Infineon传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFR3910TRPBF 编号：C148158

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 100V 16A

数据手册

1+
￥3.12
10+
￥2.42
30+
￥2.12
100+
￥1.74
500+
￥1.57
1000+
￥1.47

有货

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型号：BSP129H6327 编号：C79340

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,240V,350mA,6Ω@10V

数据手册

1+
￥3.3
10+
￥2.63
30+
￥2.35
100+
￥1.99
500+
￥1.5
1000+
￥1.4

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型号：SI4435DYTRPBF 编号：C67287

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-30V,-8A,20mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.52
10+
￥2.84
30+
￥2.5
100+
￥2.16
500+
￥1.87
1000+
￥1.77

有货

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型号：BSC032N04LS 编号：C194147

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,98A,3.2mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.01
10+
￥3.2
30+
￥2.79
100+
￥2.39
500+
￥2.15
1000+
￥2.03

有货

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型号：IRF9540NSTRLPBF 编号：C33903

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

数据手册

1+
￥4.24
10+
￥3.54
30+
￥3.18
100+
￥2.83
500+
￥2.13
800+
￥2.02

有货

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型号：IR2127STRPBF 编号：C371089

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2127/IR2128/IR21271(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

数据手册

1+
￥4.9
10+
￥3.96
30+
￥3.49
100+
￥2.65
500+
￥2.37
1000+
￥2.23

有货

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型号：BSC098N10NS5 编号：C534398

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥5.03
10+
￥4.08
30+
￥3.61
100+
￥3.14
500+
￥2.48
1000+
￥2.34

有货

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型号：IRFS7537TRLPBF 编号：C538034

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥5.32
10+
￥4.49
30+
￥4.07
100+
￥3.66
500+
￥2.56
800+
￥2.43

有货

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型号：IRLR2908TRPBF 编号：C520624

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的工艺技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该HEXFET功率MOSFET的其他特性包括：175°C的结工作温度、低ReJC、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效且可靠的器件，可广泛应用于各种领域

数据手册

1+
￥5.44
10+
￥4.41
30+
￥3.89
100+
￥3.38
500+
￥3.07
1000+
￥2.92

有货

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型号：BTS7080-2EPA 编号：C534840

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS7080-2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

数据手册

1+
￥5.81
10+
￥4.66
30+
￥4.09
100+
￥3.34
500+
￥3
1000+
￥2.83

有货

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型号：IRFB4127PBF 编号：C413498

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥5.97
10+
￥4.82
30+
￥4.25
100+
￥3.68
500+
￥3.34
1000+
￥3.16

有货

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型号：BSC039N06NS 编号：C534330

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了资格认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥6.41
10+
￥5.12
30+
￥4.48
100+
￥3.84
500+
￥3.32
1000+
￥3.12

有货

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型号：2EDS8265H 编号：C533091

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

数据手册

1+
￥6.46
10+
￥5.23
30+
￥4.61
100+
￥3.6
500+
￥3.24
1000+
￥3.05

有货

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型号：IR2109STRPBF 编号：C2966

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

数据手册

1+
￥7.23
10+
￥5.97
30+
￥5.28
100+
￥4.24
500+
￥3.89
1000+
￥3.73

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型号：BTS7004-1EPP 编号：C534825

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。

数据手册

1+
￥8.17
10+
￥6.72
30+
￥5.92
100+
￥5.02
500+
￥4.62
1000+
￥4.44

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型号：IRFS7430TRL7PP 编号：C500543

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 40V 240A

数据手册

1+
￥8.88
10+
￥7.48
30+
￥6.71
100+
￥5.23
500+
￥4.84
800+
￥4.67

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型号：IPD70N10S3L-12 编号：C536860

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。符合汽车AEC Q101标准。 MSL1可达260℃峰值回流温度。工作温度为175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥9.49
10+
￥8.67
30+
￥8.16
100+
￥7.64

有货

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型号：IRFP4368PBF 编号：C2918

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,350A,1.85mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.58
10+
￥8.1
25+
￥6.57
100+
￥5.66
500+
￥5.25
1000+
￥5.07

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型号：BTS452RATMA1 编号：C7466796

封装：TO-252-5

品牌：Infineon(英飞凌)

N 沟道垂直功率 FET 采用电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入和诊断反馈，通过 Smart SIPMOS 技术进行单片集成，提供嵌入式保护功能。

1+
￥10.7
10+
￥8.95
30+
￥8
100+
￥6.91
500+
￥6.43
1000+
￥6.21

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型号：IKW08T120 编号：C168885

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用 TrenchStop® 和 Fieldstop 技术的 IGBT，配备软、快恢复反并联发射极控制 HE 二极管

数据手册

1+
￥12.77
10+
￥11.77
30+
￥9.91
90+
￥9.28
480+
￥8.99
960+
￥8.86

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型号：IKW30N60T 编号：C10457

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

Vce=600V，Ic=30A，Vce(sat)=1.5V

数据手册

1+
￥13.6
10+
￥11.74
30+
￥8.92
90+
￥7.72
480+
￥7.18
960+
￥6.94

有货

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型号：BSC034N10LS5 编号：C534326

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。经过100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤。完全符合JEDEC工业应用标准

