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价格(含税)

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N沟道耐压:40V 电流:119A

型号：BSC026N04LS 编号：C3039672

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。极低导通电阻RDS(on) @ VDS 4.5V。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥3.95
10+
￥3.16
30+
￥2.77
100+
￥2.38

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:30V 电流:6.8A

型号：IRF9389TRPBF 编号：C152654

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N+P沟道,30V,6.8A+4.6A

数据手册

5+
￥1.9043
50+
￥1.4873
150+
￥1.3086
500+
￥1.0856

有货

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输出65mA

型号：BCR402UE6327 编号：C80397

封装：SC-74-6

品牌：Infineon(英飞凌)

非常简便的LED恒流驱动IC

数据手册

5+
￥2.373
50+
￥1.9079
150+
￥1.7085

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:1.8A

型号：BSP372NH6327 编号：C501499

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道。增强模式。逻辑电平（额定 4.5V）。雪崩额定。根据 AEC Q101 认证。100% 无铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 无卤

数据手册

1+
￥2.56
10+
￥2.01
30+
￥1.78
100+
￥1.48
500+
￥1.35
1000+
￥1.27

有货

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单向ESD 5.3V截止峰值浪涌电流：3A@8/20us

型号：ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 编号：C2843746

封装：TSFP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：ESD / 瞬态保护高速数据线，超过 IEC61000-4-2 (ESD)：±20 kV（空气/接触），IEC61000-4-4 (EFT)：±50 A（5/50 ns），IEC61000-4-5 (浪涌)：±3 A（8/20 s）。最大工作电压：VRWM 5.3 V。极低电容：低至 0.4 pF。应用：ESD / 瞬态保护高速接口：HDMI、USB 2.0/USB 3.0、DisplayPort、DVI、移动 HDMI 链路、MDDI、MIP1、10/100/1000 以太网、Firewire、S-ATA 等

数据手册

1+
￥2.68
10+
￥2.12
30+
￥1.88
100+
￥1.58
500+
￥1.44

有货

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1个N沟道耐压:600V

型号：IPD60R600P7S 编号：C536833

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

数据手册

1+
￥2.96
10+
￥2.31
30+
￥2.03
100+
￥1.69
500+
￥1.52

有货

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高端和低端驱动器

型号：IRS2005STRPBF 编号：C191988

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2005是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥3
10+
￥2.34
30+
￥2.05
100+
￥1.7
500+
￥1.54
1000+
￥1.45

有货

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可调电流的LITix线性器件

型号：TLE4241GM 编号：C3171627

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款集成可调恒流源，可通过不同方式（SET、PWM、参考电阻）调节输出电流，使输出电流几乎不受负载和电源电压变化的影响。专为在汽车应用的恶劣条件下为LED供电而设计，可实现恒定亮度并延长LED使用寿命。采用非常小的P-DSO-8-9（Micro 8）封装。保护电路可防止设备在过载、短路、反极性和过热的情况下损坏。连接的LED可防止反极性以及高达45 V的过电压。状态输出可处理主输出端的开路负载和短路情况。PWM输入可通过脉宽调制调节LED亮度。通过内置的高低电流开关，可降低输出电流水平，例如用于刹车/尾灯应用。

1+
￥3.01
10+
￥2.94
30+
￥2.89
100+
￥2.84

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:70A

型号：IPD068P03L3G 编号：C151546

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,30V,70A,6.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.16
10+
￥2.79
30+
￥2.61
100+
￥2.43
500+
￥2.32

有货

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耐压:80V 电流:23A

型号：BSC340N08NS3 G 编号：C83511

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。针对DC/DC转换器优化技术。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。卓越的热阻。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了资格认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥3.43
10+
￥2.78
30+
￥2.5
100+
￥2.15
500+
￥1.74
1000+
￥1.65

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:42A

型号：IRFR3504ZTRPBF 编号：C537966

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域

数据手册

1+
￥3.45
10+
￥2.78
30+
￥2.44
100+
￥2.01
500+
￥1.81
1000+
￥1.7

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:100A

型号：BSC027N04LSG 编号：C534313

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道，逻辑电平。出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥3.69
10+
￥2.96
30+
￥2.65
100+
￥2.25
500+
￥1.97

有货

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N沟道耐压:60V 电流:20A

型号：BSZ100N06LS3G 编号：C152381

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,11A,10mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.73
10+
￥3
30+
￥2.64
100+
￥2.28
500+
￥2.07

