Infineon传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：2EDN7524F 编号：C533081

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDN752x/2EDN852x是一款先进的双通道驱动器，适用于驱动逻辑电平和普通电平MOSFET，支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET，以及IGBT和GaN功率器件。

数据手册

1+
￥3.02
10+
￥2.4
30+
￥2.14
100+
￥1.8
500+
￥1.56
1000+
￥1.47

有货

立即购买

型号：IRF7306TRPBF 编号：C537809

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。SO - 8通过定制的引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其成为各种电源应用的理想选择

数据手册

1+
￥3.56
10+
￥2.9
30+
￥2.57
100+
￥2.25
500+
￥2.05
1000+
￥1.95

有货

立即购买

型号：BGSA14M2N10E6327XTSA1 编号：C3303189

封装：TSNP-10

品牌：Infineon(英飞凌)

BGSA14M2N10是一款超小型单刀四掷（SP4T）天线调谐开关，针对高达7.125GHz的射频应用进行了优化。其MIPI RFFE数字控制接口在蜂窝移动射频前端设计中易于实现且具有出色的灵活性。BGSA14M2N10包含4个低导通电阻（RON）端口，非常适合高Q值调谐应用。由于其具有较高的射频电压耐受性，适用于在射频匹配电路中切换电感器和电容器等任何电抗器件，且损耗极小。

1+
￥3.99
10+
￥3.32
30+
￥2.98
100+
￥2.65
500+
￥2.45
1000+
￥2.35

有货

立即购买

型号：BFS481H6327XTSA1 编号：C3199325

封装：SOT-363

品牌：Infineon(英飞凌)

用于集电极电流为 0.5 mA 至 12 mA 的低噪声、高增益宽带放大器。

1+
￥4.08
10+
￥3.27
30+
￥2.87
100+
￥2.47
500+
￥2.23

有货

立即购买

型号：IRF7410TRPBF 编号：C148144

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道 -12V -16A

数据手册

1+
￥4.2812 ￥5.56
10+
￥3.3433 ￥4.99
30+
￥2.6676 ￥4.68
100+
￥2.4681 ￥4.33
500+
￥2.3826 ￥4.18
1000+
￥2.337 ￥4.1

有货

立即购买

型号：TLF80511TF V33 编号：C540219

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

一款线性低压差稳压器，适用于高达 400 mA 的负载电流。高达 40 V 的输入电压可被调节至 VQ,nom = 5 V（TLF80511TFV50）或 V0,nom = 3.3 V（TLF80511TFV33），精度为 ±2%。其典型静态电流为 38 μA，是需要极低工作电流的系统（如那些永久连接到电池的系统）的理想解决方案

数据手册

1+
￥4.43
10+
￥3.98
30+
￥3.73
100+
￥3.46
500+
￥3.33
1000+
￥3.27

有货

立即购买

型号：IPC100N04S5L-2R6 编号：C536698

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。逻辑电平。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥4.6
10+
￥4.06
30+
￥3.79
100+
￥3.53
500+
￥3.37
1000+
￥3.29

有货

立即购买

型号：BSC035N04LS G 编号：C386366

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC1标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（品质因数FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥4.79
10+
￥3.81
30+
￥3.32
100+
￥2.84
500+
￥2.55
1000+
￥2.4

有货

立即购买

型号：IRFH5015TRPBF 编号：C513178

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低RDSon (< 31 mΩ)。低至PCB的热阻 (< 0.8℃/W)。 100% Rg测试。低外形 (< 0.9 mm)。行业标准引脚排列。与现有表面贴装技术兼容。应用：初级侧同步整流。直流电机逆变器

数据手册

1+
￥4.86
10+
￥3.89
30+
￥3.4
100+
￥2.91
500+
￥2.62
1000+
￥2.48

有货

立即购买

型号：BSP135H6327 编号：C3278599

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道耗尽模式。dv/dt额定。卷盘上带有VGS(th)指示器。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。符合AEC Q101标准。符合IEC61249-2-21的无卤标准

数据手册

1+
￥4.91
10+
￥4.02
30+
￥3.58
100+
￥3.14
500+
￥2.76

有货

立即购买

型号：BSC0901NSIATMA1 编号：C3278725

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能同步整流进行优化。单片集成类似肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on)，在VGS = 4.5 V时。 100%雪崩测试。出色的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤素

