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封装：SOIC-16

1ED332xMC12N（1ED - F3）是 EiceDRIVER™ 增强型单通道电气隔离式栅极驱动器系列产品，采用 DSO - 16 宽体封装，具备短路保护、有源密勒钳位和有源关断等集成保护功能，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。该产品的典型输出电流最高可达 +6 A / -8.5 A。所有逻辑引脚均与 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容，可直接连接到微控制器

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￥23.93
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￥20.31
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￥18.16
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￥15.98
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￥14.98

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型号：IPD60R400CE 编号：C459169

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。

数据手册

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￥4.27
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￥3.47
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￥3.07
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￥2.67
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￥2.14
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￥2.01

有货

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型号：IRFB4020PBF 编号：C2649

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,18A,80mΩ@10V

数据手册

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￥4.92
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￥4.02
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￥3.12
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￥2.85
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￥2.71

有货

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型号：IPG20N06S4L-26 编号：C112995

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

双N沟道

数据手册

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￥5.24
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￥3.87
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￥2.88
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型号：IRS2101STRPBF 编号：C67283

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

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￥5.53
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￥2.43

有货

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型号：IRLR3110ZTRPBF 编号：C67277

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,63A,16mΩ@4.5V

数据手册

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￥6.12
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￥4.99
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￥4.42
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型号：IRFS7537TRLPBF 编号：C538034

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

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￥6.36
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￥4.4
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￥3.11
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￥2.96

有货

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型号：BTS7008-1EPP 编号：C534828

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款智能高端功率开关，提供保护功能和诊断。

数据手册

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￥6.56
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￥4.8
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￥4.09
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￥3.64

有货

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型号：IRLR8743TRPBF 编号：C51360

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,160A,3.9mΩ@4.5V

数据手册

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￥7
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￥5.66
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￥4.33
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￥3.29

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型号：BTS3410G 编号：C150926

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

智能SIPMOS技术中的N通道垂直功率FET

数据手册

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￥7.04
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￥5.94
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￥4.84
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￥4.51
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￥4.34

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型号：IR2011STRPBF 编号：C148146

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

高功率MOS管半桥式驱动

数据手册

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￥9.18
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￥6.87
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￥5.94
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￥4.59
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￥4.41

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型号：BSZ096N10LS5 编号：C534695

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关。针对 DC/DC 转换器进行了技术优化。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 N 沟道，逻辑电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

数据手册

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￥9.68
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￥8.14
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￥7.29
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￥6.34
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￥5.91

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型号：SPW20N60C3 编号：C140446

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

数据手册

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￥10.36
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￥8.68
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￥7.76
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￥6.72
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￥6.26

有货

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型号：IPW60R180P7 编号：C467009

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

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￥10.98
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￥6.97
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￥6.77

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型号：1EDL8011XUMA1 编号：C34117288

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1EDL8011栅极驱动IC凭借其强大的栅极电流能力，可实现高端N沟道MOSFET的快速导通和关断。它包含一个集成式电荷泵和一个外部电容器，以提供强劲的启动能力。当工作输入电压较低时，内部电荷泵可为MOSFET提供栅极电压

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￥11.43
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￥8.5
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￥6.82
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型号：1EDB7275F 编号：C530935

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道隔离栅极驱动器IC系列，旨在驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为4mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供隔离。具有严格的时序规格，专为快速开关中高功率系统而设计。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸，使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的理想替代品。

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￥11.47
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￥9.75
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￥7.06
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型号：IKW50N65EH5 编号：C536218

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：不间断电源。太阳能转换器

数据手册

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￥11.86
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￥8.82
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￥7.62
510+
￥7.08
990+
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型号：IKW08T120 编号：C168885

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用 TrenchStop® 和 Fieldstop 技术的 IGBT，配备软、快恢复反并联发射极控制 HE 二极管

数据手册

1+
￥12.53
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￥9.68
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￥9.04
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￥8.75
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型号：IPA80R280P7 编号：C536421

