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价格(含税)

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5V 400mA 40V

型号：TLE42744DV50 编号：C118977

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款单片集成低压差稳压器，适用于高达 400 mA 的负载电流。高达 40 V 的输入电压被调节为 VQ,nom = 5V / 3.3V，精度为 ±2%。该器件专为汽车应用的恶劣环境而设计，通过内置的输出电流限制和过温关断电路，可防止过载、短路和过温情况。也可用于所有其他需要稳定 5V / 3.3V 电压的应用。由于其极低的静态电流，适用于永久连接到 VBAT 的应用。

数据手册

1+
￥5.52
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￥4.5
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￥3.99
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￥3.49
500+
￥2.99
1000+
￥2.84

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:232A

型号：IRFB7534PBF 编号：C537870

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

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￥5.59
10+
￥4.77
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￥3.56
100+
￥3.15
500+
￥2.9

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1个N沟道耐压:80V 电流:73A

型号：IPD096N08N3GATMA1 编号：C3279028

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。针对DC/DC转换器进行技术优化。出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积（品质因数FOM）。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥5.73
10+
￥4.65
30+
￥4.11
100+
￥3.57
500+
￥3.25

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:100A

型号：BSC060P03NS3EGATMA1 编号：C3278657

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单P沟道，采用SuperSO8封装。符合JEDEC标准，适用于目标应用。工作温度为150℃。 100%雪崩额定。 VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。 ESD保护。应用：电池管理。负载开关

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￥5.78
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￥4.7
30+
￥4.17
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￥3.63
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￥3.32
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￥3.15

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1个N沟道耐压:40V 电流:100A

型号：BSC019N04NS G 编号：C534303

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器进行了优化。根据JEDEC标准进行目标应用认证。 N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥6.29
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￥5.21
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￥4.68
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￥3.72
500+
￥3.4
1000+
￥3.24

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耐压:60V 电流:100A

型号：BSC039N06NS 编号：C534330

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了资格认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥6.43
10+
￥5.15
30+
￥4.51
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￥3.87
500+
￥3.35

有货

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1个N沟道耐压:25V 电流:100A

型号：BSC010NE2LSI 编号：C534282

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。100% 雪崩测试。N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤素

数据手册

1+
￥7.9
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￥6.5
30+
￥5.73
100+
￥4.86
500+
￥4.47
1000+
￥4.29

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:158A

型号：BSZ018N04LS6 编号：C534643

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。出色的热阻。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21规定为无卤产品。额定温度为175℃

数据手册

1+
￥8.54
10+
￥7.19
30+
￥6.45
100+
￥5.61
500+
￥5.24

有货

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24V单通道50mΩ智能高边功率开关

型号：BTT6050-1EKA 编号：C534867

封装：DSO-14-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6050 - 1EKA是一款导通电阻为50 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - DSO - 14 - 47 EP露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。此器件采用Smart6技术集成

数据手册

1+
￥8.6416 ￥19.64
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￥6.358 ￥18.7
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￥4.3536 ￥18.14
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￥4.2192 ￥17.58
500+
￥4.1568 ￥17.32
1000+
￥4.128 ￥17.2

有货

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1个N沟道耐压:25V 电流:479A

型号：BSC004NE2LS5 编号：C534273

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对或运算应用进行优化。在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%经过雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥8.67
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￥7.2
30+
￥6.4
100+
￥5.48
500+
￥5.08
1000+
￥4.9

有货

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12V单通道16mΩ智能高端功率开关

型号：BTS5016-1EKB 编号：C534803

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5016 - 1EKB是一款导通电阻为16 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - DSO - 14 - 47 EP露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成

数据手册

1+
￥8.982 ￥14.97
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￥6.89 ￥13.78
30+
￥5.216 ￥13.04
100+
￥4.908 ￥12.27
500+
￥4.772 ￥11.93
1000+
￥4.712 ￥11.78

