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高电压高速MOSFET驱动器
型号：IRS20957STRPBF 编号：C78075
封装：SOIC-16
品牌：Infineon(英飞凌)
IRS20957S是一款高压、高速MOSFET驱动器，具有浮动PWM输入，专为D类音频放大器应用而设计。双向电流检测可在正负载电流和负负载电流期间检测过流情况，无需任何外部分流电阻。内置保护控制模块针对过流情况提供安全的保护序列和可编程复位定时器。内部死区时间生成模块可实现精确的栅极开关和最佳死区时间设置，以获得更好的音频性能，如更低的总谐波失真（THD）和更低的音频本底噪声。
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:90A
    型号：IRF200S234 编号：C459945
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩SOA。 增强的体二极管dv/dt和di/dt能力。 无铅；符合RoHS标准；无卤素。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
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    PSoC4:基于Arm Cortex-M0+ CPU的可扩展和可重构平台架构
    型号：CY8C4146AZI-S423 编号：C2959108
    封装：TQFP-48(7x7)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    PSoC 4 是一个可扩展和可重新配置的平台架构，适用于具有 Arm Cortex-M0+ CPU 的可编程嵌入式系统控制器系列。它结合了可编程和可重新配置的模拟和数字块，以及灵活的自动路由。PSoC 4100S 产品系列是 PSoC 4 平台架构的成员。它结合了具有标准通信和时序外设的微控制器、具有最佳性能的电容触摸感应系统 (CapSense)、可编程通用连续时间和开关电容模拟块以及可编程连接。PSoC 4100S 产品与 PSoC 4 平台成员向上兼容，适用于新的应用和设计需求。
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    耐压:650V 电流:43.3A
    型号：IPW65R080CFD 编号：C2916133
    封装：TO-247
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所得器件具有快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
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    OptiMOs 3功率晶体管
    型号：IPP200N25N3 G 编号：C537171
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
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    12V 2x40mΩ 智能高端功率开关
    型号：BTS7040-2EPA 编号：C534839
    封装：TSDSO-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BTS7040-2EPA 是一种智能高侧电源开关，提供保护功能和诊断。该设备采用SMART7技术集成。它适用于电阻性、电感性和电容性负载，可以替代机电继电器、保险丝和分立电路。其驱动能力适用于3.5 A负载和高浪涌电流负载，如P27W+R5W灯或等效电子负载（例如LED模块）。该开关具有高侧配置，并嵌入了保护和诊断功能，包括绝对温度限制和动态温度限制、带有智能重启控制的过流保护、欠压关断以及通过外部元件实现的过压保护。诊断功能包括比例负载电流检测、在开和关状态下检测开路负载、以及对地和电池短路检测。该设备符合汽车应用标准，满足AEC-Q100 1级标准。
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    24V单通道智能高边功率开关
    型号：BTT6010-1ERA 编号：C534858
    封装：TDSO-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BTT6010 - 1ERA是一款导通电阻为10 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术制造
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    耐压:1.2kV 电流:15A
    型号：IKW15N120H3 编号：C879991
    封装：TO-247
    品牌：Infineon(英飞凌)
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    1个N沟道 耐压:250V 电流:61A
    型号：IPP220N25NFD 编号：C537172
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N 通道，正常电平。 快速二极管 (FD)，降低 Qₘ。 针对硬换向耐用性进行优化。 极低导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:47A
    型号：SPW47N60C3 编号：C44647
    封装：TO-247AC-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,650V,47A,70mΩ@10V
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    集成驱动器的大电流PN半桥电路
    型号：IFX007TAUMA1 编号：C6968485
    封装：TO-263-7-1
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IFX007T是一款用于电机驱动应用的集成式大电流半桥器件。它属于工业及多用途NovalithIC™系列产品，该系列产品在一个封装内集成了一个p沟道高端MOSFET、一个n沟道低端MOSFET和一个驱动IC。由于采用了p沟道高端开关，无需使用电荷泵，从而将电磁干扰（EMI）降至最低

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    Functional Safety PMIC
    型号：TLF35584QVVS2XUMA2 编号：C672220
    封装：VQFN-48
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是高效的功能安全电源管理集成电路（PMIC）。
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    单通道5.7 kV（有效值）隔离式栅极驱动IC，具备可调节的过饱和检测（DESAT）和软关断功能
    型号：1ED3491MU12M 编号：C530929
    封装：DSO-16
    品牌：Infineon(英飞凌)
    1ED34x1Mc12M系列（X3模拟）由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成，其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能，可简化高可靠性系统的设计

