制器为英特尔VR13和VR12.5应用提供电源。通过支持5mV/步和10mV/步VID表、动态电压识别（DVID）、电源状态（PS）和VR数据与配置寄存器要求的SVID接口来控制命令和监控功能。先进的控制回路特性，如主动瞬态响应（ATR）调制和快速DVID响应，能够对高di/dt负载瞬变和大电压阶跃实现最佳响应。对电流检测进行可编程温度补偿，使设计人员能够针对不同温度调整响应，以实现最佳负载线精度。通过高过采样率和数字电流估计实现了一流的抗噪能力。除了电感DCR电流检测外，企业级控制器还支持具有集成电流检测和集成温度检测的英飞凌集成功率级

1+
￥17.57
10+
￥14.89
30+
￥13.29
100+
￥11.68
500+
￥10.94
1000+
￥10.6

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:100A

型号：BSC012N06NS 编号：C6471337

封装：TSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。额定温度175℃。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素。由于源极互连扩大，具有更高的焊点可靠性

1+
￥18.33
10+
￥15.63
30+
￥13.93

有货

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单通道5.7 kV（rms）隔离式栅极驱动器IC，带有源米勒钳位或独立输出

型号：1ED3124MU12HXUMA1 编号：C5353840

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

数据手册

1+
￥18.45
10+
￥15.47
30+
￥13.6
100+
￥11.69

有货

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FM24V01A-GTR

型号：FM24V01A-GTR 编号：C2759930

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V01A是一款128-Kbit非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），采用先进的铁电工艺。它支持高达3.4 MHz的I2C接口，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。F-RAM无需内部升压电压，写入速度更快，功耗更低。

数据手册

1+
￥20.95
10+
￥18.47
30+
￥16.91
100+
￥15.32
500+
￥14.6
1000+
￥14.29

有货

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1个N沟道耐压:800V 电流:11A

型号：SPA11N80C3 编号：C152363

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,800V,11A,450mΩ@10V

数据手册

1+
￥22.59
10+
￥19.21
50+
￥17.19
100+
￥15.15

有货

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600V 75A

型号：IKW75N60T 编号：C44294

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

Vce=600V，Ic=80A，Vce(sat)=1.5V

数据手册

1+
￥26.39
10+
￥22.82
30+
￥19.71
90+
￥17.56

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:316A

型号：IRF100P219AKMA1 编号：C3289059

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）。优化的反向恢复电荷Qrr。工作温度可达175℃。产品通过JEDEC标准验证。优化了从分销合作伙伴处的供货情况

1+
￥27.1
10+
￥23.35
25+
￥21.12
100+
￥18.87

有货

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