Infineon传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFR024NTRPBF 编号：C2583

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,17A,75mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.3505
50+
￥1.0432
150+
￥0.8932
500+
￥0.744212 ￥0.7594
2000+
￥0.708148 ￥0.7226
4000+
￥0.68649 ￥0.7005

有货

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型号：IRF7342TRPBF 编号：C41811

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-50V,-3.4A,170mΩ@4.5V

数据手册

1+
￥3.58
10+
￥2.88
30+
￥2.58
100+
￥2.09 ￥2.2
500+
￥1.71 ￥1.8
1000+
￥1.6055 ￥1.69

有货

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型号：BSC040N10NS5 编号：C534334

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥5.65
10+
￥4.7
30+
￥4.22
100+
￥3.5625 ￥3.75
500+
￥2.85 ￥3
1000+
￥2.7075 ￥2.85

有货

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型号：BSP75N 编号：C114056

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET，采用智能功率技术，通过嵌入式保护功能实现全面保护。是一款采用智能功率技术 (SPT) 的单片功率开关，具有逻辑电平输入、漏极开路 DMOS 输出级和集成保护功能，专为汽车和工业应用中的各种电阻性和电感性负载（继电器、螺线管）而设计。

数据手册

1+
￥6.34
10+
￥5.16
30+
￥4.57
100+
￥3.98
500+
￥3.2
1000+
￥3.02

有货

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型号：FM25CL64B-GTR 编号：C9830

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25CL64B 是一个 64-Kbit 非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。它提供可靠的 151 年数据保留时间，支持高达 100 万亿次读写操作，无需延迟写入。支持 SPI 接口，最高时钟频率为 20 MHz。

数据手册

1+
￥7.75
10+
￥6.84
30+
￥5.98
100+
￥5.34
500+
￥4.53
1000+
￥4.4

有货

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型号：CY7C65642-28LTXC 编号：C2759934

封装：QFN-28-EP(5x5)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

高性能、低功耗的 USB 2.0 集线器，优化用于低成本设计。支持最多四个下游端口，每个下游端口都有一个独立的事务转换器。

数据手册

1+
￥10.72
10+
￥9.14
30+
￥8.16
100+
￥6.45
490+
￥6
980+
￥5.8

有货

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型号：IPP023N10N5 编号：C537114

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，针对FOMoss进行优化。极低导通电阻，可在175℃工作温度下使用。无铅镀铅，符合RoHS标准。按照JEDC11标准进行认证，适用于目标应用。非常适合高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥13.64
10+
￥11.81
50+
￥9.56
100+
￥7.961 ￥8.38
500+
￥7.4575 ￥7.85
1000+
￥7.239 ￥7.62

有货

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型号：CY7C68013A-128AXC 编号：C16121

封装：QFP-128(14x20)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

USB单片机高速USB外围控制器

数据手册

1+
￥90.25
10+
￥86.23
30+
￥74.08
72+
￥68

有货

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型号：IRLML0100TRPBF 编号：C53658

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,1.6A,220mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.7695
50+
￥0.6257
150+
￥0.5537
500+
￥0.47481 ￥0.4998
3000+
￥0.371355 ￥0.3909
6000+
￥0.350835 ￥0.3693

有货

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型号：IRF7341TRPBF 编号：C21791

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,4.9A,50mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.1591
50+
￥1.7635
150+
￥1.5939
500+
￥1.073215 ￥1.1297
2500+
￥0.983725 ￥1.0355
4000+
￥0.929955 ￥0.9789

有货

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型号：BAT1503WE6327HTSA1 编号：C5310874

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

这是一款硅低势垒N型器件，片上集成保护环用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容，使其适合在高达12 GHz频率的应用中用于混频器和探测器功能。

数据手册

1+
￥2.81
10+
￥2.21
30+
￥1.96
100+
￥1.64
500+
￥1.42
1000+
￥1.34

有货

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型号：IRFR5410TRPBF 编号：C3018

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-13A,-205mΩ@-10V

数据手册

1+
￥3.17
10+
￥2.56
30+
￥2.3
100+
￥1.8715 ￥1.97
500+
￥1.482 ￥1.56
1000+
￥1.3965 ￥1.47

有货

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型号：IRFB4410ZPBF 编号：C2657

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,97A,9mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.79
10+
￥3.89
50+
￥3.02
100+
￥2.5186 ￥2.57
500+
￥2.2638 ￥2.31
1200+
￥2.1266 ￥2.17

有货

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型号：BSC093N15NS5 编号：C454270

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。极低的反向恢复电荷（Qrr）。 150℃工作温度。无铅负载电镀，符合 R_D / R_S 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥6.93
10+
￥6.05
30+
￥5.22
100+
￥4.6
500+
￥4.35
1000+
￥4.22

有货

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型号：FM24CL16B-GTR 编号：C31082

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24CL16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用2Kx8组织结构。它具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间和低功耗。支持最高1MHz的I2C接口，适用于频繁写入的应用场景。

