Infineon传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSZ15DC02KDHXTMA1 编号：C3279308

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：互补P + N沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。共漏极。雪崩额定。工作温度175℃。根据AEC Q101认证。 100%无铅，符合RoHS标准。根据IEC61246-21无卤

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￥7.86
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￥6.62
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￥5.93
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￥5.16
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￥4.82
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￥4.67

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型号：BSZ070N08LS5 编号：C534678

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。具有出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，逻辑电平。 100%经过雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。扩大源极互连，提高焊点可靠性

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￥8.14
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￥6.77
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￥6.02
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￥5.17
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￥4.79
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￥4.62

有货

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型号：IPD90P04P4L04ATMA2 编号：C3289172

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。逻辑电平。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。绿色封装（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

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￥8.35
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￥6.96
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￥6.2
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￥5.34
500+
￥4.95

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型号：BTS7020-2EPA 编号：C534835

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS7020-2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

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￥8.49
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￥6.98
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￥5.21
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￥4.79
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￥4.6

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型号：BSC320N20NS3G 编号：C501501

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

数据手册

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￥8.73
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￥7.19
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￥6.34
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￥5.38
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￥4.96
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￥4.76

有货

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型号：BSC110N15NS5 编号：C412739

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。工作温度为150°C。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流

数据手册

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￥9.22
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￥7.71
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￥6.88
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￥5.95
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￥5.53
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￥5.35

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型号：IRFB3207PBF 编号：C2578

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,180A,4.5mΩ@10V

数据手册

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￥9.22
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￥7.81
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￥6.53
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￥5.27
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￥5.09

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型号：IRFB4229PBF 编号：C2653

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,250V,46A,38mΩ@10V

数据手册

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￥9.82
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￥8.38
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￥6.67
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￥5.2

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型号：IRF540NSTRRPBF 编号：C537773

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于多种应用。D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大至HEX - 4尺寸的芯片

数据手册

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￥13.17
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￥11.47
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￥10.41
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￥9.32
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￥7.98
800+
￥7.76

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型号：TLE9842QX 编号：C540171

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：32位ARM Cortex-M0内核，最高25 MHz时钟频率，单周期每机器周期架构，单周期乘法器。片上内存: -36 KB闪存（包括EEPROM）。 -4 KB EEPROM（在闪存中模拟）。 -768字节100时间可编程内存（100TP）

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￥14.9723 ￥20.51
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￥12.2913 ￥19.51
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￥10.0223 ￥18.91
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￥9.7043 ￥18.31
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￥9.5559 ￥18.03
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￥9.487 ￥17.9

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型号：IKW50N65ES5 编号：C454257

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术，适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat，在额定电流下为1.35V。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：谐振转换器。不间断电源

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1+
￥15.21
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￥12.86
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￥11.39
90+
￥9.88
510+
￥9.2
990+
￥8.9

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型号：IKW50N65F5 编号：C536219

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与RAPID 1快速软反向并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

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￥16.61
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￥14.47
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￥12.71
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￥11.34
500+
￥10.72
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￥10.45

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型号：1ED3124MU12HXUMA1 编号：C5353840

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

数据手册

1+
￥17.73
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￥14.87
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￥13.07
100+
￥11.24
500+
￥10.41

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型号：IKW75N65ES5 编号：C454250

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术，适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat），标称电流下为1.42V。可即插即用替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：谐振转换器。不间断电源

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1+
￥18.8
10+
￥16.19
30+
￥13.95
90+
￥12.27
510+
￥11.51

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型号：IKW15N120H3 编号：C879991

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥18.84
10+
￥15.97
30+
￥14.18
90+
￥12.34
510+
￥11.51

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型号：IRFS7430TRLPBF 编号：C538028

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥19.27
10+
￥16.73
30+
￥15.13
100+
￥12.04
500+
￥11.31
800+
￥10.99

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型号：1ED3323MC12NXUMA1 编号：C17695244

