Infineon传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IR2136STRPBF 编号：C2980

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，三相桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥6.62
10+
￥5.49
30+
￥4.93
100+
￥3.4

有货

立即购买

型号：2EDL05N06PF 编号：C533066

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED05 是一款 600V 半桥栅极驱动器系列产品。其英飞凌薄膜绝缘体上硅（thin-film-SOI）技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容

数据手册

1+
￥6.6564 ￥7.74
10+
￥6.0458 ￥7.03
30+
￥5.7104 ￥6.64
100+
￥5.332 ￥6.2
500+
￥5.1686 ￥6.01
1000+
￥5.0912 ￥5.92

有货

立即购买

型号：IPD200N15N3 G 编号：C386332

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 150V 50A

数据手册

1+
￥6.68
10+
￥5.56
30+
￥4.94
100+
￥4.25

有货

立即购买

型号：IRLZ44NSTRLPBF 编号：C538199

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积下极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可广泛应用于各种领域。直插式版本（IRLZ44NL）适用于低外形应用

数据手册

1+
￥7.11
10+
￥5.94
30+
￥5.3
100+
￥4.37
500+
￥4.05

有货

立即购买

型号：IR2108STRPBF 编号：C2964

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2108(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

数据手册

1+
￥7.62
10+
￥6.39
30+
￥5.71
100+
￥4.95
500+
￥3.99

有货

立即购买

型号：BSZ123N08NS3G 编号：C152364

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,80V,10A,12.3mΩ@10V

数据手册

1+
￥7.85
10+
￥6.43
30+
￥5.65
100+
￥4.77
500+
￥4.38

有货

立即购买

型号：FM25640B-GTR 编号：C365763

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25640B是一款64-Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，支持高速SPI接口，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。该存储器适用于需要频繁快速写入的应用场景，如数据采集和工业控制。

数据手册

1+
￥8.2
10+
￥6.73
30+
￥5.92
100+
￥5.01
500+
￥4.6
1000+
￥4.42

有货

立即购买

型号：IRFB4332PBF 编号：C19941

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,250V,120A,29mΩ@10V

数据手册

1+
￥8.34
10+
￥6.83
50+
￥6
100+
￥5.06

有货

立即购买

型号：BSC047N08NS3G 编号：C501500

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了优化。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。N沟道，正常电平。100% 雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥8.385 ￥11.18
10+
￥7.7925 ￥10.39
30+
￥7.425 ￥9.9
100+
￥6.585 ￥8.78
500+
￥6.4125 ￥8.55
1000+
￥6.3375 ￥8.45

有货

立即购买

型号：IKB06N60T 编号：C536142

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：1.5V（典型值）。最高结温：175℃。短路耐受时间：5μs。 TRENCHSTOP™和场截止技术，适用于600V应用，提供：非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。非常高的开关速度。低电磁干扰（EMI）。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准

数据手册

1+
￥9.07
10+
￥8.29
30+
￥7.8
100+
￥7.3
500+
￥7.07

有货

立即购买

型号：IPD038N06N3G 编号：C83342

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,90A,3.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.73
10+
￥7.97
30+
￥7
100+
￥5.9
500+
￥5.42

有货

立即购买

型号：IPD031N06L3GATMA1 编号：C672058

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了优化的技术。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，逻辑电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

数据手册

1+
￥9.8
10+
￥7.86
30+
￥6.79
100+
￥5.58

有货

立即购买

型号：IPB018N06NF2S 编号：C5359109

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥9.89
10+
￥9.04
30+
￥8.5
100+
￥7.96
500+
￥7.71

有货

立即购买

型号：ITS4141N 编号：C538473

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵，接地参考的 CMOS 兼容输入，采用 Smart SIPMOS 技术单片集成，提供嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥10.08
10+
￥8.49
30+
￥7.49
100+
￥6.32

有货

立即购买

型号：IPD80R600P7 编号：C536890

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新标杆，它将一流的性能与最先进的易用性完美结合，这得益于超过18年超结技术的开创性创新。

