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1个N沟道耐压:60V 电流:62A

型号：BSZ042N06NSATMA1 编号：C3279304

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

1+
￥3.9
10+
￥3.16
30+
￥2.79
100+
￥2.43
500+
￥2.21

有货

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耐压:60V 电流:46A

型号：BSC097N06NS 编号：C534397

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥4.13
10+
￥3.43
30+
￥3.08
100+
￥2.74
500+
￥2.05
1000+
￥1.95

有货

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1个N沟道耐压:40V

型号：BSZ025N04LS 编号：C534648

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。出色的热阻。 N沟道，逻辑电平。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。扩大源极互连，提高焊点可靠性

数据手册

1+
￥4.42
10+
￥3.91
30+
￥3.65
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￥3.4
500+
￥3.25
1000+
￥3.17

有货

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双路低端驱动器

型号：IRS4427STRPBF 编号：C171650

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,Vin=6V~20V

数据手册

1+
￥4.71
10+
￥3.75
30+
￥3.27
100+
￥2.79
500+
￥2.51
1000+
￥2.36

有货

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1个N沟道耐压:75V 电流:80A

型号：IRFS3607TRLPBF 编号：C22162

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,80A,9mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.73
10+
￥3.78
30+
￥3.3
100+
￥2.83
500+
￥2.48

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:21A

型号：IRF8734TRPBF 编号：C169759

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：4.5V VGS 时极低的 Rps(on)。低栅极电荷。完全表征的雪崩电压和电流。 100% 测试 RG。无铅。应用：笔记本电脑处理器电源同步 MOSFET。网络系统中隔离式 DC-DC 转换器的同步整流 MOSFET

数据手册

1+
￥4.77
10+
￥3.9
30+
￥3.47
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￥3.04
500+
￥2.79
1000+
￥2.66

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:100A

型号：BSC060P03NS3EGATMA1 编号：C3278657

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单P沟道，采用SuperSO8封装。符合JEDEC标准，适用于目标应用。工作温度为150℃。 100%雪崩额定。 VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。 ESD保护。应用：电池管理。负载开关

1+
￥5.53
10+
￥4.41
30+
￥3.85
100+
￥3.29
500+
￥2.96
1000+
￥2.79

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:7.3A

型号：IPD60R600C6 编号：C536829

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的同时，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥5.88
10+
￥5.29
30+
￥4.97
100+
￥4.61
500+
￥4.45
1000+
￥4.37

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:270A

型号：IRF2804PBF 编号：C2610

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,75A,2mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.45
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￥5.32
50+
￥4.59
100+
￥3.89
500+
￥3.58
1000+
￥3.44

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:315A

型号：IPT015N10NF2SATMA1 编号：C19632811

封装：PG-HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥6.49
10+
￥5.37
30+
￥4.75
100+
￥4.05
500+
￥3.74

有货

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适用于工业应用的智能功率高端开关

型号：ISP752R 编号：C538455

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入和诊断反馈功能，采用智能SIPMOS技术进行单片集成。提供嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥7.29
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￥6.66
30+
￥6.27
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￥5.87
500+
￥5.68
1000+
￥5.6

有货

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EZ-PD BCR USB Type-C端口控制器

型号：CYPD3177-24LQXQ 编号：C2959321

封装：QFN-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

EZ-PD BCR是一款高度集成的预编程USB Type-C端口控制器，适用于具有传统桶形连接器或USB micro-B连接器的电子设备。它支持最新的USB Type-C和USB PD标准。

数据手册

1+
￥7.56
10+
￥6.9
30+
￥6.5
100+
￥6.08
490+
￥5.89
980+
￥5.81

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:73A

型号：IPD096N08N3GATMA1 编号：C3279028

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。针对DC/DC转换器进行技术优化。出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积（品质因数FOM）。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥7.82
10+
￥6.56
30+
￥5.87
100+
￥5.09

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:100A

型号：IPB026N06N 编号：C536490

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。经过100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道，正常电平。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥8.1249 ￥11.13
10+
￥7.446 ￥10.2
30+
￥7.0226 ￥9.62
100+
￥6.5919 ￥9.03
500+
￥6.3948 ￥8.76
1000+
￥6.3072 ￥8.64

有货

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高速CAN收发器

型号：TLE9251VLE 编号：C540119

封装：TSON-8-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

完全符合ISO 11898-2 (2016)和SAE J2284-4/-5标准，具有高达5 MBit/s的CAN FD数据帧支持。

数据手册

1+
￥8.34
10+
￥7.71
30+
￥7.32
100+
￥6.92
500+
￥6.73
1000+
￥6.65

有货

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1个P沟道耐压:40V

型号：IPD90P04P4L04ATMA2 编号：C3289172

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。逻辑电平。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。绿色封装（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

