Infineon传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IPB120N06S4-03 编号：C536547

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1最高可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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￥11.41
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型号：IRS2453DSTRPBF 编号：C52141

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

集成的600V全桥门驱动器

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型号：BSC109N10NS3G 编号：C131006

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的栅极电荷，适用于高频应用。针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷 × 导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

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￥13.21
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￥10.72
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型号：TLF11251LDXUMA1 编号：C3655009

封装：TSON-10

品牌：Infineon(英飞凌)

是一个具有集成驱动器和电平转换器的2.5 A半桥。它还在单个封装中包含一个高端P沟道MOSFET和一个低端N沟道MOSFET。集成的电平转换级允许将输入逻辑信号转换为栅极驱动器的电源电压电平。输入信号电平与CMOS兼容。电平转换器和栅极驱动器提供死区时间生成，以简化与AURIX™ TC3xx微控制器的嵌入式核心电压调节器的接口。低传播延迟允许在对时序要求有限的闭环控制应用中使用。输出级允许高开关频率。该器件集成了针对高端MOSFET和低端MOSFET过流以及过温事件的保护功能。内部上电复位释放数字逻辑，并确保其在指定范围内的电源电压下运行。

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￥14.97
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型号：IRFS4321TRLPBF 编号：C513162

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低RDS(ON)降低损耗。低栅极电荷改善开关性能。改善二极管恢复性能，提高开关和EMI性能。 30V栅极电压额定值提高了稳健性。完全表征雪崩SOA。应用：运动控制应用。开关电源中的高效同步整流

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￥15.06
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￥12.82
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型号：IPB120P04P4-04 编号：C536553

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。正常电平。增强模式。AEC认证。MSL1，最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色封装（符合RoHS标准）。100%雪崩测试

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型号：ISC030N10NM6ATMA1 编号：C3278643

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低的导通电阻 RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on) 乘积（FOM）。极低的反向恢复电荷 (Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级

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￥15.69
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型号：BTS4142N 编号：C112634

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET，带有电荷泵，接地参考的 CMOS 兼容输入，采用 Smart SIPMOS 技术单片集成，提供嵌入式保护功能。

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型号：IRFS4229TRLPBF 编号：C538018

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏的维持、能量回收及通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻和低脉冲能量额定值。这款MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力

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型号：IPA60R120P7 编号：C536347

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOs TM 第七代平台是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOsTM P7 系列是 CoolMOS TM P6 系列的换代产品。

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型号：IPB110P06LM 编号：C3279229

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)，在VDS为-4.5 V时。 100%雪崩测试。逻辑电平。增强模式。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥19.85
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￥16.83
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￥15.04
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￥13.22
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型号：BTT6010-1ERA 编号：C534858

封装：TDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6010 - 1ERA是一款导通电阻为10 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术制造

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1+
￥20.19
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型号：IPB048N15N5 编号：C536509

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优秀的栅极电荷×导通电阻积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。极低的反向恢复电荷（Qrr）。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥20.35
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型号：IPP220N25NFD 编号：C537172

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qₘ。针对硬换向耐用性进行优化。极低导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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型号：IRF2907ZPBF 编号：C495791

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

该HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。

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1+
￥23.31
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￥19.55
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￥17.2
100+
￥14.79
500+
￥13.7

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型号：BTT6100-2ERA 编号：C534872

封装：TDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6100 - 2ERA是一款导通电阻为100 mΩ的双通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成

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￥27.25
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￥25.3
30+
￥24.07
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￥22.82
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￥22.25
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￥22

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型号：BTS500101TADATMA2 编号：C2150443

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS50010-1TAD是一款导通电阻为1.0 mΩ的单通道智能高边功率开关，采用PG-TO-263-7-10封装，具备保护功能和诊断功能。它还具备ReverSave功能。

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￥42.62
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￥36.62
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￥32.97
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￥29.9

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型号：IPW65R080CFDA 编号：C537490

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先超结MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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￥50.1227 ￥74.81
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￥42.0945 ￥73.85
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￥33.9293 ￥72.19
90+
￥33.2478 ￥70.74

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型号：CY7C1051DV33-10ZSXIT 编号：C475876

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1051DV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，具有8-Mbit (512 K x 16)的存储容量。支持高速读写操作，工作电压为3.3V ± 0.3V，工作温度范围为-40℃至85℃。该器件支持低功耗模式，具有自动断电功能。

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1+
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￥47.86
30+
￥46.39
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型号：CY62167EV30LL-45BVXIT 编号：C2840303

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高速度，适用于汽车应用。

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￥75.55
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￥72.15
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型号：IKCM30F60GD 编号：C476130

封装：插件

品牌：Infineon(英飞凌)

模块系列提供了集成各种功率和控制组件的机会，以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用，同时具备 EMI 安全控制和过载保护。TRENCHSTOP IGBT 和反并联二极管与优化的 SOI 栅极驱动器相结合，以实现出色的电气性能。

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