数据手册

1+
￥10.37
10+
￥8.75
30+
￥7.86
100+
￥6.22

有货

立即购买

型号：1EDB7275F 编号：C530935

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道隔离栅极驱动器IC系列，旨在驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为4mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供隔离。具有严格的时序规格，专为快速开关中高功率系统而设计。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸，使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的理想替代品。

1+
￥10.87
10+
￥9.17
30+
￥8.1
100+
￥7

有货

立即购买

型号：IRFB4310PBF 编号：C454255

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥10.91
10+
￥9.32
50+
￥7.41
100+
￥6.39

有货

立即购买

型号：IRFP4310ZPBF 编号：C2916

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,120A,6mΩ@10V

数据手册

1+
￥13.18
10+
￥11.19
25+
￥9.94
100+
￥8.66

有货

立即购买

型号：IPL60R125P7AUMA1 编号：C3289363

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥13.34
10+
￥11.38
30+
￥10.15
100+
￥8.89

有货

立即购买

型号：CY8C4125LQI-483 编号：C470830

封装：QFN-40

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

数据手册

1+
￥13.85
10+
￥13.13
30+
￥12.71
100+
￥12.28
490+
￥12.08
980+
￥11.99

有货

立即购买

型号：IPB320N20N3G 编号：C110546

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,34A,32mΩ@10V

数据手册

1+
￥15.5
10+
￥13.09
30+
￥11.59
100+
￥10.04
500+
￥9.34

有货

立即购买

型号：BTS71220-4ESA 编号：C534846

封装：TSDSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS71220-4ESA是一款SPI功率控制器，具备保护和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

数据手册

1+
￥16.64
10+
￥16.24
30+
￥15.97
100+
￥14.86

有货

立即购买

型号：CY8C21434-24LTXI 编号：C2959148

封装：QFN-32(5x5)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：强大的哈佛架构处理器:M8C处理器速度高达24 MHz。高速下低功耗。工作电压:2.4 V至5.25 V。使用片上开关模式泵(SMP)时工作电压低至1.0 V。工业温度范围:-40°C至+85°C。先进的外设(PSoC模块):四个模拟E型PSoC模块提供:两个带数模转换器(DAC)参考的比较器

1+
￥16.69
10+
￥14.27
30+
￥12.76
100+
￥10.47
490+
￥9.77

有货

立即购买

型号：AUIRS2181STR 编号：C533513

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIRS2181(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥17.31
10+
￥15.23
30+
￥13.93
100+
￥12.6

有货

立即购买

型号：FM24V02A-GTR 编号：C382041

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V02A是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持快速两线串行接口（I2C），最高频率可达3.4 MHz。适用于频繁写入的应用场景，如数据记录和工业控制。

数据手册

1+
￥18.37
10+
￥15.69
30+
￥14.02

有货

立即购买

型号：2EDL23N06PJXUMA1 编号：C152380

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：薄膜SOI技术。最大阻断电压 +600V。两个输出端均有独立控制电路。对欠压电源进行滤波检测。所有输入均由二极管钳位。主动关断功能。高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。针对目标应用通过JEDEC1认证（1000h高温应力测试）

数据手册

1+
￥18.91
10+
￥16.14
30+
￥14.4
100+
￥12.62
500+
￥11.82

有货

立即购买

型号：TLE9263QX 编号：C7602531

封装：VQFN-48

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款采用外露焊盘VQFN-48（7mm x 7mm）功率封装的单片集成电路，具有引脚尖端检测（LTI）功能，以支持自动光学检测（AOL）。该器件专为各种CAN-LIN汽车应用而设计，作为微控制器的主电源。

1+
￥19.13
10+
￥18.09
30+
￥17.48
100+
￥16.85
500+
￥16.56
1000+
￥16.43

有货

立即购买

型号：IRF7739L1TRPBF 编号：C537822

封装：MG-WDSON-11

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF7739L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在封装尺寸小于D²PAK且高度仅为0.7mm的情况下实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大程度提高电源系统的热传递效率

数据手册