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED332xMC12N（1ED - F3）是 EiceDRIVER™ 增强型单通道电气隔离式栅极驱动器系列产品，采用 DSO - 16 宽体封装，具备短路保护、有源密勒钳位和有源关断等集成保护功能，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。该产品的典型输出电流最高可达 +6 A / -8.5 A。所有逻辑引脚均与 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容，可直接连接到微控制器

1+
￥25.25
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￥21.5
30+
￥19.27
100+
￥17.01
500+
￥15.97

有货

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型号：IPB65R190CFDATMA2 编号：C6639839

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥25.47
10+
￥21.97
30+
￥19.89
100+
￥17.79

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型号：BTS711L1XUMA1 编号：C2680333

封装：SOIC-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入和诊断反馈，采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥35.77
10+
￥30.41
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￥27.23
100+
￥24
500+
￥22.52
1000+
￥21.85

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型号：FM25V05-GTR 编号：C66025

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、高速SPI接口（最高40MHz），低功耗特性（300μA@1MHz，90μA待机电流，5μA睡眠模式电流）。支持SPI模式0和3，工作电压2.0V至3.6V，工作温度范围-40℃至+85℃，8引脚SOIC封装。

数据手册

1+
￥36.43
10+
￥31.74
30+
￥28.95
100+
￥24.89
500+
￥23.59
1000+
￥23

有货

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型号：FM25V20A-GTR 编号：C466857

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V20A是一款2-Mbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持高速SPI接口，最高频率可达40 MHz。适用于需要频繁写入的应用场景，如数据采集和工业控制。

数据手册

1+
￥55.49
10+
￥47.71
30+
￥42.98
100+
￥39

有货

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型号：BSS816NWH6327 编号：C2939944

封装：SOT-323

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。超逻辑电平（额定1.8V）。雪崩额定值。根据AEC Q101认证。 100%无铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤

数据手册

5+
￥0.5888
50+
￥0.4794
150+
￥0.4247
500+
￥0.3836
3000+
￥0.3129
6000+
￥0.2965

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型号：BGX50AE6327 编号：C74966

封装：SOT-143

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：桥接配置。高速开关二极管芯片。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

数据手册

5+
￥2.233
50+
￥1.8109
150+
￥1.6301
500+
￥1.235872 ￥1.4044
3000+
￥0.954712 ￥1.0849
6000+
￥0.901648 ￥1.0246

有货

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型号：BSC030N03LSGATMA1 编号：C6753338

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对直流-直流转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格认证。 N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻积（品质因数）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。雪崩额定。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥2.81
10+
￥2.24
30+
￥2
100+
￥1.69
500+
￥1.56
1000+
￥1.48

有货

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型号：IRLHM620TRPBF 编号：C538149

封装：PQFN-8(3.1x3.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低导通电阻 (RDSon < 2.5mΩ)。低至印刷电路板的热阻 (<3.4℃/W)。低外形 (< 1.0 mm)。行业标准引脚排列。与现有表面贴装技术兼容。符合RoHS标准，无铅、无溴和无卤素。应用：电池供电的直流电机逆变器MOSFET。二次侧同步整流MOSFET

数据手册

1+
￥3.16
10+
￥2.47
30+
￥2.18
100+
￥1.82
500+
￥1.54
1000+
￥1.44

有货

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型号：BGA427H6327 编号：C5577371

封装：SOT-343-3D

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：可级联50Ω增益模块。无条件稳定。增益|S₂₁|²：在1.8 GHz时为18.5 dB（应用1），在1.8 GHz时为22 dB（应用2）。输出功率P₃ₒᵤₜ：在1.8 GHz、Vᴅ = 3V、Iᴅ = 9.4mA时为+7 dBm。噪声系数NF：在1.8 GHz时为2.2 dB。典型器件电压Vᴅ：2V至5V。反向隔离度>35 dB（应用2）。无铅（符合RoHS标准）封装