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操作

主流超值系列ARM Cortex-M3 MCU，具有64 KB Flash、24 MHz CPU、运动控制和CEC功能

型号：STM32F100R8T6B 编号：C29928

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU，最高频率 24 MHz，1.25 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1）性能。单周期乘法和硬件除法。 16 至 128 Kbytes 的闪存。 4 至 8 Kbytes 的 SRAM。 2.0 至 3.6V 应用电源和 I/O。 POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD）

数据手册

1+
￥24.21
10+
￥21.04
30+
￥19.16
100+
￥16.06
500+
￥15.19

有货

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带FPU的超低功耗80 Mhz Arm Cortex-M4 MCU，具有1 MB Flash存储器和DFSDM

型号：STM32L471RGT6 编号：C124719

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用 FlexPowerControl：电源电压范围为 1.71V 至 3.6V。温度范围为 -40℃ 至 85/105/125℃。VBAT 模式下为 300nA，为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式为 30nA（5 个唤醒引脚）。待机模式为 120nA（5 个唤醒引脚）。带 RTC 的待机模式为 420nA。停止 2 模式为 1.1μA，带 RTC 的停止 2 模式为 1.4μA。运行模式为 100μA/MHz

数据手册

1+
￥24.41
10+
￥23.11
30+
￥21.09
100+
￥20.32
500+
￥19.96
1000+
￥19.8

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带DSP和FPU的主流混合信号ARM Cortex-M4 MCU，具有128 KB Flash、72 MHz CPU、MPU、CCM、5 MSPS 12位ADC、PGA和比较器

型号：STM32F303VBT6 编号：C1338563

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 并配备 FPU（最高 72 MHz），具备单周期乘法和硬件除法功能，90 DMIPS（来自 CCM），支持 DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围为 2.0V 至 3.6V。存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；程序加速：指令和数据总线上 8 Kbytes 的 SRAM，具备硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，具备校准功能；内部 8 MHz RC，可选 x 16 PLL；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：均可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。互连矩阵

数据手册

1+
￥24.77
10+
￥21.55
30+
￥18.9
100+
￥16.96
500+
￥16.07
1000+
￥15.67

有货

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带FPU的超低功耗80 Mhz Arm Cortex-M4 MCU，具有256-KB Flash存储器

型号：STM32L431VCT6 编号：C455384

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

数据手册

1+
￥25.01
10+
￥21.67
30+
￥19.13
100+
￥17.12
500+
￥16.19

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带DSP和FPU的主流混合信号ARM Cortex-M4 MCU，具有128 KB Flash、72 MHz CPU、MPU、CCM、5 MSPS 12位ADC、PGA和比较器

型号：STM32F302CBT6TR 编号：C2054997

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0 V 至 3.6 V。内存：128 至 256 KB 的闪存；高达 40 KB 的 SRAM，前 16 KB 实现硬件奇偶校验。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5 V 容忍。互连矩阵

数据手册

1+
￥26.78
10+
￥22.67
30+
￥20.23
100+
￥17.76
500+
￥16.62
1000+
￥16.11

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主流ARM Cortex-M0基本型系列MCU，具有128 KB Flash、48 MHz CPU和CEC功能

型号：STM32F071CBT6TR 编号：C2053369

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：64至128 KB的闪存；16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：VDD = 2.0 V至3.6 V；模拟电源：VDDA = VDD至3.6 V；选定的I/Os：VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V；上电/掉电复位 (POR/PDR)；可编程电压检测器 (PVD)；低功耗模式：睡眠、停止、待机；V BAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，带校准功能；内部8 MHz RC，可选x6 PLL；内部40 kHz RC振荡器；基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。多达87个快速I/O：均可映射到外部中断向量；多达68个I/O具有5V容限能力，19个具有独立电源VDDIO2

数据手册

1+
￥27.15
10+
￥22.83
30+
￥20.12
100+
￥17.35
500+
￥16.1
1000+
￥15.55

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Arm Cortex-M33 32位微控制器 + TrustZone + 浮点运算单元，375 DMIPS，250 MHz，2 Mbyte闪存，640 Kbyte RAM，数学加速器

