Infineon传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：CYUSB3014-BZXC 编号：C462526

封装：FBGA-121

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CYUSB301X/CYUSB201X系列是超高速USB控制器，支持USB3.1 Gen1和USB2.0，集成了多种接口如UART, SPI, I2C, I2S等。

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1+
￥87.16
10+
￥77.71
30+
￥71.46
100+
￥66

有货

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型号：IRLML0100TRPBF 编号：C53658

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,1.6A,220mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.2089
50+
￥1.0245
150+
￥0.9323
500+
￥0.8631
3000+
￥0.7234

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型号：BGS12SN6E6327XTSA1 编号：C114953

封装：DFN-6(0.7x1.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

RF MOS开关专为WLAN和蓝牙应用而设计。任意2个端口都可作为分集天线的终端，可处理高达30 dBm的功率。这款单电源芯片集成了片上CMOS逻辑，由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。0.1 dB压缩点超过开关的...

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5+
￥1.224
50+
￥0.972
150+
￥0.864

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型号：BFR193WH6327 编号：C152683

封装：SOT-323

品牌：Infineon(英飞凌)

射频三极管 NPN

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5+
￥1.4772
50+
￥1.1748
150+
￥1.0452

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型号：IRFL4315TRPBF 编号：C537930

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，以减少开关损耗。全面表征的电容，包括有效Coss，以简化设计。全面表征的雪崩电压和电流。无铅。应用：高频DC-DC转换器

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5+
￥1.6265
50+
￥1.2811
150+
￥1.1331
500+
￥0.9484
2500+
￥0.8661

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型号：BAT60BE6327 编号：C91059

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管大电流整流肖特基二极管，正向压降（VF）极低（在正向电流（IF）为10mA时，典型值为0.24V）适用于电源应用适用于低压应用中的钳位和保护适用于检测和升压转换无铅（符合RoHS标准）封装符合AEC Q101标准

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5+
￥2.0925
50+
￥1.649
150+
￥1.4589
500+
￥1.2218
3000+
￥0.9962
6000+
￥0.9328

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型号：IRFZ34NPBF 编号：C21066

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,29A,40mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.2336
50+
￥1.6279
150+
￥1.4272
500+
￥1.1767
2000+
￥1.0651

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型号：IRF7105TRPBF 编号：C94064

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种领域。SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片集成能力，使其成为各种功率应用的理想选择

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1+
￥2.79
10+
￥2.22
30+
￥1.98
100+
￥1.67
500+
￥1.29
1000+
￥1.21

有货

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型号：BSP129H6327 编号：C79340

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,240V,350mA,6Ω@10V

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1+
￥3.3
10+
￥2.63
30+
￥2.35
100+
￥1.99
500+
￥1.5
1000+
￥1.4

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型号：IRFS7440TRLPBF 编号：C409762

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无铅、无溴和无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥3.44
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￥2.74
30+
￥2.44
100+
￥2.06
500+
￥1.89
800+
￥1.79

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型号：IRFU220NPBF 编号：C3027

封装：TO-251(IPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,5A,600mΩ@10V

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1+
￥3.69
10+
￥3.09
30+
￥2.84
75+
￥2.28
525+
￥2.14
975+
￥2.05

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型号：IRF7313TRPBF 编号：C117622

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。SO-8通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，多个器件可在应用中使用，显著减少电路板空间。该封装设计适用于气相、红外或波峰焊技术。

数据手册

1+
￥3.69
10+
￥2.96
30+
￥2.59
100+
￥2.23
500+
￥1.99
1000+
￥1.88

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型号：BGA123N6E6327XTSA1 编号：C3191830

封装：TSNP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

BGA123N6 设计用于增强可穿戴设备和移动蜂窝 IoT 应用中的 GNSS 信号灵敏度。其超低功耗（1.5mW）有助于节省宝贵的电池电量，适合小型电池供电的 GNSS 设备。支持所有 GNSS 系统，包括 GPS、GLONASS、北斗和伽利略。器件尺寸非常小，仅为 0.7 x 1.1 mm²，最大高度为 0.375 mm。

1+
￥3.74
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￥3
30+
￥2.68
100+
￥2.29
500+
￥2.02
1000+
￥1.92

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型号：IRF530NSTRLPBF 编号：C169755

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,17A

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1+
￥4.53
10+
￥3.75
30+
￥3.36
100+
￥2.98
500+
￥2.17
800+
￥2.06

