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主流超值系列Arm Cortex-M0+ MCU，具有32 KB Flash存储器、8 KB RAM、64 MHz CPU、2x USART、定时器、ADC和通信接口，2-3.6V

型号：STM32G030F6P6 编号：C724040

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C。存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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负载驱动

型号：VNLD5160TR-E 编号：C377942

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET III全保护下桥臂驱动器

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￥6.11
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1个N沟道耐压:60V 电流:35A

型号：STD30NF06LT4 编号：C457508

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

此功率MOSFET是意法半导体独特的“单特征尺寸”条形工艺的最新发展成果。由此产生的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性和较少的关键对准步骤，因此具有出色的制造重复性。

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1个P沟道耐压:60V 电流:35A

型号：STD35P6LLF6 编号：C165929

封装：TO-252(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

P沟道60 V、0.025 Ohm典型值、35 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装

数据手册

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￥6.92
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￥4.27

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1个N沟道耐压:900V 电流:5.8A

型号：STB6NK90ZT4 编号：C315154

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

这些高压器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的齐纳保护型 N 沟道功率 MOSFET，该技术是对成熟的 PowerMESH™ 技术的优化。除了显著降低导通电阻外，这些器件还旨在为要求最苛刻的应用确保高水平的 dv/dt 能力。

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升降压型 2.3A 2V~5.5V

型号：STBB1-APUR 编号：C967636

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

STBB1AXX是一款高效率的双模式升降压开关模式转换器,采用四个内部开关（两个P通道和两个N通道）和独特的控制机制,能够在电池供电设备中提供稳定的输出电压。该器件支持PWM模式和节能模式,具有同步整流功能,最高效率可达94%。输入电压范围为2.0 V至5.5 V,输出电压范围为1.2 V至5.5 V。

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￥4.14 ￥9

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650V 9V~23V

型号：VIPERGAN50TR 编号：C3093710

封装：QFN-15(5x6)

品牌：ST(意法半导体)

嵌入高压转换器的高级准谐振控制器和650V GAN HEMT

数据手册

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降压型 2A 4.4V~36V

型号：L5972D013TR 编号：C361019

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

最高1.5 A步降开关稳压器

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￥8.19
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降压型 3A 4.5V~38V

型号：L7986ATR 编号：C157370

封装：SOIC-8-EP

品牌：ST(意法半导体)

L7986/A 是一款降压型开关稳压器，内置电流限制为 3.7 A（最小值）的功率 MOSFET，因此根据应用条件，它能够向负载提供高达 3 A 的电流。

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￥8.27
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￥4.38
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￥4.21

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1个N沟道耐压:60V 电流:120A

型号：STL220N6F7 编号：C472533

封装：DFN-8(5x6)

品牌：ST(意法半导体)

N沟道60 V、0.0012 Ohm典型值、260 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

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用于手持应用的带报警输出的电量计IC

型号：STC3115AIQT 编号：C2688637

封装：DFN-10(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

面向手持式应用、带有警报输出的燃气表IC

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1个N沟道耐压:600V 电流:26A

型号：STF33N60M2 编号：C2836687

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装

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主流ARM Cortex-M0 USB系列MCU，具有32 KB Flash、48 MHz CPU、USB、CAN和CEC功能

型号：STM32F042G6U6TR 编号：C2971720

封装：UFQFN-28

品牌：ST(意法半导体)

STM32F042x4/x6 微控制器集成了高性能 ARM Cortex-M0 32 位 RISC 核心，工作频率高达 48 MHz，具有高速嵌入式存储器（高达 32 KB 的 Flash 存储器和 6 KB 的 SRAM），以及广泛的增强型外设和 I/O。所有设备均提供标准通信接口（一个 I2C、两个 SPI/一个 I2S、一个 HDMI CEC 和两个 USART），一个 USB 全速设备（无晶体），一个 CAN，一个 12 位 ADC，四个 16 位定时器，一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。

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￥9.56
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￥5.55
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1 Mbit串行SPI总线EEPROM

型号：M95M01-RMN6P 编号：C1349274

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

特性：封装形式：SO8 (MN) 150 mil宽度、TSSOP8 (DW) 169 mil宽度、WLCSP (CS和CU)、未切割晶圆。与串行外设接口 (SPI) 总线兼容。内存阵列：1 Mbit (128 Kbytes) EEPROM，页面大小为256字节。写入速度：字节写入在5 ms内，页面写入在5 ms内

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1+
￥9.81
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￥8.23
30+
￥7.36
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￥6.38
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￥5.94
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1 Mbit串行I²C总线EEPROM

型号：M24M01-RMN6P 编号：C1349431

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

M24M01是一款1 Mbit的I²C兼容EEPROM（电可擦可编程存储器），组织形式为128 K×8位。M24M01 - R可在1.8 V至5.5 V的电源电压下工作，M24M01 - DF可在1.7 V至5.5 V的电源电压下工作，工作环境为……（原句未完整）

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￥10.11
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￥8.43
30+
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￥6.46
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1个N沟道耐压:900V 电流:8A

型号：STW9NK90Z 编号：C115287

封装：TO-247AC-3

品牌：ST(意法半导体)

