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1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:0.95A
型号：BSD235CH6327 编号：C151517
封装：SOT-363
品牌：Infineon(英飞凌)
N+P沟道,20V,950mA
数据手册

  • 5+

    ￥1.6629

  • 50+

    ￥1.2988

  • 150+

    ￥1.1427

  • 500+

    ￥0.948

  • 3000+

    ￥0.8613
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:700V 电流:5A
    型号：IPD70R600P7S 编号：C536869
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台，适用于对成本敏感的消费市场应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.19

    • 10+

      ￥1.91

    • 30+

      ￥1.78

    • 100+

      ￥1.63

    • 500+

      ￥1.56

    • 1000+

      ￥1.52
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:1.9A
    型号：IRF7465TRPBF 编号：C150561
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟 150V 1.9A
    数据手册

    • 1+

      ￥2.5839 ￥2.97

    • 10+

      ￥2.2881 ￥2.63

    • 30+

      ￥2.1402 ￥2.46

    • 100+

      ￥1.9923 ￥2.29

    • 500+

      ￥1.9053 ￥2.19

    • 1000+

      ￥1.8531 ￥2.13
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:1.2A
    型号：BSP296NH6327 编号：C3288808
    封装：SOT-223
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道增强模式。 逻辑电平（额定4.5V）。 雪崩额定。 符合AEC Q101标准。 100%无铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

    • 1+

      ￥2.83

    • 10+

      ￥2.24

    • 30+

      ￥1.98

    • 100+

      ￥1.66

    • 500+

      ￥1.52

    • 1000+

      ￥1.44
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:110A
    型号：IPP050N10NF2S 编号：C5149848
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对广泛应用进行优化。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤
    数据手册

    • 5+

      ￥3.0146

    • 50+

      ￥2.5135

    • 150+

      ￥2.2987

    • 500+

      ￥2.0307
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:55V 电流:28A
    型号：IRLR2705TRPBF 编号：C538165
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代HEXFET采用先进的制造工艺，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极为高效的器件，可广泛应用于各种领域。D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计
    数据手册

    • 1+

      ￥3.3

    • 10+

      ￥2.69

    • 30+

      ￥2.43

    • 100+

      ￥2.11

    • 500+

      ￥1.78

    • 1000+

      ￥1.69
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
    型号：BSC070N10NS5 编号：C534364
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥3.38

    • 10+

      ￥2.7

    • 30+

      ￥2.41

    • 100+

      ￥1.76

    • 500+

      ￥1.6
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:71A
    型号：IRFR7546TRPBF 编号：C114422
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,71A,7.9mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.52

    • 10+

      ￥2.63

    • 30+

      ￥2.19

    • 100+

      ￥1.75

    • 500+

      ￥1.44

    • 1000+

      ￥1.3
  • 有货
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    耐压:30V 电流:57A
    型号：BSC052N03LS 编号：C534349
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能降压转换器进行优化。 在VDS为4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格鉴定。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥3.63

    • 10+

      ￥2.99

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      ￥2.66

    • 100+

      ￥2.34

    • 500+

      ￥1.74

    • 1000+

      ￥1.64
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:60V 电流:20A
    型号：BSZ100N06LS3G 编号：C152381
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,11A,10mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.72

    • 10+

      ￥3.04

    • 30+

      ￥2.7

    • 100+

      ￥2.36

    • 500+

      ￥2.16

    • 1000+

      ￥2.06
  • 有货
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    2个P沟道 耐压:30V 电流:4.9A
    型号：IRF7316TRPBF 编号：C55887
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-30V,-4.9A,58mΩ@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.75

    • 10+

      ￥3.01

    • 30+

      ￥2.7

    • 100+

      ￥2.31

    • 500+

      ￥1.94

    • 1000+

      ￥1.84
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:7A
    型号：BSZ22DN20NS3GATMA1 编号：C534716
    封装：TSDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对直流-直流转换进行优化。 N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 低导通电阻RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥4.29

    • 10+

      ￥3.83

    • 30+

      ￥3.6

    • 100+

      ￥3.37

    • 500+

      ￥3.08

    • 1000+

      ￥3
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:75V 电流:80A
    型号：IRFS3607TRLPBF 编号：C22162
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.73

    • 10+

      ￥3.78

    • 30+

      ￥3.3

    • 100+

      ￥2.83

    • 500+

      ￥2.48
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：IRFH5302TRPBF 编号：C148153
    封装：PQFN-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道 30V 32A
    数据手册

    • 1+

      ￥5.02

    • 10+

      ￥4.08

    • 30+

      ￥3.61

    • 100+

      ￥3.15

    • 500+

      ￥2.87

    • 1000+

      ￥2.73
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:150V 电流:10A 56A
    型号：IRFH5015TRPBF 编号：C513178
    封装：PQFN-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：低RDSon (< 31 mΩ)。 低至PCB的热阻 (< 0.8℃/W)。 100% Rg测试。 低外形 (< 0.9 mm)。 行业标准引脚排列。 与现有表面贴装技术兼容。应用：初级侧同步整流。 直流电机逆变器
    数据手册

    • 1+

      ￥5.07

    • 10+

      ￥4.01

    • 30+

      ￥3.48

    • 100+

      ￥2.95

    • 500+

      ￥2.63

    • 1000+

      ￥2.47
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:950V 电流:6A
    型号：IPD95R1K2P7 编号：C536916
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    最新的950V CoolMOS P7系列为950V超结技术树立了新的标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.3

