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首页 > 热门关键词 > ST传感器
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N沟道250 V、318 mOhm典型值、8 A STripFET(TM) II功率MOSFET,DPAK封装
数据手册
  • 1+

    ¥4.42
  • 10+

    ¥3.62
  • 30+

    ¥3.22
  • 100+

    ¥2.82
  • 500+

    ¥2.58
  • 1000+

    ¥2.46
  • 有货
  • NPN中等功率晶体管
    数据手册
    • 1+

      ¥4.4394 ¥4.53
    • 10+

      ¥3.256 ¥3.7
    • 50+

      ¥2.5584 ¥3.28
    • 100+

      ¥2.2308 ¥2.86
    • 500+

      ¥2.0358 ¥2.61
    • 1000+

      ¥1.9422 ¥2.49
  • 有货
  • 8A标准和Snubberless 三端双向可控硅
    数据手册
    • 1+

      ¥4.51
    • 10+

      ¥3.6
    • 50+

      ¥3.15
    • 100+

      ¥2.7
    • 500+

      ¥2.43
    • 1200+

      ¥2.29
  • 有货
  • 8通道多路复用器
    数据手册
    • 1+

      ¥4.53
    • 10+

      ¥3.64
    • 30+

      ¥3.2
    • 100+

      ¥2.76
    • 500+

      ¥2.37
    • 1000+

      ¥2.23
  • 有货
  • STM6xxx 系列监控器是独立式器件,可为微处理器提供监控功能。精密电压基准源和比较器可监测 VCC 输入是否超出容差范围。当 VCC 出现异常时,复位输出(RST)将被强制拉低(对于 RST 则为拉高)。这些器件还提供看门狗定时器(STM6322/6825 除外)和/或按钮(MR)复位输入。 这些器件采用标准的 5 引脚 SOT23 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.63
    • 10+

      ¥3.73
    • 30+

      ¥3.27
    • 100+

      ¥2.82
    • 500+

      ¥2.55
    • 1000+

      ¥2.42
  • 有货
  • N沟道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET,DPAK封装
    数据手册
    • 1+

      ¥4.73
    • 10+

      ¥4.25
    • 30+

      ¥3.98
    • 100+

      ¥3.69
    • 500+

      ¥3.55
    • 1000+

      ¥3.49
  • 有货
  • 汽车用256 Kbit SPI总线EEPROM,带高速时钟
    数据手册
    • 1+

      ¥4.91
    • 10+

      ¥3.91
    • 30+

      ¥3.41
    • 100+

      ¥2.91
    • 500+

      ¥2.62
    • 1000+

      ¥2.47
  • 有货
  • L4940系列三端正电压稳压器提供TO - 220和D²PAK封装,并具备多种固定输出电压,适用于广泛的工业和消费类应用。由于其极低的输入/输出电压降,这些器件特别适用于电池供电设备,可降低功耗并延长电池使用寿命。每种型号均采用了内部电流限制、抗饱和电路、热关断和安全工作区保护功能
    数据手册
    • 1+

      ¥4.95
    • 10+

      ¥4.46
    • 50+

      ¥4.03
    • 100+

      ¥3.72
    • 500+

      ¥3.59
    • 1000+

      ¥3.53
  • 有货
  • 提供最大2A电流,输入电压范围为1.25V至6.0V,典型压差为130mV。使用输出端陶瓷电容(10μF)时稳定。典型电源抑制比在1kHz时为70dB,在20kHz时开始下降。使能逻辑控制功能可使器件进入关断模式,将总电流消耗降至10nA(典型值)。专用引脚上有电源良好标志。该器件还具备反向电流保护、短路恒流限制和热保护功能。典型应用于电信基础设施和消费领域。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.45
    • 10+

      ¥5.14
    • 30+

      ¥4.48
    • 100+

      ¥3.83
    • 500+

      ¥3.44
    • 1000+

      ¥3.23
  • 有货
  • 1 Mbit串行I2C总线EEPROM
    数据手册
    • 1+

      ¥6.73
    • 10+

      ¥5.51
    • 30+

      ¥4.84
    • 100+

      ¥4.08
    • 500+

      ¥3.74
    • 1000+

      ¥3.59
  • 有货
  • 300V,20 A超高速二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥7.03
    • 10+

