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N沟道,30V,161A,4mΩ@4.5V
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  • 1+

    ¥6.51
  • 10+

    ¥5.3
  • 30+

    ¥4.7
  • 100+

    ¥4.1
  • 500+

    ¥3.75
  • 1000+

    ¥3.56
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  • N沟道,60V,210A,3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.98
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      ¥4.53
    • 100+

      ¥3.91
    • 350+

      ¥3.53
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      ¥3.34
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 1+

      ¥7.67
    • 10+

      ¥6.3
    • 30+

      ¥5.55
    • 100+

      ¥4.7
    • 500+

      ¥4.32
    • 1000+

      ¥4.15
  • 有货
  • IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.62
    • 10+

      ¥6.96
    • 30+

      ¥6.13
    • 100+

      ¥5.02
    • 500+

      ¥4.52
    • 1000+

      ¥4.27
  • 有货
  • N沟道,100V,90A,6.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.64
    • 10+

      ¥9.25
    • 30+

      ¥8.49
    • 100+

      ¥7.06
    • 500+

      ¥6.68
    • 1000+

      ¥6.5
  • 有货
  • P沟道,30V,100A,3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥14.32
    • 10+

      ¥12.06
    • 30+

      ¥10.64
    • 100+

      ¥9.19
    • 500+

      ¥8.54
    • 1000+

      ¥8.26
  • 有货
  • 1ED020I12 - F2是一款采用PG - DSO - 16 - 15封装的单通道IGBT电流隔离驱动器,其输出电流能力典型值为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容,可直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现电流隔离的数据传输
    数据手册
    • 1+

      ¥17.72
    • 10+

      ¥15.09
    • 30+

      ¥13.45
    • 100+

      ¥11.77
    • 500+

      ¥11.01
    • 1000+

      ¥10.68
  • 有货
  • 特性:N 通道。增强模式。AEC Q101 合格。MSL1 高达 260℃ 峰值回流。175℃ 工作温度。绿色产品(符合 RoHS)。100% 雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥22.55
    • 10+

      ¥19.66
    • 30+

      ¥17.86
    • 100+

      ¥16.01
    • 500+

      ¥15.17
    • 1000+

      ¥14.81
  • 有货
  • FM24W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺制造。它具有高耐久性(100万亿次读写)、151年的数据保留时间、快速2线串行接口(I2C),支持高达1 MHz的频率,低功耗,宽电压范围(2.7V至5.5V),工业温度范围(-40°C至+85°C)。该设备适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用,如数据记录和工业控制。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.64
    • 10+

      ¥19.37
    • 30+

      ¥17.43
    • 100+

      ¥15.46
    • 500+

      ¥14.56
    • 1000+

      ¥14.15
  • 有货
  • FM25V10是一款1-Mbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺,具有高耐久性和低功耗。它支持SPI接口,最高时钟频率为40MHz,适用于需要频繁写入的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥39.6
    • 10+

      ¥34.4
    • 30+

      ¥29.22
    • 100+

      ¥26.09
    • 500+

      ¥24.65
    • 1000+

      ¥24
  • 有货
  • N沟道,40V,3.6A,56mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9173
    • 50+

      ¥0.7132
    • 150+

      ¥0.6257
    • 500+

      ¥0.5165
    • 3000+

      ¥0.4679
    • 6000+

      ¥0.4388
  • 有货
  • N沟道,55V,4.9A,50mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2775
    • 50+

      ¥1.8827
    • 150+

      ¥1.7136
    • 500+

      ¥1.2504
    • 2500+

      ¥1.1564
    • 4000+

      ¥1.1
  • 有货
  • P沟道,-55V,-12A,175mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3449
    • 50+

      ¥1.669
    • 150+

      ¥1.479
    • 500+

      ¥1.242
    • 2000+

      ¥1.1364
    • 5000+

      ¥1.0731
  • 有货
  • N沟道,100V,31A,39mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.39
    • 10+

      ¥2.7
    • 30+

      ¥2.4
    • 100+

      ¥2.03
    • 500+

      ¥1.86
    • 1000+

      ¥1.76
  • 有货
  • P沟道,-100V,-13A,-205mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.4
    • 10+

      ¥2.79
    • 30+

      ¥2.53
    • 100+

      ¥2.2
    • 500+

      ¥1.78
    • 1000+

      ¥1.7
  • 有货
  • N沟道,220V,18A,150mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.27
    • 10+

