您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > Infineon传感器
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共121201
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
数据手册
  • 1+

    ¥7.37
  • 10+

    ¥6.26
  • 30+

    ¥5.64
  • 100+

    ¥4.95
  • 500+

    ¥4.64
  • 1000+

    ¥4.5
  • 有货
  • 高性能、低功耗的 USB 2.0 集线器,优化用于低成本设计。支持最多四个下游端口,每个下游端口都有一个独立的事务转换器。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.27
    • 10+

      ¥10.49
    • 30+

      ¥9.37
    • 100+

      ¥7.45
    • 490+

      ¥6.93
    • 980+

      ¥6.7
  • 有货
  • 采用电荷泵、接地参考且与CMOS兼容的输入以及诊断反馈的N沟道垂直功率MOSFET,通过智能SIPMOs技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.27
    • 10+

      ¥12.08
    • 30+

      ¥10.71
    • 100+

      ¥9.11
    • 500+

      ¥8.48
    • 1000+

      ¥8.2
  • 有货
  • 40A1200V 英飞凌IGBT,广泛应用于电磁炉,电机,电焊机行业。
    数据手册
    • 1+

      ¥21.16
    • 10+

      ¥18.23
    • 30+

      ¥14.3
    • 90+

      ¥12.42
    • 480+

      ¥11.57
    • 960+

      ¥11.2
  • 有货
  • N沟道,240V,110mA,14Ω@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.606
    • 50+

      ¥0.5073
    • 150+

      ¥0.4579
    • 500+

      ¥0.4209
    • 3000+

      ¥0.3913
    • 6000+

      ¥0.3765
  • 有货
  • 特性:4.5V VGS时极低的RDS(on)。 超低栅极阻抗。 完全表征的雪崩电压和电流。 无铅。 符合RoHS标准。应用:计算机处理器电源的高频同步降压转换器。 电信和工业用带同步整流的高频隔离式DC-DC转换器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0608
    • 50+

      ¥0.8429
    • 150+

      ¥0.7496
    • 500+

      ¥0.6331
    • 2000+

      ¥0.5812
    • 4000+

      ¥0.55
  • 有货
  • N沟道,40V,85A,2.4mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.7225
    • 10+

      ¥2.2437
    • 30+

      ¥2.0385
    • 100+

      ¥1.7825
    • 500+

      ¥1.6685
    • 800+

      ¥1.6
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅,符合 RoHS 标准。应用:半桥和全桥拓扑。 同步整流应用
    数据手册
    • 1+

      ¥5.71
    • 10+

      ¥4.73
    • 30+

      ¥4.24
    • 100+

      ¥3.75
    • 500+

      ¥2.76
    • 1000+

      ¥2.6
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥7.58
    • 10+

      ¥6.41
    • 30+

      ¥5.77
    • 100+

      ¥5.04
    • 500+

      ¥4.03
    • 1000+

      ¥3.88
  • 有货
  • 特性:P沟道增强模式。 雪崩额定。 逻辑电平。 dV/dt额定。 无铅引脚电镀,符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5335
    • 50+

      ¥0.4271
    • 150+

      ¥0.3739
    • 500+

      ¥0.334
    • 3000+

      ¥0.3021
    • 6000+

      ¥0.2861
  • 有货
  • P沟道,-12V,-4.3A,50mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8168
    • 50+

      ¥0.6536
    • 150+

      ¥0.572
    • 500+

      ¥0.5108
    • 3000+

      ¥0.4618
    • 6000+

      ¥0.4373
  • 有货
  • P沟道,-20V,-3.7A,65mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0077
    • 50+

      ¥0.8578
    • 150+

      ¥0.7807
    • 500+

      ¥0.7172
    • 3000+

      ¥0.695
  • 有货
  • N沟道,200V,5A,600mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.775
    • 50+

      ¥1.4261
    • 150+

      ¥1.2766
    • 500+

      ¥0.9529
    • 2000+

      ¥0.8699
    • 4000+

      ¥0.82
  • 有货
  • N沟道,100V,17A,105mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.5442
    • 50+

      ¥2.0663
    • 150+

      ¥1.8615
    • 500+

      ¥1.4569
    • 2000+

      ¥1.3431
    • 4000+

      ¥1.2748
  • 有货
  • 通过在单个芯片中集成USB 2.0收发器、串行接口引擎 (SIE)、增强型8051微控制器和可编程外围接口,打造出一种经济高效的解决方案,具备低功耗优势,可实现总线供电应用,能提供出色的上市时间优势。其巧妙的架构使数据传输速率超过每秒53兆字节,达到USB 2.0的最大允许带宽,同时在小至56 VFBGA(5mm×5mm)的封装中使用低成本的8051微控制器。由于集成了USB 2.0收发器,相比USB 2.0 SIE或外部收发器实现方式,FX2LP更经济,占用空间更小。借助EZ-USB FX2LP,赛普拉斯智能SIE在硬件中处理大部分USB 1.1和2.0协议,使嵌入式微控制器可专注于特定应用功能,减少开发时间以确保USB兼容性
    数据手册
    • 1+