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    智能高边电源开关 四通道：4 x 140毫欧 状态反馈
    型号：BTS716G 编号：C85135
    封装：DSO-20
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N通道垂直功率MOSFET，带有电荷泵、地参考CMOS兼容输入和诊断反馈，采用智能SIPMOs技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
    数据手册

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      ￥28.51

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    IMZ120R045M1XKSA1
    型号：IMZ120R045M1XKSA1 编号：C3278960
    封装：TO-247-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：极低的开关损耗。 无阈值导通特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压。 完全可控的dv/dt。应用：能源发电。 太阳能串逆变器和太阳能优化器

    • 1+

      ￥33.22

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    三PLL、串行可编程、闪存可编程时钟发生器
    型号：CY22393FXIT 编号：C2759948
    封装：TSSOP-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    该产品是对现有设备的升级，性能与原设备相似，但具备先进特性，能够满足更严苛应用的需求。时钟系列有三个PLL，与参考时钟结合时，最多可在六个引脚上输出四个独立频率。这三个PLL完全可编程。
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      ￥54.68

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    • 100+

      ￥46.89
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    集成控制电源系统 双列直插式智能功率模块 3Φ - 桥 600V / 30A
    型号：IKCM30F60GA 编号：C491346
    封装：MDIP-24
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CIPOs™ 模块系列提供了集成各种电源和控制组件的机会，以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。该封装概念特别适用于电源应用，这类应用需要良好的热传导和电气隔离，同时也需要具备抗电磁干扰控制和过载保护功能
    数据手册

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    IMW120R030M1H
    型号：IMW120R030M1H 编号：C536280
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。应用：能源发电。 -太阳能串逆变器和太阳能优化器
    数据手册

    • 1+

      ￥83.38

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    • 30+

      ￥70.83
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    P沟道 耐压:20V 电流:4.3A
    型号：IRLML2244TRPBF 编号：C169763
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-20V,-4.3A,54mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8261

    • 50+

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      ￥0.4588
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:2.3A
    型号：IRLML9303TRPBF 编号：C82055
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,30V,2.3A,165mΩ@2.3A,10V
    数据手册

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      ￥0.6721

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      ￥0.5263

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      ￥0.4763
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:1.2A
    型号：IRLML2803TRPBF 编号：C2590
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,30V,1.2A,250mΩ@10V
    数据手册

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      ￥0.8971

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      ￥0.7195

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    1个N沟道 耐压:250V 电流:0.1A
    型号：BSS139H6327 编号：C2998039
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道耗尽模式。 dv/dt额定。 卷轴上带有VGS(th)指示器。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤。 根据AEC Q101认证
    数据手册

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      ￥1.1713

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    1个N沟道 耐压:55V 电流:29A
    型号：IRFZ34NPBF 编号：C21066
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,55V,29A,40mΩ@10V
    数据手册

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    NPN 电流:45mA 电压:4V
    型号：BFP740H6327 编号：C439776
    封装：SOT-343-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是宽带 NPN RF 异质结双极晶体管 (HBT)
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    输出200mA
    型号：BCR421UE6327 编号：C112923
    封装：SC-74-6
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适合做为特性的文本需在标题为“特性/特点/主要特点”“# 特性/# 特点/# 主要特点”的段落中提取，文档中虽目录提及“Features”，但未给出对应内容，所以无。应用：适合做为应用的文本需在标题为“应用/应用领域/APPLICATIONS”的段落中提取，文档中虽目录提及“Applications”，但未给出对应内容，所以无。
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      ￥1.1057

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    1个P沟道 耐压:100V 电流:6.6A
    型号：IRFR9120NTRPBF 编号：C3019
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-100V,-6.6A,480mΩ@-10V
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    2个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：IRF7313TRPBF 编号：C117622
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代HEXFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。SO-8通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，多个器件可在应用中使用，显著减少电路板空间。该封装设计适用于气相、红外或波峰焊技术。
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    1个P沟道 耐压:55V 电流:11A
    型号：IRFU9024NPBF 编号：C163645
    封装：TO-251(IPAK)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:25V 电流:3.5A
    型号：IRF7105TRPBF 编号：C94064
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种领域。SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片集成能力，使其成为各种功率应用的理想选择
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    1个N沟道 耐压:600V
    型号：IPD60R600P7S 编号：C536833
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。
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