您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > Infineon传感器
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共121201
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
N沟道,200V,50A,40mΩ@10V
数据手册
  • 1+

    ¥6.39
  • 10+

    ¥5.45
  • 25+

    ¥4.28
  • 100+

    ¥3.73
  • 350+

    ¥3.56
  • 1050+

    ¥3.45
  • 有货
  • N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.54
    • 10+

      ¥4.83
    • 25+

      ¥3.52
    • 100+

      ¥3.11
    • 400+

      ¥2.98
    • 800+

      ¥2.9
  • 有货
  • FM25V02A是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺,支持高速SPI接口,具有高耐久性和低功耗特性。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.7
    • 10+

      ¥16.48
    • 30+

      ¥15.35
    • 100+

      ¥12.38
    • 500+

      ¥11.84
    • 1000+

      ¥11.6
  • 有货
  • P沟道,-55V,-74A,20mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.44
    • 10+

      ¥2.87
    • 50+

      ¥2.55
    • 100+

      ¥2.22
    • 500+

      ¥2.12
    • 1000+

      ¥2.05
  • 有货
  • 特性:非常低的栅极电荷,适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥4.2
    • 10+

      ¥3.55
    • 30+

      ¥3.09
    • 100+

      ¥2.71
    • 500+

      ¥2.59
    • 1000+

      ¥2.51
  • 有货
  • N沟道,200V,65A,19.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.5
    • 10+

      ¥4.82
    • 50+

      ¥4
    • 100+

      ¥3.61
    • 500+

      ¥3.48
    • 1000+

      ¥3.4
  • 有货
  • N沟道,100V,17A,90mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0442
    • 50+

      ¥1.5552
    • 150+

      ¥1.3341
    • 500+

      ¥1.1368
    • 2000+

      ¥1.0826
    • 5000+

      ¥1.05
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅镀锡,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.58
    • 500+

      ¥2.47
    • 1000+

      ¥2.4
  • 有货
  • N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.19
    • 10+

      ¥5.42
    • 30+

      ¥4.68
    • 100+

      ¥4.14
    • 500+

      ¥3.92
    • 1000+

      ¥3.8
  • 有货
  • N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.52
    • 10+

      ¥3.88
    • 25+

      ¥3.11
    • 100+

      ¥2.74
    • 400+

      ¥2.62
    • 800+

      ¥2.55
  • 有货
  • 600V,单通道驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥7
    • 10+

      ¥6.29
    • 30+

      ¥5.62
    • 100+

      ¥5.11
    • 500+

      ¥4.91
    • 1000+

      ¥4.8
  • 有货
  • IRS2092是一款带有PWM调制器和保护功能的高压、高性能D类音频放大器驱动器。结合两个外部MOSFET和少量外部元件,可实现一个完整的带保护功能的D类音频放大器。国际整流器公司(International Rectifier)的专有噪声隔离技术使大电流栅极驱动级和高速低噪声误差放大器能够集成在一块小型单硅芯片上
    数据手册
    • 1+

      ¥8.24
    • 10+

      ¥6.98
    • 30+

      ¥6.29
    • 100+

      ¥5.51
    • 500+

      ¥5.16
    • 1000+

      ¥5
  • 有货
  • N沟道,200V,65A,25mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.81
    • 10+

      ¥9.21
    • 25+

      ¥8.2
    • 100+

      ¥7.17
    • 500+

      ¥6.71
    • 1000+

      ¥6.5
  • 有货
  • N沟道,55V,17A,75mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5537
    • 50+

      ¥1.1974
    • 150+

      ¥1.0234
    • 500+

      ¥0.8683
    • 2000+

      ¥0.8256
    • 4000+

      ¥0.8
  • 有货
  • N沟道,100V,9.4A,210mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7017
    • 50+

      ¥1.3394
    • 150+

      ¥1.1625
    • 500+

      ¥0.8894
    • 2000+

      ¥0.8461
    • 4000+

      ¥0.82
  • 有货
  • P沟道,-30V,-10A,20mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.51
    • 10+

      ¥1.99
    • 30+

      ¥1.73
    • 100+

      ¥1.51
    • 500+

      ¥1.44
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
  • 采用智能SIPMOS技术单片集成的、带电荷泵和电流控制输入的N沟道垂直功率MOSFET。具备嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.72
    • 10+

