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1个N沟道 耐压:600V 电流:31A
型号：IPW60R120C7 编号：C537466
封装：TO-247
品牌：Infineon(英飞凌)
CoolMOS C7是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。600V C7是首款RDS(on) * A低于1Ohm * mm的技术。
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:100A
    型号：IPB110P06LM 编号：C3279229
    封装：TO-263-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on)，在VDS为-4.5 V时。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:375A
    型号：IRL7472L1TRPBF 编号：C538140
    封装：WHSON-8(3.3x3.3)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对逻辑电平驱动进行优化。 改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。 完全表征了电容和雪崩SOA。 增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。 无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

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    IGC037S12S1XTMA1
    型号：IGC037S12S1XTMA1 编号：C43313315
    封装：PG-TSON-6
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：超快速开关和高效率。 节省空间且高度可靠的封装。 无反向恢复电荷。 超低栅极电荷和输出电荷。 顶部散热出色的裸片外露设计。 防潮等级MSL1。应用：电池供电工具。 AC-DC和DC-DC转换器的同步整流

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      ￥25.124 ￥28.55

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    650V CoolMOS CFD2功率晶体管
    型号：IPW65R150CFD 编号：C537495
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗以及极高的坚固性，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
    数据手册

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      ￥27.79

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    单通道 20mΩ 智能功率高端开关
    型号：BTS441TG 编号：C534782
    封装：TO-263-5
    品牌：Infineon(英飞凌)
    采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考、CMOS兼容输入，采用智能SIPMOS技术进行单片集成，具备嵌入式保护功能
    数据手册

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      ￥29.57

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    耐压:600V 电流:46A
    型号：SPW47N60CFD 编号：C539326
    封装：TO-247
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：新型革命性高压技术，固有快速恢复体二极管。 极低的反向恢复电荷。 超低栅极电荷。 极高的dv/dt额定值。 高脉冲电流能力。 周期性雪崩额定值。 符合JEDEC工业级应用标准。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准
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      ￥33.42

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    FM24V05-GTR
    型号：FM24V05-GTR 编号：C66021
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM24V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造，提供高耐久性和低功耗。支持I2C接口，最高时钟频率为3.4 MHz，适用于需要频繁写入的应用场景。
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      ￥44.06

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    ISC018N08NM6ATMA1
    型号：ISC018N08NM6ATMA1 编号：C39329323
    封装：PG-TDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)

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    IMZA65R027M1H
    型号：IMZA65R027M1H 编号：C536297
    封装：TO-247-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建。利用宽带隙SiC材料特性，提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作环境，能够以简化且经济高效的方式实现最高系统效率。
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      ￥53.84

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    OptiMos M6功率晶体管，150V
    型号：IPT025N15NM6ATMA1 编号：C30698831
    封装：HSOF-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N- 沟道，正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 优异的热阻。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 根据 LTSD-020 标准为 MSL-1 级分类

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      ￥55.9

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    16-Mbit (1 M x 16) 静态随机存取存储器
    型号：CY62167DV30LL-55ZXIT 编号：C2956479
    封装：TSOP-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62167DV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字×16-Bit。该设备具有超低功耗特性，适用于便携式设备，如手机。它支持自动断电功能，当未选中时可显著降低功耗。
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    CY14B101NA-ZS45XIT
    型号：CY14B101NA-ZS45XIT 编号：C2932413
    封装：TSOP-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY14B101NA 是一款快速静态RAM (SRAM)，每个存储单元都包含一个非易失性元素。该存储器组织为128K字节的8-Bit或64K字的16-Bit。非易失性元素采用QuantumTrap技术，提供20年的数据保留时间。支持无限次读写和RECALL操作，最多支持1百万次STORE操作。
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      ￥129.8

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      ￥123.2

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      ￥118.8
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    1.2kV 39A
    型号：FP25R12W2T4 编号：C534015
    封装：插件,62.8x56.7mm
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IGBT模块
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    • 1+

      ￥246.51

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      ￥239.31
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    四件套 1.2kV 450A
    型号：FF300R12KT4 编号：C541034
    封装：螺栓安装
    品牌：Infineon(英飞凌)
    62mm C-系列模块,采用快速沟槽/场截止IGBT4和优化的发射极控制二极管
    数据手册

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      ￥341.76

    • 10+

      ￥333.82
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    1.2kV 280A
    型号：FS200R12KT4R 编号：C535453
    封装：-
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IGBT模块
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      ￥705.56

    • 30+

      ￥674.6
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.19A
    型号：BSS123NH6327 编号：C5205497
    封装：TO-236-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N 通道增强模式。 逻辑电平（额定 4.5V）。 雪崩额定。 根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅；符合 RoHS 标准，无卤素
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2749