有货

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1个P沟道耐压:55V 电流:31A

型号：IRF5305STRLPBF 编号：C41224

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V

数据手册

1+
￥9.02
10+
￥7.66
30+
￥6.92
100+
￥6.07
500+
￥4.39

有货

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1个N沟道耐压:75V 电流:140A

型号：IRF3808PBF 编号：C2618

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,140A,7mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.98
10+
￥8.44
30+
￥7.59
100+
￥5.44
500+
￥5.01
1000+
￥4.82

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:11A

型号：IPD60R180P7 编号：C467010

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥10.01
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￥7.8755 ￥8.29
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￥5.3465 ￥6.29
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￥4.947 ￥5.82
1000+
￥4.7685 ￥5.61

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1个N沟道耐压:250V 电流:44A

型号：IRFP4229PBF 编号：C386339

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 250V 44A

数据手册

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￥10.7
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￥9.25
25+
￥8.46
100+
￥7.56
550+
￥7.16
1100+
￥6.98

有货

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智能低侧电源开关

型号：BTS3408G 编号：C534770

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS3408G 是一款具有D-MOS输出级的双通道低侧开关，用于驱动电阻性、电容性和电感性负载。该设计基于英飞凌的智能功率技术（SPT），允许在同一单片电路上集成双极型、CMOS和功率D-MOS器件。BTS3408G 具有嵌入式保护功能，并专为汽车和工业应用而设计。它特别适用于驱动步进电机和线路。

数据手册

1+
￥11.3
10+
￥9.4
30+
￥8.22
100+
￥7.01
500+
￥6.46
1000+
￥6.22

有货

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智能高端功率开关

型号：BTS4142N 编号：C112634

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET，带有电荷泵，接地参考的 CMOS 兼容输入，采用 Smart SIPMOS 技术单片集成，提供嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥15.92
10+
￥13.51
30+
￥12.01
100+
￥10.46
500+
￥9.76
1000+
￥9.46

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十二通道半桥功率输出驱动芯片

型号：TLE94112EL 编号：C540161

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：Infineon(英飞凌)

刷式直流电动机驱动器

数据手册

1+
￥16.05
10+
￥15.18
30+
￥14.66
100+
￥14.14
500+
￥13.89

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1个P沟道耐压:40V 电流:180A

型号：IPB180P04P4L-02 编号：C536578

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。逻辑电平。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。用于反接电池保护

数据手册

1+
￥18.34
10+
￥15.93
30+
￥14.42
100+
￥12.88
500+
￥12.18

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1个N沟道耐压:650V 电流:21A

型号：IPL60R075CFD7 编号：C537017

封装：VSON-4(8x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合，同时在设计过程中易于实施

数据手册

1+
￥18.92
10+
￥16.05
30+
￥14.26
100+
￥12.43
500+
￥11.6
1000+
￥11.24

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1个N沟道耐压:250V 电流:61A

型号：IPP220N25NFD 编号：C537172

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qₘ。针对硬换向耐用性进行优化。极低导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

数据手册

1+
￥21.43
10+
￥18.56
30+
￥16.85
100+
￥15.12

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1个N沟道耐压:600V 电流:30A

型号：IPW60R060P7 编号：C454258

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点，具有出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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单价：
￥18.748 / 个

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1个N沟道耐压:150V 电流:114A

型号：BSC074N15NS5 编号：C534367

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。极低的反向恢复电荷(Qrr)。 175℃工作温度。无铅负载电镀，符合BalUS标准。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥28.12
10+
￥24.14
30+
￥21.77
100+
￥19.37

有货

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智能高端功率开关

型号：BTS740S2XUMA1 编号：C2680432

封装：SOIC-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 MOSFET，采用电荷泵、地参考 CMOS 兼容输入、诊断反馈和比例负载电流检测，通过 Smart SIPMOs 技术单片集成。提供嵌入式保护功能