      ¥3.5
    • 30+

      ¥3.11
    • 100+

      ¥2.73
    • 500+

      ¥2.12
    • 800+

      ¥2
  • 有货
  • N沟道,55V,110A,8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.99
    • 10+

      ¥4.16
    • 30+

      ¥3.75
    • 100+

      ¥3.34
    • 500+

      ¥2.63
    • 800+

      ¥2.5
  • 有货
  • P沟道,-100V,-14A
    数据手册
    • 1+

      ¥5.03
    • 10+

      ¥3.99
    • 30+

      ¥3.54
    • 100+

      ¥2.98
    • 500+

      ¥2.37
    • 800+

      ¥2.22
  • 有货
  • 特性:针对同步整流进行优化。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道,逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥5.08
    • 10+

      ¥4.19
    • 30+

      ¥3.74
    • 100+

      ¥3.3
    • 500+

      ¥2.63
    • 1000+

      ¥2.5
  • 有货
  • IRS21867是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景
    数据手册
    • 1+

      ¥6.78
    • 10+

      ¥5.7
    • 30+

      ¥5.1
    • 100+

      ¥4.43
    • 500+

      ¥3.47
    • 1000+

      ¥3.33
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥7.18
    • 10+

      ¥5.92
    • 30+

      ¥5.29
    • 100+

      ¥4.66
    • 500+

      ¥4.29
    • 1000+

      ¥4.1
  • 有货
  • FM24CL16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用2Kx8组织结构。它具有高耐久性(100万亿次读写)、151年的数据保留时间和低功耗。支持最高1MHz的I2C接口,适用于频繁写入的应用场景。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.49
    • 10+

      ¥6.63
    • 30+

      ¥5.82
    • 100+

      ¥5.22
    • 500+

      ¥4.98
    • 1000+

      ¥4.85
  • 有货
  • 特性:N- 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 150℃工作温度。 无铅负载电镀,符合 R_D / R_S 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥8.25
    • 10+

      ¥6.87
    • 30+

      ¥6.11
    • 100+

      ¥5.26
    • 500+

      ¥4.88
    • 1000+

      ¥4.7
  • 有货
  • 该产品是智能高端功率开关,具备保护功能和诊断功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.63
    • 10+

      ¥7.19
    • 30+

      ¥6.4
    • 100+

      ¥5.5
    • 500+

      ¥5.1
    • 1000+

      ¥4.93
  • 有货
  • N沟道,100V,180A,4.5mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥11.66
    • 10+

      ¥10.14
    • 25+

      ¥8.4
    • 100+

      ¥7.43
    • 400+

      ¥6.99
    • 800+

      ¥6.79
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥14.39
    • 10+

      ¥12.34
    • 25+

      ¥10.48
    • 75+

      ¥9.16
    • 525+

      ¥8.57
    • 975+

      ¥8.31
  • 有货
  • FM25W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用32K x 8的逻辑组织结构。它具有高耐久性(100万亿次读写),151年的数据保持能力,无延迟写入,非常快的SPI接口(最高20 MHz),低功耗,宽电压范围(2.7V至5.5V),以及工业温度范围(-40°C至+85°C)。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.5
    • 10+

      ¥26.8
    • 30+

      ¥25.2
    • 100+

      ¥22.09
    • 500+

      ¥21.34
    • 1000+

      ¥21
  • 有货
  • 特性:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。应用:能源发电。 太阳能串逆变器和太阳能优化器
    数据手册
    • 1+

      ¥75.69
    • 10+

      ¥64.5
    • 30+

      ¥57.69
    • 90+

      ¥51.97
  • 有货
  • N沟道,20V,4.1A,46mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0223
    • 50+

      ¥0.8317
    • 150+

      ¥0.7364
    • 500+

      ¥0.6649
    • 3000+

      ¥0.6077
    • 6000+

      ¥0.5791
  • 有货
  • 特性:高电流整流肖特基二极管,极低正向压降(典型值:在正向电流为10mA时为0.12V)。 无铅(符合RoHS标准)封装。 符合AEC Q101标准。应用:电源应用。 低压应用中的钳位和保护
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0479
    • 50+

      ¥1.6044
    • 150+

      ¥1.4143
    • 500+

      ¥1.1771
    • 3000+

      ¥1.0715
    • 6000+

      ¥1.0081
  • 有货
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