    • 100+

      ￥0.2191

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      ￥0.1912

    • 3000+

      ￥0.1703
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:3.7A
    型号：IRLML6402TRPBF 编号：C2593
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-20V,-3.7A,65mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7142

    • 50+

      ￥0.5933

    • 150+

      ￥0.5312
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:0.021A
    型号：BSS127H6327XTSA2 编号：C152611
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,600V,21mA,500Ω@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7181

    • 50+

      ￥0.586

    • 150+

      ￥0.5199

    • 500+

      ￥0.4703

    • 3000+

      ￥0.356
  • 有货
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    BCX 42 E6327
    型号：BCX 42 E6327 编号：C533950
    封装：SOT-23-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8273

    • 50+

      ￥0.6473

    • 150+

      ￥0.5573

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      ￥0.4898

    • 3000+

      ￥0.4358

    • 6000+

      ￥0.4088
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:3.4A
    型号：IRF5803TRPBF 编号：C169756
    封装：TSOP-6
    品牌：Infineon(英飞凌)
    这些P沟道HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于电池和负载管理应用。采用定制化引线框架的TSOP - 6封装所制造的HEXFET功率MOSFET，其导通电阻（RDS(on)）比同等尺寸的SOT - 23封装低60%
    数据手册

    • 5+

      ￥1.156

    • 50+

      ￥1.0261

    • 150+

      ￥0.9704

    • 500+

      ￥0.9009

    • 3000+

      ￥0.6566
  • 有货
    • 立即购买
    BCR 401U E6327
    型号：BCR 401U E6327 编号：C533883
    封装：SC-74-6
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2879

    • 50+

      ￥1.003

    • 150+

      ￥0.8809

    • 500+

      ￥0.7286
  • 有货
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    电压:10V 电流:3A
    型号：BAT60AE6327 编号：C513277
    封装：SOD-323
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：高电流整流肖特基二极管，极低正向压降（典型值：在正向电流为10mA时为0.12V）。 无铅（符合RoHS标准）封装。 符合AEC Q101标准。应用：电源应用。 低压应用中的钳位和保护
    数据手册

    • 5+

      ￥1.9726

    • 50+

      ￥1.5291

    • 150+

      ￥1.339
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:8.5A
    型号：IRLHS2242TRPBF 编号：C538150
    封装：PQFN-6-EP(2x2)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：低热阻至PCB（≤13℃/W）。 低外形（≤1.0mm）。 行业标准引脚排列。 与现有表面贴装技术兼容。 符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，工业级认证。应用：电池应用的充放电开关。 系统/负载开关
    数据手册

    • 1+

      ￥2.32

    • 10+

      ￥1.81

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      ￥1.6

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      ￥1.33

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      ￥1.2

    • 1000+

      ￥1.13
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    单通道低端驱动器IC
    型号：IRS44273LTRPBF 编号：C126909
    封装：SOT-23-5
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRS44273L是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。采用专有的抗闭锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容
    数据手册

    • 1+

      ￥2.61

    • 10+

      ￥2.03

    • 30+

      ￥1.78

    • 100+

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    • 500+

      ￥1.33

    • 1000+

      ￥1.24
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.6A
    型号：IRF7205TRPBF 编号：C55419
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    大电流MOS管
    数据手册

    • 1+

      ￥2.8

    • 10+

      ￥2.21

    • 30+

      ￥1.96

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      ￥1.65

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      ￥1.37

    • 1000+

      ￥1.28
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    1个N沟道 耐压:55V 电流:53A
    型号：IRFZ46NPBF 编号：C9218
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,55V,53A,16.5mΩ@V
    数据手册

    • 1+

      ￥2.86

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      ￥2.29

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      ￥2.04

    • 100+

      ￥1.74

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      ￥1.6

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      ￥1.52
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:208A
    型号：IRFS7440TRLPBF 编号：C409762
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准，无铅、无溴和无卤素。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

    • 1+

      ￥2.95

    • 10+

      ￥2.32

    • 30+

      ￥2.05

    • 100+

      ￥1.72
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:31A
    型号：IRFU3410PBF 编号：C538063
    封装：TO-251
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：低栅极到漏极电荷，以降低开关损耗。 完全表征的电容，包括有效Coss，以简化设计。 完全表征的雪崩电压和电流。应用：高频DC-DC转换器。 无铅
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    耐压:80V 电流:23A
    型号：BSC340N08NS3 G 编号：C83511
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关。针对DC/DC转换器优化技术。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。卓越的热阻。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了资格认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
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