      ¥5.92
    • 50+

      ¥4.95
    • 100+

      ¥4.26
    • 500+

      ¥3.95
  • 有货
  • 轨到轨0.9V纳功率推挽单路比较器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.1
    • 10+

      ¥5.53
    • 30+

      ¥4.75
    • 100+

      ¥3.97
    • 500+

      ¥3.51
    • 1000+

      ¥3.27
  • 有货
  • 是高电流、高精度、低压差电压调节器系列。这些调节器具有400mV的压差电压和极低的接地电流。专为高电流负载设计,也用于低电流、极低压差关键系统,其微小的压差电压和接地电流值是重要特性。典型应用包括电源开关后调节、显示器串联电源、VCR和电视串联电源、计算机系统和电池供电系统。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.1
    • 10+

      ¥5.99
    • 30+

      ¥5.44
    • 100+

      ¥4.89
    • 500+

      ¥4.25
    • 1000+

      ¥4.08
  • 有货
  • 高压启动过渡模式PFC
    数据手册
    • 1+

      ¥7.24
    • 10+

      ¥6.5
    • 30+

      ¥6.1
    • 100+

      ¥5.64
    • 500+

      ¥5.44
    • 1000+

      ¥5.35
  • 有货
  • IPS4260L是一款单片高速(最高开关频率达250 kHz)器件,可驱动四个独立的容性、阻性或感性负载,负载的一端连接到电源电压。各通道可并联以降低功耗。当连接到Vcc电源轨时,四个集成的续流二极管可钳位感性负载(即使电感值很大)产生的关断瞬态;结合连接到VCC或GND的合适外部瞬态电压抑制器(TVS),该集成电路也能实现快速衰减
    数据手册
    • 1+

      ¥7.31
    • 10+

      ¥6.09
    • 30+

      ¥5.42
    • 100+

      ¥4.66
    • 500+

      ¥3.89
    • 1000+

      ¥3.74
  • 有货
    • 1+

      ¥7.55
    • 10+

      ¥6.13
    • 30+

      ¥5.35
    • 100+

      ¥4.47
    • 500+

      ¥4.07
  • 有货
  • P沟道60 V、0.025 Ohm典型值、35 A STripFET F6功率MOSFET,DPAK封装
    数据手册
    • 1+

      ¥7.62
    • 10+

      ¥6.08
    • 30+

      ¥5.31
    • 100+

      ¥4.55
    • 500+

      ¥4.1
    • 1000+

      ¥3.86
  • 有货
  • 25A Snubberless 三端双向可控硅
    数据手册
    • 1+

      ¥8.85
    • 10+

      ¥7.37
    • 50+

      ¥6.57
    • 100+

      ¥5.65
    • 500+

      ¥5.25
  • 有货
  • SuperMESH™系列是通过对成熟的基于条形结构的PowerMESH™布局进行优化而得。除了显著降低电阻外,它还能为要求最严苛的应用提供出色的dv/dt性能。该系列完善了高压功率MOSFET的全产品线
    数据手册
    • 1+

      ¥9.64
    • 10+

      ¥8.01
    • 30+

      ¥6.65
    • 90+

      ¥5.64
    • 510+

      ¥5.19
  • 有货
  • 特性:工作电源范围:1.8V至3.6V(掉电时低至1.65V)。 温度范围:-40°C至85°C、105°C或125°C。 5种低功耗模式:等待、低功耗运行(5.1μA)、低功耗等待(3μA)、带完整RTC的活动暂停(1.3μA)、暂停(350nA)。 功耗:195μA/MHz + 440μA。 每个I/O超低泄漏:50nA。 从暂停状态快速唤醒:4.7μs
    数据手册
    • 1+

      ¥10.34
    • 10+

      ¥8.7
    • 30+

      ¥7.67
    • 250+

      ¥6.32
    • 500+

      ¥5.84
  • 有货
  • 低压16位恒定电流LED灌驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥10.63
    • 10+

      ¥8.9
    • 30+

      ¥7.95
    • 100+

      ¥6.87
    • 500+

      ¥6.4
  • 有货
  • 25A Snubberless 三端双向可控硅
    数据手册
    • 1+

      ¥10.81
    • 10+

      ¥9.04
    • 50+

      ¥8.06
    • 100+

      ¥6.96
    • 500+

      ¥6.47
  • 有货
  • 配备嵌入式STM32 MCU的高级BLDC控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥11.02
    • 10+

