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N沟道,60V,1.2A,480mΩ@10V
数据手册
  • 5+

    ¥0.6216
  • 50+

    ¥0.5016
  • 150+

    ¥0.4416
  • 500+

    ¥0.3966
  • 3000+

    ¥0.2831
  • 6000+

    ¥0.2651
  • 有货
  • P沟道,-55V,-12A,175mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9499
    • 50+

      ¥1.3727
    • 150+

      ¥1.2104
    • 500+

      ¥1.008
    • 2000+

      ¥0.9179
    • 5000+

      ¥0.8638
  • 有货
  • N沟道,55V,2A,140mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0838
    • 50+

      ¥1.6291
    • 150+

      ¥1.4343
    • 500+

      ¥1.1384
    • 2500+

      ¥1.0301
    • 5000+

      ¥0.9652
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 1+

      ¥3.24
    • 10+

      ¥2.54
    • 30+

      ¥2.24
    • 100+

      ¥1.87
    • 500+

      ¥1.7
    • 1000+

      ¥1.6
  • 有货
  • P沟道,30V,15A,7.2mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.3
    • 10+

      ¥2.71
    • 30+

      ¥2.42
    • 100+

      ¥2.12
    • 500+

      ¥1.73
    • 1000+

      ¥1.63
  • 有货
  • N沟道,100V,17A
    数据手册
    • 1+

      ¥3.5
    • 10+

      ¥2.82
    • 30+

      ¥2.53
    • 100+

      ¥2.17
    • 500+

      ¥1.58
    • 800+

      ¥1.48
  • 有货
  • P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.84
    • 10+

      ¥3.16
    • 50+

      ¥2.42
    • 100+

      ¥2.08
    • 500+

      ¥1.88
    • 1000+

      ¥1.78
  • 有货
  • 特性:用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常电平-AEC Q101认证。 MSL1,最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥4.06
    • 10+

      ¥3.59
    • 30+

      ¥3.36
    • 100+

      ¥3.13
    • 500+

      ¥2.99
    • 1000+

      ¥2.92
  • 有货
  • 特性:优化用于同步整流。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道,逻辑电平。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤素。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥4.11
    • 10+

      ¥3.34
    • 30+

      ¥2.95
    • 100+

      ¥2.56
    • 500+

      ¥2.33
    • 1000+

      ¥2.21
  • 有货
  • N沟道,220V,18A,150mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.36
    • 10+

      ¥3.61
    • 30+

      ¥3.23
    • 100+

      ¥2.85
    • 500+

      ¥2.27
    • 800+

      ¥2.15
  • 有货
  • N沟道,200V,18A,80mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.78
    • 10+

      ¥3.88
    • 50+

      ¥3.43
    • 100+

      ¥2.98
    • 500+

      ¥2.71
    • 1000+

      ¥2.58
  • 有货
  • N沟道,40V,217A,1.2mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.27
    • 10+

      ¥4.2
    • 30+

      ¥3.66
    • 100+

      ¥3.13
    • 500+

      ¥2.81
    • 1000+

      ¥2.65
  • 有货
  • N沟道,150V,104A,11mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.28
    • 10+

      ¥4.36
    • 30+

      ¥3.9
    • 100+

      ¥2.75
    • 500+

      ¥2.47
    • 1000+

      ¥2.33
  • 有货
  • P沟道,-40V,-10.5A,15mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.6
    • 10+

      ¥4.48
    • 30+

      ¥3.92
    • 100+

      ¥3.36
    • 500+

      ¥3.03
    • 1000+

      ¥2.86
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥6.74
    • 10+

      ¥5.48
    • 30+

      ¥4.85
    • 100+

      ¥4.22
    • 500+

      ¥3.85
    • 1000+

      ¥3.66
  • 有货
  • 600V,高低侧驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥7.88
    • 10+

      ¥6.55
    • 30+

      ¥5.83
    • 100+

      ¥4.62
    • 500+

      ¥4.25
    • 1000+

      ¥4.09
  • 有货
  • N沟道,75V,210A,3.3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.27
    • 10+

      ¥7.77
    • 50+

      ¥6.18
    • 100+

      ¥5.25
    • 600+

      ¥4.84
    • 900+

      ¥4.65
  • 有货
  • 500V,高低侧驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.84
    • 10+