    • 10+

      ￥4.81

    • 30+

      ￥4.54

    • 100+

      ￥4.23

    • 500+

      ￥4.1

    • 1000+

      ￥4.04
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:12V 电流:16A
    型号：IRF7410TRPBF 编号：C148144
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道 -12V -16A
    数据手册

    • 1+

      ￥5.46

    • 10+

      ￥4.89

    • 30+

      ￥4.58

    • 100+

      ￥4.23

    • 500+

      ￥4.08

    • 1000+

      ￥4
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:80V 电流:10A
    型号：IRF7854TRPBF 编号：C158109
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,80V,10A,13.4mΩ@10A,10V
    数据手册

    • 1+

      ￥5.5

    • 10+

      ￥4.5

    • 30+

      ￥3.99

    • 100+

      ￥3.49

    • 500+

      ￥3.19

    • 1000+

      ￥3.04
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:100V 电流:55A
    型号：IRFH5210TRPBF 编号：C537892
    封装：PQFN-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：低导通电阻 (VGS = 10V时 ≤ 14.9mΩ)。 对印刷电路板的低热阻 (≤ 1.2℃/W)。 100% Rg测试。 低外形 (≤ 0.9 mm)。 行业标准引脚布局。 与现有表面贴装技术兼容。应用：二次侧同步整流。 直流电机逆变器
    数据手册

    • 1+

      ￥6.11

    • 10+

      ￥4.97

    • 30+

      ￥4.41

    • 100+

      ￥3.85

    • 500+

      ￥3.29

    • 1000+

      ￥3.12
  • 有货
    • 立即购买
    三相桥驱动器
    型号：IR2136STRPBF 编号：C2980
    封装：SOIC-28-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    600V，三相桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V
    数据手册

    • 1+

      ￥6.52

    • 10+

      ￥5.39

    • 30+

      ￥4.83

    • 100+

      ￥3.3
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:55V 电流:30A
    型号：IRLZ34NPBF 编号：C513144
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。对于所有功率耗散水平约达50瓦的商业和工业应用，TO - 220封装是普遍首选
    数据手册

    • 1+

      ￥6.59

    • 10+

      ￥5.32

    • 50+

      ￥4.29

    • 100+

      ￥3.67

    • 500+

      ￥3.29
  • 有货
    • 立即购买
    CY8C21123-24SXIT
    型号：CY8C21123-24SXIT 编号：C2840300
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    8位微控制器MCU 4K Flash 256B RAM IND
    数据手册

    • 1+

      ￥6.67

    • 10+

      ￥6.04

    • 30+

      ￥5.69

    • 100+

      ￥5.3

    • 500+

      ￥4.6

    • 1000+

      ￥4.52
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:200V 电流:62A
    型号：IRFS4227TRLPBF 编号：C146578
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏中的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻和低脉冲能量（EpuLsE）额定值。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力
    数据手册

    • 1+

      ￥6.71

    • 10+

      ￥5.43

    • 30+

      ￥4.8

    • 100+

      ￥4.16

    • 500+

      ￥3.79
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:200V 电流:43A
    型号：IRFB38N20DPBF 编号：C386377
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道 200V 43A
    数据手册

    • 1+

      ￥7.1

    • 10+

      ￥5.97

    • 50+

      ￥4.58

    • 100+

      ￥3.88

    • 500+

      ￥3.57

    • 1000+

      ￥3.43
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:25V 电流:147A
    型号：BSC015NE2LS5I 编号：C3278724
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N 沟道。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 为无卤产品

    • 1+

      ￥7.16

    • 10+

      ￥5.9

    • 30+

      ￥5.21

    • 100+

      ￥4.43

    • 500+

      ￥4.08
  • 有货
    • 立即购买
    OptiMos功率晶体管
    型号：IPG20N06S2L-35 编号：C536940
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：双N沟道逻辑电平增强模式。 通过AEC Q101认证。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
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      ￥8.2419 ￥9.93

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    CYPD3177-24LQXQT
    型号：CYPD3177-24LQXQT 编号：C2952489
    封装：QFN-24(4x4)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    适用于具有传统桶形连接器（最高100W）或USB微型B连接器供电的电子设备，如无人机、智能音箱、电动工具和其他可充电设备。符合最新的USB Type-C和USB Power Delivery (PD)标准，使用户能够使用少量外部组件，无需固件开发，即可将设备从通过桶形连接器供电快速转换为通过USB-C连接器供电。集成了完整的USB Type-C收发器、USB PD策略管理器、带软启动的负载开关控制器、USB Type-C端口所需的所有终端电阻以及系统级ESD保护。采用24引脚QFN封装。

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      ￥9.14

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    1个N沟道 耐压:150V 电流:51A
    型号：IRFB52N15DPBF 编号：C11737
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,150V,51A,32mΩ@10V
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    具备精确稳定时序的快速、耐用、双通道、功能性和增强型隔离式硅基及碳化硅MOSFET栅极驱动IC
    型号：2EDF7275K 编号：C2677063
    封装：TFLGA-13
    品牌：Infineon(英飞凌)
    双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟，结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺，可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和（安全）次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度，适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET，也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。
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    1个N沟道 耐压:250V 电流:25A
    型号：BSC600N25NS3G 编号：C3288852
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。根据 IEC61240-2-21 标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

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