数据手册

1+
￥28.19
10+
￥24.42
30+
￥22.18
100+
￥19.91
500+
￥18.87
1000+
￥18.39

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:120A

型号：IPB020N10N5LF 编号：C536484

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。极低的导通电阻 RDS(on)。宽安全工作区 SOA。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

数据手册

1+
￥33.3
10+
￥28.3
30+
￥25.33
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￥22.32
500+
￥20.93

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1个N沟道耐压:40V 电流:100A

型号：BSC022N04LS 编号：C148266

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,100A,2.2mΩ@10V

数据手册

1+
￥35.09
10+
￥29.88
30+
￥26.7
100+
￥24.04

有货

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耐压:600V 电流:46A

型号：SPW47N60CFD 编号：C539326

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新型革命性高压技术，固有快速恢复体二极管。极低的反向恢复电荷。超低栅极电荷。极高的dv/dt额定值。高脉冲电流能力。周期性雪崩额定值。符合JEDEC工业级应用标准。无铅引脚镀层，符合RoHS标准

数据手册

1+
￥37
10+
￥32.43
30+
￥26.72
90+
￥23.98
480+
￥22.71
960+
￥22.14

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ISC018N08NM6ATMA1

型号：ISC018N08NM6ATMA1 编号：C39329323

封装：PG-TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥40.79
10+
￥34.79
30+
￥31.14
100+
￥28.08

有货

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降压型 2.5A 4.5V~45V

型号：TLE7368E 编号：C163616

封装：BSSOP-36-EP-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE7368器件是一款多功能电源电路，专为使用标准12 V电池的汽车动力总成系统而设计。该器件旨在为下一代32位微控制器系列（13 μm光刻工艺）供电并进行监控，这些微控制器需要5 V、3.3 V或1.5/1.2/1.3 V等电压。该稳压器沿用了其前代产品TLE6368/SONIC的设计理念，预稳压器的输出为微控制器线性电源的输入供电。具体而言，TLE7368将降压转换器与线性稳压器和电压跟随器级联，以实现最低的功耗。这种配置即使在高环境温度下也能为应用供电。降压转换器提供5.5 V的预稳压电压，最小峰值电流能力为2.5 A。由该降压转换器供电的两个低压差线性后置稳压器可高精度地提供5 V和3.3 V（2.6 V）电压。稳压器的电流能力分别为800 mA和700 mA。3.3 V（2.6 V）线性稳压器有独立的输入，必要时可从降压输出端接入降压电阻，以降低芯片上的功耗。出于同样的降低芯片功耗的原因，核心电源（1.5 V、1.2 V或1.3 V）采用集成控制电路与外部功率级相结合的设计理念。按照上述方式实现板载和微控制器电源，即使在高环境温度下也能正常工作。稳压器系统包含所谓的电源排序功能，可对三个输出电压进行受控上电排序。除主稳压器外，两个电压跟踪器的输入连接到5.5 V降压转换器的输出电压。其受保护的输出可高精度地跟随主5 V线性稳压器，能够驱动50 mA和105 mA的负载。为监控每个线性稳压器的输出电压水平，设有两个独立的欠压检测电路。这些电路可用于实现复位或中断功能。出于节能考虑，例如在发动机熄火时，TLE7368提供待机模式。待机模式可通过电池或微控制器启用和禁用。在这种待机模式下，只有待机稳压器保持工作，从电池汲取的电流降至最低，以延长电池使用寿命。选择引脚可根据应用需求配置待机稳压器的输出电压。待机稳压器的输入与预/后置稳压器系统的高功率输入相互隔离。

数据手册

1+
￥47.9
10+
￥42.67
30+
￥39.57
100+
￥36.43

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35V 100mA

型号：BA592E6327HTSA1 编号：C2843747

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

用于电视调谐器和移动应用中的频段切换

数据手册

5+
￥1.0711
50+
￥0.9274
150+
￥0.8556
500+
￥0.8017

有货

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