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描述

价格(含税)

库存

操作

双通道、功能型和增强型隔离式MOSFET栅极驱动器

型号：2EDS8265H 编号：C533091

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

数据手册

1+
￥6.92
10+
￥5.66
30+
￥5.04
100+
￥4
500+
￥3.63
1000+
￥3.44

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:315A

型号：IPT015N10NF2SATMA1 编号：C19632811

封装：PG-HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥7.06
10+
￥5.89
30+
￥5.24
100+
￥4.52
500+
￥4.19
1000+
￥4.05

有货

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12V~26V

型号：ICE3PCS03G 编号：C71544

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

ICE3PCS03G是一款用于有源功率因数校正转换器的8引脚宽输入范围控制IC。它专为升压拓扑结构的转换器而设计，所需的外部元件极少。建议通过外部辅助电源为其供电，该辅助电源可控制IC的开启和关闭

数据手册

1+
￥7.08
10+
￥5.81
30+
￥5.17
100+
￥4.54
500+
￥3.7
1000+
￥3.5

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:47A

型号：IRLZ44NPBF 编号：C38774

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,47A,22mΩ@10V

数据手册

1+
￥7.96
10+
￥6.62
50+
￥5.89
100+
￥5.07
500+
￥4.7
1000+
￥4.53

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:184A

型号：BSC026N08NS5ATMA1 编号：C5955453

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化用于服务器和台式机中的同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合ReHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥8.61
10+
￥7.21
30+
￥6.44
100+
￥5.57
500+
￥5.18
1000+
￥5

有货

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智能高侧功率开关

型号：BTS4175SGA 编号：C152451

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS4175SGA是一款单通道智能高端功率开关。它采用PG-DSO-8-24封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道功率MOSFET构成

数据手册

1+
￥9.3
10+
￥7.86
30+
￥7.07
100+
￥6.17
500+
￥5.26
1000+
￥5.08

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:32A

型号：BSZ300N15NS5 编号：C534718

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。符合IEC61249-2-21的无卤标准。扩大源极互连，提高焊点可靠性

数据手册

1+
￥9.77
10+
￥8.2
30+
￥7.22
100+
￥6.22
500+
￥5.77

有货

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耐压:600V 电流:20.7A

型号：SPP20N60C3 编号：C672089

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。全球最佳的导通电阻RDS(on)（TO 220封装）。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。改进的跨导。PG-TO-220-3-31：完全隔离封装（2500 VAC；1分钟）。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

数据手册

1+
￥10.73
10+
￥9.04
50+
￥7.39
100+
￥6.34
500+
￥5.88
1000+
￥5.67

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:100A

型号：BSC035N10NS5 编号：C2832245

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

数据手册

1+
￥11.6
10+
￥9.54
30+
￥8.42
100+
￥7.14
500+
￥6.57
1000+
￥6.32

有货

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高端和低端驱动器

型号：IR2110PBF 编号：C2967

封装：DIP-14

品牌：Infineon(英飞凌)

500V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥12.56
10+
￥10.67
25+
￥8.67
100+
￥7.46
500+
￥6.91
1000+
￥6.67

有货

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1.2kV 30A

型号：IHW15N120R3 编号：C350814

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换相设计。TRENCHSTOP™ 技术应用提供:非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低 EMI。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

1+
￥13.31
10+
￥11.44
30+
￥10.26
90+
￥9.06
510+
￥8.52
990+
￥8.29

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:34A

型号：IPD320N20N3G 编号：C501515

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥15.23
10+
￥13.06
30+
￥11.7
100+
￥10.3
500+
￥9.67
1000+
￥9.4

有货

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650V 80A

型号：IKW50N65H5 编号：C476108

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥17.35
10+
￥15.06
30+
￥12.69
90+
￥11.22
510+
￥10.55
990+
￥10.27

有货

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集成驱动器的大电流PN半桥电路

型号：IFX007TAUMA1 编号：C6968485

封装：TO-263-7-1

品牌：Infineon(英飞凌)

IFX007T是一款用于电机驱动应用的集成式大电流半桥器件。它属于工业及多用途NovalithIC™系列产品，该系列产品在一个封装内集成了一个p沟道高端MOSFET、一个n沟道低端MOSFET和一个驱动IC。由于采用了p沟道高端开关，无需使用电荷泵，从而将电磁干扰（EMI）降至最低

