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1个N沟道耐压:40V 电流:42A

型号：IRFR3504ZTRPBF 编号：C537966

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域

数据手册

1+
￥3.84
10+
￥3.16
30+
￥2.82
100+
￥2.39
500+
￥2.19
1000+
￥2.09

有货

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12V智能高端功率开关

型号：BTS7030-2EPA 编号：C534836

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS7030 - 2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

数据手册

1+
￥5.88
10+
￥5.13
30+
￥4.72
100+
￥4.25
500+
￥4.05

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:100A

型号：BSC014N06NS 编号：C113391

封装：TDSON-8-FL

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道

数据手册

1+
￥5.96
10+
￥4.75
30+
￥4.15
100+
￥3.55

有货

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四通道200mΩ智能高端功率开关

型号：BTS5200-4EKA 编号：C534815

封装：DSO-14-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5200-4EKA是一个200 mΩ四通道智能高端功率开关，采用PG-DSO-14-48-EP、裸露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件集成于Smart6技术。

数据手册

1+
￥6.27
10+
￥5.62
30+
￥5.27
100+
￥4.87
500+
￥4.69
1000+
￥4.61

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:42A

型号：IRLR3705ZTRPBF 编号：C500525

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 55V 42A

数据手册

1+
￥6.56
10+
￥5.55
30+
￥5.05
100+
￥4.56
500+
￥4.26
1000+
￥4.11

有货

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11.5V~25V

型号：ICE3PCS01G 编号：C192050

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

ICE3PCS01G 是一款用于有源功率因数校正转换器的 14 引脚宽输入范围控制 IC。它专为升压拓扑结构的转换器而设计，所需的外部元件极少。建议由外部辅助电源为其供电，该辅助电源可控制 IC 的开启和关闭

数据手册

1+
￥6.66
10+
￥5.44
30+
￥4.77
100+
￥4.01
500+
￥3.68
1000+
￥3.53

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:90A

型号：IPB037N06N3 G 编号：C536503

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥7.59
10+
￥6.91
30+
￥6.54
100+
￥6.13
500+
￥5.94

有货

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650V CoolMOS CFD2功率晶体管

型号：IPB65R310CFD 编号：C152418

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

1+
￥8.23
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￥7.53
30+
￥7.08
100+
￥6.63
500+
￥6.42

有货

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智能功率高端开关，适用于工业应用

型号：ISP752RFUMA1 编号：C454923

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

带电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入和诊断反馈功能，单片集成嵌入式保护功能。

1+
￥8.61
10+
￥7.97
30+
￥7.57
100+
￥5.73
500+
￥5.55

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:36A

型号：BSC320N20NS3G 编号：C501501

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥8.8
10+
￥7.21
30+
￥6.33
100+
￥5.34
500+
￥4.9

有货

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单通道MOSFET栅极驱动IC

型号：1EDI60N12AF 编号：C454268

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离式MOSFET驱动器。输入到输出隔离电压高达1200 V。适用于高压功率MOSFET。轨到轨输出的典型峰值电流高达10 A。独立的源极和漏极输出。电流隔离核心

数据手册

1+
￥9.01
10+
￥7.48
30+
￥6.64
100+
￥5.29
500+
￥4.87

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4-Kbit串行F-RAM

型号：FM25L04B-GTR 编号：C66018

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25L04B是一款4-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造。它支持高速SPI接口，最高频率可达20 MHz，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力。该器件适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。

数据手册

1+
￥9.24
10+
￥7.75
30+
￥6.93
100+
￥6
500+
￥5.59
1000+
￥5.4

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:336A

型号：IRFH5300TRPBF 编号：C2763849

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低RDSon (<1.4 mΩ)。对PCB的低热阻 (< 0.5℃/W)。 100% Rg测试。低外形 (< 0.9mm)。行业标准引脚排列。与现有表面贴装技术兼容。应用：OR-ing MOSFET用于12V（典型）总线浪涌电流。电池供电的直流电机逆变器MOSFET

数据手册

1+
￥9.27
10+
￥7.75
30+
￥6.91
100+
￥5.97
500+
￥5.55
1000+
￥5.36

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650V 10.5V~25V

型号：ICE3BR0665JXKLA1 编号：C3094647

封装：DIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSET - F3R抖动系列（ICE3BRxx65J）是CoolSET - F3的最新版本。它主要面向离线电池适配器和低功率范围的低成本开关电源（SMPS），适用于如DVD刻录机、DVD组合机、蓝光DVD播放器、机顶盒等应用。

1+
￥9.57
10+
￥7.86
30+
￥6.92
100+
￥5.86
500+
￥5.39
1000+
￥5.18

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TLE9255W 高速CAN收发器，支持部分网络唤醒

型号：TLE9255WSKXUMA2 编号：C1882540

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE9255W是一款高速CAN收发器，支持部分网络唤醒功能，适用于汽车和工业应用中的CAN网络。

