Infineon传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFR4510TRPBF 编号：C83843

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,63A,13.9mΩ@10V

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型号：BSC010NE2LSI 编号：C534282

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。100% 雪崩测试。N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤素

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型号：ITS4200S-ME-P 编号：C538478

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

ITS4200S-ME-P 是一种带电荷泵和CMOS兼容输入的受保护单通道智能高侧NMOS电源开关，采用SOT-223-4封装。该器件采用智能技术单片集成。

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型号：FM24CL04B-GTR 编号：C914924

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

4-Kbit非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它可提供151年的可靠数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，FM24CL04B以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有更高的写入耐久性

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型号：BTT6050-1ERA 编号：C534868

封装：TDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6050 - 1ERA是一款导通电阻为50 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成

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型号：IPLK60R360PFD7 编号：C537054

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS PFD7是一个优化的平台，适用于消费市场对成本敏感的应用，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，兼具出色的性价比和先进的易用性。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，可实现非常纤薄的设计。

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型号：IRFB5620PBF 编号：C520672

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）

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型号：BTS4175SGA 编号：C152451

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS4175SGA是一款单通道智能高端功率开关。它采用PG-DSO-8-24封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道功率MOSFET构成

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型号：1EDI60I12AF 编号：C533025

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离式IGBT驱动器。输入到输出隔离电压高达1200V。适用于高压功率IGBT。典型值高达10A

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型号：IRFS4410ZTRLPBF 编号：C148161

封装：TO-263-2

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 100V 97A

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型号：BSZ300N15NS5 编号：C534718

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。符合IEC61249-2-21的无卤标准。扩大源极互连，提高焊点可靠性

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型号：CY7C65632-28LTXCT 编号：C466886

封装：QFN-28-EP(5x5)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

高性能、低功耗的USB 2.0集线器，最多支持四个下游端口。

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型号：SPP20N60C3 编号：C672089

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。全球最佳的导通电阻RDS(on)（TO 220封装）。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。PG-TO-220-3-31：完全隔离封装（2500 VAC；1分钟）。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

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￥6.82
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型号：IRFS7730TRL7PP 编号：C500542

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 75V 240A

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型号：BTS3408G 编号：C534770

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS3408G 是一款具有D-MOS输出级的双通道低侧开关，用于驱动电阻性、电容性和电感性负载。该设计基于英飞凌的智能功率技术（SPT），允许在同一单片电路上集成双极型、CMOS和功率D-MOS器件。BTS3408G 具有嵌入式保护功能，并专为汽车和工业应用而设计。它特别适用于驱动步进电机和线路。

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