Infineon传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRS2003STRPBF 编号：C40009

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

200V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥2.78
10+
￥2.24
30+
￥2.01
100+
￥1.72
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

有货

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型号：IRF7404TRPBF 编号：C2997

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-20V,-7.7A,40mΩ@-10V

数据手册

1+
￥3.88
10+
￥3.16
30+
￥2.8
100+
￥2.44
500+
￥1.9
1000+
￥1.79

有货

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型号：BAT165E6327 编号：C151511

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

中功率音频肖特基二极管正向电流：750 mA 反向电压：40 V 适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用无铅（符合 RoHS 标准）封装符合 AEC Q101 标准。

数据手册

1+
￥4.2196
10+
￥3.6994
30+
￥3.4764
100+
￥3.1983
600+
￥3.0744
1200+
￥3

有货

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型号：IRLR2905TRPBF 编号：C3010

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,42A,27mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.69
10+
￥3.83
30+
￥3.4
100+
￥2.97
500+
￥2.26
1000+
￥2.13

有货

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型号：BSC010N04LS 编号：C501508

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化用于同步整流。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

数据手册

1+
￥4.86
10+
￥3.9
30+
￥3.42
100+
￥2.94
500+
￥2.65
1000+
￥2.5

有货

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型号：BSC190N15NS3G 编号：C534423

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。150℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

数据手册

1+
￥5.2
10+
￥4.23
30+
￥3.74
100+
￥3.25
500+
￥2.61
1000+
￥2.46

有货

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型号：IRFH7004TRPBF 编号：C112334

封装：PQFN-8(4.9x5.8)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全特性电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。符合 RoHS 标准，无铅、无溴、无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥5.61
10+
￥4.66
30+
￥4.19
100+
￥3.72
500+
￥2.83
1000+
￥2.69

有货

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型号：IR2184STRPBF 编号：C2995

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥6.71
10+
￥5.59
30+
￥4.98
100+
￥3.84
500+
￥3.53
1000+
￥3.39

有货

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型号：IR2113STRPBF 编号：C2974

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥7.18
10+
￥5.96
30+
￥5.28
100+
￥4.1
500+
￥3.76
1000+
￥3.61

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型号：IKW20N60T 编号：C10456

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

Vce=600V，Ic=20A，Vce(sat)=1.5V

数据手册

1+
￥8.28
10+
￥7.6
30+
￥5.66
90+
￥5.24
510+
￥5.06
990+
￥4.97

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型号：ICE3PCS01G 编号：C192050

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

ICE3PCS01G 是一款用于有源功率因数校正转换器的 14 引脚宽输入范围控制 IC。它专为升压拓扑结构的转换器而设计，所需的外部元件极少。建议由外部辅助电源为其供电，该辅助电源可控制 IC 的开启和关闭

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1+
￥8.48
10+
￥7.33
30+
￥6.7
100+
￥5.99
500+
￥5.67
1000+
￥5.53

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型号：ITS4141N 编号：C538473

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵，接地参考的 CMOS 兼容输入，采用 Smart SIPMOS 技术单片集成，提供嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥10.25
10+
￥8.51
30+
￥7.55
100+
￥6.33
500+
￥5.85
1000+
￥5.63

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型号：IPT012N08N5 编号：C531199

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥13.22
10+
￥11.33
30+
￥10.15
100+
￥8.94
500+
￥8.39
1000+
￥8.16

有货

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型号：IR2085STRPbF 编号：C50124

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。该产品也适用于对输入电压无限制的推挽式转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置，其中fOSC = 1/(2*RT*CT)

数据手册

1+
￥18.17
10+
￥15.23
30+
￥13.38
100+
￥11.49
500+
￥10.64
1000+
￥10.27

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型号：IMBF170R1K0M1XTMA1 编号：C3279264

封装：TO-263-7-13

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料：碳化硅。针对反激拓扑进行优化。 12V/0V栅源电压，与大多数反激控制器兼容。极低的开关损耗。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。完全可控的dV/dt，用于电磁干扰优化。应用：能源发电。太阳能串式逆变器

1+
￥19.23
10+
￥16.55
30+
￥14.95
100+
￥12.09
500+
￥11.35
1000+
￥11.01

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型号：SLB 9670VQ2.0 FW7.85 编号：C539131

封装：VQFN-32-EP(5x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

OPTIGA TPM SLB 9670是一款可信平台模块，基于先进的硬件安全技术。该TPM实现已获得CC EAL4+认证，可作为其他TPM产品和固件升级的基础。它采用PG VQFN 32 13封装

