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特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 全特性电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 符合 RoHS 标准,无铅、无溴、无卤素。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
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    ¥4.66
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    ¥3.88
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    ¥2.26
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行了优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤
    • 1+

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  • N沟道 150V 33A
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  • BTS7200-4EPA 是一款智能高侧电源开关,提供保护功能和诊断。该设备采用了SMART7技术,适用于电阻性、电感性和电容性负载,可以替代机电继电器、保险丝和分立电路。其驱动能力适合1A负载(包括继电器)以及高浪涌电流负载,如R5W灯泡或等效电子负载(例如LED模块)。该设备属于PROFET™ +2 12V系列,具有在反向电流条件下开启的能力(InverseON)、带控制重启的绝对和动态温度限制、带智能重启控制的过流保护、欠压关断以及通过外部元件实现的过压保护等功能。诊断功能包括比例负载电流检测、在开和关状态下开路检测以及对地短路和电池短路检测。BTS7200-4EPA 符合汽车应用要求,并满足AEC-Q100 Grade 1标准。
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      ¥5.85
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      ¥3.85
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      ¥3.4
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  • BTS3035EJ是一款导通电阻为35 mΩ的单通道智能低边功率开关,采用PG - TDSO8 - 31封装,具备嵌入式保护功能。功率晶体管由N沟道垂直功率MOSFET构成,该器件为单片集成式。BTS3035EJ符合汽车级标准,针对12 V汽车应用进行了优化
    数据手册
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      ¥6.01
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    • 1000+

      ¥3.14
  • 有货
  • P沟道,-100V,-38A,60mΩ@10V
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      ¥6.18
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  • 有货
  • N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V
    数据手册
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      ¥6.76
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  • ICE3PCS03G是一款用于有源功率因数校正转换器的8引脚宽输入范围控制IC。它专为升压拓扑结构的转换器而设计,所需的外部元件极少。建议通过外部辅助电源为其供电,该辅助电源可控制IC的开启和关闭
    数据手册
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      ¥3.25
  • 有货
  • 600V,高低侧驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
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  • 采用电荷泵、地参考CMOS兼容输入和诊断反馈的N沟道垂直功率MOSFET,通过智能SIPMOs技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。
    数据手册
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      ¥9.09
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  • 有货
  • 特性:同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,t,降低了 Ωg、CGth 和 CGth。 同类最佳的 DPAK RDS(on)。 同类最佳的 VGS(th) 为 3V,最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。 集成齐纳二极管 ESD 保护。 完全符合 JEDEC 工业应用标准。 完全优化的产品组合。应用:适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。 适用于消费应用和太阳能的 PFC 级
    数据手册
    • 1+

      ¥13.48
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      ¥8.39
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET,带有电荷泵,接地参考的 CMOS 兼容输入,采用 Smart SIPMOS 技术单片集成,提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.38
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  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 按照IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
    • 1+

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      ¥11.52
  • 有货
  • 特性:强大的单片体二极管,正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术应用提供: 非常紧密的参数分布。 高耐用性,温度稳定性能。 低集电极-发射极饱和电压(VcEsat)。 由于 VcEsat 具有正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰(EMI)。应用:电磁炉。 微波炉
    数据手册
    • 1+

      ¥20.18
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      ¥13.22
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  • 特性:极低的VCE(sat):1.5V(典型值)。 最高结温:175℃。 短路耐受时间:5μs。 紧密的参数分布。 高耐用性,温度稳定性能。 极高的开关速度。应用:变频器。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥21.07
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      ¥18.16
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      ¥11.16
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      ¥10.8
  • 有货
  • CoolIMOS是一项针对高压功率MOSFET的革命性技术,它依据超结(SJ)原理设计。IPW60R037CSFD是一款经过优化的器件,专门针对车载外电动汽车充电细分市场。由于其栅极电荷(Qg)低且开关性能得到改善,该器件在目标市场中具备最高效率
    数据手册
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      ¥22.24
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      ¥19.47
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      ¥12.84
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      ¥12.5
  • 有货
  • 特性:1200V TRENCHSTOP IGBT6技术。 硬开关和谐振拓扑中具有高效率。 由于VCEsat的正温度系数,易于并联。 低EMI。 低栅极电荷Qg。 非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用:工业UPS。 充电器
    数据手册
    • 1+

      ¥29.91
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      ¥26.26
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      ¥22.05
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      ¥18.85
  • 有货
  • 特性:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。 用于硬换向的坚固体二极管。应用:能源发电。 -太阳能串式逆变器和太阳能优化器
    数据手册
    • 1+

      ¥31.39
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      ¥21.04
  • 有货
  • FM25V10是一款1-Mbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺,具有高耐久性和低功耗。它支持SPI接口,最高时钟频率为40MHz,适用于需要频繁写入的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥37.92
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      ¥32.62
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      ¥27.33
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      ¥22.67
    • 1000+

      ¥22
  • 有货
  • FM22L16是一款256K x 16的非易失性F-RAM存储器,支持高速读写操作,具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力。该器件兼容SRAM,支持页模式操作,工作电压为2.7V至3.6V,工作温度范围为-40°C至+85°C。
    数据手册
    • 1+

      ¥86.86
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      ¥76.69
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      ¥70.12
    • 135+

      ¥64.38
  • 有货
  • 特性:快速开关MOSFET,适用于开关电源。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格认证。N沟道,逻辑电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。100%雪崩测试。无铅电镀,符合RoHS标准。根据ICC1249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥2.68
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      ¥2.11
    • 30+

      ¥1.86
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      ¥1.55
    • 500+

      ¥1.41
    • 1000+

      ¥1.33
  • 有货
  • N沟道,30V,28A,1.9mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.7874
    • 50+

      ¥2.1999
    • 150+

      ¥1.9482
    • 500+

      ¥1.6341
    • 2500+

      ¥1.4942
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  • N沟道,55V,42A,13.5mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.17
    • 10+

      ¥2.5
    • 30+

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      ¥1.7
    • 1000+

      ¥1.6
  • 有货
  • P沟道,-20V,-7.7A,40mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.51
    • 10+

      ¥2.86
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      ¥2.53
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      ¥2.2
    • 500+

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      ¥1.61
  • 有货
  • N沟道,60V,50A,6.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.68
    • 10+

      ¥2.94
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    • 500+

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    • 1000+

      ¥1.82
  • 有货
  • N沟道,60V,210A,3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.08
    • 10+

      ¥3.66
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      ¥2.81
    • 350+

      ¥2.69
    • 1050+

      ¥2.62
  • 有货
  • N沟道,55V,42A,27mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.14
    • 10+

      ¥3.44
    • 30+

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    • 500+

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    • 1000+

      ¥2.07
  • 有货
  • N沟道,75V,130A,7.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.11
    • 10+

      ¥4.09
    • 50+

      ¥3.58
    • 100+

      ¥3.07
    • 500+

      ¥2.77
    • 1000+

      ¥2.61
  • 有货
  • 智能SIPMOS技术中的N通道垂直功率FET
    数据手册
    • 1+

      ¥5.41
    • 10+

      ¥4.3
    • 30+

      ¥3.75
    • 100+

      ¥3.21
    • 500+

      ¥2.88
    • 1000+

      ¥2.71
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 完全表征了电容和雪崩 SOA。 增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准,无卤素。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥5.78
    • 10+

      ¥4.83
    • 50+

      ¥3.49
    • 100+

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