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首页 > 热门关键词 > Infineon传感器
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特性:N 通道。增强模式。AEC Q101 合格。MSL1 高达 260℃ 峰值回流。175℃ 工作温度。绿色产品(符合 RoHS)。100% 雪崩测试
数据手册
  • 1+

    ¥20.18
  • 10+

    ¥17.29
  • 30+

    ¥15.49
  • 100+

    ¥13.64
  • 500+

    ¥12.8
  • 1000+

    ¥12.44
  • 有货
  • 特性:VDSS = 1200 V,TVj = 25℃。 IDDC = 55 A,Tc = 25℃。 RDSS(on) = 39 mΩ,VGS = 18 V,TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 短路耐受时间3 μs。 基准栅极阈值电压,VGDD(th) = 4.2 V。应用:通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥33.03
    • 10+

      ¥28.02
    • 30+

      ¥25.04
    • 90+

      ¥22.03
    • 510+

      ¥20.64
  • 有货
  • 特性:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。应用:能源发电。 太阳能串逆变器和太阳能优化器
    数据手册
    • 1+

      ¥40.08
    • 10+

      ¥34.16
    • 30+

      ¥30.55
    • 90+

      ¥27.52
  • 有货
  • BFP420是一款基于接地发射极(SIEGET™)的低噪声器件,属于英飞凌成熟的第四代射频双极晶体管系列。其25 GHz的特征频率fₜ、高增益和低电流特性,使该器件适用于高达10 GHz的振荡器。它在保证易用性的同时,还具有成本竞争力
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6902
    • 50+

      ¥0.5534
    • 150+

      ¥0.485
    • 500+

      ¥0.4337
    • 3000+

      ¥0.3311
    • 6000+

      ¥0.3105
  • 有货
  • 射频三极管 NPN
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2185
    • 50+

      ¥1.0802
    • 150+

      ¥1.021
    • 500+

      ¥0.947
    • 3000+

      ¥0.7198
    • 6000+

      ¥0.7
  • 有货
  • P沟道,-55V,-18A,110mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1865
    • 50+

      ¥1.6949
    • 150+

      ¥1.4842
    • 500+

      ¥1.2213
    • 2000+

      ¥1.1042
    • 4000+

      ¥1.034
  • 有货
  • N沟道,60V,50A,6.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.68
    • 10+

      ¥2.94
    • 30+

      ¥2.62
    • 100+

      ¥2.1185 ¥2.23
    • 500+

      ¥1.824 ¥1.92
    • 1000+

      ¥1.729 ¥1.82
  • 有货
  • IRS2104是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.78
    • 10+

      ¥3.05
    • 30+

      ¥2.74
    • 100+

      ¥2.34
    • 500+

      ¥1.71
    • 1000+

      ¥1.6
  • 有货
  • P沟道,-100V,-14A
    数据手册
    • 1+

      ¥4.28
    • 10+

      ¥3.39
    • 30+

      ¥3.01
    • 100+

      ¥2.54
    • 500+

      ¥2.02
    • 800+

      ¥1.89
  • 有货
  • N沟道,75V,75A,13mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.38
    • 10+

      ¥3.48
    • 50+

      ¥2.83
    • 100+

      ¥2.35
    • 500+

      ¥2.13
    • 1000+

      ¥2
  • 有货
  • N沟道,40V,250A,2mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.63
    • 10+

      ¥3.77
    • 50+

      ¥3.34
    • 100+

      ¥2.91
    • 500+

      ¥2.65
    • 1000+

      ¥2.52
  • 有货
  • N沟道,55V,110A,8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.81
    • 10+

      ¥3.98
    • 30+

      ¥3.57
    • 100+

      ¥3.16
    • 500+

      ¥2.45
    • 800+

      ¥2.33
  • 有货
  • N沟道,30V,161A,4mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.91
    • 10+

      ¥3.92
    • 30+

      ¥3.42
    • 100+

      ¥2.93
    • 500+

      ¥2.64
    • 1000+

      ¥2.48
  • 有货
  • N沟道 200V 24A
    数据手册
    • 1+

      ¥5.68
    • 10+

      ¥4.73
    • 30+

      ¥4.25
    • 100+

      ¥3.78
    • 500+

      ¥2.88
    • 1000+

      ¥2.74
  • 有货
  • 特性:非常低的栅极电荷,适用于高频应用。 为直流-直流转换进行优化。 N 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥5.96
    • 10+

