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首页 > 热门关键词 > Infineon传感器
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关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
35V 100mA
型号：BA592E6327HTSA1 编号：C2843747
封装：SOD-323
品牌：Infineon(英飞凌)
用于电视调谐器和移动应用中的频段切换
数据手册

  • 5+

    ￥0.335

  • 50+

    ￥0.3271

  • 150+

    ￥0.3218

  • 500+

    ￥0.3165
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:25V 电流:5.8A
    型号：IRFML8244TRPBF 编号：C143945
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,25V,5.8A,24mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.997

    • 50+

      ￥0.7834

    • 150+

      ￥0.6919

    • 500+

      ￥0.5777

    • 3000+

      ￥0.4821
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:50V 电流:3A
    型号：IRF7103TRPBF 编号：C27080
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,50V,3A,130mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.57

    • 50+

      ￥1.2424

    • 150+

      ￥1.102

    • 500+

      ￥0.832

    • 2500+

      ￥0.754
  • 有货
    • 立即购买
    200-V 半桥栅极驱动器 IC，带 VCC 和 VBS 欠压锁定
    型号：IRS2007STRPBF 编号：C538240
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRS2007是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达200 V。传播延迟经过匹配，便于HVIC在高频应用中使用。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.1328

    • 50+

      ￥1.6533

    • 150+

      ￥1.4477

    • 500+

      ￥1.1913

    • 2500+

      ￥1.0771

    • 5000+

      ￥1.0086
  • 有货
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    耐压:40V 电流:0.2A
    型号：BAS4002ARPPE6327HTSA1 编号：C3589694
    封装：SOT-143
    品牌：Infineon(英飞凌)
    用于极性无关、反极性保护和低损耗桥式整流的小型二极管四阵列，正向电压非常低，开关速度快。

    • 5+

      ￥2.2884

    • 50+

      ￥1.8151

    • 150+

      ￥1.6122

    • 500+

      ￥1.3592
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:9.4A
    型号：IRFU120NPBF 编号：C3025
    封装：TO-251(IPAK)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,9.4A,210mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.553

    • 50+

      ￥2.1415

    • 150+

      ￥1.7895

    • 525+

      ￥1.5695
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
    型号：IRFR7446TRPBF 编号：C97243
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。 完全表征的电容和雪崩SOA。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

    • 1+

      ￥2.71

    • 10+

      ￥2.13

    • 30+

      ￥1.88

    • 100+

      ￥1.57

    • 500+

      ￥1.47

    • 1000+

      ￥1.39
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:31A
    型号：IRFR3410TRPBF 编号：C3016
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,31A,39mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥2.76

    • 10+

      ￥2.15

    • 30+

      ￥1.89

    • 100+

      ￥1.57

    • 500+

      ￥1.42

    • 1000+

      ￥1.34
  • 有货
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    耐压:80V 电流:3.6A
    型号：IRF7380TRPBF 编号：C22126
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,80V,3.6A,73mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.27

    • 10+

      ￥2.55

    • 30+

      ￥2.25

    • 100+

      ￥1.86

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      ￥1.69

    • 1000+

      ￥1.59
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:30V 电流:40A
    型号：BSC0924NDI 编号：C534392
    封装：TISON-8-EP(6x5)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：双N沟道。 集成单片肖特基二极管。 针对高性能降压转换器进行优化。 逻辑电平（额定4.5V）。 100%雪崩测试。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-22标准无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥3.47

    • 10+

      ￥3.14

    • 30+

      ￥2.97

    • 100+

      ￥2.81

    • 500+

      ￥2.13

    • 1000+

      ￥2.07
  • 有货
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    单向TVS 3.3V截止 峰值浪涌电流：20A@8/20us
    型号：TVS3V3L4UE6327HTSA1 编号：C132185
    封装：SC-74
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：ESD/瞬态/浪涌保护符合：IEC61000-4-2（ESD）：±30 kV空气/接触放电。IEC61000-4-4（EFT）：±80 A（5/50 ns）。IEC61000-4-5（浪涌）：±20 A（8/20 μs）。应用：10/100/1000以太网
    数据手册

    • 1+

      ￥3.7

    • 10+

      ￥2.97

    • 30+

      ￥2.6

    • 100+

      ￥2.24

    • 500+

      ￥2.02

    • 1000+

      ￥1.9
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:14.7A
    型号：IPD60R400CE 编号：C459169
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.53

    • 10+

      ￥3.76

    • 30+

      ￥3.37

    • 100+

      ￥2.98

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      ￥2.46

    • 1000+

      ￥2.34
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:55V 电流:169A
    型号：IRF1405PBF 编号：C2559
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,55V,169A,5.3mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.81

    • 10+

      ￥3.93

    • 50+

      ￥3

    • 100+

      ￥2.57

    • 500+

      ￥2.31

    • 1000+

      ￥2.17
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V
    型号：IRFH7446TRPBF 编号：C148277
    封装：PQFN-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,40V,85A,3.3mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.82

