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首页 > 热门关键词 > Infineon传感器
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关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
高低侧驱动器
型号：IR2101STRPBF 编号：C2956
封装：SOIC-8
品牌：Infineon(英飞凌)
600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V
数据手册

  • 1+

    ￥3.68

  • 10+

    ￥2.96

  • 30+

    ￥2.66

  • 100+

    ￥2.28

  • 500+

    ￥1.93

  • 1000+

    ￥1.82
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:75V 电流:75A
    型号：IRF2807PBF 编号：C2560
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,75V,75A,13mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.79

    • 10+

      ￥3.93

    • 50+

      ￥3.22

    • 100+

      ￥2.79

    • 500+

      ￥2.54

    • 1000+

      ￥2.4
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:100V 电流:23A
    型号：IRF9540NSTRLPBF 编号：C33903
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥5.59

    • 10+

      ￥4.65

    • 30+

      ￥4.19

    • 100+

      ￥3.72

    • 500+

      ￥3.45

    • 800+

      ￥3.3
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:42A
    型号：BSC160N10NS3G 编号：C148261
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,8.8A,16mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥8.61

    • 10+

      ￥7.19

    • 30+

      ￥6.4

    • 100+

      ￥5.51

    • 500+

      ￥4.53

    • 1000+

      ￥4.35
  • 有货
    • 立即购买
    650V 74A
    型号：IKW40N65H5 编号：C454249
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可即插即用替换上一代IGBT。 击穿电压650V。 低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175°C。应用：太阳能转换器。 不间断电源
    数据手册

    • 1+

      ￥11.57

    • 10+

      ￥9.8

    • 30+

      ￥7.25

    • 100+

      ￥6.15

    • 500+

      ￥5.67

    • 1000+

      ￥5.45
  • 有货
    • 立即购买
    智能高端功率开关
    型号：BTS6163D 编号：C534821
    封装：TO-252-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于智能SIPMOS芯片堆叠技术中，具备嵌入式保护功能。
    数据手册

    • 1+

      ￥19.98

    • 10+

      ￥17.08

    • 30+

      ￥15.27

    • 100+

      ￥13.41

    • 500+

      ￥12.57

    • 1000+

      ￥12.2
  • 有货
    • 立即购买
    1.2kV 75A
    型号：IKW40N120T2 编号：C111028
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    适用于1200V应用的第二代TrenchStop，具有非常紧密的参数分布和高耐用性、温度稳定特性。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。具有低电磁干扰和低栅极电荷。采用软、快速恢复的反并联发射极控制二极管。
    数据手册

    • 1+

      ￥26.04

    • 10+

      ￥22.8

    • 30+

      ￥19.28

    • 90+

      ￥17.34

    • 480+

      ￥16.44

    • 960+

      ￥16.03
  • 有货
    • 立即购买
    超高速USB控制器
    型号：CYUSB3014-BZXI 编号：C57294
    封装：BGA-121
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    高性能USB 3.0控制器，支持USB 3.1 Gen 1和USB 2.0，具有5-Gbps SuperSpeed PHY，集成多种接口如GPIF II、UART、SPI、I²C等。
    数据手册

    • 1+

      ￥94.62

    • 10+

      ￥92.01

    • 30+

      ￥85.11

    • 100+

      ￥79.09
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:230mA
    型号：BSS138NH6327 编号：C94638
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4938

    • 50+

      ￥0.4026

    • 150+

      ￥0.357

    • 1500+

      ￥0.2662

    • 3000+

      ￥0.2388

    • 4500+

      ￥0.2251
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:3.6A
    型号：IRLML9301TRPBF 编号：C82056
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,30V,3.6A,64mΩ@3.6A,10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0068

    • 50+

      ￥0.7869

    • 150+

      ￥0.6927

    • 500+

      ￥0.5752

    • 3000+

      ￥0.5229

    • 6000+

      ￥0.4915
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:60mA 电压:4.5V
    型号：BFP420H6327 编号：C412737
    封装：SOT-343
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BFP420是一款基于接地发射极（SIEGET™）的低噪声器件，属于英飞凌成熟的第四代射频双极晶体管系列。其25 GHz的特征频率fₜ、高增益和低电流特性，使该器件适用于高达10 GHz的振荡器。它在保证易用性的同时，还具有成本竞争力
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2065

    • 50+

      ￥1.06

    • 150+

      ￥0.9868

    • 500+

      ￥0.9319

    • 3000+

      ￥0.822

    • 6000+

      ￥0.8
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:50V 电流:3A
    型号：IRF7103TRPBF 编号：C27080
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,50V,3A,130mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥2.96

    • 10+

      ￥2.37

    • 30+

      ￥2.12

    • 100+

      ￥1.8

    • 500+

      ￥1.49

    • 1000+

      ￥1.4
  • 有货
    • 立即购买
    2个P沟道 耐压:55V 电流:3.4A
    型号：IRF7342TRPBF 编号：C41811
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-50V,-3.4A,170mΩ@4.5V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.28

