Infineon传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFP250NPBF 编号：C2580

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,30A,75mΩ@10V

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￥4.68
10+
￥4.05
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￥2.86
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型号：IPB072N15N3G 编号：C459162

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥6.68
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型号：BSC160N10NS3G 编号：C148261

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,8.8A,16mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.87
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￥5.66
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￥5.05
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￥3.496 ￥3.68
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￥3.325 ￥3.5

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型号：IKW20N60T 编号：C10456

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

Vce=600V，Ic=20A，Vce(sat)=1.5V

数据手册

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￥8.37
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￥7.69
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型号：IKW40N120H3 编号：C94637

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

40A1200V 英飞凌IGBT，广泛应用于电磁炉，电机，电焊机行业。

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￥19.5
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￥16.99
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￥13.65
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￥11.32
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型号：BTS50055-1TMA 编号：C112643

封装：TO-220-7

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于智能SIPMOS芯片上芯片技术中，具备嵌入式保护功能。

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￥28.25
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￥24.11
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￥21.66
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￥18.02
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￥17.5

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型号：CYUSB3014-BZXI 编号：C57294

封装：BGA-121

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

高性能USB 3.0控制器，支持USB 3.1 Gen 1和USB 2.0，具有5-Gbps SuperSpeed PHY，集成多种接口如GPIF II、UART、SPI、I²C等。

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1+
￥90.37
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￥87.76
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￥80.85
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￥74.83

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型号：IRF5305PBF 编号：C2623

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V

数据手册

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￥3.84
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￥3.16
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￥2.42
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￥1.976 ￥2.08
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￥1.786 ￥1.88
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￥1.691 ￥1.78

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型号：BSC010N04LS 编号：C501508

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化用于同步整流。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

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￥4.11
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￥3.34
30+
￥2.95
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￥2.432 ￥2.56
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￥2.2135 ￥2.33
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￥2.0995 ￥2.21

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型号：IRF5210PBF 编号：C2621

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-40A,60mΩ@-10V

数据手册

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￥5.17
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￥4.64
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￥4.35
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￥4.02
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￥3.87
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￥3.8

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型号：BSC028N06NS 编号：C148250

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.39
10+
￥4.37
30+
￥3.85
100+
￥3.35
500+
￥3.04
1000+
￥2.88

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型号：IRS2101STRPBF 编号：C67283

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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1+
￥5.53
10+
￥4.52
30+
￥4.02
100+
￥3.52
500+
￥2.69
1000+
￥2.54

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型号：IRF7351TRPBF 编号：C68403

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

双N沟道,60V,8A,17.8mΩ@10V

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1+
￥5.79
10+
￥4.75
30+
￥4.23
100+
￥3.71
500+
￥2.85
1000+
￥2.69

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型号：IPD068N10N3G 编号：C88066

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,90A,6.8mΩ@10V

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1+
￥6.91
10+
￥5.82
30+
￥5.23
100+
￥4.12
500+
￥3.83
1000+
￥3.69

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型号：FM25V02A-GTR 编号：C66029

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V02A是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，支持高速SPI接口，具有高耐久性和低功耗特性。

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1+
￥19.88
10+
￥17.35
30+
￥15.77
100+
￥12.95
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￥12.22
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￥11.9

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型号：IKW40N120T2 编号：C111028

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于1200V应用的第二代TrenchStop，具有非常紧密的参数分布和高耐用性、温度稳定特性。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。具有低电磁干扰和低栅极电荷。采用软、快速恢复的反并联发射极控制二极管。

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1+
￥23.72
10+
￥20.65
30+
￥17.3
90+
￥15.46
480+
￥14.6
960+
￥14.22

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型号：MA5332MSXUMA1 编号：C4991423

封装：IQFN-42

品牌：Infineon(英飞凌)

MA5332MS在无需散热片的情况下，提供与单片方案相同或更高的输出功率，且占位面积减小50%。这种多芯片模块（MCM）解决方案集成了2通道PWM控制器、高压栅极驱动器和4个低RDS(ON) MOSFET。与前代产品IR43x2M一样，它具备标准的D类保护功能，可在各种环境条件下可靠运行。作为对1R43x2M和其他单片解决方案的有力升级，MA5332MS采用7x7 mm PG-IQFN-42封装，具有占位面积小、功率密度高和无需散热片运行的优势。

1+
￥30.88
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￥26.22
30+
￥23.37
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￥20.99

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型号：IPW65R041CFD 编号：C528753

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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