型号：STM32H563RGT6 编号：C22470894

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存，两个存储体可读写。每个存储体高达48 Kbyte，数据闪存具有高循环能力（100 K周期）

1+
￥28.62
10+
￥24.47
30+
￥22
100+
￥19.5
500+
￥18.35
1000+
￥17.83

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主流基本型系列ARM Cortex-M3 MCU，具有1 MB Flash和36 MHz CPU

型号：STM32F101ZGT6 编号：C8290

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于ARM 32位Cortex-M3 CPU，带有MPU。最高频率36 MHz，每兆赫兹1.25 DMIPS（Dhrystone 2.1）性能。单周期乘法和硬件除法。 768 KB至1 MB的闪存（双存储体，具备读写功能）。 80 KB的SRAM。灵活的静态内存控制器，带有4个片选

数据手册

1+
￥28.86
10+
￥27.63
30+
￥25.5
100+
￥23.63

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带DSP和FPU的主流混合信号ARM Cortex-M4 MCU，具有64 KB Flash、72 MHz CPU、CCM、5 Msps 12位ADC、比较器、运算放大器和高分辨率定时器

型号：STM32F334K8T6 编号：C106758

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有浮点单元（FPU）的32位ARM Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，支持DSP指令。存储器：高达64 KB的闪存；高达12 KB带硬件奇偶校验的SRAM；4 KB带硬件奇偶校验的SRAM（CCM），用于指令和数据总线。 CRC计算单元。复位和电源管理：VDD、VDDA电压范围：2.0至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；为RTC和备份寄存器提供VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，可校准；内部8 MHz RC（通过PLL选项最高可达64 MHz）；内部40 kHz振荡器。多达51个快速I/O端口，均可映射到外部中断向量，部分可承受5 V电压。互连矩阵。 7通道DMA控制器

数据手册

1+
￥33.34
10+
￥29.4
30+
￥27.06
250+
￥24.68
500+
￥23.59

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带DSP和FPU的主流混合信号ARM Cortex-M4 MCU，具有64 KB Flash、72 MHz CPU、MPU、16位ADC和比较器

型号：STM32F373C8T6 编号：C404020

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带浮点单元（FPU）和内存保护单元（MPU）的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机），RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，用于RTC的32kHz振荡器（带校准），内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40kHz振荡器

数据手册

1+
￥35.75
10+
￥30.64
30+
￥27.61
250+
￥24.55
500+
￥23.13

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带DSP和FPU的170MHz主流ARM Cortex-M4 MCU，具有128 KB Flash存储器、数学加速器和中等模拟电平集成

型号：STM32G431KBU6 编号：C529358

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，具备专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。常规加速：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理：具备上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）、可编程电压检测器（PVD）、低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机）、VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC可选PLL（±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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1+
￥36.24
10+
￥31.15
30+
￥28.12

有货

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高性能ARM Cortex-M3 MCU，具有1 MB Flash、120 MHz CPU和ART加速器

型号：STM32F205RGT6 编号：C30481

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU（最高 120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator，允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达 1 Mbyte 的闪存；512 字节的 OTP 存储器；高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM；支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器；LCD 并行接口，8080/6800 模式。时钟、复位和电源管理：1.8 至 3.6 V 应用电源 + I/O；POR、PDR、PVD 和 BOR；4 至 26 MHz 晶体振荡器；内部 16 MHz 工厂校准 RC；带校准的 32 kHz RTC 振荡器；带校准的内部 32 kHz RC。

数据手册

1+
￥36.58
10+
￥31.95
30+
￥26.13
100+
￥23.35

有货

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带FPU的超低功耗80 Mhz Arm Cortex-M4 MCU，具有512-KB Flash存储器、USB设备和DFSDM

型号：STM32L452VET6 编号：C1337597

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，具备FlexPowerControl。供电电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式下为22nA（5个唤醒引脚）。待机模式下为106nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式下为375nA。停止2模式下为2.05μA，带RTC时为2.40μA