    • 10+

      ￥3.55

    • 30+

      ￥3.19

    • 100+

      ￥2.83

    • 500+

      ￥2.32

    • 1000+

      ￥2.21
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:97A
    型号：IRFB4410ZPBF 编号：C2657
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,97A,9mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.79

    • 10+

      ￥3.89

    • 50+

      ￥3.02

    • 100+

      ￥2.57

    • 500+

      ￥2.31

    • 1200+

      ￥2.17
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:150V 电流:35A
    型号：IRFB5615PBF 编号：C79992
    封装：ITO-220AB-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术，以实现每个硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性结合在一起，使该MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.85

    • 10+

      ￥4.07

    • 50+

      ￥3.36

    • 100+

      ￥2.97

    • 500+

      ￥2.74

    • 1000+

      ￥2.62
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:38A
    型号：BSC098N10NS5 编号：C534398
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册

    • 1+

      ￥5.59

    • 10+

      ￥4.57

    • 30+

      ￥4.06

    • 100+

      ￥3.55

    • 500+

      ￥2.85

    • 1000+

      ￥2.69
  • 有货
    • 立即购买
    双路低端驱动器
    型号：IR4427STRPBF 编号：C49058
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是低电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.5

    • 10+

      ￥5.31

    • 30+

      ￥4.72

    • 100+

      ￥4.13

    • 500+

      ￥3.28

    • 1000+

      ￥3.1
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:200V 电流:50A
    型号：IRFP260MPBF 编号：C2679
    封装：TO-247AC
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,200V,50A,40mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥6.72

    • 10+

      ￥5.6

    • 25+

      ￥4.24

    • 100+

      ￥3.68

    • 400+

      ￥3.35

    • 800+

      ￥3.18
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:80V 电流:47A
    型号：BSC072N08NS5 编号：C431094
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥9.45

    • 10+

      ￥7.8

    • 30+

      ￥6.89

    • 100+

      ￥5.87

    • 500+

      ￥5.41

    • 1000+

      ￥5.2
  • 有货
    • 立即购买
    OptiMOs 6功率晶体管，120 V
    型号：IPT017N12NM6ATMA1 编号：C20191620
    封装：HSOF-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道，正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 针对高频开关进行优化。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准进行MSL 1分类

    • 1+

      ￥17.43

    • 10+

      ￥15

    • 30+

      ￥13.48

    • 100+

      ￥11.92

    • 500+

      ￥11.22

    • 1000+

      ￥10.92
  • 有货
    • 立即购买
    24V四通道智能高端功率开关
    型号：BTT6200-4ESA 编号：C534876
    封装：TSDSO-24
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BTT6200 - 4ESA是一款200 mΩ四通道智能高端功率开关，采用PG - TSDSO - 24封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成
    数据手册

    • 1+

      ￥29.63

    • 10+

      ￥26.7

    • 30+

      ￥24.95

    • 100+

      ￥23.19

    • 500+

      ￥22.37

    • 1000+

      ￥22
  • 有货
    • 立即购买
    单通道20mΩ智能功率高端开关
    型号：BTS441RG 编号：C5185777
    封装：TO-263-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入，采用智能SIPMOS技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。绿色产品（符合RoHS标准）
    数据手册

    • 1+

      ￥29.73

    • 10+

      ￥26.38

    • 30+

      ￥24.39

    • 100+

      ￥22.38

    • 500+

      ￥21.45

    • 1000+

      ￥21.03
  • 有货
    • 立即购买
    EZ-USB FX2LP USB微控制器 停产
    型号：CY7C68013A-100AXC 编号：C9926
    封装：TQFP-100(14x20)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    高性能USB 2.0外围控制器，集成USB 2.0收发器、智能SIE和增强型8051微处理器。支持多种接口和应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥81.28

    • 10+

      ￥70.75

    • 30+

      ￥58.38

    • 72+

      ￥53
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.19A
    型号：BSS123NH6327 编号：C5205497
    封装：TO-236-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N 通道增强模式。 逻辑电平（额定 4.5V）。 雪崩额定。 根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅；符合 RoHS 标准，无卤素
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4551

    • 100+

      ￥0.3672

    • 300+

      ￥0.3233

    • 3000+

      ￥0.2904

    • 6000+

      ￥0.264

    • 9000+

      ￥0.2508
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
    型号：IRLR120NTRPBF 编号：C2594
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,10A,185mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.1052

    • 50+

      ￥1.689

    • 150+

      ￥1.5106

    • 500+

      ￥1.16

    • 2000+

      ￥1.0609

    • 4000+

      ￥1.0014
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:180A
    型号：IRFR7440TRPBF 编号：C97244
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,40V,90A,2.4mΩ@10V
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:137A
    型号：IPB042N10N3G 编号：C69300
    封装：TO-263-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N- 沟道，正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证，适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准，无卤
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:40A
    型号：IRF5210PBF 编号：C2621
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-100V,-40A,60mΩ@-10V
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    1个N沟道 耐压:75V 电流:130A
    型号：IRF1407PBF 编号：C2609
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,75V,130A,7.8mΩ@10V
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:62A
    型号：IRFS4227TRLPBF 编号：C146578
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏中的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻和低脉冲能量（EpuLsE）额定值。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力
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