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双向TVS 12V截止 峰值脉冲电流：91A@8/20us
型号：SMAJ12CA-TR 编号：C132951
封装：SMA(DO-214AC)
品牌：ST(意法半导体)
SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。
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    耐压:1.2kV 电流:1A 反向恢复时间：75ns
    型号：STTH112RL 编号：C2826410
    封装：DO-41
    品牌：ST(意法半导体)
    1200 V，1A超高速二极管
    数据手册

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    电压:60V 电流:1A
    型号：STPS160U 编号：C86598
    封装：SMB
    品牌：ST(意法半导体)
    60 V、1 A功率肖特基整流器
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    双向TVS 70V截止 峰值脉冲电流：16A@8/20us
    型号：SMAJ70CA-TR 编号：C132932
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：ST(意法半导体)
    SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。
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    耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：12ns
    型号：STTH102A 编号：C10642
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：ST(意法半导体)
    200 V 1 A超快恢复二极管
    数据手册

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    双向TVS 5V截止 峰值脉冲电流：174A@8/20us
    型号：SMAJ5.0CA-TR 编号：C123776
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：ST(意法半导体)
    SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。
    数据手册

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      ￥0.9585

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    双向TVS 37.1V截止 峰值浪涌电流：69.7A@8/20us
    型号：SM6T39CA 编号：C133687
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：ST(意法半导体)
    SM6T Transil 系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合 IEC 61000 - 4 - 2 和 MIL STD 883 方法 3015 标准的静电放电，以及符合 IEC 61000 - 4 - 4 和 5 标准的电气过应力。这些器件通常用于防护 600 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），在这些应用中，需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SM6T 采用 SMB 封装（SMB 焊盘尺寸符合 IPC 7531 标准）。
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    单向TVS 6.3V截止 峰值浪涌电流：80A@8/20us
    型号：ESDA8P80-1U1M 编号：C2970112
    封装：0603
    品牌：ST(意法半导体)
    ESDA8P80-1U1M是一款单向单线TVS二极管，旨在保护电源线免受EOS和ESD瞬态影响。该器件非常适合需要高功率TVS且节省电路板空间的应用。

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    电压:150V 电流:1A
    型号：STPS1150A 编号：C315151
    封装：SMA
    品牌：ST(意法半导体)
    150 V、1 A功率肖特基整流器
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    单向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：25.1A
    型号：SMBJ15A-TR 编号：C283618
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：ST(意法半导体)
    SMBJ采用SMB封装（SMB封装尺寸符合IPC 7531标准）。
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    电压:40V 电流:2A
    型号：STPS2L40U 编号：C169095
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：ST(意法半导体)
    40 V、2 A低压降功率肖特基整流器
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    单向TVS 22V截止 峰值浪涌电流：35A@8/20us
    型号：ESDA25P35-1U1M 编号：C1974707
    封装：DFN1610-2
    品牌：ST(意法半导体)
    ESDA25P35-1U1M是一款单向单线路TVS二极管，旨在保护电源线免受EOS和ESD瞬态影响。该器件非常适合需要高功率TVS且节省电路板空间的应用。
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    ESD 9V截止
    型号：DALC208SC6 编号：C54343
    封装：SOT-23-6L
    品牌：ST(意法半导体)
    低电容二极管阵列
    数据手册

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    1.8V 1A 10V
    型号：LD1117AS18TR 编号：C2845037
    封装：SOT-223-3
    品牌：ST(意法半导体)
    是一款低压降电压调节器，能够提供高达 1 A 的输出电流，也有可调版本 (VREF = 1.25 V)。在固定版本中，提供以下输出电压：1.2 V、1.8 V 和 3.3 V。该器件采用 SOT-223、DPAK 和 TO-220 封装。表面贴装封装优化了热特性，同时具有显著的节省空间优势。NPN 传输晶体管确保了高效率。仅需一个非常常见的 10 μF 最小电容即可实现稳定。芯片微调使调节器能够达到非常严格的输出电压容差，在 25℃ 时为 ±2%。
    数据手册

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      ￥1.2924

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    64 Kbit串行I²C总线EEPROM
    型号：M24C64-FDW6TP 编号：C222148
    封装：TSSOP-8
    品牌：ST(意法半导体)
    64 Kbit串行I2C总线EEPROM
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    1.5A 3V~40V
    型号：MC34063EBD-TR 编号：C128246
    封装：SOIC-8
    品牌：ST(意法半导体)
    MC34063A/E 系列是一款单片控制电路，具备 DC-DC 电压转换的主要功能。该器件包含一个内部温度补偿基准源、比较器、带有有源电流限制电路的占空比控制振荡器、驱动器和大电流输出开关。通过两个外部电阻可调节输出电压，基准精度为 2%
    数据手册

