Infineon传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFH5304TRPBF 编号：C537894

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

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￥3.07
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￥2.71
30+
￥2.54
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￥2.37
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￥2.14
1000+
￥2.09

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型号：IRF520NPBF 编号：C2598

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,9.7A,200mΩ@10V

数据手册

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￥3.18
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￥2.55
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￥2.08
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￥1.75
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￥1.6
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￥1.51

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型号：BSC050N03LSG 编号：C153237

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,18A,5mΩ@10V

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￥3.27
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￥2.62
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￥2.3
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￥1.98
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￥1.68

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型号：IR25602STRPBF 编号：C537635

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR25602是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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￥3.28
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￥2.57
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￥2.26
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￥1.87
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￥1.7
1000+
￥1.6

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型号：IPD135N03LG 编号：C152614

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,30A,13.5mΩ@10V

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￥3.32
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￥2.6
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￥2.28
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￥1.9
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￥1.72
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￥1.62

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型号：IR2106STRPBF 编号：C386354

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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￥4.27
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￥3.43
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￥3
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￥2.2

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型号：TLF80511TF V33 编号：C540219

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

一款线性低压差稳压器，适用于高达 400 mA 的负载电流。高达 40 V 的输入电压可被调节至 VQ,nom = 5 V（TLF80511TFV50）或 V0,nom = 3.3 V（TLF80511TFV33），精度为 ±2%。其典型静态电流为 38 μA，是需要极低工作电流的系统（如那些永久连接到电池的系统）的理想解决方案

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￥4.52
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￥4.07
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￥3.82
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￥3.55
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￥3.36

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型号：IRFB5615PBF 编号：C79992

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术，以实现每个硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性结合在一起，使该MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

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￥4.77
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￥4
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￥3.31
100+
￥2.93
500+
￥2.7

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型号：IRFB7545PBF 编号：C2997913

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥4.91
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￥4.03
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￥3.58
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￥3.14
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￥2.88
1000+
￥2.74

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型号：TLE4263-2ES 编号：C539678

封装：DSO-8-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

符合汽车应用要求。根据AEC - Q100/101进行产品验证。OPTIREG线性稳压器TLE4263 - 2ES是一款采用PG - DSO - 8外露焊盘SMD封装的单片集成极低压差电压稳压器，专为汽车应用而设计

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￥5.08
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￥4.95
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￥4.87
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￥4.78

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型号：BGB707L7ESDE6327XTSA1 编号：C3199311

封装：XFDFN-6-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BGB707L7ESD 是一款基于 Infineon Technologies 成本效益的 SiGe:C 技术的低噪声放大器 MMIC，具有集成的 ESD 保护和主动偏置。该设备像离散晶体管一样灵活，具有高增益和减少的噪声系数。

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￥3.05
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￥2.58

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型号：IRFB3207PBF 编号：C2578

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,180A,4.5mΩ@10V

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￥6.1
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￥5.04
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￥4.2
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￥3.68
350+
￥3.36

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型号：IAUCN04S7L028ATMA1 编号：C29536843

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。增强模式。逻辑电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。坚固的设计。应用：一般汽车应用

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￥6.33
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￥3.56

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型号：IRFB3307PBF 编号：C520671

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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￥6.92
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￥6.29
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￥5.38

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型号：BSC070N10NS3GATMA1 编号：C148247

封装：TDSON-8(6x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,90A,7mΩ@10V

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￥7.51
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￥6.86
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￥6.46
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￥5.86
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￥5.77

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型号：IR2111STRPBF 编号：C520630

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

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1+
￥9.0904 ￥10.33
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￥7.5504 ￥8.58
30+
￥6.7056 ￥7.62
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￥5.7464 ￥6.53
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￥4.6816 ￥5.32
1000+
￥4.488 ￥5.1

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型号：TLE6250GV33XUMA1 编号：C2652852

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

高速CAN收发器，支持高达1 Mbps的数据传输速率，适用于12V和24V应用，具有良好的EMC性能。

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1+
￥9.77
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￥8.15
30+
￥7.26
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￥6.25
500+
￥5.81
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￥5.61

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型号：IPB180N04S4-01 编号：C536569