      ¥4.65
    • 30+

      ¥4.12
    • 100+

      ¥3.59
    • 500+

      ¥3.27
    • 1000+

      ¥3.1
  • 有货
  • FM25CL64B 是一个 64-Kbit 非易失性存储器,采用先进的铁电工艺。它提供可靠的 151 年数据保留时间,支持高达 100 万亿次读写操作,无需延迟写入。支持 SPI 接口,最高时钟频率为 20 MHz。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.94
    • 10+

      ¥7.92
    • 30+

      ¥6.97
    • 100+

      ¥6.25
    • 500+

      ¥5.35
    • 1000+

      ¥5.2
  • 有货
  • IRS20957S是一款高压、高速MOSFET驱动器,具有浮动PWM输入,专为D类音频放大器应用而设计。双向电流检测可在正负载电流和负负载电流期间检测过流情况,无需任何外部分流电阻。内置保护控制模块针对过流情况提供安全的保护序列和可编程复位定时器。内部死区时间生成模块可实现精确的栅极开关和最佳死区时间设置,以获得更好的音频性能,如更低的总谐波失真(THD)和更低的音频本底噪声。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.24
    • 10+

      ¥10.58
    • 30+

      ¥9.54
    • 100+

      ¥7.5
    • 500+

      ¥7.01
    • 1000+

      ¥6.8
  • 有货
  • N沟道,150V,171A,5.9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥13.03
    • 10+

      ¥11.66
    • 25+

      ¥9.71
    • 100+

      ¥8.83
    • 500+

      ¥8.42
    • 1000+

      ¥8.25
  • 有货
  • 高电流 PN 半桥驱动IC
    数据手册
    • 1+

      ¥18.05
    • 10+

      ¥15.42
    • 30+

      ¥13.78
    • 100+

      ¥12.09
    • 500+

      ¥11.33
    • 1000+

      ¥11
  • 有货
  • N沟道,最大电流6.3A@VGS=4.5V,VDS=20V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8115
    • 50+

      ¥0.6542
    • 150+

      ¥0.5756
    • 500+

      ¥0.5166
    • 3000+

      ¥0.4694
    • 6000+

      ¥0.4458
  • 有货
  • 600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.94
    • 10+

      ¥2.28
    • 30+

      ¥1.96
    • 100+

      ¥1.68
    • 500+

      ¥1.6
    • 1000+

      ¥1.55
  • 有货
  • 这是一款硅低势垒N型器件,片上集成保护环用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容,使其适合在高达12 GHz频率的应用中用于混频器和探测器功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.05
    • 10+

      ¥2.44
    • 30+

      ¥2.18
    • 100+

      ¥1.85
    • 500+

      ¥1.63
    • 1000+

      ¥1.54
  • 有货
  • N沟道,Vdss=100V,Ic=42A
    数据手册
    • 1+

      ¥4.54
    • 10+

      ¥3.86
    • 25+

      ¥3.21
    • 100+

      ¥2.81
    • 400+

      ¥2.68
    • 800+

      ¥2.6
  • 有货
  • 特性:短路耐受时间:10μs。适用于1200V应用的第二代TrenchStop技术,提供非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。由于VCE(sat)的正温度系数,易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷。应用:变频器。不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥18.27
    • 10+

      ¥15.54
    • 30+

      ¥12.88
    • 90+

      ¥11.14
    • 480+

      ¥10.35
    • 960+

      ¥10.01
  • 有货
  • N沟道,30V,1.2A,250mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2856
    • 50+

      ¥1.0231
    • 150+

      ¥0.9105
    • 500+

      ¥0.7701
    • 3000+

      ¥0.7076
    • 6000+

      ¥0.6701
  • 有货
  • 特性:P沟道增强模式。 逻辑电平(额定4.5V)。 ESD保护。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4681
    • 50+

      ¥1.2142
    • 150+

      ¥1.1054
    • 500+

      ¥0.9697
    • 3000+

      ¥0.8363
    • 6000+

      ¥0.8
  • 有货
  • N沟道,20V,4.2A,45mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.6082
    • 10+

      ¥2.1796
    • 30+

      ¥1.996
    • 100+

      ¥1.7668
    • 500+

      ¥1.6648
    • 1000+

      ¥1.1
  • 有货
  • N沟道,150V,104A,11mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.34
    • 10+

      ¥5.27
    • 30+

      ¥4.73
    • 100+

      ¥3.39
    • 500+

      ¥3.07
    • 1000+

      ¥2.9
  • 有货
  • 立创商城为您提供Infineon传感器型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买Infineon传感器提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content