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:50A

型号：BSC100N06LS3G 编号：C72767

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道

数据手册

1+
￥3.99
10+
￥3.26
30+
￥2.9
100+
￥2.53
500+
￥2.01

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:14.7A

型号：IPA60R400CE 编号：C412738

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。

数据手册

1+
￥4.05
10+
￥3.33
50+
￥2.77

有货

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高端栅极驱动IC

型号：IRS20752LTRPBF 编号：C495818

封装：SOT-23-6L

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS20752是一款具有200V阻断和电平转换能力的单通道高端栅极驱动IC。这使得该栅极驱动器可直接连接到高端功率MOSFET的栅极，同时由低端接地电位电路进行控制。IRS20752具备较宽的 $\mathsf{V}_{\mathsf{CC}}$ 电源电压范围、欠压锁定（UVLO）保护功能，并且在恶劣的dv/dt或V}_{\mathrm{S}}$ 开关环境下具有出色的抗干扰能力

数据手册

1+
￥4.53
10+
￥3.62
30+
￥3.17
100+
￥2.72
500+
￥2.46
1000+
￥2.32

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:6.2A

型号：IRF7241TRPBF 编号：C150904

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-40V,-6.2A,41mΩ@-10V

数据手册

1+
￥4.75
10+
￥3.8
30+
￥3.33

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:27A

型号：IRFR4105TRPBF 编号：C500532

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 55V 27A

数据手册

1+
￥5.36
10+
￥4.39
30+
￥3.91
100+
￥3.44

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:91A

型号：IRFR1010ZTRPBF 编号：C2980616

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

HEXFET功率MOSFET利用最新的处理技术，实现了每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。

1+
￥5.44
10+
￥4.6248 ￥4.92
30+
￥3.8976 ￥4.64
100+
￥3.6288 ￥4.32
500+
￥3.5112 ￥4.18
1000+
￥3.4608 ￥4.12

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:50A

型号：IPD50P04P4L11 编号：C386372

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道 -40V -50A

数据手册

1+
￥5.74
10+
￥4.58
30+
￥4
100+
￥3.43
500+
￥3.08

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:90A

型号：BSC060N10NS3G 编号：C501504

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的栅极电荷，适用于高频应用。为直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

数据手册

1+
￥5.93
10+
￥4.72
30+
￥4.12

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:76A

型号：IRFB4127PBF 编号：C413498

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥5.97
10+
￥4.82
30+
￥4.25
100+
￥3.68

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:120A

型号：IRF1404ZPBF 编号：C2608

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,180A,3.7mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.22
10+
￥4.95
50+
￥4.32
100+
￥3.69
500+
￥3.31

有货

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OptiMos功率晶体管

型号：IPG20N06S2L-35 编号：C536940

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道逻辑电平增强模式。通过AEC Q101认证。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥6.2559 ￥9.93
10+
￥4.8495 ￥9.15
30+
￥3.7238 ￥8.66
100+
￥3.5088 ￥8.16
500+
￥3.4142 ￥7.94
1000+
￥3.3712 ￥7.84

有货

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耐压:40V 电流:121A

型号：IPP026N04NF2S 编号：C5359107

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥6.47
10+
￥5.8
50+
￥5.43
100+
￥5.02
500+
￥4.83

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:33A

型号：IRFP140NPBF 编号：C2672

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,33A,52mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.6
10+
￥5.48
25+
￥4.87
100+
￥4.17

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:90A

型号：IPB037N06N3 G 编号：C536503

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥6.69
10+
￥6.01
30+
￥5.64
100+
￥5.23
500+
￥5.04

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:101A

型号：BSZ040N06LS5 编号：C3279309

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥7.19
10+
￥6
30+
￥5.35
100+
￥4.61

有货

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1个N沟道耐压:950V 电流:14A

型号：IPD95R450P7 编号：C3289115

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS™ P7系列为950V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与最先进的易用性完美结合，这得益于英飞凌超过18年在超结技术创新方面的开拓。

1+
￥8.1
10+
￥6.66
30+
￥5.87
100+
￥4.98
500+
￥4.58

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:120A

型号：IPB029N06NF2S 编号：C5359110

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥8.46
10+
￥7.72
30+
￥7.26
100+
￥6.79
500+
￥6.57

有货

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品类不断扩充中
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科技智能大仓储

最快4小时发货
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