数据手册

1+
￥15.09
10+
￥12.98
30+
￥11.66
100+
￥9.89
500+
￥9.28

有货

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型号：IRFP90N20DPBF 编号：C2924

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,94A,23mΩ@10V

数据手册

1+
￥15.48
10+
￥12.97
25+
￥11.4
100+
￥9.79
525+
￥9.07
1050+
￥8.75

有货

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型号：BTT6200-4ESA 编号：C534876

封装：TSDSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6200 - 4ESA是一款200 mΩ四通道智能高端功率开关，采用PG - TSDSO - 24封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成

数据手册

1+
￥17.19
10+
￥14.51
30+
￥12.84
100+
￥11.12
500+
￥10.34

有货

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型号：SPW17N80C3 编号：C50466

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,800V,17A,290mΩ@10V

数据手册

1+
￥19.62
10+
￥16.9
30+
￥14.18
90+
￥12.43
510+
￥11.65
990+
￥11.3

有货

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型号：IRFP3710PBF 编号：C2688

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,57A,25mΩ@10V

数据手册

1+
￥20.02
10+
￥17.15
25+
￥14.67
100+
￥12.83

有货

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型号：BSC13DN30NSFD 编号：C152366

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,300V,16A,130mΩ@10V

数据手册

1+
￥23.03
10+
￥19.63
30+
￥17.62
100+
￥15.57
500+
￥14.63
1000+
￥14.21

有货

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型号：IFX9201SG 编号：C112633

封装：SO-12-EP-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是通用的6A H桥，用于控制直流电机或其他感性负载。输出可进行频率高达20kHz的脉冲宽度调制，PWM/DIR控制可减少微控制器端所需的PWM引脚数量。当负载电流超过电流限制阈值（典型值8A）时，H桥进入斩波电流限制模式。具备短路和过温保护功能，可通过SPI进行全面诊断或通过错误标志提供基本反馈。可在桥禁用或感性负载PWM运行期间检测开路负载。坚固的PG-DSO-12-17封装，由于厚铜散热片，具有出色的热性能。散热片的突出边缘使封装适合自动光学焊接检测。

数据手册

1+
￥27.51
10+
￥23.62
30+
￥20.59
100+
￥18.25
500+
￥17.18

有货

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型号：IPB017N10N5LFATMA1 编号：C3289286

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。极低的导通电阻RDS(on)。宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥32.02
10+
￥27.52
30+
￥24.85
100+
￥22.14

有货

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型号：TLE7368E 编号：C163616

封装：BSSOP-36-EP-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE7368器件是一款多功能电源电路，专为使用标准12 V电池的汽车动力总成系统而设计。该器件旨在为下一代32位微控制器系列（13 μm光刻工艺）供电并进行监控，这些微控制器需要5 V、3.3 V或1.5/1.2/1.3 V等电压。该稳压器沿用了其前代产品TLE6368/SONIC的设计理念，预稳压器的输出为微控制器线性电源的输入供电。具体而言，TLE7368将降压转换器与线性稳压器和电压跟随器级联，以实现最低的功耗。这种配置即使在高环境温度下也能为应用供电。降压转换器提供5.5 V的预稳压电压，最小峰值电流能力为2.5 A。由该降压转换器供电的两个低压差线性后置稳压器可高精度地提供5 V和3.3 V（2.6 V）电压。稳压器的电流能力分别为800 mA和700 mA。3.3 V（2.6 V）线性稳压器有独立的输入，必要时可从降压输出端接入降压电阻，以降低芯片上的功耗。出于同样的降低芯片功耗的原因，核心电源（1.5 V、1.2 V或1.3 V）采用集成控制电路与外部功率级相结合的设计理念。按照上述方式实现板载和微控制器电源，即使在高环境温度下也能正常工作。稳压器系统包含所谓的电源排序功能，可对三个输出电压进行受控上电排序。除主稳压器外，两个电压跟踪器的输入连接到5.5 V降压转换器的输出电压。其受保护的输出可高精度地跟随主5 V线性稳压器，能够驱动50 mA和105 mA的负载。为监控每个线性稳压器的输出电压水平，设有两个独立的欠压检测电路。这些电路可用于实现复位或中断功能。出于节能考虑，例如在发动机熄火时，TLE7368提供待机模式。待机模式可通过电池或微控制器启用和禁用。在这种待机模式下，只有待机稳压器保持工作，从电池汲取的电流降至最低，以延长电池使用寿命。选择引脚可根据应用需求配置待机稳压器的输出电压。待机稳压器的输入与预/后置稳压器系统的高功率输入相互隔离。

数据手册

1+
￥34.25
10+
￥29.02
30+
￥25.92
100+
￥22.78
500+
￥21.33

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严控渠道

降低成本

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