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描述

价格(含税)

库存

操作

OptiMos功率晶体管

型号：BSC105N10LSF G 编号：C534404

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-channel, logic level。极低的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃ 工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准；无卤。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。非常适合高频开关和同步整流。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

数据手册

1+
￥17.39
10+
￥16.52
30+
￥16
100+
￥15.48
500+
￥15.24
1000+
￥15.13

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:288A

型号：ISC011N06LM5ATMA1 编号：C3288866

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。经过100%雪崩测试。卓越的热性能。额定温度为175℃。 N沟道。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据EC61249-2-21标准，无卤素

1+
￥18.53
10+
￥17.57
30+
￥17
100+
￥16.42
500+
￥16.15
1000+
￥16.03

有货

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HX3 USB 3.0 集线器

型号：CYUSB3304-68LTXC 编号：C462531

封装：QFN-68

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

HX3 是一个符合 USB 3.0 规范修订版 1.0 的 USB 3.0 集线器控制器系列，支持所有端口上的 SuperSpeed (SS)、Hi-Speed (HS)、Full-Speed (FS) 和 Low-Speed (LS)。它集成了终端电阻、上拉和下拉电阻，并通过引脚绑定选项减少系统的 BOM。

数据手册

1+
￥20.13
10+
￥17.25
30+
￥14.9
260+
￥13.17
520+
￥12.38

有货

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2通道集成模拟输入D类音频放大器

型号：IR4322MTRPBF 编号：C2980617

封装：PQFN-44(7x7)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR43X2集成了2通道PWM控制器和数字音频MOSFET，构成了一个高性能的D类音频放大器。由于经过全面优化的MOSFET与专用控制器IC封装在一起，IR43X2在典型的音乐播放使用场景中无需安装散热片即可运行。控制器IC的高耐压和抗干扰能力确保其在各种环境条件下都能可靠运行

1+
￥21.1
10+
￥17.91
30+
￥16.01
100+
￥14.09
500+
￥13.21

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:120A

型号：IPB048N15N5 编号：C536509

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优秀的栅极电荷×导通电阻积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。极低的反向恢复电荷（Qrr）。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥21.54
10+
￥18.59
30+
￥16.84
100+
￥15.07
500+
￥14.25
1000+
￥13.88

有货

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智能高端功率开关

型号：BTS711L1XUMA1 编号：C2680333

封装：SOIC-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入和诊断反馈，采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥32.79
10+
￥27.87
30+
￥24.95
100+
￥21.99

有货

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N沟道 100V 276A

型号：IQD020N10NM5ATMA1 编号：C22462713

封装：TSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-channel, normal level。极低导通电阻Rps(on)。卓越的热阻，100%雪崩测试。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥34.47
10+
￥29.62
30+
￥26.74
100+
￥23.83

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:23A

型号：IPT60R022S7 编号：C531208

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于低频开关应用，具备最佳性价比。拥有HV SJ MOSFET中最低的Rdson值，显著提高能源效率。针对“静态开关”和大电流应用进行了优化，是固态继电器和断路器设计以及开关电源和逆变器拓扑中线路整流的理想选择。

数据手册

1+
￥36.74
10+
￥31.96
30+
￥29.05
100+
￥26.61

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:53A

型号：IPW60R070C6 编号：C454262

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。该器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥39.37
10+
￥34.4
30+
￥31.45
90+
￥28.46

有货

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N沟道 100V 321A

型号：IPT017N10NM5LF2ATMA1 编号：C41716913

封装：TOLL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。极低的导通电阻RDS(on)。宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JECL1249-2-21标准无卤

1+
￥42.48
10+
￥36.72
30+
￥33.2
100+
￥30.25

有货

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600V CoolMOS C7功率晶体管

型号：IPB60R040C7 编号：C536595

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS C7是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。600V C7是首个RDS(on)*A低于10 mΩ*mm²的技术。

数据手册

1+
￥48.1
10+
￥45.75
30+
￥44.32
100+
￥43.13

有货

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1-Mbit F-RAM内存

型号：FM28V100-TGTR 编号：C66026

封装：TSOP-32-12.5mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM28V100是一款128K x 8的非易失性F-RAM存储器，支持高速读写操作，具有100万亿次读写寿命和151年的数据保留时间。它采用32引脚TSOP封装，工作电压为2.0V至3.6V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

数据手册

1+
￥57.5
10+
￥50.01
30+
￥45.44
100+
￥41.61

有货

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FM31256-GTR

型号：FM31256-GTR 编号：C24383

封装：SOIC-14_150mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM31256-GTR 是一款集成处理器伴生器件，集成了非易失性存储器、实时时钟、低电压复位、看门狗定时器、非易失事件计数器、锁定的64位序列号区域和通用比较器。该器件支持多种功能，包括早期电源失效警告、系统入侵检测等。存储器容量为256Kb，支持I2C接口，最大总线频率为1 MHz。