      ¥9.22
    • 25+

      ¥7.5
    • 100+

      ¥6.46
    • 500+

      ¥5.99
    • 1000+

      ¥5.78
  • 有货
  • 特性:高速S5技术,适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat),标称电流下为1.42V。可即插即用替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用:谐振转换器。不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥15.65
    • 10+

      ¥13.4
    • 30+

      ¥11.46
    • 90+

      ¥10.01
    • 510+

      ¥9.36
  • 有货
  • 特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175℃。应用:太阳能转换器。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥16.63
    • 10+

      ¥14.34
    • 30+

      ¥11.97
    • 90+

      ¥10.5
    • 510+

      ¥9.83
    • 990+

      ¥9.54
  • 有货
  • IR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC,非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。该产品也适用于对输入电压无限制的推挽式转换器。每个通道的频率等于fOSC,可通过选择RT和CT来设置,其中fOSC = 1/(2*RT*CT)
    数据手册
    • 1+

      ¥18.75
    • 10+

      ¥15
    • 30+

      ¥12.66
    • 100+

      ¥10.26
    • 500+

      ¥9.17
    • 1000+

      ¥8.7
  • 有货
  • FM25W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用32K x 8的逻辑组织结构。它具有高耐久性(100万亿次读写),151年的数据保持能力,无延迟写入,非常快的SPI接口(最高20 MHz),低功耗,宽电压范围(2.7V至5.5V),以及工业温度范围(-40°C至+85°C)。
    数据手册
    • 1+

      ¥30.5
    • 10+

      ¥27.8
    • 30+

      ¥26.2
    • 100+

      ¥23.09
    • 500+

      ¥22.34
    • 1000+

      ¥22
  • 有货
  • 是高度集成的低功耗USB 2.0微控制器。通过在单芯片中集成USB 2.0收发器、串行接口引擎(SIE)、增强型8051微控制器和可编程外设接口,提供了一种经济高效的解决方案,具有低功耗优势,适用于总线供电应用。其巧妙的架构可实现超过53 Mbytes每秒的数据传输速率,达到USB 2.0的最大带宽,同时采用低成本的8051微控制器,封装尺寸小至56 VFBGA(5 mm x 5 mm)。由于集成了USB 2.0收发器,比USB 2.0 SIE或外部收发器实现更经济,占用空间更小
    数据手册
    • 1+

      ¥75.9
    • 10+

      ¥66.55
    • 26+

      ¥56.67
    • 104+

      ¥51.89
  • 有货
  • N沟道,100V,10A,185mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7121
    • 50+

      ¥1.3783
    • 150+

      ¥1.2353
    • 500+

      ¥0.9541
    • 2000+

      ¥0.8747
    • 4000+

      ¥0.827
  • 有货
  • P沟道 -55V -19A
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9058
    • 50+

      ¥1.5406
    • 150+

      ¥1.3523
    • 500+

      ¥1.1174
    • 2700+

      ¥1.0128
    • 5400+

      ¥0.95
  • 有货
  • MOS全桥
    数据手册
    • 1+

      ¥2.61
    • 10+

      ¥2.12
    • 30+

      ¥1.91
    • 100+

      ¥1.65
    • 500+

      ¥1.35
    • 1000+

      ¥1.28
  • 有货
  • N沟道 55V 3.1A
    数据手册
    • 1+

      ¥2.67
    • 10+

      ¥2.14
    • 30+

      ¥1.91
    • 100+

      ¥1.62
    • 500+

      ¥1.37
    • 1000+

      ¥1.3
  • 有货
  • N沟道,55V,3.8A,40mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.27
    • 10+

      ¥2.64
    • 30+

      ¥2.37
    • 100+

      ¥2.03
    • 500+

      ¥1.42
    • 1000+

      ¥1.33
  • 有货
  • 中功率音频肖特基二极管 正向电流:750 mA 反向电压:40 V 适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用 无铅(符合 RoHS 标准)封装 符合 AEC Q101 标准。
    数据手册
    • 5+

      ¥4.2196
    • 50+

      ¥3.6994
    • 150+

      ¥3.4764
    • 500+

      ¥3.1983
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了技术优化。 具有出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,逻辑电平。 100%经过雪崩测试。 无铅电镀,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 扩大源极互连,提高焊点可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥4.38
    • 10+

      ¥3.53
    • 30+

      ¥3.1
    • 100+

      ¥2.67
    • 500+

      ¥2.42
    • 1000+

      ¥2.29
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