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。超低导通电阻。 100%雪崩测试

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1+
￥9.84
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￥9.16
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￥8.79
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￥8.38
500+
￥8.19
1000+
￥8.1

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型号：BSC010NE2LS 编号：C152368

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,25V,100A,1mΩ@10V

数据手册

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￥10.35
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￥8.74
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￥7.73
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￥6.22
1000+
￥6.02

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型号：IPD053N08N3G 编号：C148258

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,80V,90A,5.3mΩ@10V

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1+
￥10.89
10+
￥9.36
30+
￥8.4
100+
￥7.42

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型号：IDW30E65D1 编号：C535952

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：650V发射极控制技术。关键参数的温度稳定特性。低正向电压(VF)。超快速恢复。低反向恢复电荷(Qrr)。低反向恢复电流(Irrm)。应用：AC/DC转换器。 PFC级中的升压二极管

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1+
￥12.93
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￥11.02
30+
￥9.82
90+
￥8.59

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型号：CY8C4146AZI-S445 编号：C2944772

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

PSoC 4100S Plus 是一种可扩展和可重新配置的平台架构，适用于一系列基于 Arm CorteX-M0+ CPU 的可编程嵌入式系统控制器。它结合了可编程和可重新配置的模拟与数字模块，并具有灵活的自动布线功能。PSoC 4100S Plus 结合了带有标准通信和定时外设的微控制器、具有同类最佳性能的电容触摸感应系统（CapSense）、可编程通用连续时间和开关电容模拟模块以及可编程连接性。PSoC 4100S Plus 产品将与 PSoC 4 平台的其他成员向上兼容，以满足新的应用和设计需求。

1+
￥13.36
10+
￥12.16
30+
￥11.42
160+
￥10.56
480+
￥10.22
960+
￥10.07

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型号：IPD75N04S4-06 编号：C536872

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N通道。增强模式。 AEC合格。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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1+
￥13.61
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￥11.88
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￥11.19
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￥10.88
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￥10.75

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型号：IKW30N65ET7XKSA1 编号：C3191680

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥13.67
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￥12.93
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￥12.48
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￥12.04
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￥11.83
990+
￥11.74

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型号：IPA032N06N3 G 编号：C536306

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器优化技术。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥14.15
10+
￥12.94
50+
￥12.17
100+
￥11.39

有货

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型号：CY8C21434-24LTXIT 编号：C511131

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：强大的哈佛架构处理器。 M8C处理器速度高达24 MHz。高速下低功耗。工作电压：2.4 V至5.25 V。使用片上开关模式泵（SMP）时工作电压低至1.0 V。工业温度范围：-40℃至+85℃

数据手册

1+
￥15.52
10+
￥13.1
30+
￥11.58
100+
￥10.03
500+
￥9.33

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型号：BTT6050-1EKA 编号：C534867

封装：DSO-14-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6050 - 1EKA是一款导通电阻为50 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - DSO - 14 - 47 EP露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。此器件采用Smart6技术集成

数据手册

1+
￥17.28
10+
￥16.34
30+
￥15.79
100+
￥15.22
500+
￥14.96
1000+
￥14.84

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型号：SLB9670VQ20FW785XTMA1 编号：C1012863

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

符合TPM Main Specification Family 2.0，硬件和固件通过FIPS140-2 Level 2验证。支持SPI接口，满足Intel TXT、Microsoft Windows和Google Chromebook认证标准。具有随机数生成器，支持SHA-1或SHA-256哈希算法。优化电池供电设备，低待机电流（典型值110uA）。内置Linux内核支持。

数据手册

1+
￥24.59
10+
￥20.84
30+
￥18.61
100+
￥16.35

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型号：1ED3491MU12M 编号：C530929

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED34x1Mc12M系列（X3模拟）由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成，其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能，可简化高可靠性系统的设计

1+
￥26.95
10+
￥22.93
30+
￥20.54
100+
￥18.12

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型号：IR2214SSTRPBF 编号：C537614

封装：SSOP-24-208mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力（2 A 源电流、3 A 灌电流），且静态电流需求低，这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护，并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障，从而防止过电压并减少电磁辐射

数据手册

1+
￥29.25
10+
￥25.01
30+
￥22.5
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