数据手册

1+
￥9.59
10+
￥9.34
30+
￥9.18
100+
￥9.01

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:11A

型号：IPD60R180P7 编号：C467010

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥9.73
10+
￥8.02
30+
￥7.08
100+
￥6.02
500+
￥5.54

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耐压:80V 电流:95A

型号：BSC052N08NS5 编号：C534350

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥9.82
10+
￥8.25
30+
￥7.39
100+
￥6.42

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EZ-PDTM CCG3PA，USB Type-C端口控制器

型号：CYPD3175-24LQXQT 编号：C2952419

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CCG3PA提供额外的功能和BOM集成优势。使用Cypress专有的MoS8技术，支持USB PD3.0 Version 1.1 Spec，包括可编程电源模式。

数据手册

1+
￥10.62
10+
￥8.89
30+
￥7.95
100+
￥6.24
500+
￥5.77
1000+
￥5.55

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1个N沟道耐压:150V 电流:85A

型号：IRFB4321PBF 编号：C2656

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,150V,85A,15mΩ@10V

数据手册

1+
￥10.88
10+
￥9.02
50+
￥7.1
100+
￥5.95
600+
￥5.44

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OptiMOs T2功率晶体管

型号：IPB120N06S4-03 编号：C536547

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1最高可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥11.41
10+
￥9.61
30+
￥8.48
100+
￥7.33
500+
￥6.8

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PSoC 4 可扩展可重构嵌入式系统控制器平台架构

型号：CY8C4014LQI-422T 编号：C382040

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

PSoC 4 是一种可扩展和可重新配置的平台架构，适用于具有 ARM CorteX-M0 CPU 的可编程嵌入式系统控制器系列。它结合了可编程和可重新配置的模拟和数字模块以及灵活的自动布线。PSoC 4000 产品系列是 PSoC 4 平台架构中最小的成员。它将带有标准通信和定时外设的微控制器、具有最佳性能的电容式触摸感应系统（CapSense）和通用模拟功能结合在一起。PSoC 4000 产品将与 PSoC 4 平台的其他成员完全向上兼容，以满足新的应用和设计需求。

数据手册

1+
￥12.13
10+
￥11.12
30+
￥10.52
100+
￥9.91
500+
￥9.63
1000+
￥9.5

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600V 21A

型号：IPL60R185C7 编号：C537028

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。它是首个 RDS(on)*A 低于10mΩ*mm² 的技术。

数据手册

1+
￥13.94
10+
￥11.73
30+
￥10.35
100+
￥8.93
500+
￥8.29

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:179A

型号：ISC030N10NM6ATMA1 编号：C3278643

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低的导通电阻 RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on) 乘积（FOM）。极低的反向恢复电荷 (Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级

1+
￥14.26
10+
￥12.17
30+
￥10.86
100+
￥9.52

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:16A

型号：IPB60R145CFD7 编号：C536613

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥14.57
10+
￥13.78
30+
￥13.31
100+
￥12.83
500+
￥12.61

有货

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5V 400mA 40V

型号：TLE4267G 编号：C539690

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE4267是一款适用于汽车应用的5 V低压差稳压器，采用PG-TO263-7或PG-DSO-14封装。它可提供超过400 mA的输出电流。该集成电路具备短路保护功能，并设有过温保护电路

数据手册

1+
￥15.18
10+
￥13.43
30+
￥12.33
100+
￥11.21
500+
￥10.7

有货

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支持SPI接口的6A H桥驱动器

型号：TLE9201SGAUMA1 编号：C2653438

封装：DSO-12

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE9201SG是一款通用型6A H桥，专为汽车应用中的直流电机或其他感性负载控制而设计（但不限于这些应用）。输出可进行脉宽调制，最高频率达20kHz。PWM/DIR控制减少了微控制器端所需的具备PWM功能的引脚数量

数据手册

1+
￥16.59
10+
￥13.97
30+
￥12.33
100+
￥10.65
500+
￥9.89
1000+
￥9.56

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600V 50A

型号：IKW50N60H3 编号：C127956

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™技术提供非常低的VCEsat。低EMI。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

数据手册

1+
￥17.04
10+
￥14.59
30+
￥11.73
90+
￥10.16

有货

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耐压:75V 电流:160A

型号：IRF2907ZPBF 编号：C495791

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

该HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。

数据手册

1+
￥18.29
10+
￥15.73
50+
￥14.13
100+
￥12.49
500+
￥11.75

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100V 100A

型号：IPP030N10N3GXKSA1 编号：C513212

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥18.71
10+
￥15.76
30+
￥13.91
100+
￥12.02

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1个N沟道耐压:600V 电流:31A

型号：IPW60R120C7 编号：C537466

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS C7是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。600V C7是首款RDS(on) * A低于1Ohm * mm的技术。

数据手册

1+
￥18.82
10+
￥17.81
30+
￥17.21
240+
￥16.61
480+
￥16.33

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70万种现货SKU

品类不断扩充中
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科技智能大仓储

最快4小时发货
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