数据手册

1+
￥42.61
10+
￥37.52
30+
￥34.49
100+
￥31.43

有货

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支持BAM的STM32动态效率MCU，带DSP和FPU的高性能ARM Cortex-M4 MCU，具有512 KB Flash、100 MHz CPU、ART加速器和DFSDM

型号：STM32F412CEU6 编号：C1337664

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线与批量采集模式（BAM）。内核：32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存无等待状态执行，频率高达100MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1MB的闪存；256KB的SRAM；灵活的外部静态存储器控制器，数据总线高达16位，支持SRAM、PSRAM、NOR闪存；双模式Quad-SPI接口。

数据手册

1+
￥43.42
10+
￥36.83
30+
￥32.81
100+
￥29.45

有货

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带DSP和FPU的170MHz主流ARM Cortex-M4 MCU，具有512 KB Flash存储器、数学加速器和高模拟电平集成

型号：STM32G473CEU6 编号：C1342773

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU和自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC和过滤数学加速器FMAC。存储器：512 KB的闪存，支持ECC，双存储体可读写，具备专有代码读取保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP；96 KB SRAM，前32 KB实现硬件奇偶校验；指令和数据总线上32 KB SRAM（CCM SRAM），带硬件奇偶校验；支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器的外部静态存储器接口FSMC；Quad-SPI存储器接口。

数据手册

1+
￥43.74
10+
￥35.91
30+
￥31.13
100+
￥27.13

有货

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带DSP和FPU的高性能基础系列ARM Cortex-M4 MCU，具有1 MB Flash、168 MHz CPU、ART加速器和FSMC

型号：STM32F405OGY6TR 编号：C2054927

封装：WLCSP-90(4x4.2)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。存储器：高达 1 M 字节闪存；高达 192 + 4 K 字节 SRAM，包括 64 K 字节 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；512 字节 OTP 内存；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

数据手册

1+
￥44.73
10+
￥38.28
30+
￥34.35
100+
￥31.05

有货

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主流增强型ARM Cortex-M3 MCU，具有512 KB Flash、72 MHz CPU、电机控制、USB和CAN

型号：STM32F103RET7 编号：C1337363

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存

数据手册

1+
￥54.58
10+
￥49.51
30+
￥48
100+
￥46.73

有货

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高性能和带 DP-FPU 的 DSP、配备 128KB 闪存内存、1376 KB SRAM、280 MHz CPU、L1 缓存、图形加速、外部内存接口和大量外围设备的 Arm Cortex-M7 微控制器

型号：STM32H7B0RBT6 编号：C730226

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 128KB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、1376 KB SRAM、280 MHz CPU、L1 缓存、图形加速、外部存储器接口和大量外设

数据手册

1+
￥55.18
10+
￥54.31
30+
￥52.81
100+
￥51.5

有货

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主流增强型ARM Cortex-M3 MCU，具有512 KB Flash、72 MHz CPU、电机控制、USB和CAN

型号：STM32F103VET7TR 编号：C2055698

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存

数据手册

1+
￥56.13
10+
￥53.37
30+
￥51.68
100+
￥50.27

有货

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带FPU的超低功耗80 Mhz Arm Cortex-M4 MCU，具有1 MB Flash存储器、LCD、USB OTG和DFSDM

型号：STM32L476ZGT6 编号：C784816

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl，电源电压1.71V至3.6V，温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式1.1μA，带RTC时1.4μA。运行模式100μA/MHz（LDO模式）。运行模式39μA/MHz（@3.3V SMPS模式）

数据手册

1+
￥62.06
10+
￥55.5
60+
￥51.5
120+
￥48.15

有货

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带DSP和FPU的高性能ARM Cortex-M7 MCU，具有512 KB Flash、216 MHz CPU、ART加速器、一级缓存和SDRAM

