Infineon传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IKW30N60T 编号：C10457

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

Vce=600V，Ic=30A，Vce(sat)=1.5V

数据手册

1+
￥14.72
10+
￥12.85
30+
￥10.03
90+
￥8.83
480+
￥8.29
960+
￥8.06

有货

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型号：IPB117N20NFD 编号：C536540

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qm。针对硬换向耐用性进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

数据手册

1+
￥16.4
10+
￥13.76
30+
￥12.11
100+
￥10.41
500+
￥9.65
1000+
￥9.32

有货

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型号：AUIR2085STR 编号：C2677064

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置。死区时间可通过适当选择CT来控制，范围为50ns至200ns

数据手册

1+
￥17.17
10+
￥14.46
30+
￥12.77
100+
￥11.03
500+
￥10.24
1000+
￥9.9

有货

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型号：IRFP3710PBF 编号：C2688

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,57A,25mΩ@10V

数据手册

1+
￥18.72
10+
￥15.86
25+
￥13.38
100+
￥11.55

有货

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型号：FM24V10-GTR 编号：C466851

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V10是一种1-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，组织为128K×8。它提供高耐久性的读写操作，支持高达3.4 MHz的快速两线串行接口（I2C）。该存储器具有低功耗、高速写入和长达151年的数据保留时间，适用于频繁写入的应用场景。

数据手册

1+
￥42.59
10+
￥37.49
30+
￥30.85
100+
￥27.78
500+
￥26.37
1000+
￥25.73

有货

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型号：IKCM15L60GA 编号：C536158

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

CIPOsM 模块系列为集成各种电源和控制组件提供了机会，可提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。该封装概念特别适用于功率应用，这类应用需要良好的热传导和电气隔离，同时还需要具备抗电磁干扰的控制和过载保护功能

数据手册

1+
￥54.65
10+
￥47.26
28+
￥40.85
98+
￥37.07

有货

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型号：IMZA65R027M1H 编号：C536297

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建。利用宽带隙SiC材料特性，提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作环境，能够以简化且经济高效的方式实现最高系统效率。

数据手册

1+
￥57.01
10+
￥49.41
30+
￥44.78
90+
￥40.89

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型号：CY22393FXIT 编号：C2759948

封装：TSSOP-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

该产品是对现有设备的升级，性能与原设备相似，但具备先进特性，能够满足更严苛应用的需求。时钟系列有三个PLL，与参考时钟结合时，最多可在六个引脚上输出四个独立频率。这三个PLL完全可编程。

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1+
￥63.34
10+
￥60.93
30+
￥56.77
100+
￥55.54

有货

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型号：FZ600R17KE4 编号：C17371414

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气特性:扩展工作温度T(v_ijop)。低V(CEsat)。高鲁棒性。 V(CEsat)具有正温度系数。机械特性:4 kV AC 1min绝缘。 CTI > 400的封装。应用：高功率转换器。电机驱动器

1+
￥638.49
30+
￥609.41

有货

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型号：IRLML2244TRPBF 编号：C169763

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-20V,-4.3A,54mΩ@-4.5V

数据手册

5+
￥0.8704
50+
￥0.7013
150+
￥0.6167
500+
￥0.5533
3000+
￥0.5026

有货

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型号：BCR08PNH6327XTSA1 编号：C672122

封装：SOT-363-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路。封装内有两个（电流）内部隔离的NPN/PNP晶体管。内置偏置电阻NPN和PNP (R₁ = 2.2 kΩ, R₂ = 47 kΩ)。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101认证

5+
￥0.9962
50+
￥0.8136
150+
￥0.7224
500+
￥0.6213 ￥0.654
3000+
￥0.56924 ￥0.5992
6000+
￥0.54321 ￥0.5718

有货

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型号：BAT6404E6327HTSA1 编号：C513276

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用，集成扩散保护环，正向电压低。

数据手册

5+
￥1.025
50+
￥0.8195
150+
￥0.7314
500+
￥0.6215
3000+
￥0.5725

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型号：BFR183E6327HTSA1 编号：C3040063

封装：SOT-23-3

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于集电极电流从2 mA到30 mA的低噪声、高增益宽带放大器

数据手册

5+
￥1.3051
50+
￥1.0808
150+
￥0.9847
500+
￥0.8648

有货

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型号：BFR380FH6327 编号：C96675

封装：TSFP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高线性低噪声驱动放大器。输出压缩点：19.5 dBm @ 1.8 GHz。适用于高达3.5 GHz的振荡器。低噪声系数：1.1 dB @ 1.8 GHz。集电极设计支持5 V电源电压。无铅（符合RoHS）和无卤薄型小扁平封装，引脚可见。提供符合AEC-Q101的认证报告

数据手册

5+
￥1.4469
50+
￥1.1445
150+
￥1.0149
500+
￥0.8532
3000+
￥0.7812

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型号：BFR193E6327HTSA1 编号：C513261

封装：SOT-23-3

品牌：Infineon(英飞凌)

用于低噪声、高达 2 GHz 的高增益放大器；用于线性宽带放大器

数据手册

5+
￥1.5708
50+
￥1.2432
150+
￥1.1028
500+
￥0.9276

有货

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型号：BFR106E6327 编号：C439780

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高线性度低噪声。 900 MHz、8 V、70 mA 条件下，OP1dB 为 22 dBm，OIP3 为 31 dBm。集电极设计支持 5 V 电源电压。无铅（符合 RoHS 标准）封装。可提供根据 AEC-Q101 的认证报告。应用：UHF / VHF 应用。多级放大器驱动

数据手册

5+
￥1.9455
50+
￥1.5423
150+
￥1.3695
500+
￥1.1539

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型号：IRFL014NTRPBF 编号：C57685

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,1.9A,160mΩ@10V

数据手册

1+
￥2.98
10+
￥2.37
30+
￥2.1
100+
￥1.78
500+
￥1.39
1000+
￥1.3

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型号：BSP322PH6327 编号：C151487

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,100V,1A,800mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.29
10+
￥2.58
30+
￥2.28
100+
￥1.9
500+
￥1.63
1000+
￥1.53

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型号：IPA65R650CE 编号：C94636

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

英飞凌650V CoolMOS，10N65，Id=10A，10A650V

数据手册

1+
￥3.38
10+
￥2.73
50+
￥2.27
100+
￥1.95
500+
￥1.75
1000+
￥1.65

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型号：BSC0901NS 编号：C152424

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,28A,1.9mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.39
10+
￥2.63
30+
￥2.3
100+
￥1.89
500+
￥1.71
1000+
￥1.6

有货

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型号：IPD70R600P7S 编号：C536869

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台，适用于对成本敏感的消费市场应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

数据手册

1+
￥3.41
10+
￥2.73
30+
￥2.43
100+
￥2.07
500+
￥1.91
1000+
￥1.81

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型号：BSC0924NDI 编号：C534392

封装：TISON-8-EP(6x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道。集成单片肖特基二极管。针对高性能降压转换器进行优化。逻辑电平（额定4.5V）。 100%雪崩测试。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-22标准无卤

数据手册

1+
￥3.43
10+
￥3.1
30+
￥2.94
100+
￥2.77
500+
￥2.09
1000+
￥2.04

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型号：BSC052N03LS 编号：C534349

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。在VDS为4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格鉴定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥3.68
10+
￥3.03
30+
￥2.71
100+
￥2.39
500+
￥1.78
1000+
￥1.69

有货

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型号：BSC054N04NSG 编号：C501505

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻乘积（品质因数）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩额定。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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