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      ￥1.3798

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      ￥0.6287
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    PNP 电流:1.5A 电压:60V
    型号：BD138 编号：C283423
    封装：SOT-32-3
    品牌：ST(意法半导体)
    是硅外延平面PNP晶体管，安装在Jedec SOT-32塑料封装中，适用于采用互补或准互补电路的音频放大器和驱动器。互补NPN类型为BD135、BD137和BD139。
    数据手册

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      ￥1.42164 ￥1.436

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      ￥0.820415 ￥1.0385
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    M24C16 FDW6TP
    型号：M24C16-FDW6TP 编号：C2061946
    封装：TSSOP-8
    品牌：ST(意法半导体)
    16 Kbit串行I2C总线EEPROM
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6497

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    3.3V 50mA 16V
    型号：LD2980ABM33TR 编号：C262919
    封装：SOT-23-5L
    品牌：ST(意法半导体)
    低压降和超低静态电流使其适用于低噪声、低功耗应用以及电池供电系统。当INHIBIT引脚拉低时，睡眠模式下的静态电流小于1 μA。3号引脚提供关断逻辑控制功能（与TTL兼容），这意味着当该器件用作局部稳压器时，可以使电路板的一部分进入待机状态，从而降低总功耗。该器件设计用于与低ESR陶瓷电容器配合使用。典型应用包括手机、笔记本电脑、个人数字助理（PDA）、个人立体声、摄像机和相机。
    数据手册

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    512 Kbit串行I2C总线EEPROM
    型号：M24512-RDW6TP 编号：C262921
    封装：TSSOP-8
    品牌：ST(意法半导体)
    512 Kbit串行I2C总线EEPROM
    数据手册

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    600V 15mA
    型号：BTB04-600SL 编号：C81547
    封装：TO-220AB
    品牌：ST(意法半导体)
    4A Snubberless 三端双向可控硅
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:17A
    型号：STD17NF03LT4 编号：C262931
    封装：DPAK
    品牌：ST(意法半导体)
    这种功率MOSFET是独特的“单特征尺寸”条形工艺的最新发展成果。由此产生的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性，且关键对准步骤较少，因此具有出色的制造重复性。
    数据手册

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    NPN 电流:5A 电压:60V
    型号：STN851 编号：C133359
    封装：SOT-223
    品牌：ST(意法半导体)
    低压快速切换NPN功率晶体管
    数据手册

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      ￥1.4492

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      ￥1.3163
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    3.3V 300mA 28V
    型号：ST730M33R 编号：C2846046
    封装：SOT-23-5
    品牌：ST(意法半导体)
    300 mA、28 V低压降稳压器，5 μA静态电流
    数据手册

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      ￥1.92
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    微功耗四通道CMOS电压比较器
    型号：TS3704CDT 编号：C75832
    封装：SOIC-14
    品牌：ST(意法半导体)
    微功耗四路CMOS电压比较器
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    4K位串行SPI总线EEPROM 105℃工作温度
    型号：M95040-DRDW8TP/K 编号：C2062181
    封装：TSSOP-8
    品牌：ST(意法半导体)
    4 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C
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    512 Kbit串行SPI总线EEPROM
    型号：M95512-RDW6TP 编号：C122886
    封装：TSSOP-8
    品牌：ST(意法半导体)
    512 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟
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    800V 8.5V~23.5V
    型号：VIPER27LN 编号：C10058
    封装：DIP-7
    品牌：ST(意法半导体)
    VIPerPlus系列：固定频率12W高性能离线高压转换器
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    64 Kbit串行SPI总线EEPROM，可在105℃下工作
    型号：M95640-DRDW8TP/K 编号：C2971645
    封装：TSSOP-8
    品牌：ST(意法半导体)
    64 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C
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    低功耗CMOS双运算放大器
    型号：TS27M2IDT 编号：C2057809
    封装：SO-8
    品牌：ST(意法半导体)
    TS27x2 系列是低成本、低功耗的双运算放大器，设计用于在高压单电源或双电源下工作。这些运算放大器采用意法半导体（ST）的硅栅 CMOS 工艺，凭借三种不同的功耗提供了出色的功耗 - 速度比，使其非常适合低功耗应用：ICC = 10 μA/放大器：TS27L2（极低功耗）；ICC = 150 μA/放大器：TS27M2（低功耗）；ICC = 1 mA/放大器：TS272（高速）。这些器件还具有非常高的输入阻抗和极低的输入电流
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