型号：STM32F723ZET6 编号：C1340305

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：32位Cortex-M7 CPU，带FPU、自适应实时加速器（ART Accelerator）和L1缓存：8KB数据缓存和8KB指令缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216 MHz，具备MPU，462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达512KB的闪存，具备保护机制（读写保护、专有代码读出保护（PCROP））。 528字节的OTP存储器。 SRAM：256KB（包括64KB用于关键实时数据的数据TCM RAM） + 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM（在最低功耗模式下可用）。

数据手册

1+
￥88.56
10+
￥78.79
30+
￥72.83
100+
￥67.83

有货

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带DSP和FPU的高性能ARM Cortex-M7 MCU，具有1 MB Flash、216 MHz CPU、ART加速器、一级缓存、SDRAM和TFT

型号：STM32F746BGT6 编号：C1337368

封装：LQFP-208(28x28)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有浮点单元（FPU）、自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）和L1缓存（4KB数据缓存和4KB指令缓存）的ARM 32位Cortex-M7 CPU，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216 MHz，具备内存保护单元（MPU），462 DMIPS / 2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。

数据手册

1+
￥96.37
10+
￥82.87
30+
￥74.65
100+
￥67.76

有货

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此款型号有4种丝印：2A,3E,T06,T2A,会随机发货 PNP 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3906 编号：C84105

封装：SOT-23

品牌：ST(先科)

PNP 350mW 些款型号有4种丝印：2A,3E,T06,T2A,会随机发货

数据手册

50+
￥0.046
500+
￥0.0401
3000+
￥0.033
6000+
￥0.031
24000+
￥0.0293
51000+
￥0.0284

有货

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hfe=160~400 PNP 电流:600mA 电压:25V

型号：MMBT8550D(2TY) 编号：C47399

封装：SOT-23

品牌：ST(先科)

适用于开关和放大器应用。建议使用NPN晶体管MMBT8050作为互补类型。

数据手册

50+
￥0.0897
500+
￥0.0698
3000+
￥0.057
6000+
￥0.0504

有货

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硅平面齐纳二极管

型号：MM1Z3V9 编号：C107594

封装：SOD-123

品牌：ST(先科)

3.9V 500mW，即1/2W

数据手册

50+
￥0.1182
500+
￥0.0944
3000+
￥0.0771
6000+
￥0.0692

有货

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独立式耐压:3.3V 电流:5uA@1V

型号：BZX84C3V3 编号：C118563

封装：TO-236

品牌：ST(先科)

3.3V 0.35W

数据手册

20+
￥0.1271
200+
￥0.099
600+
￥0.0834
3000+
￥0.074
9000+
￥0.0659
21000+
￥0.0616

有货

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单向ESD 3V截止

型号：ESDA6V1W5 编号：C48677

封装：SOT-323-5

品牌：ST(意法半导体)

用于数据保护的TRANSIL阵列

数据手册

5+
￥0.5714
50+
￥0.4418
150+
￥0.377
500+
￥0.3284
3000+
￥0.2895
6000+
￥0.27

有货

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耐压:200V 电流:3A 反向恢复时间：24ns

型号：STTH3R02QRL 编号：C157457

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

200 V、3 A高效超高速二极管

数据手册

5+
￥0.6905
50+
￥0.5995
150+
￥0.5604
500+
￥0.5117
2500+
￥0.4901

有货

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单向ESD 5.25V截止峰值浪涌电流：18A@8/20us

型号：ESDA6V1LY 编号：C2936094

封装：SOT-23-3L

品牌：ST(意法半导体)

用于ESD保护的汽车用双线Transil 阵列

数据手册

5+
￥0.8088
50+
￥0.6304
150+
￥0.5412
500+
￥0.4743
3000+
￥0.4208
6000+
￥0.394

有货

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电压:40V 电流:1A

型号：STPS1L40M 编号：C155572

封装：DO-216AA

品牌：ST(意法半导体)

40 V、1 A STmite低压降功率肖特基整流器

数据手册

5+
￥0.8388
50+
￥0.6657
150+
￥0.5792
500+
￥0.5143
2500+
￥0.4624
5000+
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