    • 10+

      ￥3.95

    • 30+

      ￥3.51

    • 100+

      ￥3.08

    • 500+

      ￥2.82

    • 1000+

      ￥2.69
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:145A
    型号：BSC0901NSIATMA1 编号：C3278725
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能同步整流进行优化。 单片集成类似肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on)，在VGS = 4.5 V时。 100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤素

    • 1+

      ￥4.86

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      ￥3.91

    • 30+

      ￥3.43

    • 100+

      ￥2.96

    • 500+

      ￥2.54

    • 1000+

      ￥2.39
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:79A
    型号：IRFR1018ETRPBF 编号：C500527
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道 60V 56A
    数据手册

    • 1+

      ￥5.01

    • 10+

      ￥4.01

    • 30+

      ￥3.51

    • 100+

      ￥3.02

    • 500+

      ￥2.72

    • 1000+

      ￥2.57
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:75V 电流:132A
    型号：BSC042NE7NS3GATMA1 编号：C3278653
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：优化的同步整流技术。适用于高频开关和 DC/DC 转换器。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。卓越的热阻。N 沟道，正常电平。100% 雪崩测试。无铅电镀；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 无卤

    • 1+

      ￥5.11

    • 10+

      ￥4.6

    • 30+

      ￥4.32

    • 100+

      ￥4.01

    • 500+

      ￥3.86

    • 1000+

      ￥3.8
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:59A
    型号：BSC059N04LS6 编号：C534356
    封装：TDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对同步应用进行优化。 极低导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤。 额定温度175℃
    数据手册

    • 1+

      ￥5.15

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      ￥4.19

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      ￥3.7

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      ￥3.23

    • 500+

      ￥2.94

    • 1000+

      ￥2.79
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:285A
    型号：BSC010N04LS6ATMA1 编号：C7220836
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对同步应用进行优化。 极低的导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 为无卤产品。 额定温度为 175℃

    • 1+

      ￥5.78

    • 10+

      ￥4.7

    • 30+

      ￥4.16

    • 100+

      ￥3.62

    • 500+

      ￥3.3

    • 1000+

      ￥3.14
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
    型号：IPD50P04P4L11 编号：C386372
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道 -40V -50A
    数据手册

    • 1+

      ￥5.79

    • 10+

      ￥4.62

    • 30+

      ￥4.03

    • 100+

      ￥3.46

    • 500+

      ￥3.11

    • 1000+

      ￥2.93
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:13.6A
    型号：IRF7821TRPBF 编号：C3001
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,30V,13.6A,9.1mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥6.11

    • 10+

      ￥5.16

    • 30+

      ￥4.69

    • 100+

      ￥4.22

    • 500+

      ￥3.94

    • 1000+

      ￥3.79
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
    型号：BSC016N06NS 编号：C454269
    封装：TDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对同步整流进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚电镀，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性
    数据手册

    • 1+

      ￥6.12

    • 10+

      ￥4.97

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      ￥4.4

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      ￥3.83

    • 500+

      ￥3.49
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    耐压:30V 电流:100A
    型号：BSC011N03LSI 编号：C534283
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化。 集成单片肖特基式二极管。 极低导通电阻RDS(on)，VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行合格认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥6.68

    • 10+

      ￥5.6

    • 30+

      ￥5.01

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      ￥4.34

    • 500+

      ￥4.04

    • 1000+

      ￥3.9
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
    型号：IPD034N06N3G 编号：C94897
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥6.98

    • 10+

      ￥5.59

    • 30+

      ￥4.9

    • 100+

      ￥4.21

    • 500+

      ￥3.64
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:55V 电流:19A
    型号：IRF9Z34NSTRLPBF 编号：C169780
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-55V,-1.9A,0.1Ω@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥7.28

    • 10+

      ￥6.1

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      ￥5.51

    • 100+

      ￥4.92

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      ￥4.07

    • 800+

      ￥3.89
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    智能低端功率开关
    型号：BSP78HUMA1 编号：C2653794
    封装：SOT-223-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N 通道垂直功率 FET，采用 Smart SIPMOS 技术。通过嵌入式保护功能实现全面保护。
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：BSC030P03NS3G 编号：C152375
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,30V,100A,3mΩ@10V
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    1个N沟道 耐压:800V 电流:17A
    型号：SPB17N80C3 编号：C454265
    封装：TO-263
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：新型革命性高压技术。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。针对目标应用通过JEDEC认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。超低栅极电荷。应用：高直流母线电压的工业应用。开关应用（如有源钳位正激）
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    N沟道 耐压:600V 电流:20.7A
    型号：SPW20N60C3 编号：C140446
    封装：TO-247AC-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：新的革命性高压技术。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
    型号：IPD082N10N3G 编号：C88067
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道，标准电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
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