数据手册

1+
￥7.33
10+
￥6.4
30+
￥5.52
100+
￥4.86
500+
￥4.6
1000+
￥4.46

有货

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型号：BTS5215L 编号：C386329

封装：DSO-12

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵、接地参考且与CMOS兼容的输入以及诊断反馈的N沟道垂直功率MOSFET，通过智能SIPMOs技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥13.37
10+
￥11.26
30+
￥9.95
100+
￥8.41
500+
￥7.8
1000+
￥7.53

有货

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型号：BTT6030-2ERA 编号：C534865

封装：TDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6030 - 2ERA是一款导通电阻为32 mΩ的双通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成

数据手册

1+
￥18.75
10+
￥15.86
30+
￥14.05
100+
￥12.2
500+
￥11.37
1000+
￥11

有货

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型号：FM24W256-GTR 编号：C66020

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造。它具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、快速2线串行接口（I2C），支持高达1 MHz的频率，低功耗，宽电压范围（2.7V至5.5V），工业温度范围（-40°C至+85°C）。该设备适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，如数据记录和工业控制。

数据手册

1+
￥22.77
10+
￥19.87
30+
￥18.06
100+
￥16.2
500+
￥15.36
1000+
￥14.99

有货

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型号：IRLML5203TRPBF 编号：C2592

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-30V,-3A,98mΩ@-10V

数据手册

5+
￥0.7692
50+
￥0.6112
150+
￥0.5322
500+
￥0.44935 ￥0.473
3000+
￥0.40432 ￥0.4256
6000+
￥0.381805 ￥0.4019

有货

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型号：IRLML6344TRPBF 编号：C53550

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,5A,29mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥1.2915
50+
￥1.0285
150+
￥0.9157
500+
￥0.7751
3000+
￥0.5987
6000+
￥0.5611

有货

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型号：IRF530NPBF 编号：C2565

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,17A,90mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.3073
50+
￥1.7953
150+
￥1.5919
500+
￥1.27129 ￥1.3382
2000+
￥1.16394 ￥1.2252
5000+
￥1.09953 ￥1.1574

有货

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型号：IR2101STRPBF 编号：C2956

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥3.2
10+
￥2.5
30+
￥2.16
100+
￥1.7945 ￥1.85
500+
￥1.5423 ￥1.59
1000+
￥1.4938 ￥1.54

有货

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型号：IRFP150NPBF 编号：C212023

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,Vdss=100V,Ic=42A

数据手册

1+
￥4.43
10+
￥3.79
25+
￥3.17
100+
￥2.8
400+
￥2.68
800+
￥2.6

有货

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型号：BTT6050-2ERA 编号：C3232306

封装：SOIC-14-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6050 - 2ERA是一款导通电阻为50 mΩ的双通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成

1+
￥17.07
10+
￥14.4
30+
￥12.73
100+
￥11.01
500+
￥10.24
1000+
￥9.9

有货

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型号：BTS50085-1TMA 编号：C82655

封装：TO-220-7

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET 与电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈集成在智能 SIPMOS 芯片上芯片技术中，提供嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥39.61
10+
￥34.92
30+
￥29.71
100+
￥26.89
500+
￥25.59

有货

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型号：CY7C68013A-56LTXC 编号：C14912

封装：QFN-56-EP(8x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

通过在单个芯片中集成USB 2.0收发器、串行接口引擎 (SIE)、增强型8051微控制器和可编程外围接口，打造出一种经济高效的解决方案，具备低功耗优势，可实现总线供电应用，能提供出色的上市时间优势。其巧妙的架构使数据传输速率超过每秒53兆字节，达到USB 2.0的最大允许带宽，同时在小至56 VFBGA（5mm×5mm）的封装中使用低成本的8051微控制器。由于集成了USB 2.0收发器，相比USB 2.0 SIE或外部收发器实现方式，FX2LP更经济，占用空间更小。借助EZ-USB FX2LP，赛普拉斯智能SIE在硬件中处理大部分USB 1.1和2.0协议，使嵌入式微控制器可专注于特定应用功能，减少开发时间以确保USB兼容性

数据手册

1+
￥69.36
10+
￥60.78
30+
￥52.39
100+
￥48

有货

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型号：BSS138NH6327 编号：C94638

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道

数据手册

10+
￥0.5018
100+
￥0.4048
300+
￥0.3564
3000+
￥0.246905 ￥0.2599
6000+
￥0.21926 ￥0.2308
9000+
￥0.20539 ￥0.2162

有货

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型号：BGS12P2L6E6327 编号：C3312945

封装：XFDFN-6(0.7X1.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款通用射频MOS功率开关，设计用于覆盖从0.05到6 GHz的广泛高功率应用，主要用于GSM、WCDMA和LTE手机的发射路径。芯片集成了片上CMOS逻辑，由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。与GaAs技术不同，仅当外部施加直流电压时，才需要在RF端口使用外部直流隔直电容。采用英飞凌专利的MOS技术制造，兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性，包括固有的更高ESD鲁棒性。尺寸非常小，仅为0.7×1.1 mm²，最大高度为0.31 mm。