1+
￥8.42
10+
￥7.02
30+
￥6.25
100+
￥5.38
500+
￥5

有货

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高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器

型号：IR2102STRPBF 编号：C152687

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥8.5
10+
￥6.91
30+
￥6.04
100+
￥5.05
500+
￥4.61
1000+
￥4.42

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:76A

型号：BSC110N15NS5 编号：C412739

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。工作温度为150°C。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥9.05
10+
￥7.57
30+
￥6.76
100+
￥5.84
500+
￥5.43

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:200A

型号：IAUA200N04S5N010 编号：C535690

封装：HSOF-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。正常电平。 AEC Q101认证。 MSL3，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥9.66
10+
￥8.03
30+
￥7.14
100+
￥6.13
500+
￥5.68

有货

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高压高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动器

型号：IR21814STRPBF 编号：C371545

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

数据手册

1+
￥9.92
10+
￥8.27
30+
￥7.37
100+
￥5.78
500+
￥5.33
1000+
￥5.12

有货

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TLE94108ES

型号：TLE94108ES 编号：C7602527

封装：PG-TSDSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE94108ES是一款具备保护功能的八路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器旨在以顺序或并行模式驱动直流电机负载

1+
￥10.06
10+
￥9.16
30+
￥8.59
100+
￥8.01
500+
￥7.75
1000+
￥7.64

有货

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1个N沟道耐压:250V 电流:25A

型号：BSC600N25NS3G 编号：C3288852

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。根据 IEC61240-2-21 标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

1+
￥10.29
10+
￥8.76
30+
￥7.8
100+
￥6.81

有货

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耐压:600V 电流:120A 反向恢复时间：121ns

型号：IDW75E60FKSA1 编号：C672074

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：600V EmCon技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压。 175℃结工作温度。应用：焊接。电机驱动

数据手册

1+
￥11.78
10+
￥10.74
30+
￥10.1
90+
￥9.43

有货

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1个N沟道耐压:75V 电流:140A

型号：IRF3808PBF 编号：C2618

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,140A,7mΩ@10V

数据手册

1+
￥11.95
10+
￥10.4
30+
￥9.55
100+
￥7.41
500+
￥6.98
1000+
￥6.79

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:210A

型号：IRFS3206TRRPBF 编号：C2688877

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥12.65
10+
￥10.64
30+
￥9.54
100+
￥7.45
500+
￥6.89

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:120A

型号：IPB120P04P4-04 编号：C536553

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。正常电平。增强模式。AEC认证。MSL1，最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色封装（符合RoHS标准）。100%雪崩测试

数据手册

1+
￥12.94
10+
￥11.13
30+
￥10
100+
￥8.84
500+
￥8.32

有货

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1个N沟道耐压:700V 电流:31.2A

型号：IPW65R110CFD 编号：C454261

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性的结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥14
10+
￥12.79
30+
￥12.04
90+
￥11.26
510+
￥10.91

有货

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PSoC 4 可扩展可重构嵌入式系统控制器平台架构

型号：CY8C4014LQI-421T 编号：C382039

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

PSoC 4 是一种可扩展和可重新配置的平台架构，适用于具有 ARM CorteX-M0 CPU 的可编程嵌入式系统控制器系列。它结合了可编程和可重新配置的模拟和数字模块以及灵活的自动布线。PSoC 4000 产品系列是 PSoC 4 平台架构中最小的成员。它将带有标准通信和定时外设的微控制器、具有最佳性能的电容式触摸感应系统（CapSense）和通用模拟功能结合在一起。PSoC 4000 产品将与 PSoC 4 平台的其他成员完全向上兼容，以满足新的应用和设计需求。

数据手册

1+
￥15.47
10+
￥14.72
30+
￥14.27
100+
￥13.81
500+
￥13.6
1000+
￥13.5

有货

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1个N沟道电流:20A

型号：IPW60R099P7 编号：C537464

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥15.92
10+
￥13.88
30+
￥11.2
90+
￥9.89
510+
￥9.3
990+
￥9.04

有货

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十二通道半桥功率输出驱动

型号：TLE94112EL 编号：C540161

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：Infineon(英飞凌)

刷式直流电动机驱动器

数据手册

1+
￥16.05
10+
￥15.18
30+
￥14.66
100+
￥14.14
500+
￥13.89

有货

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