Infineon传感器_厂家_价格_品牌_库存

封装：TSDSON-8FL

特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格认证。N沟道，逻辑电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据ICC1249-2-21标准为无卤产品

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￥2.55
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￥2.01
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型号：BSL308CH6327XTSA1 编号：C3289349

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：互补 P + N 沟道。增强模式。逻辑电平（额定 4.5V）。雪崩额定。根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 无卤

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￥1.43
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型号：IRFZ46NPBF 编号：C9218

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,53A,16.5mΩ@V

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￥2.83
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￥2.26
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￥2.01
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型号：IRFH5304TRPBF 编号：C537894

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IRFH8318TRPBF 编号：C82059

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,27A,3.1mΩ@10V

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型号：IPD60R280P7S 编号：C536813

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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型号：IR25602STRPBF 编号：C537635

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR25602是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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型号：IRF7316TRPBF 编号：C55887

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-30V,-4.9A,58mΩ@-10V

数据手册

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￥1.95

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型号：IRF5305PBF 编号：C2623

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V

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￥4.01
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型号：IPD053N06N 编号：C536719

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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型号：SI4435DYTRPBF 编号：C67287

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-30V,-8A,20mΩ@10V

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型号：IPD65R400CE 编号：C536849

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolIMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolIMOS CE系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的情况下，提供了快速开关超结MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

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型号：IRS2104STRPBF 编号：C151525

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2104是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：IPD90N04S4L-04 编号：C536903

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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型号：IR2106STRPBF 编号：C386354

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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型号：IPA65R400CE 编号：C501513

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。CoolMOS CE系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术相结合。由此产生的器件在不牺牲易用性的同时，具备了快速开关超结MOSFET的所有优势

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￥5.77
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型号：BSZ110N08NS5ATMA1 编号：C3279301

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行优化的技术。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC认证，适用于目标应用。根据IEC61249-2-21标准无卤。扩大源极互连，提高焊点可靠性

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￥6.34
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型号：IRLZ34NSTRLPBF 编号：C538198

封装：D2PAk

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片

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型号：TLE9251VLE 编号：C540119

封装：TSON-8-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

完全符合ISO 11898-2 (2016)和SAE J2284-4/-5标准，具有高达5 MBit/s的CAN FD数据帧支持。

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型号：ISP752R 编号：C538455

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入和诊断反馈功能，采用智能SIPMOS技术进行单片集成。提供嵌入式保护功能。

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￥5.45

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型号：IRF9Z34NSTRLPBF 编号：C169780

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-1.9A,0.1Ω@-10V

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型号：CY7C65632-28LTXCT 编号：C466886

封装：QFN-28-EP(5x5)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

高性能、低功耗的USB 2.0集线器，最多支持四个下游端口。

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￥7.63
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型号：BTT6050-1ERA 编号：C534868

封装：TDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6050 - 1ERA是一款导通电阻为50 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成

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型号：FM24CL04B-GTR 编号：C914924

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

4-Kbit非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它可提供151年的可靠数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，FM24CL04B以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有更高的写入耐久性

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￥9.07
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型号：IRFB5620PBF 编号：C520672

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）

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型号：BSP78HUMA1 编号：C2653794

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET，采用 Smart SIPMOS 技术。通过嵌入式保护功能实现全面保护。

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￥6.93
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型号：IRFB52N15DPBF 编号：C11737

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,150V,51A,32mΩ@10V

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￥9.88
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￥8.26
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型号：1EDI60I12AF 编号：C533025

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离式IGBT驱动器。输入到输出隔离电压高达1200V。适用于高压功率IGBT。典型值高达10A

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￥10.15
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￥6.15
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型号：TLE7251VLE 编号：C540013

封装：TSON-8-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于汽车和工业应用的高速CAN网络收发器。具有低电磁发射、高ESD鲁棒性和远程唤醒功能。

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￥10.37
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￥8.86
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￥8.26
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￥7.99
1000+
￥7.87

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型号：CY8C4146AZI-S423 编号：C2959108

封装：TQFP-48(7x7)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

PSoC 4 是一个可扩展和可重新配置的平台架构，适用于具有 Arm Cortex-M0+ CPU 的可编程嵌入式系统控制器系列。它结合了可编程和可重新配置的模拟和数字块，以及灵活的自动路由。PSoC 4100S 产品系列是 PSoC 4 平台架构的成员。它结合了具有标准通信和时序外设的微控制器、具有最佳性能的电容触摸感应系统 (CapSense)、可编程通用连续时间和开关电容模拟块以及可编程连接。PSoC 4100S 产品与 PSoC 4 平台成员向上兼容，适用于新的应用和设计需求。

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