      ¥9.25
    • 30+

      ¥8.14
    • 100+

      ¥7
    • 500+

      ¥6.48
    • 1000+

      ¥6.26
  • 有货
  • OMNIFET II全自动保护功率MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥12.09
    • 10+

      ¥10.08
    • 30+

      ¥9.16
    • 100+

      ¥8.12
    • 500+

      ¥7.66
    • 1000+

      ¥7.45
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。存储器:16至32 Kbytes的闪存,4 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:数字和I/O电源:2.0至3.6 V;模拟电源:V(DDA) = 从V(DD)至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;V(BAT)为RTC和备份寄存器供电。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器;32 kHz用于RTC的振荡器,带校准;内部8 MHz RC,有x6 PLL选项;内部40 kHz RC振荡器。多达39个快速I/O:所有可映射到外部中断向量;多达26个I/O具有5 V容限能力
    数据手册
    • 1+

      ¥12.27
    • 10+

      ¥10.1
    • 30+

      ¥8.91
    • 100+

      ¥7.56
    • 490+

      ¥6.96
  • 有货
  • 是超低功耗微控制器,基于高性能 Arm Cortex M0+ 32 位 RISC 内核,工作频率高达 56 MHz。嵌入高速存储器(高达 256 Kbyte 闪存和 40 Kbyte 带硬件奇偶校验的 SRAM),以及广泛的增强型 I/O 和连接到 APB 和 AHB 总线的外设,还有 32 位多 AHB 总线矩阵。还嵌入了用于嵌入式闪存和 SRAM 的保护机制,如读取保护和写入保护。提供 12 位 ADC、12 位 DAC、两个嵌入式轨到轨模拟比较器、一个运算放大器、一个低功耗 RTC、一个通用 32 位定时器、一个专用于电机控制的 16 位 PWM 定时器、三个通用 16 位定时器和三个 16 位低功耗定时器。还嵌入多达 21 个电容感应通道,以及一个集成 LCD 控制器,可通过内部升压转换器驱动 8×48 或 4×52 段。具有标准和高级通信接口,即四个 I2C、三个 SPI、四个 USART 和三个低功耗 UART,以及一个无晶振 USB 全速设备
    • 1+

      ¥12.49
    • 10+

      ¥11.4
    • 30+

      ¥10.72
    • 250+

      ¥10.02
    • 500+

      ¥9.7
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.8V至3.6V电源,-40至85℃温度范围。 0.23μA待机模式(2个唤醒引脚)。 0.35μA停止模式(16个唤醒线)。 0.6μA停止模式 + RTC + 8KB RAM保留。 运行模式下低至76μA/MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥12.91
    • 10+

      ¥10.83
    • 30+

      ¥9.53
    • 250+

      ¥8.2
  • 有货
  • 特性:16MHz 先进 STM8 内核,采用哈佛架构和 3 级流水线,指令集扩展。 程序存储器:高达 32 Kbyte Flash;在 55℃ 下经过 10 k 周期后数据保留 20 年。 数据存储器:高达 1 Kbyte 真数据 EEPROM;耐久性 300 k 周期。 RAM:高达 2 Kbyte。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制,4 个主时钟源:低功率晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调 16 MHz RC、内部低功率 128 kHz RC
    数据手册
    • 1+

      ¥13.06
    • 10+

      ¥11.49
    • 30+

      ¥10.51
    • 100+

      ¥9.5
    • 490+

      ¥9.05
    • 980+

      ¥8.85
  • 有货
  • SuperMESH™ 系列是通过成熟的基于条形结构的 PowerMESH™ 布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外,还特别注重确保该系列在最严苛的应用场景下具备出色的 dv/dt 能力。该系列产品完善了意法半导体的全系列高压功率 MOSFET,其中包括具有革新意义的 MDmesh™ 产品
    数据手册
    • 1+

      ¥13.06
    • 10+

      ¥11.46
    • 30+

      ¥10.45
    • 100+

      ¥9.43
    • 500+

      ¥8.96
  • 有货
  • 具有低静态电流的 38V、1.5A 同步降压转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥14.25
    • 10+

      ¥11.95
    • 30+

      ¥10.5
    • 100+

      ¥9.03
    • 500+

      ¥8.36
    • 1000+

      ¥8.07
  • 有货
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