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N沟道,55V,17A,65mΩ@10V,75/管
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  • P沟道,30V,70A,6.8mΩ@10V
    数据手册
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  • N沟道,55V,1.9A,160mΩ@10V
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      ¥1.4
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  • N沟道,700V,12.5A,360mΩ@10V
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      ¥2.29
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    • 1000+

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  • N沟道 40V 120A
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    • 1000+

      ¥1.56
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  • P沟道 -30V -11A
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    • 1+

      ¥3.32
    • 10+

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    • 100+

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      ¥1.82
    • 1000+

      ¥1.73
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  • 英飞凌650V CoolMOS,10N65,Id=10A,10A650V
    数据手册
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    • 1000+

      ¥1.65
  • 有货
  • 特性:用于开关电源的快速开关MOSFET。 针对DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道;正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻乘积(品质因数)。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩额定。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥3.71
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    • 30+

      ¥3.06
    • 100+

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    • 500+

      ¥2.71
    • 1000+

      ¥2.64
  • 有货
  • 特性:用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。N沟道;逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。100%雪崩测试。无铅镀层;符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥4.3725 ¥5.83
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      ¥2.76 ¥3.68
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      ¥2.52 ¥3.36
    • 1000+

      ¥2.3925 ¥3.19
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 极低导通电阻RDS(on) @ VDS 4.5V。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥4.41
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    • 30+

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      ¥2.79
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      ¥2.43
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  • N沟道,80V,9.3A,15mΩ@10V
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  • N沟道,30V,100A,1.85mΩ@10V
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      ¥2.4
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  • ICE2PCS02/G是一款用于有源功率因数校正转换器的8引脚宽输入范围控制IC。它专为升压拓扑结构的转换器设计,所需外部元件极少。建议通过外部辅助电源为该IC供电,该辅助电源可控制IC的开关。该IC采用平均电流控制,在连续导通模式(CCM)下工作,仅在轻载条件下以不连续导通模式(DCM)工作。开关频率经过微调,内部固定为65kHz。电流和电压环路补偿均在外部完成,方便用户进行全面控制。该IC集成了多种保护功能,以确保系统运行条件安全。内部基准电压经过微调(3V±2%),以确保精确的保护和输出控制水平。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.71
    • 10+

      ¥3.83
    • 30+

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    • 500+

      ¥2.14
    • 1000+

      ¥2
  • 有货
  • 特性:极低导通电阻:在4.5V栅源电压下。 低栅极电荷。 完全表征雪崩电压和电流。应用:笔记本处理器电源同步MOSFET。 隔离式DC-DC转换器的二次同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥4.79
    • 10+

      ¥3.81
    • 30+

      ¥3.32
    • 100+

      ¥2.84
    • 500+

      ¥2.55
    • 1000+

      ¥2.4
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥4.87
    • 10+

      ¥3.89
    • 30+

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  • 有货
  • N沟道,60V,99A,8.3mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.45
    • 10+

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    • 30+

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    • 100+

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    • 500+

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    • 1000+

      ¥2.96
  • 有货
  • 单线LIN收发器,传输速率高达20 kbps,符合ISO17987-4和LIN规范2.2A,睡眠模式下功耗极低,具有唤醒功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.56
    • 10+

      ¥4.47
    • 30+

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    • 100+

      ¥3.39
    • 500+

      ¥3.06
    • 1000+

      ¥2.9
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥5.65
    • 10+

      ¥4.53
    • 30+

      ¥3.97
    • 100+

      ¥3.41
    • 500+

      ¥3.08
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源进行优化,例如同步整流。 在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥5.7
    • 10+

      ¥4.86
    • 30+

      ¥4.44
    • 100+

      ¥4.03
    • 500+

      ¥3.78
    • 1000+

      ¥3.65
  • 有货
  • 特性:双N沟道正常电平增强模式。 通过AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 工作温度175℃。 环保产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥5.8
    • 10+

      ¥5.22
    • 30+

      ¥4.91
    • 100+

      ¥4.55
    • 500+

      ¥4.39
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流器。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥5.85
    • 10+

      ¥4.6
    • 30+

      ¥3.97
    • 100+

      ¥3.35
    • 500+

      ¥2.98
    • 1000+

      ¥2.79
  • 有货
  • 是一款单片集成低压差稳压器,适用于高达 400 mA 的负载电流。高达 40 V 的输入电压被调节为 VQ,nom = 5V / 3.3V,精度为 ±2%。该器件专为汽车应用的恶劣环境而设计,通过内置的输出电流限制和过温关断电路,可防止过载、短路和过温情况。也可用于所有其他需要稳定 5V / 3.3V 电压的应用。由于其极低的静态电流,适用于永久连接到 VBAT 的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.05
    • 10+

      ¥5.48
    • 30+

      ¥5.16
    • 100+

      ¥4.31
    • 500+

      ¥4.15
    • 1000+

      ¥4.08
  • 有货
  • 该HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术,在单位硅面积上实现极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速的开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.32
    • 10+

      ¥5.04
    • 30+

      ¥4.4
    • 100+

      ¥3.77
    • 500+

      ¥3.39
    • 1000+

      ¥3.2
  • 有货
  • N沟道,30V,160A,3.9mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.36
    • 10+

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    • 30+

      ¥4.74
    • 100+

      ¥4.2
    • 500+

      ¥3.53
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行优化的技术。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC认证,适用于目标应用。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 扩大源极互连,提高焊点可靠性
    • 1+

      ¥6.37
    • 10+

      ¥5.2
    • 30+

      ¥4.62
    • 100+

      ¥3.88
    • 500+

      ¥3.53
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。175℃工作温度。无铅镀铅;符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准无卤素。适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥6.47
    • 10+

      ¥5.22
    • 30+

      ¥4.6
    • 100+

      ¥3.81
    • 500+

      ¥3.44
    • 1000+

      ¥3.24
  • 有货
  • 600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.63
    • 10+

      ¥5.36
    • 30+

      ¥4.72
    • 100+

      ¥3.72
    • 500+

      ¥3.34
    • 1000+

      ¥3.15
  • 有货
    • 1+

      ¥7
    • 10+

      ¥5.73
    • 30+

      ¥5.1
    • 100+

      ¥4.47
    • 500+

      ¥4.09
    • 1000+

      ¥3.9
  • 有货
  • N沟道,150V,43A,42mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥7.26
    • 10+

      ¥6.04
    • 50+

      ¥5.01
    • 100+

      ¥4.26
    • 500+

      ¥3.92
    • 1100+

      ¥3.77
  • 有货
  • ICE3PCS02G 是一款用于有源功率因数校正转换器的 8 引脚宽输入范围控制 IC。它专为升压拓扑结构的转换器而设计,所需的外部元件很少。建议通过外部辅助电源为其供电,该辅助电源可控制 IC 的开关
    数据手册
    • 1+

      ¥7.67
    • 10+

      ¥6.36
    • 30+

      ¥5.64
    • 100+

      ¥4.83
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