1+
￥4.95
10+
￥4
30+
￥3.52
100+
￥3.05
500+
￥2.63
1000+
￥2.48

有货

立即购买

型号：BSC066N06NS 编号：C3278728

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行了优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

1+
￥5.01
10+
￥4.09
30+
￥3.63
100+
￥3.18
500+
￥2.91

有货

立即购买

型号：BSC042NE7NS3GATMA1 编号：C3278653

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步整流技术。适用于高频开关和 DC/DC 转换器。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。卓越的热阻。N 沟道，正常电平。100% 雪崩测试。无铅电镀；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 无卤

1+
￥5.04
10+
￥4.53
30+
￥4.25
100+
￥3.94
500+
￥3.8

有货

立即购买

型号：IRFS3607TRLPBF 编号：C22162

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,80A,9mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.16
10+
￥4.12
30+
￥3.6

有货

立即购买

型号：IRLR3636TRPBF 编号：C67279

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,99A,8.3mΩ@4.5V

数据手册

1+
￥5.44
10+
￥4.45
30+
￥3.95
100+
￥3.45
500+
￥3.16

有货

立即购买

型号：IPD60R600C6 编号：C536829

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的同时，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥5.8
10+
￥5.21
30+
￥4.89
100+
￥4.53
500+
￥4.37
1000+
￥4.29

有货

立即购买

型号：IRFR15N20DTRPBF 编号：C537951

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，可降低开关损耗。完全表征的电容，包括有效输出电容Coss，便于设计。完全表征的雪崩电压和电流。应用：高频DC-DC转换器

数据手册

1+
￥5.81
10+
￥4.75
30+
￥4.22
100+
￥3.69
500+
￥3.38

有货

立即购买

型号：BSC010NE2LS 编号：C152368

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,25V,100A,1mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.97
10+
￥4.76
30+
￥4.15
100+
￥3.55
500+
￥3.19
1000+
￥3

有货

立即购买

型号：IRS21814STRPBF 编号：C538299

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

数据手册

单价：
￥6.02 / 个

有货

立即购买

型号：IRLR3705ZTRPBF 编号：C500525

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 55V 42A

数据手册

1+
￥6.07
10+
￥5.07
30+
￥4.57
100+
￥4.07
500+
￥3.77
1000+
￥3.62

有货

立即购买

型号：BTS7080-2EPA 编号：C534840

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS7080-2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

数据手册

1+
￥6.11
10+
￥4.97
30+
￥4.4
100+
￥3.65
500+
￥3.31
1000+
￥3.13

有货

立即购买

型号：IPD034N06N3G 编号：C94897

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.72
10+
￥5.38
30+
￥4.71
100+
￥4.05
500+
￥3.5

有货

立即购买

型号：IRL540NPBF 编号：C111607

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道

数据手册

1+
￥6.91
10+
￥5.67
50+
￥5.05
100+
￥4.43

有货

立即购买

型号：IPB65R310CFD 编号：C152418

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

1+
￥8.12
10+
￥7.41
30+
￥6.97
100+
￥6.51
500+
￥6.31

有货

立即购买

型号：IDP30C65D2 编号：C535927

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压且温度稳定性好。应用：连续导通模式功率因数校正（CCM PFC）中的升压二极管

数据手册

1+
￥8.4632 ￥11.92
10+
￥7.1126 ￥11.66
50+
￥5.8599 ￥11.49
100+
￥5.7732 ￥11.32

有货

立即购买

型号：IPP076N15N5 编号：C537145

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极佳的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。极低的反向恢复电荷 Qrr。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。非常适合高频开关和同步整流。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

数据手册

1+
￥8.62
10+
￥7.08
50+
￥6.23
100+
￥5.26

有货

立即购买

型号：IRFS7534TRLPBF 编号：C538033

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥8.72
10+
￥7.19
30+
￥6.35
100+
￥5.4
500+
￥4.98
800+
￥4.79

有货

立即购买

型号：2EDF7275K 编号：C2677063

封装：TFLGA-13

品牌：Infineon(英飞凌)

双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟，结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺，可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和（安全）次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度，适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET，也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。

数据手册