数据手册

1+
￥64.99
10+
￥56.5
30+
￥43.47

有货

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1.2kV 25A

型号：FS3L25R12W2H3B11 编号：C17252031

封装：插件,62.8x56.7mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速IGBT H3。低电感设计。低开关损耗。应用：3-Level-应用。太阳能应用

1+
￥275
30+
￥265

有货

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配3个螺丝 1.2kV 150A

型号：FF150R12RT4 编号：C540936

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：扩展工作温度 TVJop。低开关损耗。低 VCEsat。 TVJop = 150℃。 VCEsat 具有正温度系数。绝缘底板。应用：高频开关应用。电机驱动

数据手册

单价：
￥348 / 个

有货

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一个模块配3颗螺丝 1.2kV 100A

型号：FF100R12RT4 编号：C540913

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：扩展工作温度 TVJop。低开关损耗。低 VCEsat。TVJop = 150°C。VCEsat 具有正温度系数。应用：高功率转换器。电机驱动

数据手册

1+
￥358.44
10+
￥350.36

有货

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2ED300C17-ST

型号：2ED300C17-ST 编号：C22408390

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥871.18
24+
￥828

有货

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PNP 电流:600mA 电压:60V

型号：MMBT2907ALT1HTSA1 编号：C151510

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低集电极-发射极饱和电压。互补类型：SMBT2222A / MMBT2222A（NPN）。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

数据手册

5+
￥0.6097
50+
￥0.4923
150+
￥0.4336
500+
￥0.338952 ￥0.3896
3000+
￥0.308241 ￥0.3543
6000+
￥0.292929 ￥0.3367

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:1.5A

型号：BSS314PEH6327 编号：C151506

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,30V,1.5A,140mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.895
50+
￥0.7552
150+
￥0.6852
500+
￥0.403
3000+
￥0.361

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:35A

型号：BSZ130N03LS G 编号：C534707

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。雪崩额定值。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥1.73
10+
￥1.52
30+
￥1.43
100+
￥1.31
500+
￥1.26
1000+
￥1.23

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:17A

型号：IRFZ24NPBF 编号：C9217

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,17A,70mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.7946
50+
￥1.4166
150+
￥1.2546
500+
￥1.0525
2000+
￥0.9625

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:30V 电流:6.8A

型号：IRF9389TRPBF 编号：C152654

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N+P沟道,30V,6.8A+4.6A

数据手册

5+
￥2.1648
50+
￥1.7478
150+
￥1.5691
500+
￥1.3461

有货

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耐压:650V 电流:6A

型号：IPD60R360P7S 编号：C536820

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

数据手册

1+
￥2.18
10+
￥1.9
30+
￥1.78
100+
￥1.63
500+
￥1.56
1000+
￥1.52

有货

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OptiMOs P3功率晶体管

型号：BSZ180P03NS3 G 编号：C534713

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单P沟道，符合JEDEC标准，适用于目标应用。工作温度：150℃。 VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。无铅，符合RoHS标准。无卤，符合IEC61249-2-21标准。应用：电池管理。负载开关

数据手册

1+
￥2.55
10+
￥2.25
30+
￥2.12
100+
￥1.95
500+
￥1.88
1000+
￥1.84

有货

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快速、精确、高驱动能力且兼容性好的双通道驱动器

型号：2EDN7524F 编号：C533081

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDN752x/2EDN852x是一款先进的双通道驱动器，适用于驱动逻辑电平和普通电平MOSFET，支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET，以及IGBT和GaN功率器件。

数据手册

1+
￥2.64
10+
￥2.07
30+
￥1.83
100+
￥1.53
500+
￥1.3
1000+
￥1.22

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:30V 电流:2.3A

型号：BSL308CH6327XTSA1 编号：C3289349

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：互补 P + N 沟道。增强模式。逻辑电平（额定 4.5V）。雪崩额定。根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 无卤

1+
￥3.16
10+
￥2.61
30+
￥2.37
100+
￥2.07
500+
￥1.94
1000+
￥1.86

有货

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2个P沟道耐压:30V 电流:3.6A

型号：IRF7306TRPBF 编号：C537809

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。SO - 8通过定制的引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其成为各种电源应用的理想选择

数据手册

1+
￥3.51
10+
￥2.85
30+
￥2.53
100+
￥2.2
500+
￥2.01
1000+
￥1.91

有货

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N沟道耐压:40V 电流:170A

型号：BSC014N04LS 编号：C2760081

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。出色的热阻。 N沟道，逻辑电平。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

数据手册

1+
￥3.69
10+
￥2.98
30+
￥2.68

有货

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红外整流器高端和低端驱动器

型号：IR2301STRPBF 编号：C413500

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2301(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

数据手册

1+
￥3.78
10+
￥3.06
30+
￥2.7
100+
￥2.35
500+
￥1.87
1000+
￥1.76

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:43A

型号：IRFR3806TRPBF 编号：C148157

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 60V 43A

数据手册

1+
￥3.81
10+
￥3.12
30+
￥2.78
100+
￥2.44
500+
￥1.78
1000+
￥1.67

有货

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最快4小时发货
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