1+
￥22.37
10+
￥19.03
30+
￥17.05
100+
￥15.04
500+
￥14.12

有货

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1200V 沟槽式碳化硅 MOSFET

型号：IMZA120R040M1HXKSA1 编号：C5771896

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VDSS = 1200 V，TVj = 25℃。 IDDC = 55 A，Tc = 25℃。 RDSS(on) = 39 mΩ，VGS = 18 V，TVj = 25℃。极低的开关损耗。短路耐受时间3 μs。基准栅极阈值电压，VGDD(th) = 4.2 V。应用：通用驱动器 (GPD)。电动汽车充电

1+
￥33.03
10+
￥28.02
30+
￥25.04
90+
￥22.03

有货

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NPN 电流:150mA 电压:4V

型号：BFP650H6327 编号：C151520

封装：SOT-343-4

品牌：Infineon(英飞凌)

射频三极管 NPN

数据手册

5+
￥1.2185
50+
￥1.0802
150+
￥1.021
500+
￥0.947
3000+
￥0.7198
6000+
￥0.7

有货

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耐压:30V 电流:86A

型号：IRLR8726TRLPBF 编号：C67280

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,86A,8mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥1.7356
50+
￥1.3841
150+
￥1.2335
500+
￥1.0455
3000+
￥0.8059
6000+
￥0.7557

有货

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输出200mA

型号：BCR420UE6327 编号：C129165

封装：SC-74-6

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

5+
￥2.6652
50+
￥2.1612
150+
￥1.9452
500+
￥1.6757
3000+
￥1.3508
6000+
￥1.2788

有货

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SIPMos小信号晶体管

型号：BSP613PH6327 编号：C534578

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。雪崩额定。 dv/dt额定。适用于快速开关降压转换器。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据AEC Q101进行认证。根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥3.3
10+
￥2.56
30+
￥2.24
100+
￥1.84
500+
￥1.67
1000+
￥1.56

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:6A

型号：IPN60R600P7S 编号：C152668

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,10V,6A,600mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.43
10+
￥2.76
30+
￥2.42
100+
￥2.09
500+
￥1.75
1000+
￥1.65

有货

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耐压:700V 电流:12.5A

型号：IPD70R360P7S 编号：C151509

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,700V,12.5A,360mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.48
10+
￥2.79
30+
￥2.49
100+
￥2.12
500+
￥1.89
1000+
￥1.79

有货

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1个P沟道耐压:55V 电流:11A

型号：IRFU9024NPBF 编号：C163645

封装：TO-251(IPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计

数据手册

1+
￥3.74
10+
￥2.98
30+
￥2.65
75+
￥1.9
525+
￥1.72
975+
￥1.61

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：IRF7319TRPBF 编号：C2760082

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的处理技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。SO-8已通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，多个器件可在应用中使用，从而显著减少电路板空间。该封装设计用于气相、红外或波峰焊技术。

数据手册

1+
￥4.08
10+
￥3.3
30+
￥2.91
100+
￥2.53
500+
￥2.3
1000+
￥2.18

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:14.7A

型号：IPD60R400CE 编号：C459169

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。

数据手册

1+
￥4.27
10+
￥3.47
30+
￥3.07
100+
￥2.67
500+
￥2.14
1000+
￥2.01

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:50A

型号：BSC067N06LS3G 编号：C24199

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,50A,6.7mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.83
10+
￥3.98
30+
￥3.55
100+
￥3.13
500+
￥2.69
1000+
￥2.56

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:18A

型号：IRFB4020PBF 编号：C2649

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,18A,80mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.92
10+
￥4.02
50+
￥3.57
100+
￥3.12
500+
￥2.85
1000+
￥2.71

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:55A

型号：BSC123N08NS3G 编号：C412732

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了优化。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。卓越的热阻。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥5.21
10+
￥4.28
30+
￥3.82
100+
￥3.36
500+
￥3.09

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:20A

型号：IPG20N06S4L-26 编号：C112995

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

双N沟道

数据手册

1+
￥5.24
10+
￥4.32
30+
￥3.87
100+
￥3.41
500+
￥2.88
1000+
￥2.74

有货

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高端和低端驱动器

型号：IR2106STRPBF 编号：C386354

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

数据手册

1+
￥5.52
10+
￥4.48
30+
￥3.96
100+
￥3.44
500+
￥3.13
1000+
￥2.97

有货

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高端和低端驱动器

型号：IRS2101STRPBF 编号：C67283

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥5.53
10+
￥4.49
30+
￥3.96
100+
￥3.45
500+
￥2.58
1000+
￥2.43

有货

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最快4小时发货
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