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首页 > 热门关键词 > Infineon传感器
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N沟道,40V,202A,4mΩ@10V
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  • 1+

    ¥5.02
  • 10+

    ¥4.15
  • 50+

    ¥3.46
  • 100+

    ¥3.02
  • 500+

    ¥2.76
  • 1000+

    ¥2.63
  • 有货
  • N沟道,80V,100A,5.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.23
    • 10+

      ¥4.33
    • 30+

      ¥3.88
    • 100+

      ¥3.44
    • 500+

      ¥2.84
    • 1000+

      ¥2.7
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 完全表征了电容和雪崩 SOA。 增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准,无卤素。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥5.66
    • 10+

      ¥4.7
    • 50+

      ¥3.37
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      ¥2.61
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      ¥2.47
  • 有货
  • 特性:低导通电阻 (VGS = 10V时 ≤ 14.9mΩ)。 对印刷电路板的低热阻 (≤ 1.2℃/W)。 100% Rg测试。 低外形 (≤ 0.9 mm)。 行业标准引脚布局。 与现有表面贴装技术兼容。应用:二次侧同步整流。 直流电机逆变器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.81
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      ¥4.69
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    • 1000+

      ¥2.85
  • 有货
  • N沟道 60V 56A
    数据手册
    • 1+

      ¥6.21
    • 10+

      ¥5.03
    • 30+

      ¥4.45
    • 100+

      ¥3.86
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      ¥3.52
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      ¥3.34
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  • 双N沟道,60V,8A,17.8mΩ@10V
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      ¥2.92
  • 有货
  • P沟道,-150V,-13A,0.295Ω@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.33
    • 10+

      ¥5.14
    • 30+

      ¥4.54
    • 100+

      ¥3.95
    • 500+

      ¥3.11
    • 1000+

      ¥2.93
  • 有货
  • P沟道,-100V,-38A,60mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.7
    • 10+

      ¥5.55
    • 30+

      ¥4.98
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      ¥3.6
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      ¥3.42
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  • P沟道,-40V,-10.5A,15mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.88
    • 10+

      ¥5.5
    • 30+

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    • 500+

      ¥3.72
    • 1000+

      ¥3.51
  • 有货
  • 特性:针对同步整流进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚电镀,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥6.94
    • 10+

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      ¥5.15
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    • 500+

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    • 1000+

      ¥3.98
  • 有货
  • 是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本,集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。比以前的IC提供更多功能且更易于使用。CT引脚设计了关断功能,可使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度相同,使启动时频率与时间的曲线更稳定。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt和将欠压锁定滞后增加到1V,显著提高了抗噪性。特别注重最大化器件的抗闩锁能力,并在所有引脚上提供全面的ESD保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.77
    • 10+

      ¥6.67
    • 30+

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      ¥4.54
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      ¥4.38
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  • N沟道,80V,100A,3.7mΩ@10V
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      ¥9.46
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      ¥5.51
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  • N沟道,250V,93A,17.5mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥12.48
    • 10+

      ¥10.61
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      ¥8.63
    • 100+

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    • 500+

      ¥6.89
    • 1000+

      ¥6.66
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 工作温度150℃。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥13.603 ¥22.3
    • 10+

      ¥9.9246 ¥19.46
    • 30+

      ¥7.2816 ¥17.76
    • 100+

      ¥6.5805 ¥16.05
    • 500+

      ¥6.2566 ¥15.26
    • 1000+

      ¥6.1131 ¥14.91
  • 有货
  • 特性:N沟道,针对FOMoss进行优化。 极低导通电阻,可在175℃工作温度下使用。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 按照JEDC11标准进行认证,适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥16.58
    • 10+

      ¥14.75
    • 50+

      ¥12.5
    • 100+

      ¥11.32
    • 500+

      ¥10.79
    • 1000+

      ¥10.56
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥18.88
    • 10+

      ¥15.87
    • 50+

      ¥13.99
    • 100+

      ¥12.06
  • 有货
  • CoolIMOS是一项针对高压功率MOSFET的革命性技术,它依据超结(SJ)原理设计。IPW60R037CSFD是一款经过优化的器件,专门针对车载外电动汽车充电细分市场。由于其栅极电荷(Qg)低且开关性能得到改善,该器件在目标市场中具备最高效率
    数据手册
    • 1+