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,t，降低了 Ωg、CGth 和 CGth。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。完全优化的产品组合。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

数据手册

1+
￥13.48
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50+
￥10.39
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￥9.18
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￥8.63
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￥8.39

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型号：SPP11N80C3 编号：C476111

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。极高的dv/dt额定值。高脉冲电流能力。针对目标应用通过JEDEC认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。超低栅极电荷。应用：具有高直流母线电压的工业应用。开关应用（如有源钳位正激）

数据手册

1+
￥13.7
10+
￥11.95
50+
￥10.86
100+
￥9.73
500+
￥9.22

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型号：BSC034N10LS5 编号：C534326

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。经过100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤。完全符合JEDEC工业应用标准

数据手册

1+
￥14.01
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￥12.05
30+
￥10.83
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￥9.18
500+
￥8.62

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型号：BTS452R 编号：C126924

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET，带有电荷泵、接地参考 CMOS 兼容输入和诊断反馈，采用 Smart SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥15
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￥12.28
30+
￥10.79
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￥8.65
500+
￥7.9
1000+
￥7.56

有货

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型号：IPB200N25N3G 编号：C3279153

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。按照IEC61249-2-21标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流

1+
￥18.15
10+
￥15.46
30+
￥13.87
100+
￥12.26

有货

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型号：IKW50N60T 编号：C10458

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的VCE(sat)：1.5V（典型值）。最高结温：175℃。短路耐受时间：5μs。紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。极高的开关速度。应用：变频器。不间断电源

数据手册

1+
￥20.39
10+
￥17.49
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￥13.19
90+
￥11.33
480+
￥10.49

有货

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型号：IKW25N120H3 编号：C111025

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速DuoPack封装：采用沟槽和场截止技术的IGBT，配备软恢复、快速恢复的反并联二极管，属于1200V高速开关系列第三代产品

数据手册

1+
￥21.34
10+
￥18.25
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￥14.32
90+
￥12.34
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￥11.44
960+
￥11.06

有货

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型号：BTS3256DAUMA1 编号：C3232337

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS3256D是一款采用PG - TO - 252 - 5 - 11封装的单通道低端功率开关，具备内置保护功能。这款HITFET™专为汽车和工业应用而设计，具有出色的保护和控制特性。该功率晶体管是N沟道垂直功率MOSFET，采用智能功率技术芯片进行控制

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￥23.83
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￥20.17
30+
￥17.99
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￥15.79
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￥14.78
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￥14.32

有货

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型号：IPW65R080CFD 编号：C2916133

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所得器件具有快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥24.82
10+
￥21.13
30+
￥18.94
90+
￥16.73
510+
￥15.71
990+
￥15.25

有货

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型号：IKW40N120CS6 编号：C454252

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：1200V TRENCHSTOP IGBT6技术。硬开关和谐振拓扑中具有高效率。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。低EMI。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用：工业UPS。充电器

数据手册

1+
￥27.77
10+
￥24.01
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￥19.66
100+
￥17.4
500+
￥16.36

有货

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型号：SAK-TC234LP-32F200N AC 编号：C538786

封装：TQFP-144(16x16)

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥52.61
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￥45.23
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￥40.73
100+
￥36.96

有货

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型号：CY7C68013A-56PVXC 编号：C26717

封装：SSOP-56-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是高度集成的低功耗USB 2.0微控制器。通过在单芯片中集成USB 2.0收发器、串行接口引擎（SIE）、增强型8051微控制器和可编程外设接口，提供了一种经济高效的解决方案，具有低功耗优势，适用于总线供电应用。其巧妙的架构可实现超过53 Mbytes每秒的数据传输速率，达到USB 2.0的最大带宽，同时采用低成本的8051微控制器，封装尺寸小至56 VFBGA（5 mm x 5 mm）。由于集成了USB 2.0收发器，比USB 2.0 SIE或外部收发器实现更经济，占用空间更小

数据手册

1+
￥79.83
10+
￥70.48
26+
￥60.59
104+
￥55.81

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