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型号：IRS2104STRPBF 编号：C151525

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2104是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥5.04
10+
￥4.19
30+
￥3.77
100+
￥3.35
500+
￥2.47
1000+
￥2.34

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型号：IRFR3710ZTRPBF 编号：C52839

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,42A,18mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.25
10+
￥4.18
30+
￥3.65
100+
￥3.12
500+
￥2.8
1000+
￥2.63

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型号：IRF1405PBF 编号：C2559

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,169A,5.3mΩ@10V

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1+
￥5.27
10+
￥4.39
50+
￥3.46
100+
￥3.03
500+
￥2.77
1000+
￥2.63

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型号：BSC019N04LS 编号：C534301

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥5.41
10+
￥4.57
30+
￥4.15
100+
￥3.74
500+
￥3.49
1000+
￥3.36

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型号：BSC520N15NS3G 编号：C386368

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道，150V，21A

数据手册

1+
￥5.63
10+
￥4.47
30+
￥3.88
100+
￥3.3
500+
￥2.96
1000+
￥2.78

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型号：BSC040N08NS5 编号：C534333

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥5.9
10+
￥4.82
30+
￥4.28
100+
￥3.74
500+
￥3.42
1000+
￥3.25

有货

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型号：IPD75N04S4-06 编号：C536872

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N通道。增强模式。 AEC合格。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥5.9884 ￥13.61
10+
￥4.2636 ￥12.54
30+
￥2.8512 ￥11.88
100+
￥2.6856 ￥11.19
500+
￥2.6112 ￥10.88
1000+
￥2.58 ￥10.75

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型号：BSC010N04LS6ATMA1 编号：C7220836

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步应用进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N 沟道。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 为无卤产品。额定温度为 175℃

1+
￥6.05
10+
￥4.97
30+
￥4.43
100+
￥3.89
500+
￥3.57
1000+
￥3.4

有货

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型号：BSZ075N08NS5 编号：C534679

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。扩大源极互连，提高焊点可靠性

数据手册

1+
￥6.39
10+
￥5.29
30+
￥4.74
100+
￥4.2
500+
￥3.87
1000+
￥3.7

有货

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型号：IRFS7430TRL7PP 编号：C500543

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 40V 240A

数据手册

1+
￥6.47
10+
￥5.89
30+
￥5.57
100+
￥4.59
500+
￥4.43
800+
￥4.36

有货

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型号：IR2153PBF 编号：C2983

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

半桥驱动集成电路，可直接驱动高侧(高端)和低侧(低端)大功率场效应管。

数据手册

1+
￥6.72
10+
￥5.68
50+
￥5.16
100+
￥4.64
500+
￥4.33
1000+
￥4.18

有货

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型号：IRF7324TRPBF 编号：C169765

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

新型沟槽式HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的耐用器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于电池和负载管理应用。

数据手册

1+
￥6.77
10+
￥5.62
30+
￥4.98
100+
￥4.27
500+
￥3.95
1000+
￥3.81

有货

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型号：IRFR540ZTRPBF 编号：C537985

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

该HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术，在单位硅面积上实现极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速的开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。

数据手册

1+
￥6.83
10+
￥5.65
30+
￥4.99
100+
￥4.26
500+
￥3.93
1000+
￥3.78

有货

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型号：IRFP9140NPBF 编号：C2685

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

数据手册

1+
￥7.29
10+
￥6.14
25+
￥5.51
100+
￥4.79
400+
￥4.47
800+
￥4.33

有货

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型号：IRF3710STRLPBF 编号：C2616

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,57A,23mΩ@10V

数据手册

1+
￥7.42
10+
￥6.13
30+
￥5.48
100+
￥4.84
500+
￥4.08
800+
￥3.88

有货

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型号：TLE42744GSV33 编号：C123093

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款单片集成低压差稳压器，适用于高达 400 mA 的负载电流。高达 40 V 的输入电压被调节为 VQ,nom = 5V / 3.3V，精度为 ±2%。该器件专为汽车应用的恶劣环境而设计，通过内置的输出电流限制和过温关断电路，可防止过载、短路和过温情况。也可用于所有其他需要稳定 5V / 3.3V 电压的应用。由于其极低的静态电流，适用于永久连接到 VBAT 的应用。

数据手册

1+
￥7.46
10+
￥6.19
30+
￥5.49
100+
￥4.25
500+
￥3.9
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