      ¥23.44
    • 10+

      ¥20.53
    • 30+

      ¥16.1
    • 90+

      ¥14.34
    • 510+

      ¥13.54
    • 990+

      ¥13.17
  • 有货
  • FM22L16是一款256K x 16的非易失性F-RAM存储器,支持高速读写操作,具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力。该器件兼容SRAM,支持页模式操作,工作电压为2.7V至3.6V,工作温度范围为-40°C至+85°C。
    数据手册
    • 1+

      ¥101.24
    • 10+

      ¥89.95
    • 30+

      ¥82.65
    • 135+

      ¥76.28
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行优化。 针对干净的开关进行优化。 100% 雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6115
    • 50+

      ¥1.2586
    • 150+

      ¥1.1074
    • 500+

      ¥0.9187
    • 2500+

      ¥0.8347
    • 5000+

      ¥0.7842
  • 有货
  • P沟道 -55V -19A
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9581
    • 50+

      ¥1.5929
    • 150+

      ¥1.4047
    • 500+

      ¥1.1698
    • 2700+

      ¥1.0652
  • 有货
  • N+P沟道,20V,1.5A
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0424
    • 50+

      ¥1.5832
    • 150+

      ¥1.3864
    • 500+

      ¥1.1408
    • 3000+

      ¥1.0315
    • 6000+

      ¥0.9659
  • 有货
  • RF肖特基二极管是具有集成保护环的硅低势垒N型器件,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使该产品适用于频率高达12 GHz的混频器和探测器功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.15
    • 10+

      ¥2.57
    • 30+

      ¥2.33
    • 100+

      ¥2.02
    • 500+

      ¥1.88
    • 1000+

      ¥1.8
  • 有货
  • N沟道 55V 3.1A
    数据手册
    • 1+

      ¥3.7
    • 10+

      ¥3.01
    • 30+

      ¥2.67
    • 100+

      ¥2.32
    • 500+

      ¥1.93
    • 1000+

      ¥1.83
  • 有货
  • N沟道,40V,250A,2mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.94
    • 10+

      ¥3.21
    • 50+

      ¥2.84
    • 100+

      ¥2.47
    • 500+

      ¥2.26
    • 1000+

      ¥2.14
  • 有货
  • 是一款采用5引脚TO封装的单片集成低压差电压调节器,专为汽车应用而设计。可将高达42V的输入电压调节为5.0V的输出电压,能够驱动高达450mA的负载。通过内置的电流限制实现短路保护,并具有集成的过温关断功能。当输出电压VQ,rt 典型值为4.65V时,会生成复位信号。上电复位延迟时间可通过外部延迟电容进行编程。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.46
    • 10+

      ¥3.62
    • 30+

      ¥3.2
    • 100+

      ¥2.78
    • 500+

      ¥2.53
    • 1000+

      ¥2.4
  • 有货
  • N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.66
    • 10+

      ¥3.87
    • 30+

      ¥3.47
    • 100+

      ¥3.07
    • 500+

      ¥2.27
    • 1000+

      ¥2.14
  • 有货
  • P沟道,30V,15A,7.2mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.77
    • 10+

      ¥3.91
    • 30+

      ¥3.48
    • 100+

      ¥3.05
    • 500+

      ¥2.47
    • 1000+

      ¥2.34
  • 有货
  • N沟道,100V,90A,7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.95 ¥8.25
    • 10+

      ¥3.8 ¥7.6
    • 30+

      ¥2.88 ¥7.2
    • 100+

      ¥2.712 ¥6.78
    • 500+

      ¥2.64 ¥6.6
    • 1000+

      ¥2.608 ¥6.52
  • 有货
  • N沟道 60V 12A
    数据手册
    • 1+

      ¥5.06
    • 10+

      ¥4.07
    • 30+

      ¥3.57
    • 100+

      ¥3.08
    • 500+

      ¥2.79
    • 1000+

      ¥2.64
  • 有货
  • N沟道,40V,217A,1.2mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.8
    • 10+

      ¥4.62
    • 30+

      ¥4.03
    • 100+

      ¥3.44
    • 500+

      ¥3.09
    • 1000+

      ¥2.91
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