      ¥68.36
    • 10+

      ¥59.78
    • 30+

      ¥51.39
    • 100+

      ¥47
  • 有货
  • N沟道,60V,2.7A,92mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1883
    • 50+

      ¥1.0253
    • 150+

      ¥0.9437
    • 500+

      ¥0.8826
    • 3000+

      ¥0.7245
    • 6000+

      ¥0.7
  • 有货
  • N沟道,30V,5A,29mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3975
    • 50+

      ¥1.1345
    • 150+

      ¥1.0218
    • 500+

      ¥0.8811
    • 3000+

      ¥0.7047
    • 6000+

      ¥0.6671
  • 有货
  • P沟道,-100V,-14A,200mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8372
    • 50+

      ¥1.4588
    • 150+

      ¥1.2966
    • 500+

      ¥1.0942
    • 2000+

      ¥1.0041
    • 5000+

      ¥0.95
  • 有货
  • P沟道,-55V,-18A,110mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.79
    • 10+

      ¥2.16
    • 30+

      ¥1.89
    • 100+

      ¥1.56
    • 500+

      ¥1.41
    • 1000+

      ¥1.32
  • 有货
  • N沟道,55V,110A,8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.85
    • 10+

      ¥5.68
    • 25+

      ¥4.12
    • 100+

      ¥3.53
    • 400+

      ¥3.18
    • 800+

      ¥3
  • 有货
  • N沟道,75V,210A,3.3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.66
    • 10+

      ¥7.29
    • 50+

      ¥5.85
    • 100+

      ¥5
    • 600+

      ¥4.62
    • 900+

      ¥4.45
  • 有货
  • 采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),具有接地参考的CMOS兼容输入,采用智能SIPMOS技术进行单片集成。通过嵌入式保护功能实现全面保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.58
    • 10+

      ¥8.02
    • 30+

      ¥7.16
    • 100+

      ¥6.19
    • 500+

      ¥5.76
    • 1000+

      ¥5.56
  • 有货
  • 特性:N 沟道,标准电平。 出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证,适用于目标应用。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥9.89
    • 10+

      ¥8.18
    • 30+

      ¥7.25
    • 100+

      ¥6.18
    • 500+

      ¥5.71
    • 1000+

      ¥5.5
  • 有货
  • 采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),具有接地参考的CMOS兼容输入,采用智能SIPMoS技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.16
    • 10+

      ¥10.84
    • 30+

      ¥9.56
    • 100+

      ¥8.12
    • 500+

      ¥7.48
    • 1000+

      ¥7.19
  • 有货
  • BTT6050 - 2ERA是一款导通电阻为50 mΩ的双通道智能高端功率开关,采用PG - TDSO - 14露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成
    • 1+

      ¥18.79
    • 10+

      ¥15.81
    • 30+

      ¥13.95
    • 100+

      ¥12.04
    • 500+

      ¥11.18
    • 1000+

      ¥10.8
  • 有货
  • BTT6030 - 2ERA是一款导通电阻为32 mΩ的双通道智能高端功率开关,采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成
    数据手册
    • 1+

      ¥19.08
    • 10+

      ¥16.22
    • 30+

      ¥14.43
    • 100+

      ¥12.59
    • 500+

      ¥11.76
    • 1000+

      ¥11.4
  • 有货
  • 高电流 PN 半桥驱动IC
    数据手册
    • 1+

      ¥50.54
    • 10+

      ¥44.7
    • 30+

      ¥36.09
    • 100+

      ¥33.11
  • 有货
  • USB单片机高速USB外围控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥94.25
    • 10+

      ¥90.23
    • 30+

      ¥78.08
    • 72+

      ¥72
  • 有货
  • P沟道,60V,170mA,8Ω@10V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3852
    • 100+

      ¥0.3123
    • 300+

      ¥0.2759
    • 3000+

      ¥0.2013
    • 6000+

      ¥0.1795
    • 9000+

      ¥0.1685
  • 有货
  • N沟道,200V,9.3A,300mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.207
    • 50+

      ¥1.5587
    • 150+

      ¥1.3806
    • 500+

      ¥1.1584
    • 2000+

      ¥1.0594
    • 5000+

      ¥1
  • 有货
  • 立创商城为您提供Infineon传感器型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买Infineon传感器提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content