      ¥4.85
    • 30+

      ¥4.29
    • 100+

      ¥3.553 ¥3.74
    • 500+

      ¥3.2395 ¥3.41
    • 1000+

      ¥3.078 ¥3.24
  • 有货
  • IR21531D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动 IC 的改进版本,它集成了一个高压半桥栅极驱动器和一个类似于行业标准 CMOS 555 定时器的前端振荡器。与之前的 IC 相比,IR21531 功能更丰富且使用更便捷。CT 引脚设计有关断功能,因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外,一旦 VCC 上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度就会相同,从而在启动时实现频率与时间的更稳定曲线。通过降低栅极驱动器的峰值 di/dt 以及将欠压锁定迟滞增加到 1V,抗噪性能得到了显著改善。最后,特别关注了最大化器件的抗闩锁能力,并为所有引脚提供全面的 ESD 保护。
    • 1+

      ¥6.31
    • 10+

      ¥5.17
    • 30+

      ¥4.54
    • 100+

      ¥3.83
    • 500+

      ¥3.52
    • 1000+

      ¥3.37
  • 有货
  • N沟道,55V,110A,8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.32
    • 10+

      ¥5.28
    • 25+

      ¥3.91
    • 100+

      ¥3.39
    • 400+

      ¥3.08
    • 800+

      ¥2.92
  • 有货
  • IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是低电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.64
    • 10+

      ¥5.43
    • 30+

      ¥4.82
    • 100+

      ¥4.22
    • 500+

      ¥3.36
    • 1000+

      ¥3.18
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥11.32
    • 10+

      ¥9.66
    • 30+

      ¥8.63
    • 100+

      ¥7.56
    • 500+

      ¥7.08
    • 1000+

      ¥6.88
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET,带有电荷泵、接地参考 CMOS 兼容输入和诊断反馈,采用 Smart SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.3
    • 10+

      ¥10.96
    • 30+

      ¥9.67
    • 100+

      ¥7.83
    • 500+

      ¥7.19
    • 1000+

      ¥6.9
  • 有货
  • 1ED020I12 - F2是一款采用PG - DSO - 16 - 15封装的单通道IGBT电流隔离驱动器,其输出电流能力典型值为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容,可直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现电流隔离的数据传输
    数据手册
    • 1+

      ¥16.21
    • 10+

      ¥13.65
    • 30+

      ¥12.05
    • 100+

      ¥10.4
    • 500+

      ¥9.66
    • 1000+

      ¥9.34
  • 有货
  • N沟道,30V,2.7A,100mΩ@2.7A,10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6861
    • 50+

      ¥0.5448
    • 150+

      ¥0.4741
    • 500+

      ¥0.4211
    • 3000+

      ¥0.3333
    • 6000+

      ¥0.3121
  • 有货
  • N沟道,40V,3.6A,56mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8491
    • 50+

      ¥0.6627
    • 150+

      ¥0.5695
    • 500+

      ¥0.4995
    • 3000+

      ¥0.4436
    • 6000+

      ¥0.4156
  • 有货
  • 特性:N通道。耗尽模式。dv/dt额定。卷盘上带有VGS(th)指示器。无铅引脚镀层,符合RoHS标准。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9448
    • 50+

      ¥0.7571
    • 150+

      ¥0.6632
    • 500+

      ¥0.5929
    • 3000+

      ¥0.5365
    • 6000+

      ¥0.5084
  • 有货
  • N沟道,20V,12A,11.7Ω@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4014
    • 50+

      ¥1.1292
    • 150+

      ¥1.0126
    • 500+

      ¥0.82365 ¥0.867
    • 2500+

      ¥0.76209 ¥0.8022
    • 4000+

      ¥0.725135 ¥0.7633
  • 有货
  • P沟道,-30V,-8A,20mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.52
    • 10+

      ¥2.84
    • 30+

      ¥2.5
    • 100+

      ¥2.052 ¥2.16
    • 500+

      ¥1.7765 ¥1.87
    • 1000+

      ¥1.6815 ¥1.77
  • 有货
  • N沟道,30V,20A,4mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.04
    • 10+

      ¥3.32
    • 30+

      ¥2.97
    • 100+

      ¥2.61
    • 500+

      ¥2.18
    • 1000+

      ¥2.07
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行了优化。 出色的栅极电荷×导通电阻(FOM)乘积。 卓越的热阻。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥4.2
    • 10+

      ¥3.42
    • 30+

      ¥3.03
    • 100+

      ¥2.65
    • 500+

      ¥2.41
    • 1000+

      ¥2.3
  • 有货
  • N沟道,55V,44A,27mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.28
    • 10+

      ¥3.51
    • 30+

      ¥3.12
    • 100+

      ¥2.73
    • 500+

      ¥2.08
    • 1000+

      ¥1.97
  • 有货
  • CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    • 1+

      ¥4.93
    • 10+

      ¥4.01
    • 30+

      ¥3.56
    • 100+

      ¥3.11
    • 500+

      ¥2.84
    • 1000+

      ¥2.7
  • 有货
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