SuperMESH™系列是通过对成熟的基于条形结构的PowerMESH™布局进行优化而得。除了显著降低电阻外，它还能为要求最严苛的应用提供出色的dv/dt性能。该系列完善了高压功率MOSFET的全产品线

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￥10.48
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￥8.86
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￥7.51
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通信接口:SPI 1Mbit 3V

型号：M95M01-DFCS6TP/K 编号：C221451

封装：WLCSP-8(1.7x2.6)

品牌：ST(意法半导体)

1-Mbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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￥11.4762 ￥12.34
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￥7.373 ￥10.1
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￥7.1686 ￥9.82
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￥7.081 ￥9.7

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主流超值系列Arm Cortex-M0+ MCU，具有128 KB Flash存储器、36 KB RAM、64 MHz CPU、4x USART、定时器、ADC和通信接口，2-3.6V

型号：STM32G070CBT6TR 编号：C724073

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃。存储器：128 KB带保护的闪存；36 KB SRAM（32 KB带硬件奇偶校验）。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

数据手册

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￥12.7
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￥8.23
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￥7.66
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￥7.41

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DMOS双全桥驱动器

型号：L6206QTR 编号：C726089

封装：HVQFN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

数据手册

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￥13.04
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￥9.82
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￥7.74
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￥7.16
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￥6.91

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1个N沟道耐压:650V 电流:10A

型号：STL15N65M5 编号：C2970161

封装：VDFN-8-Power

品牌：ST(意法半导体)

N沟道650 V、0.335 Ohm典型值、10 A MDmesh M5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装

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￥13.53
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30+
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￥8.69
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￥8.07

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主流Arm Cortex-M0+ MCU，具有128 KB Flash存储器、36 KB RAM、64 MHz CPU、4x USART、定时器、ADC、DAC和通信接口，1.7-3.6V

型号：STM32G071KBT6 编号：C529348

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达128 Kbytes的闪存，带有保护和可安全区域；36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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1+
￥14.63
10+
￥12.39
30+
￥10.98
200+
￥9.23
400+
￥8.58

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输出3A 降压型驱动

型号：LED2000DR 编号：C222073

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

支持同步整流的3 A单片式降压电流源

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￥15.3595 ￥18.07
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￥11.5725 ￥15.43
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￥8.9505 ￥13.77
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￥7.852 ￥12.08
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￥7.3515 ￥11.31
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￥7.137 ￥10.98

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1个单向可控硅 1.2kV 50mA

型号：TYN1225RG 编号：C190434

封装：TO-220AB-3

品牌：ST(意法半导体)

25 A 1200 V标准SCR晶闸管，TO-220AB封装

数据手册

1+
￥15.47
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￥13.06
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￥11.55
100+
￥10

有货

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1个N沟道耐压:900V 电流:18.5A

型号：STF21N90K5 编号：C3290622

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

N沟道900 V、0.25 Ohm典型值、18.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP封装

数据手册

1+
￥15.55
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￥12.64
30+
￥11.12
100+
￥9.56
500+
￥8.86

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单通道高端驱动器，带模拟功能

型号：VN5016AJTR-E 编号：C2680447

封装：PowerSSO-12

品牌：ST(意法半导体)

支持模拟电流感应的单通道高侧驱动器，用于汽车应用

数据手册

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￥17
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￥12.25
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￥9.82
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￥9.49

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60V半桥驱动器与增强型GaN HEMT

型号：MASTERGAN1TR 编号：C5198250

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

数据手册

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￥17.28
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￥15.79
100+
￥15.22
500+
￥14.96
1000+
￥14.84

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主流增强型ARM Cortex-M3 MCU，具有512 KB Flash、72 MHz CPU、电机控制、USB和CAN

型号：STM32F103VET6 编号：C8308

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

数据手册

1+
￥17.96
10+
￥15.74
30+
￥14.17
100+
￥12.73
500+
￥12.07
1000+
￥11.81

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1个N沟道耐压:1200V 电流:6A

型号：STW8N120K5 编号：C472643

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装

数据手册

1+
￥17.97
10+
￥15.11
30+
￥13.32
90+
￥11.48
510+
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超低功耗Cortex-M3 MCU，具有128 KB Flash、RTC、LCD和USB

型号：STM32L152VBT6TR 编号：C2053899

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40°C 至 85°C/105°C 温度范围。0.3μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。0.9μA 待机模式 + RTC。0.57μA 停止模式（16 个唤醒线）。1.2μA 停止模式 + RTC。9μA 低功耗运行模式。214μA/MHz 运行模式

数据手册

1+
￥18.17
10+
￥15.42
30+
￥13.7
100+
￥11.94
500+
￥11.14
1000+
￥10.8

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带FPU的超低功耗80 Mhz Arm Cortex-M4 MCU，具有128-KB Flash存储器和USB

型号：STM32L412KBU6 编号：C529439

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。1.71V至3.6V电源。-40℃至85/125℃温度范围。V_BAT模式下300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。16nA关机模式（4个唤醒引脚）。32nA待机模式（4个唤醒引脚）。RTC待机模式下245nA。停止2模式下0.7μA，带RTC时0.95μA

数据手册

1+
￥22.11
10+
￥18.9
30+
￥16.48
294+
￥14.55
588+
￥13.66

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