数据手册

1+
￥20.67
10+
￥17.73
30+
￥15.98
100+
￥14.22
500+
￥13.4
1000+
￥13.04

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型号：IMZ120R060M1HXKSA1 编号：C536292

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。无阈值导通状态特性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。完全可控的dV/dt。用于硬换向的坚固体二极管。应用：能源发电。 -太阳能串式逆变器和太阳能优化器

数据手册

1+
￥30.2
10+
￥25.64
30+
￥22.93
90+
￥20.2
510+
￥18.93
990+
￥18.36

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型号：SPW47N60C3 编号：C44647

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,650V,47A,70mΩ@10V

数据手册

1+
￥30.82
10+
￥27
30+
￥21.34
90+
￥19.04
480+
￥17.98
960+
￥17.51

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型号：IMZ120R045M1XKSA1 编号：C3278960

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。无阈值导通特性。宽栅源电压范围。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压。完全可控的dv/dt。应用：能源发电。太阳能串逆变器和太阳能优化器

1+
￥37.46
10+
￥32.22
30+
￥29.11
90+
￥25.96
510+
￥24.51
990+
￥23.85

有货

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型号：IPW65R041CFD 编号：C528753

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥39.22
10+
￥33.75
30+
￥30.49
90+
￥27.2
480+
￥25.69
960+
￥25

有货

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型号：IRLML2060TRPBF 编号：C67275

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,1.2A,480mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.6816
50+
￥0.5616
150+
￥0.5016
500+
￥0.4566
3000+
￥0.3431
6000+
￥0.3251

有货

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型号：IRLML2030TRPBF 编号：C82054

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,2.7A,100mΩ@2.7A,10V

数据手册

5+
￥0.6891
50+
￥0.5477
150+
￥0.4771
500+
￥0.4241
3000+
￥0.3363
6000+
￥0.3151

有货

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型号：BSS126H6327 编号：C534596

封装：SOT-23-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N通道。耗尽模式。dv/dt额定。卷盘上带有VGS(th)指示器。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

5+
￥0.9448
50+
￥0.7571
150+
￥0.6632
500+
￥0.5929
3000+
￥0.5365
6000+
￥0.5084

有货

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型号：IRLL014NTRPBF 编号：C74066

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,2A,140mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.7568
50+
￥1.3736
150+
￥1.2093
500+
￥0.9598
2500+
￥0.8685
5000+
￥0.8138

有货

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型号：BGS12P2L6E6327 编号：C3312945

封装：XFDFN-6(0.7X1.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款通用射频MOS功率开关，设计用于覆盖从0.05到6 GHz的广泛高功率应用，主要用于GSM、WCDMA和LTE手机的发射路径。芯片集成了片上CMOS逻辑，由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。与GaAs技术不同，仅当外部施加直流电压时，才需要在RF端口使用外部直流隔直电容。采用英飞凌专利的MOS技术制造，兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性，包括固有的更高ESD鲁棒性。尺寸非常小，仅为0.7×1.1 mm²，最大高度为0.31 mm。

5+
￥1.8576
50+
￥1.4561
150+
￥1.284
500+
￥1.0693
2500+
￥0.9737
5000+
￥0.9163

有货

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型号：IRS2007STRPBF 编号：C538240

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2007是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达200 V。传播延迟经过匹配，便于HVIC在高频应用中使用。

数据手册

5+
￥2.5778
50+
￥1.9982
150+
￥1.7498
500+
￥1.4399
2500+
￥1.3019
5000+
￥1.2191

有货

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型号：IRFR3806TRPBF 编号：C148157

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 60V 43A

数据手册

1+
￥3.8
10+
￥3.12
30+
￥2.78
100+
￥2.44
500+
￥1.78
1000+
￥1.68

有货

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型号：IR21531STRPBF 编号：C2985

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR21531D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动 IC 的改进版本，它集成了一个高压半桥栅极驱动器和一个类似于行业标准 CMOS 555 定时器的前端振荡器。与之前的 IC 相比，IR21531 功能更丰富且使用更便捷。CT 引脚设计有关断功能，因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外，一旦 VCC 上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度就会相同，从而在启动时实现频率与时间的更稳定曲线。通过降低栅极驱动器的峰值 di/dt 以及将欠压锁定迟滞增加到 1V，抗噪性能得到了显著改善。最后，特别关注了最大化器件的抗闩锁能力，并为所有引脚提供全面的 ESD 保护。