Infineon传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRS2186STRPBF 编号：C481265

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2186(4)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：IRF8734TRPBF 编号：C169759

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：4.5V VGS 时极低的 Rps(on)。低栅极电荷。完全表征的雪崩电压和电流。 100% 测试 RG。无铅。应用：笔记本电脑处理器电源同步 MOSFET。网络系统中隔离式 DC-DC 转换器的同步整流 MOSFET

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型号：IRF3205ZSTRLPBF 编号：C459959

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

此HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度以及改进的重复雪崩/降额性能。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。

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型号：IPD110N12N3 G 编号：C536732

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准无卤素。适用于高频开关和同步整流

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型号：IRFH5300TRPBF 编号：C2763849

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低RDSon (<1.4 mΩ)。对PCB的低热阻 (< 0.5℃/W)。 100% Rg测试。低外形 (< 0.9mm)。行业标准引脚排列。与现有表面贴装技术兼容。应用：OR-ing MOSFET用于12V（典型）总线浪涌电流。电池供电的直流电机逆变器MOSFET

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型号：IRFR4615TRLPBF 编号：C148159

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 150V 33A

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型号：BSC252N10NSF G 编号：C534427

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的栅极电荷，适用于高频应用。针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。低导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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型号：IRF100B201 编号：C152185

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,192A,4.2mΩ@10V

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型号：TLE42754G 编号：C80427

封装：TO-263-5

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款采用5引脚TO封装的单片集成低压差电压调节器，专为汽车应用而设计。可将高达42V的输入电压调节为5.0V的输出电压，能够驱动高达450mA的负载。通过内置的电流限制实现短路保护，并具有集成的过温关断功能。当输出电压VQ,rt 典型值为4.65V时，会生成复位信号。上电复位延迟时间可通过外部延迟电容进行编程。

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型号：BSC011N03LSI 编号：C534283

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化。集成单片肖特基式二极管。极低导通电阻RDS(on)，VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行合格认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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型号：BTS3035EJ 编号：C534752

封装：TDSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS3035EJ是一款导通电阻为35 mΩ的单通道智能低边功率开关，采用PG - TDSO8 - 31封装，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由N沟道垂直功率MOSFET构成，该器件为单片集成式。BTS3035EJ符合汽车级标准，针对12 V汽车应用进行了优化

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型号：IR2136STRPBF 编号：C2980

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，三相桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：IRF7820TRPBF 编号：C537832

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：BSC028N06LS3 G 编号：C534316

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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型号：BSZ123N08NS3G 编号：C152364

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,80V,10A,12.3mΩ@10V

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型号：IRFB38N20DPBF 编号：C386377

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 200V 43A

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型号：CY8C4014LQI-421T 编号：C382039

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

PSoC 4 是一种可扩展和可重新配置的平台架构，适用于具有 ARM CorteX-M0 CPU 的可编程嵌入式系统控制器系列。它结合了可编程和可重新配置的模拟和数字模块以及灵活的自动布线。PSoC 4000 产品系列是 PSoC 4 平台架构中最小的成员。它将带有标准通信和定时外设的微控制器、具有最佳性能的电容式触摸感应系统（CapSense）和通用模拟功能结合在一起。PSoC 4000 产品将与 PSoC 4 平台的其他成员完全向上兼容，以满足新的应用和设计需求。

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型号：IR2156STRPBF 编号：C2989

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

镇流控制和半桥式驱动IC

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型号：BSZ067N06LS3 G 编号：C534675

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。具有出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，逻辑电平。 100%经过雪崩测试。无铅镀层，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

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型号：BTS7040-2EPA 编号：C534839

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS7040-2EPA 是一种智能高侧电源开关，提供保护功能和诊断。该设备采用SMART7技术集成。它适用于电阻性、电感性和电容性负载，可以替代机电继电器、保险丝和分立电路。其驱动能力适用于3.5 A负载和高浪涌电流负载，如P27W+R5W灯或等效电子负载（例如LED模块）。该开关具有高侧配置，并嵌入了保护和诊断功能，包括绝对温度限制和动态温度限制、带有智能重启控制的过流保护、欠压关断以及通过外部元件实现的过压保护。诊断功能包括比例负载电流检测、在开和关状态下检测开路负载、以及对地和电池短路检测。该设备符合汽车应用标准，满足AEC-Q100 1级标准。

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